ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

TRƯỜNG ĐIỆN - ĐIỆN TỬ

-----------------

BÀI GIẢNG
MÔN: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

3/28/2023 1
 TÀI LIỆU THAM KHẢO
1. GS.TS. Nguyễn Đức Thuận (chủ biên), “Giáo trình cấu kiện điện
tử”. Lưu hành nội bộ
2. Robert Boylestad, Louis Nashelsky, “Electronic Devices and
circuit theory”. Prentice hall, Seventh Edition.
3. Thomas L. Floyd “Electronic Devices” Conventional Current
version. Prentice hall, Ninth Edition.
4. Robert F.Pierret “Semiconductor Device Fundamentals”. Addison
Wesley Publishing company
5. Donald P. Leach, Albert Paul Malvino, “Digital Principles and
Applications”. Printed in the United States of America.
6. Ronald J.Tocci and Neal S.Widmer “Digital Systems Principles
and Applications”. Prentice hall, Eighth Edition.
7. www.ti.com
3/28/2023 2
8.https://www.physics-and-radio-electronics.com/electronic-
devices-and-circuits/semiconductor-diodes/schottkydiode.html
9. https://www.electronics-notes.com/articles/electronic_components/diode/schottky-
barrier-diode-characteristics-specifications-parameters.php

10. https://circuitglobe.com/thermistor.html
11. https://www.electronics-notes.com/articles/electronic_components/resistors/thermistor-
specifications-specs-parameters.php

12. https://www.electronics-tutorials.ws/resistor/varistor.html
13. http://www.circuitstoday.com/
14. http://www.resistorguide.com/varistor/
15. https://www.sunrom.com/get/559199
16. https://www.electronicshub.org/varistor/

3/28/2023 3
 NỘI DUNG
 PHÂN LOẠI CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ
 DIODE BÁN DẪN
 CÁC CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ HAI CỰC RỜI RẠC ĐẶC BIỆT
 TRANSISTOR TIẾP XÚC LƯỠNG CỰC BJT
 TRANSISTOR TRƯỜNG
 VI MẠCH TƯƠNG TỰ
 VI MẠCH SỐ
 CHƯƠNG 1. PHÂN LOẠI CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ
1.1. Định nghĩa cấu kiện điện tử
+ Cấu kiện điện tử hiểu theo cách khác đó là cấu trúc (cấu tạo),
của những linh kiện điện tử đóng vai trò chủ đạo trong một
mạch điện tử
1.2. Phân loại cấu kiện điện tử
Cấu kiện điện tử gồm một số loại chính như:
+ Cấu kiện điện tử tuyến tính (thụ động) gồm điện trở; tụ điện,
cuộn cảm; thạch anh
+ Cấu kiện điện tử phi tuyến (tích cực) gồm: Các linh kiện bán
dẫn như Diode; Transistor tiếp xúc lưỡng cực; transistor
trường, tiristor, thyristor,…
+ Cấu kiện điện tử chân không như bóng đèn hình chân không
CRT (Cathode Ray Tube)
3/28/2023 5
1.3. Xu thế phát triển của nền công nghệ điện tử
+ Thu nhỏ kích thước của các linh kiện điện tử
+ Tích hợp các linh kiện điện tử thành vi mạch (mạch tích hợp
hay là mạch tổ hợp)
+ Tăng mật độ các linh kiện điện tử trong một vi mạch
 Cải thiện thời gian xử lý tín hiệu

3/28/2023 6
 CHƯƠNG 2. DIODE BÁN DẪN
2.1. Những tính chất cơ bản của vật liệu bán dẫn
- Vật liệu bán dẫn: Là những vật chất ở thể rắn, có thể là tinh
thể đơn/ đơn chất (Single – crystal) hoặc hợp chất
(compound)
+ Loại đơn chất: Silicon (Si), Germanium (Ge), antimony
(Sb), arsenic (As), astatine (At), boron (B)
Ghi chú:
Si là vật liệu bán dẫn được dùng phổ biến nhất rồi đến Ge
+ Loại hợp chất: gallium arsenide (GaAs), Gallium
arsenide phosphide (GaAsP), gallium nitride (GaN), silicon
carbide.
- Điện trở suất: (cm)
Là thông số để đánh giá độ dẫn điện của vật liệu trong đơn vị
cm khối
3/28/2023 7
 R

A = 1cm2 l = 1cm

Bảng các giá trị điện trở suất của một số vật liệu điển hình
Chất dẫn Chất bán dẫn Chất cách điện

3/28/2023 8
- Hệ số liên quan tới độ linh động của hạt dẫn tự do trong vật
liệu bán dẫn relative mobility (): là khả năng của hạt dẫn tự
do chuyển động trong vật liệu bán dẫn.

