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Full download Defects in Two-Dimensional Materials Rafik Addou file pdf all chapter on 2024
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Rafik Addou
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DEFECTS IN TWO-DIMENSIONAL
MATERIALS
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Materials Today
DEFECTS IN
TWO-DIMENSIONAL
MATERIALS
Edited by
Rafik Addou
Luigi Colombo
Elsevier
Radarweg 29, PO Box 211, 1000 AE Amsterdam, Netherlands
The Boulevard, Langford Lane, Kidlington, Oxford OX5 1GB, United Kingdom
50 Hampshire Street, 5th Floor, Cambridge, MA 02139, United States
Copyright © 2022 Elsevier Inc. All rights reserved.
No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical,
including photocopying, recording, or any information storage and retrieval system, without permission in writing from the
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operation of any methods, products, instructions, or ideas contained in the material herein.
ISBN: 978-0-12-820292-0
v
vi Contents
Rafik Addou University of Texas at Dallas, Richard- Azimkhan Kozhakhmetov The Pennsylvania State
son, TX, United States University, University Park, PA, United States
Vitaliy Babenko Department of Engineering, Uni- Arkady V. Krasheninnikov Helmholtz-Zentrum
versity of Cambridge, Cambridge, United Kingdom Dresden-Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics
Sanjay K. Banerjee Microelectronics Research and Materials Research, Dresden, Germany
Center and Department of Electrical and Com- Department of Applied Physics, Aalto University,
puter Engineering, The University of Texas at Aalto, Finland
Austin, Austin, TX, United States Mariusz Krawiec Institute of Physics, Maria Curie-
Sayema Chowdhury Microelectronics Research Sklodowska University, Lublin, Poland
Center and Department of Electrical and Com- Silvan Kretschmer Helmholtz-Zentrum Dresden-
puter Engineering, The University of Texas at Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Ma-
Austin, Austin, TX, United States terials Research, Dresden, Germany
Rebekah Chua Department of Physics, National Yu-Chuan Lin The Pennsylvania State University,
University of Singapore, Singapore, Singapore University Park, PA, United States
Functional Hybrid Nanomaterials Group, Center
Luigi Colombo University of Texas at Dallas,
for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge Na-
Richardson, TX, United States
tional Laboratory, Oak Ridge, TN, United States
Paola De Padova Istituto di Struttura della Materia-
Chenze Liu Functional Hybrid Nanomaterials
CNR (ISM-CNR), Rome, Italy
Group, Center for Nanophase Materials Sciences,
LNF-INFN, Frascati, Rome, Italy
Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN,
Yi Du ISEM-AIIM and Innovation Campus, Uni- United States
versity of Wollongong, Wollongong, NSW, Aus- Ruitao Lv State Key Laboratory of New Ceram-
tralia ics and Fine Processing, School of Materials Sci-
David B. Geohegan Functional Hybrid Nanomate- ence and Engineering, Tsinghua University, Bei-
rials Group, Center for Nanophase Materials Sci- jing, China
ences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, Stephen McDonnell Department of Materials Sci-
TN, United States ence and Engineering, University of Virginia,
Mahdi Ghorbani-Asl Helmholtz-Zentrum Dresden- Charlottesville, VA, United States
Rossendorf, Institute of Ion Beam Physics and Ma- Bruno Olivieri CNR-ISAC, Rome, Italy
terials Research, Dresden, Germany Carlo Ottaviani Istituto di Struttura della Materia-
Stephan Hofmann Department of Engineering, CNR (ISM-CNR), Rome, Italy
University of Cambridge, Cambridge, United Alex A. Puretzky Functional Hybrid Nanomate-
Kingdom rials Group, Center for Nanophase Materials Sci-
Yu Li Huang Department of Physics, National Uni- ences, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge,
versity of Singapore, Singapore, Singapore TN, United States
Mieczysław Jałochowski Institute of Physics, Maria Claudio Quaresima Istituto di Struttura della
Curie-Sklodowska University, Lublin, Poland Materia-CNR (ISM-CNR), Rome, Italy
Hannu-Pekka Komsa Department of Applied Amritesh Rai Microelectronics Research Center
Physics, Aalto University, Aalto, Finland and Department of Electrical and Computer Engi-
ix
x List of contributors
neering, The University of Texas at Austin, Austin, Riccardo Torsi The Pennsylvania State University,
TX, United States University Park, PA, United States
Leonard Frank Register Microelectronics Research Amithraj Valsaraj Microelectronics Research Cen-
Center and Department of Electrical and Com- ter and Department of Electrical and Computer
puter Engineering, The University of Texas at Engineering, The University of Texas at Austin,
Austin, Austin, TX, United States Austin, TX, United States
Petra Reinke Department of Materials Science Yuchi Wan State Key Laboratory of New Ceram-
and Engineering, University of Virginia, Char- ics and Fine Processing, School of Materials Sci-
lottesville, VA, United States ence and Engineering, Tsinghua University, Bei-
