‫סמסטר אביב תש"פ‬ ‫הטכניון‪-‬מכון טכנולוגי לישראל‬

‫מועד א' ‪ 21 -‬יולי ‪2020‬‬ ‫הפקולטה להנדסת חשמל‬

‫מעגלים אלקטרוניים (‪)044137‬‬

‫סמסטר אביב תש"פ ‪2020‬‬
‫מבחן – מועד א'‬
‫מבחן ב ‪ZOOM -‬‬

‫בשאלון זה ישנם ‪ 18‬עמודים‪ ,‬כולל עמוד זה‪ .‬נא בדקו כעת את שלמותו!‬ ‫•‬
‫המבחן כולל ‪ 3‬שאלות המכילות סעיפים פתוחים (‪ 40‬נקודות סה"כ) ואמריקאים (‪ 60‬נקודות סה"כ)‪.‬‬ ‫•‬
‫את הסעיפים הפתוחים יש לפתור במלואם במחברת‪ .‬הקפידו לסמן בצורה ברורה את מספר השאלה והסעיף‬ ‫•‬
‫אליהם מתייחס הפתרון‪.‬‬
‫את התשובות לסעיפים האמריקאים יש לסמן בגיליון התשובות‪.‬‬ ‫•‬
‫‪ o‬ישנם סה"כ ‪ 10‬סעיפים אמריקאים (‪ 6‬נקודות כל אחד)‪ ,‬יש לענות על כולם‪.‬‬
‫עליכם לבחור את התשובה הקרובה‪/‬הגיונית‪/‬נכונה ביותר‪.‬‬
‫‪ o‬שאלה בה סומנו ‪ 2‬תשובות או יותר תפסל‪.‬‬
‫‪ o‬שימו לב לסמן את התשובות במקום הנכון בטופס ע"פ ההנחיות בכל סעיף‪ .‬לצורך בדיקת הסימון‬
‫תקבלו ‪ 5‬דקות אקסטרה בסוף המבחן‪.‬‬
‫‪ o‬בשום אופן לא תתקבלנה תשובות לחלק האמריקאי ממחברת הבחינה‪.‬‬
‫בסיום המבחן יש להגיש את גיליון התשובות ואת מחברת הבחינה‪.‬‬ ‫•‬
‫יש להקפיד למלא נכון את מס' הזהות‪ ,‬שם הנבחן והטור על גיליון התשובות‪.‬‬ ‫•‬
‫זמן הבחינה‪ 2.5 :‬שעות ‪ 5 +‬דקות לבדיקת סימון תשובות‪.‬‬ ‫•‬
‫חומר עזר מותר לשימוש ‪:‬‬ ‫•‬
‫‪ )i‬דפי נוסחאות (מצורפים בסוף הבחינה)‪.‬‬
‫‪ )ii‬מחשבון‪.‬‬
‫שימו לב ליחידות הנתונות בנתוני השאלות‪.‬‬ ‫•‬

‫טור ‪0‬‬

‫ולא בתום הבחינה‪.‬‬ ‫אנא מלאו את שמכם‪ ,‬מס' ת‪.‬ז ומס' הטור כעת‬

‫בהצלחה!!!‬

‫‪1‬‬
 ‫שאלה ‪ – 1‬שערים לוגיים ומגברים (‪ 30‬נקודות)‬
‫נתון המעגל המצויר‪ ,‬עם הנתונים הבאים‪:‬‬

‫𝐴𝑚‬
‫‪𝑉𝐷𝐷 = 5𝑉,‬‬ ‫‪𝑉𝑇𝑛 = −𝑉𝑇𝑝 = 1𝑉,‬‬ ‫‪𝐾𝑁 = 𝐾𝑃 = 0.1‬‬
‫‪𝑉2‬‬

‫יש להזניח את אפקט המצע לכל אורך השאלה‪.‬‬

‫כמו כן‪ ,‬נתונים צירופי הכניסות השונים 𝑏 ‪:𝑎,‬‬

‫‪2‬‬
‫‪ .1‬מה יהיה מתח הקבל 𝑡𝑢𝑜𝑉 עבור צירופי הכניסות 𝑏 ‪ 𝑎,‬השונים כאשר נתון לסעיף זה בלבד שניתן להזניח את‬
‫קיבול המוצא וכי 𝑇 גדול מאוד ?‬

‫ג‪.‬‬ ‫ב‪.‬‬ ‫א‪.‬‬

‫ו‪.‬‬ ‫ה‪.‬‬ ‫ד‪.‬‬

‫‪3‬‬
‫‪ .2‬עבור סעיף זה בלבד‪ ,‬נתון שכניסה 𝑎 חוברה ל 𝐾𝐿𝐶 וכניסה 𝑏 חוברה למתח קבוע‪ ,‬כמתואר באיור הבא‪:‬‬

