BÀI TN 3

MỘT SỐ ỨNG DỤNG CỦA DIODE

MỤC TIÊU:

 Nắm được cách sử dụng kit thí nghiệm, dụng cụ đo.

 Nắm được đặc tính các linh kiện diode chỉnh lưu, LED phát quang và diode zener
 Thiết lập được mạch ổn áp đơn giản

CHUẨN BỊ:
 Chuẩn bị bài prelab
 Xem lại cách sử dụng các dụng cụ đo VOM, oscilloscope, máy phát sóng

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

THÍ NGHIỆM 1

Mục tiêu

Khảo sát mạch xén phân cực âm dùng diode

Yêu cầu

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 3
MỘT SỐ ỨNG DỤNG CỦA DIODE
Kết nối mạch như hình vẽ. Trong đó nguồn V DC là nguồn DC có điện áp 1V. Nguồn xoay
chiều Vsine là sóng sine biên độ ban đầu là 2Vp-p, tần số 1kHz, mức offset là 0V. Các bộ
nguồn trên chưa được bật cho đến khi được GVHD xem qua.

Kiểm tra

Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch thí nghiệm trên, trên sơ đồ nguyên lý cần ký hiệu đầy đủ tên
linh kiện, thông số của chúng.

Sinh viên tiến hành lắp mạch điện thí nghiệm. Sau khi lắp xong mạch thí nghiệm, sinh viên
nhờ GVHD xác nhận rồi mới tiến hành thí nghiệm.

Xác nhận của GVHD: Đã được kiểm tra và xác nhận từ giáo viên hướng dẫn.

Thay đổi biên độ của nguồn xoay chiều Vsine từ 2Vp-p đến 10Vp-p. Trong quá trình thay đổi
đó, quan sát dạng sóng thu được trên cả hai kênh của dao động ký, mô tả lại hiện tượng thu
được.

Ghi chú: cả hai kênh đều phải quan sát ở chế độ DC trong bài thí nghiệm này trở về sau.

+Theo sơ đồ trên, kênh 1 đo điện áp giữa 2 đầu nguồn xoay chiều nên khi thay đổi biên độ
của nguồn thì biên độ kênh 1 cũng thay đổi theo.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

+ Còn ở kênh 2 đo điện áp giữa 2 đầu ngõ ra (V 0). Ở chu kỳ dương,điện áp đầu ra bằng điện
áp đầu vào nếu Vin < VDC + VON và V = VDC + VON nếu Vin > VDC + VON

Với Vin là điện áp đầu vào, Von là điện áp phân cực của Diode.

Giữ biên độ của nguồn xoay chiều Vsine là 10Vp-p, thay đổi giá trị điện áp của nguồn DC từ
1VDC đến 3VDC, quan sát hiện tượng thu được.

+ ở kênh 2 khi thay đổi điện áp nguồn DC, mức xén của các dạng song thay đổi theo. Độ giới
hạn của sóng ngõ ra được tăng lên.

Điều chỉnh nguồn Vsine có biên độ 10Vp-p, nguồn DC có điện áp 1V, vẽ lại dạng sóng thu
được trên dao động ký.

Giải thích vì sau ta thu được đồ thị như vậy.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 3
MỘT SỐ ỨNG DỤNG CỦA DIODE
- Trong mạch xén này, khi điện áp tín hiệu đầu vào là dương và đạt độ lớn > V on + Vdc,
diode phân cực thuận, điều này làm cho nó hoạt động như một công tắc đóng. Khi dòng
vào <Von + Vdc thì dạng sóng ra trùng với dòng vào, khi dòng vào >V on + Vdc thì diode
hoạt động giới hạn dòng đi qua ở mức Von + Vdc tạo ra sóng đầu ra bị xén ở đỉnh, phần
dương.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

THÍ NGHIỆM 2

Mục tiêu

Khảo sát mạch xén phân cực dương dùng diode

Yêu cầu

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 3
MỘT SỐ ỨNG DỤNG CỦA DIODE
Kết nối mạch như hình vẽ. Trong đó nguồn V DC là nguồn DC có điện áp 1V. Nguồn xoay
chiều Vsine là sóng sine biên độ ban đầu là 2Vp-p, tần số 1kHz, mức offset là 0V. Các bộ
nguồn trên chưa được bật cho đến khi được GVHD xem qua.

Kiểm tra

Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch thí nghiệm trên, trên sơ đồ nguyên lý cần ký hiệu đầy đủ tên
linh kiện, thông số của chúng.

Sinh viên tiến hành lắp mạch điện thí nghiệm. Sau khi lắp xong mạch thí nghiệm, sinh viên
nhờ GVHD xác nhận rồi mới tiến hành thí nghiệm.

Xác nhận của GVHD: Đã được kiểm tra và xác nhận từ giáo viên hướng dẫn.

Thay đổi biên độ của nguồn xoay chiều Vsine từ 2Vp-p đến 10Vp-p. Trong quá trình thay đổi
đó, quan sát dạng sóng thu được trên cả hai kênh của dao động ký, mô tả lại hiện tượng thu
được.

Kênh 1: Tương tự dạng sóng ở thí nghiệm 1, khi thay đổi dần biên độ của nguồn, dạng sóng
trên kênh 1 cũng thay đổi theo và có biên độ tương ứng với nguồn xoay chiều Vsine.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

Kênh 2: Ngược lại với thí nghiệm 1, nếu ở thí nghiệm 1, khi thay đổi V sine , dạng sóng cũng
bị giới hạn lại, nhưng lúc này bị giới hạn ở bán kì âm và mỗi lần thay đổi, dạng sóng tương
tự như Kênh 1 và mức xén không thay đổi.