Chất bán dẫn  (cm2/V.s)

Si 1500
Ge 3900
GaAs 8500

3/28/2023 9
- Vùng năng lượng Năng lượng

Trong đó:
Wg: mức năng lượng

Với chất bán dẫn: 0 eV < Wg < 5eV;

Si: Wg = 1,1eV Wg

Ge: Wg = 0,67eV

GaAs: Wg = 1,41 eV
1eV = 1.6 x 10-19J

Một điện tử từ vùng hóa trị (Valence band) muốn lên vùng dẫn
(Conduction band) để tham gia dẫn điện thì phải được cấp một
năng lượng  Wg
 Vùng hóa trị (vùng đầy): được cấu tạo bởi những mức năng
lượng sát ngoài cùng, là những mức đã bị chiếm đầy tượng
trưng cho các điện tử nằm trong liên kết đồng hóa trị,
không có khả năng dẫn điện
 Vùng cấm: Không có mức năng lượng nào để điện tử có thể
tồn tại.
 Vùng trống (vùng dẫn): Gồm những mức năng lượng của
lớp ngoài cùng
trong đó còn nhiều mức trống, tại đây điện tử có thể tự do
dịch chuyển trong mạng tinh thể và sẵn sàng tham gia dẫn
điện khi có điện trường ngoài tác động.
2.2. Chất bán dẫn thuần (I), bán dẫn loại N, bán dẫn loại P

* Chất bán dẫn thuần (bán dẫn loại I- Intrinsic

semiconductor): Si, Ge
+Cấu trúc và liên kết trong bán dẫn thuần

Có 4 electron hóa trị

ở lớp ngoài cùng

Cấu trúc nguyên tử của Si Cấu trúc nguyên tử của Ge

Nguyên tử ở giữa chia sẻ 04 electron Sơ đồ liên kết. Dấu trừ thể hiện
với 4 nguyên tử xung quanh electron hóa trị được chia sẽ

Liên kết cộng hóa trị

Liên kết cộng hóa trị bên trong tinh thể silic

3/28/2023 14
Biểu đồ vùng năng lượng của nguyên tử trong tinh thể Si
thuần (pure/intrinsic). Không có electron nào có trong vùng
dẫn
Năng lượng

(vùng dẫn)

Wg

Mức năng lượng thứ 3

(vùng hóa trị)

Mức năng lượng thứ 2

Mức năng lượng thứ 1

Hạt
nhân

3/28/2023 15
Chú ý:
+ Vật liệu bán dẫn ở trạng thái thuần túy (chưa pha tạp
chất) được coi là chất dẫn kém.
+ Sự gia tăng nhiệt độ của chất bán dẫn có thể dẫn đến sự
gia tăng đáng kể số lượng electron tự do.
Lỗ trống và Electron:
Một tinh thể Si thuần túy ở nhiệt độ phòng có đủ năng
lượng nhiệt cho một số electron hóa trị để nhảy từ vùng
hóa trị qua vùng cấm lên vùng dẫn trở thành các
Electron tự do (Free electron). Các Electron tự do này
được gọi là Electron dẫn.

3/28/2023 16
 Wg

a) Biểu đồ năng lượng b) Sơ đồ liên kết

Khi một electron nhảy lên vùng dẫn, nó để lại khoảng trống ở
trong vùng hóa trị. Khoảng trống này gọi là lỗ trống (hole).
Đó là quá trình tạo ra cặp electron – hole.
Sự tái hợp xảy ra khi 01 electron ở vùng dẫn mất năng lượng
và rơi trở lại vào một lỗ trống trong vùng hóa trị.

3/28/2023 17
Quá trình tạo ra cặp electron – hole và quá trình tái hợp electron với
hole trong tinh thể Si

Như vậy, đối với bán dẫn Si thuần ở nhiệt độ phòng, số lượng
electron tự do trong vùng dẫn không liên kết với bất kỳ nguyên tử
nào và trôi ngẫu nhiên trong vật liệu. Nồng độ lỗ trống = nồng độ
electron tự do.
3/28/2023 18
* Chất bán dẫn loại N/ bán dẫn Donor (Bán dẫn tạp chất cho điện tử)
+ Cách tạo ra: Pha trộn nguyên tử tạp chất có 5 electron hóa trị ở lớp
ngoài cùng (hóa trị +5) vào chất bán dẫn thuần là Si hoặc Ge để tăng
số lượng e trong vùng dẫn của chất bán dẫn thuần. Một số nguyên tử
có 5 electron hóa trị ở lớp ngoài cùng là: As (Arsenic), Sb
(antimony), P (phospho),…

Free (conduction)
electron from Sb atom

Nguyên tử tạp chất có hóa trị 5 trong cấu trúc tinh thể Si
3/28/2023 19
+ Hạt dẫn đa số và thiểu số trong chất bán dẫn tạp chất cho
Trong bán dẫn tạp chất loại N: Các Electron tự do là hạt dẫn
đa số, các lỗ trống (holes) là hạt dẫn thiểu số.