‫כמו כן‪ ,‬נתונים‪:‬‬

‫‪𝑓𝑎 = 1𝑀𝐻𝑧,‬‬ ‫𝐹𝑝‪𝐶𝑜𝑢𝑡 = 1‬‬

‫מהו ההספק הדינמי הנצרך במעגל עבור הנתונים הנ"ל ?‬

‫א‪23[𝜇𝑊].‬‬

‫ב‪25[𝜇𝑊] .‬‬

‫ג‪12.5[𝜇𝑊] .‬‬

‫ד‪11.5[𝜇𝑊] .‬‬

‫ה‪0[𝑊] .‬‬

‫ו‪23[𝑚𝑊] .‬‬

‫‪4‬‬
‫‪ .3‬עבור סעיף זה בלבד‪ ,‬הודיה‪ ,‬סטודנטית בקורס "מעגלים אלקטרוניים" שמה לב כי טרנזיסטורי ה ‪ PMOS‬הולכים‬
‫ואוזלים לה‪ .‬לכן‪ ,‬על מנת לממש את השער היא השתמשה בנגד בעל התנגדות ∞ < 𝑅 < ‪. 0‬‬
‫המעגל אותו חיברה הודיה נראה כך‪:‬‬

‫הניחו כי‪:‬‬
‫ניתן להזניח את קיבול המוצא‬ ‫▪‬
‫לכל הטרנזיסטורים אותה התנגדות הנובעת מאפרט התקצרות התעלה‬ ‫▪‬

‫סמנו את ההיגד המתאר בצורה הנכונה ביותר את השינוי שהודיה תראה במעגל מסעיף זה‪ ,‬ביחס למעגל‬
‫מסעיף א' עבור צירופי הכניסות מסעיף ‪.1‬‬

‫א‪ .‬מתח המוצא המקסימלי גדל‪ ,‬מתח המוצא המינימלי קטן ‪ ,‬ההספק הסטטי לא משתנה‬
‫ב‪ .‬מתח המוצא המקסימלי קטן‪ ,‬מתח המוצא המינימלי גדל ‪ ,‬ההספק הסטטי לא השתנה‬
‫ג‪ .‬מתח המוצא המקסימלי לא משתנה‪ ,‬מתח המוצא המינימלי גדל ‪ ,‬ההספק הסטטי גדל‬
‫ד‪ .‬מתח המוצא המקסימלי גדל‪ ,‬מתח המוצא המינימלי לא משתנה ‪ ,‬ההספק הסטטי קטן‬
‫ה‪ .‬מתח המוצא המקסימלי קטן‪ ,‬מתח המוצא המינימלי לא משתנה ‪ ,‬ההספק הסטטי גדל‬
‫ו‪ .‬מתח המוצא המקסימלי לא משתנה‪ ,‬מתח המוצא המינימלי קטן ‪ ,‬ההספק הסטטי גדל‬

‫‪5‬‬
‫עקב משבר הקורונה‪ ,‬הודיה נכנסה לבידוד והבינה שמצבה הכלכלי מאלץ אותה לוותר על טרנזיסטורים נוספים‬
‫ואף על קבל המוצא‪.‬‬
‫לכן‪ ,‬היא התפשרה על המעגל הבא‪:‬‬

‫נתונים לכל הטרנזיסטורים‪:‬‬

‫‪𝑉𝐷𝐷 = 5𝑉,‬‬ ‫‪𝑔𝑚 = 2𝑚𝑆,‬‬ ‫‪𝑟0 = 1𝐾Ω,‬‬ ‫‪𝑅̃ = 𝑅 = 𝑟0 = 1𝐾Ω‬‬

‫הניחו‪:‬‬

‫‪ .1‬מתח ה ‪ bias‬כזה המאפשר לטרנזיסטורים להיות ברוויה‪ ,‬כך שכל הטרנזיסטורים ברוויה‪.‬‬
‫‪ .2‬לא ניתן להזניח את אפקט התקצרות התעלה‪.‬‬
‫‪ .3‬הזניחו את אפקט המצע‪.‬‬

‫𝑡𝑢𝑜𝑣‬
‫= 𝑉𝐴 ‪,‬המתקבל במעגל ?‬ ‫‪ .4‬מהו ההגבר לאות קטן‪,‬‬
‫𝑎𝑣‬

‫א‪4/15 .‬‬
‫ב‪-4/15 .‬‬
‫ג‪-0/2 .‬‬
‫ד‪-0/4 .‬‬
‫ה‪0.4 .‬‬
‫ו‪0.2 .‬‬

‫‪6‬‬
‫‪ .5‬מהי ההתנגדות המשוקפת מהמוצא במעגל מסעיף ד'‪ ,‬תחת אותם הנתונים וההנחות שהונחו בסעיף ד' ?‬
‫‪4‬‬
‫א‪𝐾Ω .‬‬
‫‪5‬‬