Giữ biên độ của nguồn xoay chiều Vsine là 10Vp-p, thay đổi giá trị điện áp của nguồn DC từ
1VDC đến 3VDC, quan sát hiện tượng thu được.

Tương tự thí nghiệm 1, độ giới hạn của tín hiệu sóng ngõ ở kênh 2 cũng bị thay đổi, nhưng ở
bán kỳ âm nên độ giới hạn giảm, Vpp CH2 tăng.

Điều chỉnh nguồn Vsine có biên độ 10Vp-p, nguồn DC có điện áp 1V, vẽ lại dạng sóng thu
được trên dao động ký.

Giải thích vì sau ta thu được đồ thị như vậy.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 3
MỘT SỐ ỨNG DỤNG CỦA DIODE
Ở bán kỳ dương, diode phân cực ngược nên dạng sóng ngõ ra tương tự dạng sóng ngõ vào.
Ở bán kỳ âm, diode sẽ phân cực thuận khi Vin > Von + Vdc. Khi đó V0 = Von + Vdc.

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

THÍ NGHIỆM 3

Mục tiêu

Khảo sát mạch xén phân cực dương dùng diode, có tải.

Yêu cầu

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 3
MỘT SỐ ỨNG DỤNG CỦA DIODE
Kết nối mạch như hình vẽ. Trong đó nguồn V DC là nguồn DC có điện áp 1V. Nguồn xoay
chiều Vsine là sóng sine biên độ 8Vp-p, tần số 1kHz, mức offset là 0V. Các bộ nguồn trên
chưa được bật cho đến khi được GVHD xem qua.

Kiểm tra

Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch thí nghiệm trên, trên sơ đồ nguyên lý cần ký hiệu đầy đủ tên
linh kiện, thông số của chúng.

Sinh viên tiến hành lắp mạch điện thí nghiệm. Sau khi lắp xong mạch thí nghiệm, sinh viên
nhờ GVHD xác nhận rồi mới tiến hành thí nghiệm.

Xác nhận của GVHD: Đã được kiểm tra và xác nhận từ giáo viên hướng dẫn

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

Điều chỉnh nguồn Vsine có biên độ 10Vp-p, nguồn DC có điện áp 1V, vẽ lại dạng sóng thu
được trên dao động ký.

So sánh hình dạng đồ thị trên với đồ thị thu được tại thí nghiệm 2, mô tả lại các điểm giống
và khác nhau giữa hai đồ thị, giải thích.

Giống nhau: Mức xén của cả hai dạng sóng vẫn ở mức Von + Vdc.
Khác nhau: CH2 bị xén ở cả 2 đầu.
Do khi mắc thêm tải R1 // với ( nguồn nt Diode ) nên V0 = Von+ Vdc.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 3
MỘT SỐ ỨNG DỤNG CỦA DIODE
THÍ NGHIỆM 4

Mục tiêu

Khảo sát mạch xén phân cực dương dùng diode, có thêm điện trở trên diode.

Yêu cầu

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

 Kết nối mạch như hình vẽ. Trong đó nguồn V DC là nguồn DC có điện áp 1V. Nguồn xoay
chiều Vsine là sóng sine biên độ là 8Vp-p, tần số 1kHz, mức offset là 0V. Các bộ nguồn trên
chưa được bật cho đến khi được GVHD xem qua.

Kiểm tra

Vẽ lại sơ đồ nguyên lý của mạch thí nghiệm trên, trên sơ đồ nguyên lý cần ký hiệu đầy đủ tên
linh kiện, thông số của chúng.

Sinh viên tiến hành lắp mạch điện thí nghiệm. Sau khi lắp xong mạch thí nghiệm, sinh viên
nhờ GVHD xác nhận rồi mới tiến hành thí nghiệm.

Xác nhận của GVHD: : Đã được kiểm tra và xác nhận từ giáo viên hướng dẫn

Lab Manual for “Semiconductor Devices”

 BÀI TN 3
MỘT SỐ ỨNG DỤNG CỦA DIODE
Điều chỉnh nguồn Vsine có biên độ 10Vp-p, nguồn DC có điện áp 1V, vẽ lại dạng sóng thu
được trên dao động ký.

So sánh hình dạng đồ thị trên với đồ thị thu được tại thí nghiệm 2, mô tả lại các điểm khác
nhau giữa hai đồ thị và giải thích.

+ Giống : Đồ thị của cả hai thí nghiệm đều bị giới hạn ở bán kì âm do diode được phân cực
thuận ở bán kỳ âm của nguồn Vsine.
+Khác: Ở TN4, sự xuất hiện của con trở nối tiếp với nguồn DC làm cho có sự rơi áp trên con
trở này. Ở bán kỳ âm, khi diode phân cực thuận, theo định luật Kirchhoff, ta có được phương
trình sau: −V ¿ + I . R 1+ V DC +V on + I . R3=0 ⟺V out =V ¿ −I . R3. Nên mức giới hạn của nó là
một dạng sóng có đỉnh âm cao hơn đỉnh âm của dạng sóng ngõ vào. Còn ở TN2, mức giới
hạn là Von + Vdc cố định. Do đó, ở thời điểm con diode chưa được phân cực thuận tức V in <

Lab Material for “Semiconductor device experiment lab”

Vdc+Von+I.R1, dạng sóng của CH2 tương tự dạng sóng trên CH1, từ lúc con diode được phân
cực thuận, dạng sóng trên CH2 sẽ theo biểu thức Vout ở trên.

Lab Manual for “Semiconductor Devices”