+ Cấu trúc vùng năng lượng của bán dẫn tạp chất cho e

Wg
(Mức năng lượng của
tạp chất cho)

3/28/2023 20
* Chất bán dẫn loại P/ Bán dẫn loại Acceptor (Bán dẫn tạp chất nhận
điện tử)
+ Cách tạo ra: Pha trộn nguyên tử tạp chất có 3 electron hóa trị ở lớp
ngoài cùng (hóa trị +3) vào chất bán dẫn thuần là Si hoặc Ge. Một số
nguyên tử có 3 electron hóa trị ở lớp ngoài cùng là: B (Boron), In
(Indium), Ga (Gallium).

Nguyên tử tạp chất có hóa trị 3

trong cấu trúc tinh thể Si
3/28/2023 21
+ Hạt dẫn đa số và thiểu số trong chất bán dẫn tạp chất nhận
Trong bán dẫn tạp chất loại P: Các lỗ trống là hạt dẫn đa số,
các electron tự do là hạt dẫn thiểu số.
2.3 Dòng điện trong chất bán dẫn
 Chuyển động trôi tạo nên dòng trôi: Itrôi
 Chuyển động khuếch tán tạo nên dòng khuếch tán: Ikt

3/28/2023 22
 Dòng điện trôi:
Itrôi = In trôi + Ip trôi

In trôi = q.n.nE

Ip trôi = q.p. P.E

Đối với Ge: n = 3900 cm2/V.s
p = 1800 cm2/V.s
Đối với Si:  n = 1500 cm2/V.s
p = 500 cm2/V.s
Trong chất bán dẫn loại n: nn >> pn
Trong chất bán dẫn loại p: Pp >> np
Chuyển động của điện tử và lỗi trống dưới tác động của điện trường

Cường độ điện trường E

chuyển động của điện tử In trôi

chuyển động của lỗ trống Ip trôi

 Itrôi = In trôi + Ip trôi = qE (n  n + p  p)

3/28/2023 24
Dòng khuếch tán:
Dòng khuếch tán điện tử In kt và dòng khuếch tán lỗ trống Ip kt.
 dn  dn
I nkt  qDn     qDn
 dx  dx
Dn, Dp: Hệ số khuếch tán
 dp  dp của điện tử và lỗ trống
I pkt  qD p     qD p
 dx  dx
Do điện tử linh động hơn lỗ trống nên Dn > Dp ;
Dn  32Cm2/s; Dp  12Cm2/s.
* Nếu nồng độ hạt dẫn n và p khuếch tán ngược chiều nhau
thì mật độ dòng khuếch tán chung sẽ bằng:

 dn dp 
I kt  I nkt  I pkt  q Dn  Dp 
 dx dx 
KT
D   UT 
q
3/28/2023 25
 pn junction
Tiếp xúc pn
P region n region

Nếu một miếng bán dẫn Si thuần được pha tạp sao cho một
phần là bán dẫn tạp chất loại n và phần còn lại là bán dẫn tạp
chất loại p, tiếp xúc pn hình thành ở đường biên giữa 2
vùng.

3/28/2023 26
Miền p (p region) có nhiều lỗ trống (gọi là hạt đa số) từ các
nguyên tử tạp chất và chỉ cần một tác động bởi nguồn nhiệt độ
vừa phải thì các điện tử tự do được tạo ra (các hạt thiểu số)

Miền n (n region) có nhiều điện tử tự do (hạt đa số) từ các

nguyên tử tạp chất và chỉ cần một tác động bởi nguồn nhiệt độ
vừa phải thì các lỗ trống được tạo ra (các hạt thiểu số)

3/28/2023 27
 Điện thế hàng rào (Barrier potential)
(Depletion region)

P region n region
Các mũi tên màu
xanh giữa các điện
tích dương và điện
tích âm trong vùng
nghèo hạt dẫn biểu
thị trường điện tích.

Barrier
potential

Quá trình hình thành một điện thế hàng rào:

Mỗi electron khuếch tán qua tiếp xúc và kết hợp với lỗ trống,
tạo ra một điện tích dương trong miền n và một điện tích âm
trong miền p 3/28/2023 28
Vùng nghèo hạt dẫn (Depletion region)

Khi tiếp xúc pn được hình hành, miền n mất các electron tự do vì
chúng khuếch tán qua tiếp xúc. Vấn đề này tạo ra lớp các điện
tích dương (Ions hóa trị 5) gần tiếp xúc.
Do các electron dịch chuyển qua tiếp xúc, miền p mất các lỗ
trống vì các electron kết hợp với các lỗ trống. Vấn đề này tạo ra
lớp các điện tích âm (Ions hóa trị 3) gần tiếp xúc.