‫‪3‬‬
‫ב‪𝐾Ω .‬‬
‫‪5‬‬

‫‪3‬‬
‫ג‪𝐾Ω .‬‬
‫‪7‬‬

‫‪2‬‬
‫ד‪𝐾Ω .‬‬
‫‪7‬‬

‫‪1‬‬
‫ה‪𝐾Ω .‬‬
‫‪7‬‬

‫ו‪∞ .‬‬

‫‪7‬‬
 ‫שאלה ‪ – 2‬משוב (‪ 30‬נקודות)‬
‫נתון המעגל הבא‪:‬‬

‫‪VDD‬‬

‫‪RD‬‬
‫‪M2‬‬ ‫‪vout‬‬

‫‪M1‬‬
‫‪iin‬‬ ‫‪Rin‬‬

‫הניחו כי כל הטרנזיסטורים ברוויה וכי נתונים הפרמטרים שלהם לאות קטן‪.‬‬

‫כמו כן‪ ,‬הזניחו את אפקט התקצרות התעלה ואת אפקט המצע‪.‬‬
‫הזניחו קיבולים פרזיטים שלא מתוארים בתרשים‪.‬‬

‫את סעיפים ‪ 1-3‬יש לפתור בשיטת העמסות משוב‪.‬‬

‫‪ .1‬מהו סוג המשוב ?‬

‫דוגם מתח מחזיר זרם (‪)PIPO‬‬ ‫א‪.‬‬

‫דוגם מתח מחזיר מתח (‪)SIPO‬‬ ‫ב‪.‬‬
‫דוגם זרם מחזיר זרם (‪)PISO‬‬ ‫ג‪.‬‬
‫דוגם זרם מחזיר מתח (‪)SISO‬‬ ‫ד‪.‬‬

‫‪ .2‬מהו גורם המשוב ‪? B‬‬

‫א‪𝐵 = −𝑔𝑚2 .‬‬

‫‪1‬‬
‫𝑔‪𝐵 = −‬‬ ‫ב‪.‬‬
‫‪𝑚2‬‬

‫ג‪𝐵 = −𝑔𝑚1 𝑅𝐷 𝑔𝑚2 .‬‬

‫‪1‬‬
‫𝑔‪𝐵 = −‬‬ ‫ד‪.‬‬
‫‪𝑚1 𝑅𝐷 𝑔𝑚2‬‬
‫‪𝑔𝑚2‬‬
‫‪𝐵=−‬‬ ‫ה‪.‬‬
‫𝐷𝑅 ‪𝑔𝑚1‬‬
‫𝐷𝑅 ‪𝑔𝑚1‬‬
‫‪𝐵=−‬‬ ‫ו‪.‬‬
‫‪𝑔𝑚2‬‬

‫‪8‬‬
 ‫‪ .3‬מהו הגבר החוג הפתוח 𝐿𝑂𝐴 ?‬

‫א‪𝐴𝑂𝐿 = −𝑔𝑚1 𝑅𝐷 𝑅𝑖𝑛 .‬‬

‫‪1‬‬
‫𝑔 𝐷𝑅 ‪𝐴𝑂𝐿 = −𝑔𝑚1‬‬ ‫ב‪.‬‬
‫‪𝑚2‬‬

‫ג‪𝐴𝑂𝐿 = −𝑔𝑚1 𝑔𝑚2 𝑅𝐷 .‬‬

‫ד‪𝐴𝑂𝐿 = −𝑔𝑚1 𝑔𝑚2 𝑅𝐷 𝑅𝑖𝑛 .‬‬
‫𝑅‬
‫ה‪𝐴𝑂𝐿 = −𝑔𝑚1 𝑔 𝑖𝑛 .‬‬
‫‪𝑚2‬‬

‫‪1‬‬
‫ו‪𝐴𝑂𝐿 = −𝑔𝑚1 𝑅𝐷 (𝑅𝑖𝑛 ∥ 𝑔 ) .‬‬
‫‪𝑚2‬‬

‫הוחלט לשנות את המעגל הקיים על מנת שיתפקד כמעגל שמיט טריגר (‪.)Schmitt Trigger‬‬
‫לצורך כך‪ ,‬הוחלף טרנזיסטור ‪ 𝑀2‬לטרנזיסטור ‪ ,PMOS‬כמתואר בתרשים הבא‪:‬‬

‫‪VDD‬‬

‫‪RD‬‬
‫‪M2‬‬ ‫‪vout‬‬

‫‪M1‬‬
‫‪iin‬‬ ‫‪Rin‬‬

‫נתונים‪:‬‬

‫𝐴𝑚‬
‫‪𝐾1 = 𝐾2 = 2‬‬ ‫‪,‬‬ ‫𝑉 ‪𝑉𝑇𝑛 = −𝑉𝑇𝑝 = 1‬‬
‫‪𝑉2‬‬
‫‪𝑅𝐷 = 1 𝐾Ω,‬‬ ‫‪𝑅𝑖𝑛 = 1 𝑀Ω,‬‬ ‫‪VDD = 5 V‬‬