jing, China
Joshua A. Robinson The Pennsylvania State Uni-
versity, University Park, PA, United States Yaguo Wang Department of Mechanical Engineer-
ing and Texas Materials Institute, The University
Anupam Roy Microelectronics Research Center
of Texas at Austin, Austin, TX, United States
and Department of Electrical and Computer Engi-
Kai Xiao Functional Hybrid Nanomaterials Group,
neering, The University of Texas at Austin, Austin,
Center for Nanophase Materials Sciences, Oak
TX, United States
Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, United
Nicholas A. Simonson The Pennsylvania State States
University, University Park, PA, United States
Leping Yang State Key Laboratory of New Ceram-
Deepyanti Taneja Microelectronics Research Cen- ics and Fine Processing, School of Materials Sci-
ter and Department of Electrical and Computer ence and Engineering, Tsinghua University, Bei-
Engineering, The University of Texas at Austin, jing, China
Austin, TX, United States Yiling Yu Functional Hybrid Nanomaterials Group,
Andrew Thye Shen Wee Department of Physics, Center for Nanophase Materials Sciences, Oak
National University of Singapore, Singapore, Sin- Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, United
gapore States
About the editors
Rafik Addou is a research scientist at the Luigi Colombo is the Director of Strate-
University of Texas at Dallas, USA, where gic Programs and Adjunct Professor in the
he leads efforts on understanding the in- Department of Materials Science & Engineer-
terface and surface science of graphene, ing at the University of Texas at Dallas, USA.
transition metal dichalcogenides, and other For almost 40 years, he worked on a vari-
emerging 2D materials for nano- and opto- ety of materials research and development
electronics. He earned a BSc in Physics from programs and device integration at Texas In-
Mohamed Premier University, Oujda, Mo- struments in Dallas, TX, USA. From 2008 to
rocco, and MSc in Materials Physics from 2013, in collaboration with the Ruoff group
Aix-Marseille University, France. In 2010, he at the University of Texas at Austin, USA,
received his PhD degree in Materials Sci- he discovered and developed a large area
ence from Ecole des Mines (Nancy, France) graphene film growth using a catalytic CVD
in association with Empa Materials Science process on Cu substrates.
and Technology Laboratory (Thun, Switzer-
land). Before joining UTD, Dr. Addou was
at the University of South Florida (Tampa
FL, USA) as a postdoctoral research fellow in
Physics where he studied the surface physics
of graphene.
xi
This page intentionally left blank
Preface
This book, Defects in Two-Dimensional Ma- dustry working in the disciplines of materi-
terials, provides a review of the fundamen- als science and engineering and may be of
tal physics and chemistry of defects in 2D interest to physicists, chemists, and electrical
materials and their effects on the chemi- engineers as well as beginners to the field.
cal, electronic, opto-electronic, and mechan- The editors would like to thank all the
ical and other physical properties relevant contributors of the book from all over the
to applications. The primary objective is to world. Especially the main principal inves-
review defects present in a variety of 2D tigators for accepting to participate to this
materials, such as transition metal dichalco- effort: Arkady V. Krasheninnikov (Helmholtz-
genides (TMD), graphene, hexagonal boron Zentrum Dresden-Rossendorf, Germany), Paola
nitride (h-BN), and elemental 2D materi- de Padova (ISM-CNR, Italy), Stephen Mc-
als beyond graphene (e.g. silicene, phospho- Donnell and Petra Reinke (University of Vir-
rene, bismuthene, tellurene, hafnene, etc.). ginia, USA), Vitaliy Babenko and Stephan
Techniques to characterize defects in 2DM Hofmann (University of Cambridge, UK), An-
will be introduced throughout the book. The drew T.S. Wee (National University of Sin-
discussions also highlight how understand- gapore), Joshua Robinson (Penn State Uni-
ing and controlling these defects can pro- versity, USA), David Geohegan (Oak Ridge
vide a pathway to novel applications requir- National Lab, USA), Ruitao Lv (Tsinghua,
ing defect engineering, enabling scientists to China) and Sanjay Banerjee (University of
tune the properties of 2D materials to realize Texas at Austin, USA). The editors also
specialized applications. thank Silvan Kretschmer (Helmholtz-Zentrum
Large number of review papers and ar- Dresden-Rossendorf, Germany) for the book
ticles are being published every year on cover.
conventional and newly discovered/syn- Finally, Rafik Addou thanks his wife,
thetized 2D materials from theory to exper- Sara, daughter, Yasmin, parents, Joudia and
iment and applications. This book makes it Mimoun, and sisters, Hanan, Wissam and
easy for experts and non-experts to keep up Sanaa for patience and unconditional sup-
with the latest reports, discoveries, and de- port. Luigi Colombo would like to thank his
velopments that involve defects in 2D mate- patient wife, Sumico, during the editing of
rials. this book.