Hai lớp các điện tích dương và các điện tích âm hình thành
vùng nghèo hạt dẫn.

Ghi chú: Vùng Depletion region được hình thành rất nhanh và
rất mỏng hơn nhiều so với miền n và miền p.

3/28/2023 29
2.4. Cấu tạo và nguyên lý làm việc của Diode bán dẫn
* Cấu tạo:
- Được chế tạo từ Si hoặc Ge
- Gồm 2 miền bán dẫn p,n ghép lại với nhau theo quy trình chế
tạo bán dẫn.
- Có 2 cực: Anode (A) , Cathode (K)
Tiếp xúc PN

(+) (-)

* Ký hiệu:

3/28/2023 30
* Nguyên lý làm việc
(1) Tiếp xúc PN (Diode bán dẫn) phân cực thuận.

Tiếp xúc PN
Ungoài > Ubarrier (0.7V)
(+)
(-)

+ -
Ungoài

3/28/2023 31
 P region n region

A (+) K (-)

UBarrier

+ -
Ungoài
UBarrier / Barrier potential
Điện áp hàng rào/ Điện thế hàng rào  0.7V
Điện áp rơi trên tiếp xúc pn khi phân cực thuận = điện thế hàng rào =
0.7V
Lỗ trống trong miền P bị đẩy tới tiếp xúc PN vượt qua tiếp xúc
vào miền n
Điện tử tự do trong miền N bị đẩy tới tiếp xúc PN và vượt qua tiếp
xúc vào miền p
3/28/2023 32
 Do lực đẩy của Điện trường ngoài tác động tới lỗ trống trong
miền P và điện tử tự do trong miền N nên vùng nghèo hạt dẫn
hay miền điện tích không gian bị thu hẹp lại.
UBarrier

A (+)
K (-)

Depletion region
Depletion region

 Nếu điện áp phân cực thuận trên dải giá trị đã được ghi rõ thì
các e từ miền N trôi qua tiếp xúc và dịch chuyển vào miền P;
các lỗ trống từ miền P trôi qua tiếp xúc và dịch chuyển vào
miền N  xuất hiện dòng điện gọi là dòng điện trôi (Drift
current).

3/28/2023 33
Dòng điện khi diode (tiếp xúc pn) phân cực thuận ID:
Khi diode (tiếp xúc pn) phân cực thuận (cực âm của Ungoài đặt
vào miền n, cực dương đặt vào miền p) và theo nguyên lý cùng
dấu đẩy nhau, nên các e (hạt đa số) trong miền n bị đẩy hướng
tới tiếp xúc pn và qua tiếp xúc pn tạo thành dòng electron.
Dòng này bị suy yếu khi đi qua tiếp xúc pn và kết hợp với các
holes trong miền p.
Ở chiều ngược lại, dòng lỗ trống được tạo ra. Dòng này chuyển
động hướng tới tiếp xúc pn, kết hợp với dòng electron
Kết quả của quá trình: Một dòng điện được tạo ra, dòng này có
hướng từ miền p sang miền n. Đây cũng chính là dòng ID (dòng
điện chạy qua diode/ tiếp xúc pn)

3/28/2023 34
 (2) Tiếp xúc PN (Diode bán dẫn) phân cực ngược

Tiếp xúc PN

- +
Ungoài

Phía miền n:

Cực dương của Ungoài hút các điện tử tự do (hạt đa số) trong miền
N, ra xa tiếp xúc pn  các lỗ trống được tạo ra thêm tại vùng
nghèo hạt dẫn. Kết quả này dẫn tới vùng nghèo hạt dẫn mở rộng ra
và các hạt dẫn đa số ít đi
3/28/2023 35
 P region Depletion region n region

- +
Ungoài

Phía miền p:
Các e từ nguồn âm của Ungoài đi vào miền p với vai trò là các e hóa
trị và dịch chuyển tới các lỗ trống hướng tới vùng nghèo hạt dẫn –
nơi mà chúng tạo ra thêm các điện tích âm.