‫כמו כן‪ ,‬הזניחו את אפקט התקצרות התעלה ואת אפקט המצע‪.‬‬

‫‪9‬‬
 ‫‪ .4‬מתחילים להעלות את 𝑛𝑖𝑖 מזרם של 𝐴‪ 0‬עד לזרם של 𝐴𝜇‪.5‬‬
‫מהו זרם הכניסה ‪ 𝑖𝑖𝑛1‬עבורו יתחיל המתח במוצא המעגל לרדת ?‬
‫א‪𝑖𝑖𝑛1 = 0 𝜇𝐴 .‬‬
‫ב‪𝑖𝑖𝑛1 = 0.5 𝜇𝐴 .‬‬
‫ג‪𝑖𝑖𝑛1 = 1 𝜇𝐴 .‬‬
‫ד‪𝑖𝑖𝑛1 = 1.5 𝜇𝐴 .‬‬
‫ה‪𝑖𝑖𝑛1 = 2 𝜇𝐴 .‬‬
‫ו‪𝑖𝑖𝑛1 = 3 𝜇𝐴 .‬‬

‫‪ .5‬ממשיכים להעלות את 𝑛𝑖𝑖 עד לזרם של 𝐴𝜇‪.5‬‬

‫מהו זרם הכניסה ‪ 𝑖𝑖𝑛2‬עבורו תתחיל פעולת הרגנרציה במעגל (משוב חיובי) ?‬
‫א‪𝑖𝑖𝑛2 = 0 𝜇𝐴 .‬‬
‫ב‪𝑖𝑖𝑛2 = 0.5 𝜇𝐴 .‬‬
‫ג‪𝑖𝑖𝑛2 = 1 𝜇𝐴 .‬‬
‫ד‪𝑖𝑖𝑛2 = 1.5 𝜇𝐴 .‬‬
‫ה‪𝑖𝑖𝑛2 = 2 𝜇𝐴 .‬‬
‫ו‪𝑖𝑖𝑛2 = 3 𝜇𝐴 .‬‬

‫‪10‬‬
 ‫שאלה ‪ – 3‬מאמץ לוגי ותגובת תדר (‪ 40‬נקודות)‬

‫המסלולים הלוגיים הבאים ממומשים בטכנולוגית ‪ CMOS‬סימטרית עבור המקרה הגרוע‬

‫ביותר (‪.)worst case‬‬
‫בטכנולוגיה זו‪ ,‬אורך התעלה קבוע ושווה ל ‪.𝐿𝑚𝑖𝑛 -‬‬
‫השהיית מהפך סימטרי מינימלי הדוחף מהפך זהה היא 𝜏‪.‬‬
‫ההשהיה הפרזיטית של מהפך היא 𝜏 = 𝑣𝑛𝑖𝑝‪.‬‬
‫לאורך השאלה אין להזניח את ההשהיה הפרזיטית אלא אם צוין במפורש אחרת‪.‬‬

‫נתונים‪:‬‬
‫‪𝑐𝑚2‬‬ ‫‪𝑐𝑚2‬‬
‫‪𝜇𝑛 = 1500‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪𝜇𝑝 = 500‬‬ ‫‪,‬‬ ‫𝑝𝑇𝑉‪𝑉𝑇𝑛 = −‬‬
‫𝑐𝑒𝑠 ⋅ 𝑉‬ ‫𝑐𝑒𝑠 ⋅ 𝑉‬

‫כמו כן‪ ,‬התכנון צריך לעמוד בדרישות קיבול עומס וכניסה של‪:‬‬

‫‪𝐶𝑖𝑛,𝐴−𝐹 = 5𝑓𝐹,‬‬ ‫𝐹𝑓‪𝐶𝐿 = 600‬‬

‫𝐿‬

‫̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅‬
‫𝐶𝐵𝐴 = 𝐿‪.‬‬ ‫הדרגה ‪ L‬היא דרגת ‪ CMOS‬המממשת את הפונקציה 𝐷 ‪+‬‬

‫‪11‬‬
 ‫חלק א'‪:‬‬
‫‪ .1‬ציירו את המימוש האופטימלי של הפונקציה 𝐿 כדרגת ‪ CMOS‬ורשמו את יחס רוחבי הטרנזיסטורים על גבי‬
‫השרטוט‪.‬‬
‫א‪ .‬מצאו את המאמץ הלוגי‪ ,𝑔 ,‬עבור כל אחת מכניסות הדרגה 𝐿‪.‬‬
‫ב‪ .‬מצאו את 𝑝‪ ,‬ההשהיה הפרזיטית המינימלית עבור דרגה זו‪.‬‬
‫ג‪ .‬חשבו את ההשהיה האופטימלית המנורמלת (ביחידות של 𝜏) עבור המסלול 𝑇𝑈𝑂 → 𝐶‪.‬‬

