智勝科技 傅丞逸Mike

8/12/2023
01 ABOUT US 關於我們

02 INTRODUCTION 簡介

03 Project Char ter 專案章程

01 ABOUT US 關於我們

02 INTRODUCTION 簡介

03 PROJECT CHARTER 專案章程

 • Established in 1984
• We specialize in PU chemical formulas and raw material R&D.

頌勝化學

IV Technologies Co., Ltd 4

 Microcellular
foam

Elastomer • PU Insole & footbed

• Air filter

• PU Gear & Roller

• Roller skate wheel
• PU mouse pad Rigid foam

• Energy absorbing foam

Adhesive

• PU Skin
• PURHM
Flexible foam

• Viscoelastic foam

IV Technologies Co., Ltd 5

 • In 2002 , we established iV Technologies.

• Leveraging our extensive expertise in PU material technology, we

developed a “Foam Technology for Semiconductor Polishing Pad”.

智勝科技

IV Technologies Co., Ltd 6

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02 INTRODUCTION 簡介

03 PROJECT CHARTER 專案章程

 • Metal line: 水平方向傳導
• Via: 垂直方向傳導

BEOL

FEOL

100nm, Covid-19 Virus

IV Technologies Co., Ltd 8
◆P r o c e s s l o o p :

Oxide

Ox Film Dep.
氧化物鍍膜
Wafer(含前層)

Litho
CMP Integrate 黃光
化學機械研磨 loop
Dry Etching
Metal Dep. 乾蝕刻
金屬鍍膜
Wet Clean
濕蝕刻

IV Technologies Co., Ltd 9

◆ CMP (Chemical & Mechanical Polishing)

CMP processing

◆ CMP Tool

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 Platen3 拋光清潔
◆ CMP 機台上視圖與製程程序

Platen2 細磨

Platen1 粗磨

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 Input CMP Process Output

Platen1 Platen2 Platen3

未磨前 粗磨 細磨 清潔 量測
Measurement
Wafer incoming Global Polishing Over polishing Cleaning
Step Height

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 Input CMP Process Output

Platen1 Platen2 Platen3

未磨前 粗磨 細磨 清潔 量測
Measurement
Wafer incoming Global Polishing Over polishing Cleaning
Step Height

Polishing Material PE (planarization efficiency)

• Polishing Pad
1. 材料楊式係數
2. 材料硬度
3. 表面粗糙度

Slurry
• Slurry(化學劑種類/流量)
Conditioner
• 鑽石大小/高度/銳利度

CMP Machine Recipe

• Head (Head Speed/Head pressure)
• Platen(Speed)
• Conditioner (Speed and sweep frequency)

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 CMP Process
Active

Trench

Oxide

Oxide

Substrate Substrate

∆THK_Trench Ox
PE (planarization efficiency) =( 1 - ) x100%
平坦化效率 ∆THK_Active Ox

VOC: 客戶期望研磨墊對於晶圓的平坦化效果要好。

CTQ: 可以將客戶的需求近一步量化，此量化指標為PE(平坦化效率)，即其PE數
值望大，會有更好的平坦化效率。

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03 P ROJECT CHARTER 專案章程

 專案章程
項目 摘要 規格

1.製程/過程 Process • Ox Wafer CMP Polishing • 通過客戶的平坦化驗證 (Oxide PE%)

• 目前產品設計上沒有一個關鍵材料指標作為設計依循，其指標期望可用以推估
2.專案概要Project Abstract 對半導體CMP製程中的平坦化影響，且若此指標的量測方法與流程得以建立，
可大幅減少產品開發成本，也縮短與客戶一來一往的驗證時間與開發成本。
• 建立一個關鍵指標與其指標的測量與評價方式，其指標對平坦化效率(PE)可以有
3.專案目標Objective 明顯的提升效果。

• 包含: 1. 材料的機械特性 2.材料的表面形貌

4.範疇 Scope • 不包含:1.CMP 機台的參數 2.其他CMP製程中搭配的耗材差異

• 改善前(開發前): 50萬 /生產每項新材料, 50萬/每次驗證。

5.企業案例Business Case • 改善後(開發後): 減少材料開發驗證的開發成本，以及節省開發時程。

6.顧客得利Benefit to
• 內部客戶: 材料開發中心與產品設計中心對於新世代產品的開發有所依循。
Internal/External • 外部客戶: 獲取性價比更高的產品，客戶的產品生產效率與良率更高。
Customers
總經理室Mike, 材料中心 Jay, 技術開發處Yu, Zoe, 產品開發一部Kelly,
7.小組成員 Team members 晶圓研磨實驗室

8.專案日程 Schedule Kick-off: 2022/4/20 , Approval: 2022/4/29, Closed: 2023/9/1

• 材料中心提供材料的物理特性分析數據與相關的支援。
9.必要支持Support • 技術開發處，檢測與量測技術的支援與開發。
Required • 產品開發一部的產品設計生產支援
• 研磨實驗室的實際驗證，客戶的相關參數支援。
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