Kết quả này dẫn tới vùng nghèo hạt dẫn mở rộng ra và các hạt dẫn
đa số ít đi
3/28/2023 36
Do vùng nghèo hạt dẫn mở rộng ra cả hai phía, tại đây rất ít hạt dẫn
đa số, trở kháng lớn  không có dòng điện chạy qua

Dòng điện ngược: Dòng này vô cùng nhỏ (một vài A) có thể bỏ
qua, được tạo ra bởi các hạt thiểu số ở trong miền n và miền p, do
tác động của nhiệt độ

3/28/2023 37
 Tóm tắt:
+ Phân cực thuận K
A
A K
 + -
E UD rD

+ -

Diode dẫn điện (thông): ID > 0, UD = 0.7 V (đối với

Diode được làm từ Si); UD = 0.3 V (đối với Diode được làm
từ Ge) A K

+ Phân cực ngược:  A K

E
+
-

Diode khóa (không dẫn điện): IS, Ungược = E

Nhận xét: Diode bán dẫn có tính chất chỉnh lưu (van), chỉ
dẫn điện theo một chiều (chiều phân cực thuận)
3/28/2023 38
2.5. Các tham số chính của diode bán dẫn
 Các tham số giới hạn:
- Điện áp đánh thủng (UBR)
- Điện áp thuận rơi trên Diode có giá trị cực đại (UD,max)
- Điện áp ngược cực đại (Ungược, max)
- Dòng chỉnh lưu trung bình cực đại (I0, max)
- Công suất tiêu thụ cực đại (Pmax)
 Các tham số điện (to = 250C)
- Điện áp thuận rơi trên Diode (UD)
UD  ID; ID tăng UD tăng theo, UD,max  1V với ID,max  200mA
UD còn gọi là điện áp ngưỡng (điện áp mở) của Diode
UD = 0.7V với Diode được chế tạo từ Si
UD = 0.3V với Diode được chế tạo từ Ge

3/28/2023 39
- Dòng điện ngược bão hòa IS
- Điện trở một chiều RD = UD/ID
- Điện trở xoay chiều rd = UD/ID
- Điện trở xoay chiều trung bình rav: là điện trở của Diode bán
dẫn khi nó được phân cực thuận với điện áp xoay chiều ở đầu
vào. rav = Ud/Id {từ điểm có dòng điện nhỏ nhất đến điểm
có dòng điện lớn nhất trên đặc tuyến ở vùng phân cực thuận}
- Điện dung khuếch tán CDiffusion: là điện dung sinh ra ở khu
vực tiếp xúc khi có sự khuếch tán các hạt dẫn ở chế độ phân
cực thuận.
- Điện dung hàng rào Cbar: là điện dung sinh ra ở khu vực tiếp
xúc khi Diode phân cực ngược.
- Tần số làm việc cực đại fmax: là tần số lớn nhất của tín hiệu đi
qua didode mà chưa làm mất tính chỉnh lưu của diode.
3/28/2023 40
 Điện trở một chiều (Điện trở tĩnh) RD
Điện trở một chiều dc (Điện trở tĩnh): Là điện trở của Diode khi nó
làm việc với điện áp một chiều dc

RD = UD/ID
Điện trở của Diode tại điểm làm ID(mA)
việc được xác định rất đơn giản
bằng cách xác định giá trị UD và ID
Điểm
ID tương ứng ở trên đặc tuyến. làm việc

UD

UD(V)

Vậy, dòng điện chạy qua Diode càng cao thì điện trở một chiều của
nó có giá trị càng thấp.
3/28/2023 41
Ví dụ: Xác định giá trị điện trở dc của Diode ứng với các số
liệu cho trong hình vẽ dưới đây

ID(mA)

20

UD
-10V 2

0.5 0.8 UD(V)

-1A

3/28/2023 42
Điện trở xoay chiều (Điện trở động) rd
Điện trở xoay chiều (Điện trở động) của Diode bán dẫn: Là điện trở
của nó khi nó làm việc với tín hiệu xoay chiều ở đầu vào

rd = Ud/Id

Đường tiếp tuyến

Id

Vậy, điểm làm việc Q càng thấp (dòng điện

càng nhỏ hoặc điện áp càng thấp) thì điện
Ud
trở xoay chiều của nó có giá trị càng cao.

3/28/2023 43
Ví dụ: Cho đặc tuyến của Diode có dạng như hình vẽ dưới đây

ID(mA) A/ Xác định rd tại ID = 2mA

B/ Xác định rd tại ID = 25mA

Id

Ud

Id

UD(V)
Ud 3/28/2023 44
Hướng dẫn:
A/
Theo hình vẽ: tại ID = 4mA thì UD = 0.76V; và tại ID = 0mA
thì UD = 0.65V
Vậy, kết quả của sự thay đổi của dòng điện và điện áp tương
ứng là:
Id = 4mA – 0 mA = 4 mA
Ud = 0.76 V – 0.65 V = 0.11V
rd = Ud/Id = 0.11 V/ 4 mA = 27.5
B/
(Làm tương tự như câu A)

3/28/2023 45
Điện trở xoay chiều trung bình rav
Là điện trở của Diode bán dẫn khi nó được phân cực thuận với
điện áp xoay chiều ở đầu vào.
(pt: point)

