Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
VCES 600 V
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom TC= 45°C IC,nom. 200 A

DC-collector current TC= 25°C IC 226 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

tP= 1ms, TC= 45°C ICRM 400 A
repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung
TC= 25°C, Transistor Ptot 700 W
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
IF 200 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
tP= 1ms IFRM 400 A
repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

2 VR= 0V, tp= 10ms, TVj= 125°C I2t 8.450 A2s
I t - value, Diode

Isolations-Prüfspannung
RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV
insulation test voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C - 1,95 2,45 V
VCE sat
collector-emitter saturation voltage IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C - 2,20 - V

Gate-Schwellenspannung
IC= 4,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
gate threshold voltage

Eingangskapazität
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 9 - nF
input capacitance

Rückwirkungskapazität
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,8 - nF
reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1 500 µA

ICES
collector-emitter cut-off current VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1 - mA

Gate-Emitter Reststrom
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA
gate-emitter leakage current

prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2000-04-26

approved by: Michael Hornkamp revision: 1

BSM 200 GD 60 DLC S1

1 (8) 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
IC= 200A, VCC= 300V
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C td,on - 163 - ns
turn on delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C - 180 - ns
IC= 200A, VCC= 300V
Anstiegszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C tr - 43 - ns
rise time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C - 49 - ns
IC= 200A, VCC= 300V
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C td,off - 253 - ns
turn off delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C - 285 - ns
IC= 200A, VCC= 300V
Fallzeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C tf - 33 - ns
fall time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C - 41 - ns

Einschaltverlustenergie pro Puls IC= 200A, VCC= 300V, VGE= 15V

Eon - 4,6 - mJ
turn-on energy loss per pulse RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C, L σ = 15nH

Abschaltverlustenergie pro Puls IC= 200A, VCC= 300V, VGE= 15V

Eoff - 6,3 - mJ
turn-off energy loss per pulse RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C, L σ = 15nH

Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V

ISC - 900 - A
SC Data Tvj≤125°C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LσCE ·di/dt

Modulinduktivität
LσCE - 28 - nH
stray inductance module

Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip

Tc= 25°C RCC'+EE' - 1,8 - mΩ
lead resistance, terminals - chip

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1,25 1,6 V
VF
forward voltage IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1,20 - V
IF= 200A, -diF/dt= 4000A/µs
Rückstromspitze
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C IRM - 154 - A
peak reverse recovery current
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 188 - A
IF= 200A, -diF/dt=4000A/µs
Sperrverzögerungsladung
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Qr - 12,1 - µC
recoverred charge
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 19,7 - µC
IF= 200A, -diF/dt= 4000A/µs
Abschaltenergie pro Puls
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Erec - - - mJ
reverse recovery energy
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 4,1 - mJ

BSM 200 GD 60 DLC S1

2 (8) 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC - - 0,18 K/W
RthJC
thermal resistance, junction to case Diode / diode, DC - - 0,32 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module

RthCK - 0,01 - K/W
thermal resistance, case to heatsink λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
Tvj - - 150 °C
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
Top -40 - 125 °C
operation temperature

Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation

CTI
225
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M5 4 Nm

M
mounting torque screw M5 -15 +15 %

Gewicht
G 310 g
weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.

It is valid in combination with the belonging technical notes.

BSM 200 GD 60 DLC S1

3 (8) 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC

Ausgangskennlinie (typisch) I C= f (VCE)

Output characteristic (typical) VGE= 15V

400

350
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
300

250
IC [A]

200

150

100

50

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C= f (VCE)

Output characteristic (typical) Tvj= 125°C

400

350 VGE = 8V
VGE = 9V
300 VGE = 10V
VGE = 12V
250 VGE = 15V
VGE = 20V
IC [A]

200

150

100

50

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VCE [V]

BSM 200 GD 60 DLC S1

4 (8) 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC

Übertragungscharakteristik (typisch) I C= f (VGE)

Transfer characteristic (typical) VCE= 20V

400

350 Tvj = 25°C

Tvj = 125°C
300

250
IC [A]

200

150

100

50

0
5 6 7 8 9 10 11 12 13

VGE [V]

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F= f (VF)

Forward characteristic of inverse diode (typical)

400

350 Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

300

250
IF [A]

200

150

100

50

0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6

VF [V]

BSM 200 GD 60 DLC S1

5 (8) 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC

Schaltverluste (typisch) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC)

Switching losses (typical) Ω,= Ω , VCC= 300V, Tvj= 125°C
Ω, =RG,off = 1,5Ω
RG,on= 1,5Ω,

16

Eon
14
Eoff
Erec
12

10
E [mJ]

0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
IC [A]

Schaltverluste (typisch) E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG)

Switching losses (typical) IC= 200A , VCE= 300V , Tvj = 125°C

20

18 Eon
Eoff
16
Erec

14

12
E [mJ]

10

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

Ω]
RG [Ω

BSM 200 GD 60 DLC S1

6 (8) 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC

Transienter Wärmewiderstand Z thJC = f (t)

Transient thermal impedance

0,1
[K / W]
ZthJC

0,01
Zth:IGBT
Zth:Diode

0,001
0,001 0,01 0,1 1 10

t [sec]

i 1 2 3 4
ri [K/kW] : IGBT 7,6 94,3 63,4 14,6
τi [sec] : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626
ri [K/kW] : Diode 112,8 108,2 67,9 31,1
τi [sec] : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) Ω, Tvj= 125°C
VGE= +15V, R G,off = 1,5Ω,

450

400

350

300

250

200
IC [A]

150
IC,Modul
100 IC,Chip

50

0
0 100 200 300 400 500 600 700

VCE [V]

BSM 200 GD 60 DLC S1

7 (8) 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GD 60 DLC

Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram

Econo 3
118.11
94.5

119

121.5
99.9
4 x 19.05 = 76.2
19.05 3.81

19 18 17 16 15

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

3.81 1.15x1.0
15.24
5 x 15.24 =76.2
110
connections to be made externally
P+ / 21 P+ / 13

1 5 9
2 6 10
19
17
15

3 7 11
4 8 12
N- / 20 N- / 14

IS8

BSM 200 GD 60 DLC S1

8 (8) 2000-02-08
Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der
bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application
Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro
in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen
einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die
Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

Terms & Conditions of usage

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product
data with respect to such application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the
product and its characteristics.

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For
those that are specifically interested we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for
any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.

Mouser Electronics

Authorized Distributor

Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information:

Infineon:
BSM200GD60DLC