‫הוצע לעבור לטכנולוגיה חדשה בה ניידויות החורים והאלקטרונים גדולות פי ‪:2‬‬

‫‪𝑐𝑚2‬‬ ‫‪𝑐𝑚2‬‬
‫‪𝜇𝑛 = 3000‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪𝜇𝑝 = 1000‬‬
‫𝑐𝑒𝑠 ⋅ 𝑉‬ ‫𝑐𝑒𝑠 ⋅ 𝑉‬

‫‪ .2‬מה תהיה השפעת שינוי הניידויות על המאמץ הלוגי‪ ? 𝑔 ,‬נמקו‪.‬‬

‫‪ .3‬מה תהיה השפעת שינוי הניידויות על ההשהיה הפרזיטית‪ ? 𝑝 ,‬נמקו‪.‬‬
‫‪ .4‬מה תהיה השפעת שינוי הניידויות על השהיית המסלול 𝑇𝑈𝑂 → 𝐶 ? (בשניות)‬
‫ענו בצורה איכותית ונמקו‪.‬‬

‫חלק ב'‪:‬‬
‫לפניכם המעגל הבא‪:‬‬

‫נקודת העבודה נבחרה כך שהטרנזיסטור ברוויה‪ .‬כל הפרמטרים לאות קטן ידועים‪.‬‬
‫לאורך כל השאלה אין להזניח את אפקט התקצרות התעלה‪.‬‬
‫בנוסף נתון 𝑁𝐼𝐶 ≪ 𝐿𝐶‪.‬‬

‫‪12‬‬
 ‫‪ .5‬א‪ .‬מהם תדרי הקטבים במעגל ?‬
‫ב‪ .‬ציירו דיאגרמת בודה איכותית עבור האמפליטודה‪.‬‬
‫מקמו בדיאגרמה את הקטבים שמצאתם בסעיף הקודם‪.‬‬
‫‪ .6‬מה תהיה השפעת שינוי הניידויות (כפי שהוצע בסעיף ‪ )2‬על רוחב הסרט ? נמקו‪.‬‬
‫‪ .7‬מה תהיה השפעת שינוי הניידויות על ההגבר ? האם ההשפעה משמעותית ‪ /‬זניחה ? נמקו‪.‬‬

‫‪ .8‬איזה תנאי הכרחי שיתקיים בין הקבלים על מנת למנוע את ההשפעה של הקבל 𝐷𝐺𝐶 על רוחב הסרט‬
‫של המעגל ? נמקו‪.‬‬
‫א‪CL ≪ CGD .‬‬

‫ב‪CL ≫ CGD .‬‬

‫ג‪CL = CGD .‬‬

‫ד‪CIN ≪ CGD .‬‬

‫ה‪CIN ≫ CGD .‬‬

‫ו‪CIN = CGD .‬‬

‫‪13‬‬
 ‫דף נוסחאות למעגלים אלקטרוניים – אביב תש"פ‬

‫‪ .1‬תכונות של טרנזיסטור‪:‬‬

‫𝑊 ⋅ 𝐿 ⋅ 𝑥𝑜𝐶 = 𝑒𝑡𝑎𝑔𝐶‬

‫𝐴‬ ‫𝑊‬ ‫𝑊‬

‫⋅ 𝑥𝑜𝐶 ⋅⏟𝜇 = ⋅ 𝑝𝑘 = ] ‪𝑘 [ 2‬‬
‫𝑉‬ ‫𝐿‬ ‫𝐿‬
‫𝑝𝑘‬

‫‪ .2‬משוואות הזרם של הטרנזיסטור‪:‬‬

‫זרם‬ ‫טרנזיסטור ‪PMOS‬‬ ‫טרנזיסטור ‪NMOS‬‬ ‫מצב הולכה‬

‫‪𝐼𝐷 = 0‬‬ ‫𝑇𝑉 > 𝑆𝐺𝑉‬ ‫𝑇𝑉 < 𝑆𝐺𝑉‬ ‫קטעון‬

‫𝑘‬ ‫] ‪2‬‬
‫= 𝐷𝐼‬ ‫𝑆𝐷𝑉 ‪[2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )𝑉𝐷𝑆 −‬‬ ‫𝑆𝐷𝑉 ≤ 𝑇𝑉 ‪𝑉𝐺𝑆 −‬‬ ‫𝑆𝐷𝑉 ≥ 𝑇𝑉 ‪𝑉𝐺𝑆 −‬‬ ‫אוהמי‬
‫‪2‬‬
‫𝑘‬
‫‪𝐼𝐷 = (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2‬‬ ‫𝑆𝐷𝑉 ≥ 𝑇𝑉 ‪𝑉𝐺𝑆 −‬‬ ‫𝑆𝐷𝑉 ≤ 𝑇𝑉 ‪𝑉𝐺𝑆 −‬‬ ‫רוויה‬
‫‪2‬‬