ID(mA)
Theo hình vẽ:
Id = 17mA – 2 mA = 15 mA

Ud = 0.725 V – 0.65 V = 0.075V

Id
rav

UD(V)
3/28/2023
U 46
 Các tham số cơ khí
- Hình dáng của Diode
- Kích thước
- Trọng lượng

3/28/2023 47
3/28/2023 48
 2.6. Phương trình Shockley
Dòng ID của diode bán dẫn có thể được mô tả khá chính xác
bằng phương trình Shockley như sau:
𝑈𝐷
ID = IS(𝑒 𝑚𝑈𝑇 - 1) (*)

Trong đó: IS là dòng ngược bão hòa; UD là điện áp mở của

Diode khi phân cực thuận; UT là điện thế nhiệt và được tính
bằng:
KT
UT 
e
Với e là điện tích của điện tử, e = 1,6.10-19C; K là hằng số
Boisman; K = 1,38.10-23 J/K; T là nhiệt độ Kenvin,
ToK = toC + 273

3/28/2023 49
 Với các giá trị trên, ta tính được
UT = 25,5mV (ở t0 = 25oC)
Đôi khi UT  26mV
m: Hệ số tỉ lệ; m = (12) cụ thể là m = 2 (Si); m = 1 (Ge)
ở mức dòng ID nhỏ dưới điểm uốn (trên đặc tuyến vôn - ampe)
m = 1 (Si và Ge) ở mức dòng ID lớn (trên điểm uốn)

2.7. Đặc tuyến vôn-ampe

+ Đặc tuyến Vôn – ampe của Diode bán dẫn được minh họa ở
trong hình vẽ dưới đây (slide sau).

3/28/2023 50
Đặc tuyến Vôn – ampe của Diode bán dẫn

3/28/2023 51
Giải thích đặc tuyến:
+ Vùng phân cực thuận:

+ Vùng phân cực ngược bão hòa:

+ Vùng đánh thủng

3/28/2023 52
 Ảnh hưởng của nhiệt độ tới đặc tuyến của Diode:
ID(mA)
Ở vùng phân cực
thuận, đặc tuyến
của Diode dịch về
bên trái là 2.5mV
khi nhiệt độ tăng Nhiệt độ Nhiệt độ
10C tăng giảm

Ở cùng phân cực IS  0.01pA Diode Si ở nhiệt

độ phòng
ngược, dòng ngược
của Diode tăng lên
-1pA UD(V)
gấp đôi khi nhiệt
độ tăng lên 100C

-1A
-750C
250C
1250C
3/28/2023 53
2.8. Sơ đồ tương đương của Diode bán dẫn
Sơ đồ tương đương tần số thấp dùng phương pháp tuyến tính
hóa từng đoạn:
Xét vùng phân cực thuận của Diode trên đặc tuyến V-A và
tuyến tính hóa thành 2 đoạn như hình vẽ sau đây:
ID(mA)

UD rav
A K

Sơ đồ tương đương Đoạn I

rav

Đoạn II UD Uth(V)
3/28/2023 54
Sơ đồ tương đương đơn giản:
ID(mA)

rav = 0 UD
A K


Uth(V)
UD

3/28/2023 55
Sơ đồ diode lí tưởng:
1) Trong trường hợp phân cực thuận
Ith
UD

R
Ung Uth

Uth

 Diode làm việc như một chuyển

mạch đóng, UD = 0V
Ing
2) Trong trường hợp phân cực ngược

Diode làm việc như

R  một chuyển mạch hở.
Điện áp đặt vào Diode
= Ung
Ung 3/28/2023 56
Ví dụ: cho Diode bán dẫn được chế tạo từ vật liệu bán dẫn
Si được dùng trong mạch như hình vẽ dưới đây: R

Xác định UD, ID của Diode trong trường

hợp:
+ Diode lí tưởng EC =10V D
+ Diode thực tế với rD = 0 và rD = 10

3/28/2023 57
Sơ đồ tương đương ở tần số cao (f  100MHz):

- Diode có thể mất tính chỉnh lưu hoặc có sự lệch pha giữa
dòng điện và điện áp
- Không đáp ứng được tốc độ chuyển mạch do thời gian
phục hồi lớn.
Nguyên nhân: Do sự tồn tại của Cbar (khi diode phân cực
ngược), Ckt (khi diode phân cực thuận)
3/28/2023 58
2.9. Một số ứng dụng phổ biến của Diode bán dẫn
 Chỉnh lưu
 Hạn chế điện áp
 Dịch mức điện áp

2.9.1. Chỉnh lưu 2 nửa (cả) chu kỳ dùng 2 Diode, biến áp có

điểm giữa.

