Infineon Ff600r12me4 Ds v02 02 En

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FF600R12ME4
EconoDUAL™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC
EconoDUAL™3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 600A / ICRM = 1200A
TypischeAnwendungen TypicalApplications
• Hochleistungsumrichter • HighPowerConverters
• Motorantriebe • MotorDrives
• Servoumrichter • ServoDrives
• USV-Systeme • UPSSystems
• Windgeneratoren • WindTurbines
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• NiedrigesVCEsat • LowVCEsat
• Tvjop=150°C • Tvjop=150°C
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• HoheLeistungsdichte • HighPowerDensity
• IsolierteBodenplatte • IsolatedBasePlate
• Standardgehäuse • StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23
preparedby:CU dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MK revision:2.2
1
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 1200 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 600 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 995 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 1200 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 4050 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 600 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,75 2,10 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 600 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,00 V
IC = 600 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,05 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 23,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 4,40 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 1,2 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 37,0 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,05 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 3,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 600 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,16 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,21 µs
RGon = 1,5 Ω Tvj = 150°C 0,21 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 600 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,09 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,09 µs
RGon = 1,5 Ω Tvj = 150°C 0,10 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 600 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,48 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,61 µs
RGoff = 1,5 Ω Tvj = 150°C 0,65 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 600 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,11 µs
RGoff = 1,5 Ω Tvj = 150°C 0,12 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 62,5 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 5100 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon 83,0 mJ
RGon = 1,5 Ω Tvj = 150°C 90,0 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 47,0 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 3700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 72,0 mJ
RGoff = 1,5 Ω Tvj = 150°C 79,5 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 2400 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC 0,037 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,035 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions
2
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM 1200 V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF 600 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 1200 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 40000 A²s
I²t
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 37500 A²s

Durchlassspannung IF = 600 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,65 2,10 V
Forwardvoltage IF = 600 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,65 V
IF = 600 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,65 V
Rückstromspitze IF = 600 A, - diF/dt = 5100 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 290 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 420 A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 450 A
Sperrverzögerungsladung IF = 600 A, - diF/dt = 5100 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 62,0 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 115 µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 130 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 600 A, - diF/dt = 5100 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 22,0 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 44,0 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 51,0 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC 0,065 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 0,039 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
Nennwiderstand
TC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
3
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Cu
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
Al2O3
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 14,5
mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 13,0
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 12,5
mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI > 200
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
RthCH 0,009 K/W
Modulstreuinduktivität
LsCE 20 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 1,00 mΩ
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,0 - 6,0 Nm
Terminalconnectiontorque ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
G 345 g
Weight
4
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
1200 1200
Tvj = 25°C VGE = 19V
Tvj = 125°C VGE = 17V
Tvj = 150°C VGE = 15V
1000 1000 VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
800 800
IC [A]
IC [A]
600 600
400 400
200 200
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=600V
1200 400
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C
Tvj = 150°C 350 Eoff, Tvj = 125°C
1000 Eoff, Tvj = 150°C
300
800
250
E [mJ]
IC [A]
600 200
150
400
100
200
50
0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 200 400 600 800 1000 1200
VGE [V] IC [A]
5
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=600A,VCE=600V
400 0,1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
Eon, Tvj = 150°C
350 Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
300
250
ZthJC [K/W]
E [mJ]
200 0,01
150
100
i: 1 2 3 4
50 ri[K/W]: 0,0038 0,0312 0,0001 0,002
τi[s]: 0,0007 0,0247 0,05 3,4847
0 0,001
0 2 4 6 8 10 12 14 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=150°C
1300 1200
IC, Modul Tvj = 25°C
1200 IC, Chip Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1100 1000
1000
900
800
800
700
IC [A]
IF [A]
600
600
500
400
400
300
200 200
100
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VCE [V] VF [V]
6
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=1.5Ω,VCE=600V IF=600A,VCE=600V
80 60
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 150°C
70
50
60
40
50
E [mJ]
E [mJ]
40 30
30
20
20
10
10
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 0 2 4 6 8 10 12 14
IF [A] RG [Ω]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
ZthJC=f(t) R=f(T)
0,1 100000
ZthJC : Diode Rtyp
10000
ZthJC [K/W]
R[Ω]
0,01
1000
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,0084 0,0489 0,002 0,0057
τi[s]: 0,0006 0,0245 0,0733 0,9951
0,001 100
0,001 0,01 0,1 1 10 0 20 40 60 80 100 120 140 160
t [s] TC [°C]
7
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
8
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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application.
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
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