‫‪ .3‬אפקט המצע‪:‬‬

‫‪1‬‬
‫‪𝛾=±‬‬
‫𝑥𝑜𝐶‬
‫)| 𝐹‪ 𝑉𝑇 = 𝑉𝑇0 + 𝛾(√|𝑉𝑆𝐵 | + |2Φ𝐹 | − √|2Φ‬כאשר 𝑥𝑁 𝑥𝑜𝜀 ‪√2𝑞𝜀0‬‬

‫‪NMOS: (𝑁𝑥 = 𝑁𝐴 ) 𝛾 > 0,‬‬ ‫‪PMOS: (𝑁𝑥 = 𝑁𝐷 ) 𝛾 < 0‬‬

‫‪ .4‬אפקט התקצרות התעלה‪:‬‬

‫)| 𝑠𝐷𝑉|𝜆 ‪𝐼𝐷𝑟𝑒𝑎𝑙 = 𝐼𝐷𝑖𝑑𝑒𝑎𝑙 ⋅ (1 +‬‬

‫‪ .5‬פתרון משוואה דיפרנציאלית מהצורה‪:‬‬

‫)𝑡( 𝑐𝑉𝑑‬
‫⋅𝜏‬ ‫∞𝑉 = )𝑡( 𝑐𝑉 ‪+‬‬
‫𝑡𝑑‬

‫עם תנאי התחלה‪.𝑉𝑐 (𝑡 = 0) = 𝑉0 :‬‬

‫הפתרון‪:‬‬

‫𝑡‬ ‫∞𝑉 ‪𝑉0 −‬‬

‫‪𝑉𝑐 (𝑡) = (𝑉0 − 𝑉∞ )𝑒 −𝜏 + 𝑉∞ ,‬‬ ‫[ ‪𝑡 = 𝜏 ⋅ ln‬‬ ‫]‬
‫∞𝑉 ‪𝑉𝑐 (𝑡) −‬‬

‫‪14‬‬
 ‫‪ .6‬אופיין סטטי – הגדרות‪:‬‬
‫) 𝐿𝑂𝑉 = 𝑛𝑖𝑉( 𝑡𝑢𝑜𝑉 = 𝐻𝑂𝑉‬
‫) 𝐻𝑂𝑉 = 𝑛𝑖𝑉( 𝑡𝑢𝑜𝑉 = 𝐿𝑂𝑉‬
‫) 𝑀𝑉 = 𝑛𝑖𝑉( 𝑡𝑢𝑜𝑉 = 𝑀𝑉‬
‫𝐿𝑂𝑉 ‪𝑁𝑅𝐻 = 𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝑀 , 𝑁𝑅𝐿 = 𝑉𝑀 −‬‬