Vin
Sơ đồ mạch ứng dụng:

Vin

Trong đó: Vin là điện áp vào cuộn sơ cấp, VSec là điện áp vào
cuộn thứ cấp.
Cơ bản về nguyên lý làm việc:
 Với ½ chu kỳ (+) của điện áp vào: D1 phân cực
thuận nên nó thông (dẫn), D2 phân cực ngược
nên nó khóa (không dẫn) (hở mạch).
3/28/2023 60
 Vin Vout

Vin Vout

 Với ½ chu kỳ (-) của điện áp vào: D2 phân cực thuận nên nó
thông (dẫn), D1 phân cực ngược nên nó khóa (không dẫn)
(hở mạch). 3/28/2023 61
 Như vậy, cả chu kỳ của tín hiệu vào, đầu ra của mạch là 2 nửa
chu kỳ

Vout
Dạng tín hiệu ra chưa có tụ: Vout

+Vp(pri)

+
RL
-Vp(pri) - Vout

Trong đó: VP(pri) là điện áp đỉnh đầu vào cuộn sơ cấp

P: Peak (đỉnh); Pri: Primary

3/28/2023 62
 Vp(pri)

Vp(pri)
-Vp(pri)
Vp(pri) – 0.7V
Vp(pri) +
-Vp(pri) RL
- Vout
-Vp(pri)

Điện áp chỉnh lưu đầu ra:

1) Điện áp đỉnh:
2) Điện áp trung bình:

Điện áp ngược đỉnh: Vng (peak)

3/28/2023 63
Vpri Vsec
Vout =

VP(sec)
Vng (peak) đặt vào D2 là: Vng (peak) = VP (sec) - 0.7V (1)

VP (sec) = 2 VP (out) + 1.4V (2)

Thay (2) vào (1), ta có: Vng (peak) = 2 VP (out) + 0.7V

3/28/2023 64
Chỉnh lưu cả chu kỳ có tụ lọc đầu ra

Vin Vout

Dạng tín hiệu ra có tụ:

Vout Vout có tụ
Ripple

3/28/2023 65
* 2.9.2. Chỉnh lưu 2 nửa (cả) chu kỳ dùng cầu Diode
 Cầu diode:

Sơ đồ cầu Diode Ký hiệu cầu Diode

Vin

Sơ đồ mạch ứng dụng:

3/28/2023 66
Vin
Vout

Cơ bản về nguyên lý làm việc:

 Với ½ chu kỳ (+) của điện áp vào: D1-D2 phân cực thuận 
thông (dẫn). Có dòng điện chạy qua chúng tới đầu ra RL, D3-
D4 phân cực ngược  khóa (không dẫn) (hở mạch).

3/28/2023 67
 Với ½ chu kỳ (-) của điện áp vào: D3-D4 phân cực thuận 
thông (dẫn). Có dòng điện chạy qua chúng tới đầu ra RL, D1-
D2 phân cực ngược  khóa (không dẫn) (hở mạch).

Vin
Vout

Như vậy, cả chu kỳ của tín hiệu vào, đầu ra của mạch là 2 nửa
chu kỳ

3/28/2023 68
Điện áp chỉnh lưu đầu ra:
1) Diode lý tưởng:

Vpri Vsec

RL VP(out) = VP(sec)

+ Điện áp đỉnh:
VP (out) = VP (sec)

+ Điện áp trung bình:

3/28/2023 69
2) Diode thực tế:

Vpri Vsec
RL VP(out)

+ Điện áp đỉnh:
VP (out) = VP (sec) – 1.4V

+ Điện áp trung bình:

= 0.637(VP (sec) – 1.4V)

3/28/2023 70
 Điện áp ngược đỉnh: Vng (peak)

Vng (peak)
Vp(pri) Vp(sec)

VP(out)
Vng (peak)

Vng (peak) = VP (out) đối với Diode lí tưởng

Vng (peak) = VP (out) + 0.7V

3/28/2023 71
 Vout
Dạng tín hiệu ra chưa có tụ: Vout

Dạng tín hiệu ra có tụ:

Ripple
Vin Vout

Vout Vout, có tụ
Ripple

t
3/28/2023 72
 Điện áp một chiều: VDC hay VAVG
Chức năng chính của mạch chỉnh lưu có tụ là tạo ra điện áp một
chiều DC
Vr(PP)

Vp(rect)
VDC

Trong đó:
Vr(PP) là điện áp độ gợn (ripple) đỉnh – đỉnh (peak to peak) có
trong điện áp ra của mạch chỉnh lưu khi có tụ

VP(rect) là điện áp ra đỉnh của mạch chỉnh lưu khi có tụ

VDC là điện áp một chiều đầu ra của mạch chỉnh lưu có tụ
Hệ số gợn (ripple):

