Professional Documents
Culture Documents
MØưen¡ fototranzistor…
MØưen¡ fototranzistor…
MØưen¡ fototranzistor…
W h W energie fotonu,
h Planckova konstanta,
kmitočet záření.
Pro kmitočet optického záření platí
v
fázová rychlost záření v daném prostředí,
vlnová délka.
Pro fázovou rychlost pak platí
1
v permitivita prostředí,
permeabilita prostředí.
Index lomu daného prostředí
c
r r c rychlost světla ve vakuu.
v
Konstanty:
h = 6,626069.10-34 J.s
0 = 8,854187817.10-12 F.m-1
rvzduch = 1,00054
0 = 4.π.10-7 H.m-1
rvzduch = 1
Při interakci fotonů s pevnou látkou může docházet k různým jevům. Jsou
to fotoluminiscence, fotoelektrická emise, absorpce záření krystalickou mřížkou
a vnitřní fotoelektrický jev. Při fotoluminiscenci ztratí foton při interakci s
částicí část energie. Tato energie je buď pohlcena v podobě tepla, nebo je
předána částici ve formě kinetické energie. Fotoluminiscence se využívá při
transformaci vlnové délky záření. K fotoemisi dochází tehdy, když je energie
dopadajících fotonů vyšší, než je výstupní práce elektronů. Účinnost tohoto jevu
je velmi nízká, tak 1 %, ale speciální úpravou povrchu lze docílit účinnosti až
30 %. Na tomto principu pracují fotokatody ve vakuových fotonkách a
fotonásobičích.
Při vlastní absorpci fotony způsobí přechod elektronů z valenčního do
vodivostního pásu. Šířka zakázaného pásu WG daného polovodiče určuje
vlnovou délku prahu vlastní absorpce, tzv. absorpční hranu. Při vnitřním
fotoelektrickém jevu se jedná o ionizaci atomů polovodiče účinkem optického
záření a tím dochází ke změně vodivosti.
Zdroje optického záření
Jako zdroje optického záření se používají jednak diody LED (Light
Emmiting Diode), jednak polovodičové lasery LD. Závislost světelného výkonu
je u LED diod téměř lineární, barva záření záleží na použitém polovodičovém
materiálu a dotujících prvcích. Šířka spektra bývá 20 až 100 nm. V současné
době je nabízeno velké množství LED diod různých barev, tvarů a velikostí.
Detektory záření
Jako detektory optického záření se mohou používat fotorezistory,
fototranzistory a fototyristory, fotodiody, fotodiody PIN (Positive Intrinsic
Negative) a lavinové fotodiody APD (Avalanche photodiode). Všechny tyto
součástky jsou založeny na vnitřním fotoelektrickém jevu. Fotorezistory mají
velkou setrvačnost, doby náběhu a doběhu jsou desítky až stovky ms.
Fototranzistory zesilují proud, který vznikne v důsledku absorpce dopadajícího
záření. Báze není obvykle vyvedena, řízení se provádí změnou intenzity záření.
Fototyristory také nemusí mít vyvedenu řídicí elektrodu, sepnutí se provádí
optickým zářením. PIN diody se vyrábějí tak, že se mezi polovodičovými
vrstvami typu P a N vytvoří téměř nedopovaná (intrinsická) vrstva. V této vrstvě
je pohlcována většina záření. Pro křemík je proud za tmy řádově nA, pro
germanium a sloučeniny typu InGaAs a InGaAsP je vyšší. Na použitém
polovodiči opět závisí spektrální citlivost a max. citlivost, uváděná v mA/mW
optického výkonu.
Měřicí
RiV1 RPV1 RiA1 RBA1 RiV2 RPV2 RiA2 RBA2
kanál
1 0Ω 12 Ω 820 Ω 3,3 kΩ
2 0Ω 12 Ω 820 Ω 100 Ω
3 0Ω není 820 Ω není
1,95 kΩ 240 Ω 1,25 kΩ 3,7 kΩ
4 0Ω není 820 Ω 3,3 kΩ
5 0Ω 12 Ω 820 Ω 27 Ω
6 0Ω není 820 Ω není
16
14
12
Osvětlenost (lx)
10
8
6
4
2
0
12 13 14 15 16 17 18 19 20
I (mA)
40
35
30
Osvětlenost (lx)
25
20
15
10
5
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
I (mA)
Osvětlenost (lx)
30
25
20
15
10
5
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5
I (mA)
45
40
35
Osvětlenost (lx)
30
25
20
15
10
5
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
I (mA)
0,16
0,14
0,12
Osvětlenost (lx)
0,1
0,08
0,06
0,04
0,02
0
0 5 10 15 20 25
I (mA)
Osvětlenost (lx)
0,1
0,08
0,06
0,04
0,02
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6
I (mA)
Podpis cvíčícího:
Měření fototranzistorů