‫‪ .7‬הספק דינאמי‪:‬‬
‫𝐷𝐷𝑉 ⋅ 𝐶𝑉‪𝑃𝑑𝑦𝑛 = 𝛼 ⋅ 𝑓𝐶𝐿𝐾 ⋅ 𝐶 ⋅ Δ‬‬

‫‪ .8‬משוואת החום‪:‬‬
‫𝐴‬
‫𝑘‪|Δ𝑇| = 𝑞 ⋅ 𝜃𝑡𝑜𝑡 ↔ 𝑞 = −‬‬ ‫𝑇‪Δ‬‬
‫𝐿‬

‫‪ .9‬מאמץ לוגי – הגדרות‪:‬‬

‫𝑚𝑟𝑒𝑇‬ ‫𝑛𝑜𝑖𝑠𝑠𝑒𝑟𝑝𝑥𝐸 𝑒𝑔𝑎𝑡𝑆‬ ‫𝑛𝑜𝑖𝑠𝑠𝑒𝑟𝑝𝑥𝐸 ‪𝑃𝑎𝑡ℎ‬‬

‫𝑡𝑟𝑜𝑓𝑓𝐸 𝑙𝑎𝑐𝑖𝑔𝑜𝐿‬ ‫𝑖𝐶 𝑖𝑅‬

‫= 𝑖𝑔‬ ‫𝑖𝑔 ∏ = 𝐺‬
‫𝑣𝑛𝑖𝐶 𝑣𝑛𝑖𝑅‬

‫𝑡𝑟𝑜𝑓𝑓𝐸 𝑙𝑎𝑐𝑖𝑟𝑡𝑐𝑒𝑙𝐸‬ ‫𝑖‪𝐶𝑜𝑢𝑡,‬‬ ‫‪𝐶𝑜𝑢𝑡−𝑝𝑎𝑡ℎ‬‬

‫= 𝑖‪ℎ‬‬ ‫=𝐻‬
‫𝑖‪𝐶𝑖𝑛,‬‬ ‫‪𝐶𝑖𝑛−𝑝𝑎𝑡ℎ‬‬

‫𝑡𝑟𝑜𝑓𝑓𝐸‬ ‫𝑖‪𝑓𝑖 = 𝑔𝑖 ℎ‬‬ ‫𝑖𝑓 ∏ = 𝐻𝐺 = 𝐹‬

‫‪1‬‬
‫𝑦𝑎𝑙𝑒𝐷 𝑡𝑟𝑜𝑓𝑓𝐸‬ ‫𝑖𝑓‬ ‫𝑁 𝐹 = 𝑖̂𝑓 𝑟𝑜𝑓 𝑑𝑒𝑧𝑖𝑚𝑖𝑛𝑖𝑚 𝑖𝑓 ∑ = 𝐹𝐷‬

‫𝑦𝑎𝑙𝑒𝐷 𝑐𝑖𝑡𝑖𝑠𝑎𝑟𝑎𝑃‬ ‫𝑖𝑝‬ ‫𝑖𝑝 ∑ = 𝑃‬

‫𝑦𝑎𝑙𝑒𝐷‬ ‫𝑖𝑝 ‪𝑑 = 𝑓𝑖 +‬‬ ‫𝑃 ‪𝐷 = 𝐷𝐹 +‬‬

‫‪15‬‬
 ‫‪ .10‬סכמת תמורה של טרנזיסטור לאות קטן‪:‬‬

‫𝐷𝑖𝜕‬ ‫𝑆𝐷𝐼‪2‬‬
‫≜ 𝑚𝑔‬ ‫= 𝑆𝐷𝐼𝐾‪= 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ) = √2‬‬
‫𝑆𝐺𝑣𝜕‬ ‫𝑇𝑉 ‪𝑉𝐺𝑆 −‬‬
‫‪1‬‬ ‫𝐷𝑖𝜕‬
‫≜‬ ‫𝑆𝐷𝐼𝜆 =‬
‫𝑆𝐷𝑣𝜕 𝑡𝑢𝑜𝑟‬
‫𝐷𝑖𝜕‬ ‫𝛾‬
‫≜ 𝑏𝑚𝑔‬ ‫𝑚𝑔 =‬ ‫𝑚𝑔𝜂 =‬
‫𝑆𝐵𝑣𝜕‬ ‫𝐵𝑆𝑉 ‪2√2𝜑𝐹 +‬‬
‫‪ .11‬דרגות הגבר בסיסיות‪:‬‬

‫𝑛𝑜𝑚𝑚𝑜𝐶‬
‫𝑚𝑟𝑒𝑇‬ ‫𝑛𝑜𝑚𝑚𝑜𝐶‬ ‫𝑛𝑜𝑚𝑚𝑜𝐶‬ ‫𝑛𝑜𝑚𝑚𝑜𝐶‬
‫𝑒𝑐𝑟𝑢𝑜𝑆‬
‫𝑒𝑐𝑟𝑢𝑜𝑆‬ ‫𝑛𝑖𝑎𝑟𝐷‬ ‫𝑒𝑡𝑎𝐺‬
‫מנוון‬

‫𝑡𝑖𝑢𝑐𝑟𝑖𝐶‬

‫𝑣𝐴‬ ‫𝐷𝑅 𝑜𝑟 𝑚𝑔‬ ‫) 𝑜𝑟|| 𝑆𝑅( 𝑚𝑔‬ ‫𝐷𝑅‬

‫) 𝑜𝑟|| 𝐷𝑅( 𝑚𝑔‪−‬‬ ‫‪−‬‬
‫𝑆𝑅 𝑜𝑟) 𝑏𝑚𝑔 ‪𝑅𝐷 + 𝑟𝑜 + 𝑅𝑠 + (𝑔𝑚 +‬‬
‫) 𝑜𝑟) 𝑏𝑚𝑔 ‪(1 + (𝑔𝑚 +‬‬
‫) 𝑜𝑟|| 𝑆𝑅() 𝑏𝑚𝑔 ‪1 + (𝑔𝑚 +‬‬ ‫𝑜𝑟 ‪𝑅𝐷 +‬‬

‫𝑣𝐴‬
‫𝐷𝑅 𝑚𝑔‬ ‫𝑆𝑅 𝑚𝑔‬
‫‪𝛾=0‬‬ ‫𝐷𝑅 𝑚𝑔‪−‬‬ ‫‪−‬‬ ‫𝐷𝑅 𝑚𝑔‬
‫(‬ ‫)‬ ‫𝑆𝑅 𝑚𝑔 ‪1 +‬‬
‫‪𝜆=0‬‬ ‫𝑆𝑅 𝑚𝑔 ‪1 +‬‬