3/28/2023 73
Chú ý: Nếu RL và C tăng, thì điện áp Vr(PP) giảm; VDC tăng
Bảng so sánh một số tham số giữa chỉnh lưu cả chu kỳ dùng 2 diode
và cầu diode

TT Loại chỉnh lưu Vpout VAVG Vng (peak)

1 Dùng 2 Diode 2VP (out) + 0.7V

2 Dùng cầu Diode VP (sec) – 1.4V VP (out) + 0.7V

3/28/2023 74
Một số hình ảnh của cầu Diode

3/28/2023 75
* Chỉnh lưu bội (nhân đôi điện áp)
 Nửa chu kỳ
 Cả chu kỳ
* Mạch hạn chế biên độ điện áp

 Hạn chế trên mức +E ; - E

 Hạn chế dưới mức +E ; - E
Đồng thời Diode được mắc trong mạch theo 2
cách: Song song hoặc nối tiêp
 Hạn chế cả trên và dưới
 Có 9 mạch hạn chế biên độ tín hiệu

3/28/2023 76
 Mạch hạn chế trên mức +E mắc nối tiếp
E: nguồn điện áp một chiều
Uv: Điện áp hình sin
Để hạn chế được thì: Uv > E
* Phân tích:
+ Khi UV >E , D khóa (phân cực ngược)  Ura = E
+ Khi UV < E, D thông (phân cực thuận)  Ura = UV
(nếu coi Diode lý tưởng)
+ Khi UV = E là mức ngưỡng hạn chế
* Dạng tín hiệu Ura

Diode khônglý tưởng: UD = 0,7 V

Diode lý tưởng: UD = 0V
 Ví dụ: Cho Diode được làm từ Si mắc trong mạch sau:

Uv= 6sin(wt); E = 4,5V, coi giá trị

R là rất nhỏ.
Hãy phân tích nguyên lý làm việc
của mạch và vẽ dạng Ura trong 2
trường hợp: Diode lý tưởng và
không lý tưởng?

 Mạch hạn chế dưới mức +E mắc song song

E: nguồn điện áp một chiều
Uv: Điện áp hình sin

 Để hạn chế được thì: Uv > E

3/28/2023 78
* Phân tích:
* Dạng tín hiệu Ura

Diode lý tưởng: UD = 0V Diode khônglý tưởng: UD = 0,7 V

3/28/2023 79
+ Mạch hạn chế điện áp một chiều
*Trường hợp 1 D
Ura
+
Ura = URt = E - UD ID
E Rt
ID = IRt = Ura/Rt
0

*Trường hợp 2 (Si) (Ge)

D1 D2
Ura = URt = E - UD1 - UD2
Ura
ID1= ID2 = IRt = Ura/Rt +
ID
E Rt

3/28/2023 80
Bài tập áp dụng
Bài 1:
Viết phương trình biểu diễn đặc tuyến Vôn – Ampe của diode bán
dẫn? Vẽ đặc tuyến theo phương trình này? Giải thích kết quả nhận
được của phương trình đối với các vùng phân cực thuận, phân cực
ngược và tại gốc tọa độ?
Bài 2:
Cho diode loại Si được dùng trong mạch
như hình vẽ dưới đây với các giá trị sau:
E = 15V, R = 10kΩ, diode là loại công D
suất nhỏ.
Ura
a. Vẽ mô hình tương đương phù hợp của
+
diode trong mạch? Giải thích lựa chọn E
R

này?
b. Tính dòng qua diode ID?
c. Tính điện áp trên R?
3/28/2023 81
Hướng dẫn giải:
Bài 1:

3/28/2023 82
Đặc tuyến Vôn – Ampe của Diode theo phương trình Shockley

3/28/2023 83
 ID = I S

3/28/2023 84
 Bài 2a:
Do diode cho trong mạch được chế tạo từ vật liệu Si nên điện áp mở
của Diode UD = 0.7V. Điện áp này << giá trị điện áp nguồn cung cấp
E = 15V, nên có thể bỏ qua giá trị của UD.
Trở kháng của nguồn tín hiệu vào trong mạch này chính là nội trở của
nguồn một chiều E, thông thường rất nhỏ (cỡ vài phần mười  đến
vài ), tuy nhiên Rt = 10K là rất lớn. Trong mạch này chỉ có tín
hiệu điện áp một chiều nên điện trở của Diode được dùng là điện trở
một chiều RD. Với diode công suất nhỏ, RD cỡ vài   vài trăm .
Vì vậy, RD << R, do đó có thể bỏ qua ảnh hưởng của UD và RD.
Với lý giải trên, ta có thể chọn mô hình diode lý tưởng (UD = 0V; RD
= 0)
Khi đó mô hình tương đương của Diode là mô hình tương đương
lý tưởng. DLT

3/28/2023 85