‫𝑛𝑖𝑅‬ ‫𝐷𝑅 ‪𝑟𝑜 +‬‬

‫∞‬ ‫∞‬ ‫∞‬
‫𝑜𝑟) 𝑏𝑚𝑔 ‪1 + (𝑔𝑚 +‬‬

‫𝑡𝑢𝑜𝑅‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬

‫𝑜𝑟|| 𝐷𝑅‬ ‫) 𝑆𝑅 𝑜𝑟 𝑚𝑔 ‪𝑅𝐷 ||(𝑟𝑜 + 𝑅𝑠 +‬‬ ‫||‬ ‫𝑅|| 𝑟||‬ ‫𝑜𝑟|| 𝐷𝑅‬
‫𝑆 𝑜 𝑚𝑔 𝑏𝑚𝑔‬

‫‪16‬‬
 ‫‪ .12‬מגבר דיפרנציאלי – הגדרות‪:‬‬

‫‪𝑣𝑖𝑛1 − 𝑣𝑖𝑛2‬‬ ‫‪𝑣𝑖𝑛1 + 𝑣𝑖𝑛2‬‬

‫= 𝑑‪𝑣𝑖𝑛,‬‬ ‫‪,‬‬ ‫= 𝑚𝑐‪𝑣𝑖𝑛,‬‬
‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫𝑑‪𝑣𝑜𝑢𝑡,‬‬ ‫𝑚𝑐‪𝑣𝑜𝑢𝑡,‬‬
‫= 𝑑𝐴‬ ‫‪,‬‬ ‫= 𝑀𝐶𝐴‬
‫𝑑‪𝑣𝑖𝑛,‬‬ ‫𝑚𝑐‪𝑣𝑖𝑛,‬‬

‫𝑑𝐴‬ ‫𝑑𝐴‬
‫| ‪𝐶𝑀𝑅𝑅 = 20 log10‬‬ ‫‪|,‬‬ ‫| ‪𝑃𝑆𝑅𝑅 = 20 log10‬‬ ‫|‬
‫𝑀𝐶𝐴‬ ‫𝑠𝑝𝐴‬

‫‪ .13‬משפט מילר‪:‬‬

‫‪17‬‬
 ‫‪ .14‬ייצוג אפקטים של העמסת רשת המשוב בחוג פתוח‪:‬‬

‫זרם‬ ‫מתח‬ ‫האות הנדגם 𝒕𝒖𝒐𝒙‬

‫שמים נתק בצד של המוצא‬ ‫שמים אדמה בצד של המוצא‬ ‫אופן חישוב העומס‬
‫מכיוון המוצא‬
‫‪xf‬‬ ‫‪xout‬‬ ‫‪xf‬‬ ‫‪xout‬‬
‫‪it‬‬ ‫‪B‬‬ ‫‪it‬‬ ‫‪B‬‬
‫‪vt‬‬ ‫‪vt‬‬

‫זרם‬ ‫מתח‬ ‫האות המוחזר‬

‫לכניסה 𝒇𝒙‬
‫שמים אדמה בצד של הכניסה‬ ‫שמים נתק בצד של הכניסה‬ ‫אופן חישוב העומס‬
‫מכיוון הכניסה‬
‫‪xf‬‬ ‫‪xout‬‬ ‫‪xf‬‬ ‫‪xout‬‬
‫‪B‬‬ ‫‪B‬‬
‫‪it‬‬ ‫‪vt‬‬ ‫‪it‬‬ ‫‪vt‬‬

‫𝑓𝑥‬
‫= 𝐵 ‪ -‬אם מחזירים זרם אז שמים אדמה בהדק 𝑓𝑥‪ ,‬ואם מחזירים מתח אז שמים‬ ‫בעת חישוב גורם המשוב‬
‫𝑡𝑢𝑜𝑥‬

‫נתק‪.‬‬

‫‪ .15‬רעש תרמי בנגד‪:‬‬

‫𝑅𝑇𝑘‪𝑆𝑣 (𝑓) = 4‬‬

‫𝑇𝑘‪4‬‬
‫= )𝑓( 𝑖𝑆‬
‫𝑅‬

‫תמסורת הרעש‪:‬‬
‫𝑓( 𝐻| ∙ )𝑓( 𝑛𝑖𝑆 = )𝑓( 𝑡𝑢𝑜𝑆‬ ‫‪)|2‬‬

‫‪ .16‬רעש קוונטיזציה‪:‬‬
‫]𝐵𝑑[‪𝑆𝑁𝑅 = 6.02𝑁 + 1.76‬‬

‫𝐵𝑆𝐿𝑉‬
‫= 𝑛𝑞𝑣‬
‫‪√12‬‬

‫‪18‬‬