The book is designed to cover growth, the-
Rafik Addou
ory of defects, identification and character-
Research Scientist
ization of defects, defect healing and passi-
vation, defect creation by irradiation and an- Luigi Colombo
nealing, defect engineering for catalysis and Adjunct Professor & Director of Strategic
the role of defects in electronic devices. This Projects
book is suitable for both academia and in- August 2021
xiii
This page intentionally left blank
C H A P T E R
1
Introduction
Rafik Addou and Luigi Colombo
University of Texas at Dallas, Richardson, TX, United States
Two-dimensional (2D) materials have been extensively studied over several decades but es-
pecially since the isolation of graphene now over 15 years ago by Nobel Laureates Konstantin
Novoselov and Andre K. Geim [1]. This discovery has led to a significant level of effort
across the world not only to understand the fundamental properties of graphene but also re-
introduce and expand the study to other two-dimensional materials such as hexagonal boron
nitride (h-BN) and transition metal dichalcogenides (TMDs) [2]. The search for new and “bet-
ter” 2D materials has also led to discovery and growth of new elemental two-dimensional
materials. The expansion to other two-dimensional materials was driven principally by the
need to cover the electromagnetic spectrum with materials from the far infrared (IR) to the
ultra-violet (UV) to meet stringent current and future applications requirements.
Graphene with its zero band gap can be useful for many applications but high performance
electronic devices typically need a band gap to achieve low device off currents. Elemental 2D
materials [3] with narrow band gaps could be used for some electronic applications requir-
ing narrow bandgaps, < 1 eV, but it is the TMDs with their tunable bandgaps and potential
for heterostructure fabrication [4] that are attractive for many electronic and optoelectronic
applications including transistors to help scale complementary metal oxide semiconductor
(CMOS) devices. Finally, hexagonal boron nitride(h-BN), sometimes referred to as white
graphite, an insulator which is the 2D material with the highest bandgap, about 6 eV, is a
highly sought material because of its exceptional low interface trap density and ability to
screen charges from substrates [5].
From a materials science perspective, the success of the electronics and optoelectronics
industry is largely due to the availability of large low defect density single crystals of Si,
III–V, and II–VI compounds. Further, the electronic properties of these materials have been
controlled by intrinsic and extrinsic doping at levels below 1014 cm−3 . The ability to control
impurities, doping and alloying of these materials has enabled the electronics industry over
the last seven decades to harness electronic transport and electro-optical effects with unpar-
alleled success. While defect chemistry and control are very mature in these cubic systems,
the scientific community is now faced with a similar challenge for 2D materials. This book
reviews the status of defects and defect chemistry in 2D materials as well as challenges and
opportunities for the fabrication of new devices and applications.
During the early days of 2D materials development the focus was on using small very
high-quality exfoliated graphene from graphitic carbon sources to develop basic understand-
ing of the fundamental properties. However, as manufacturing growth processes were devel-
oped to address the lack of large area films of any of the 2D materials and evaluate them for
various applications, another challenge came to light, defects. As will be described in detail
in this book, even though 2D materials are atomically thin, there is a richness of defects as in
the case of 3D crystals.
The success of the electronics industry is based on the simultaneous creation of the highest
crystalline quality materials in conjunction with precise control of defects. Control of defects
in semiconductors has enabled the industry to fabricate many different types of electronic de-
vices from simple transistors to CMOS devices to high-electron mobility transistors (HEMT)
using III–V compound heterostructures, and high-performance infrared detectors using II–VI
compounds. The fabrication of these devices was enabled by the growth of the highest qual-
ity bulk crystals and/or thin films and/or their heterostructures and control of interfaces and
point defects to manipulate transport of electrons and holes, and band structure. The basic
understanding of defects and defect chemistry in the bulk, and interfaces of semiconducting
heterostructures and semiconductors with dielectrics has led to the fabrication of not only
high-performance devices but also reliable devices supporting a few trillion-dollar electron-
ics industry.
The success of 2D materials for electronic applications will also largely depend on our
ability to not only grow the highest quality materials but also control defects and surfaces
to a similar degree as in traditional electronic materials in production today. Under ideal
conditions, defects in 2D materials are like those in 3D semiconductor materials with one
major distinction, 2D materials have two surfaces and “no bulk”. In other words, surfaces
play a critical role in the defect formation, types, characteristics, and methods to control them.
The hope for many applications is to take advantage of the low surface state density due to
the sp2 bonding nature of the 2D materials, and the atomically thin nature for electrostatic
control of scaled transistors.
The book starts with a chapter by H.-P. Komsa and A. V. Krasheninnikov on an overview of
recent advances and current understanding of the physics of defects in 2DMs. In this chapter
the authors discuss the changes in the theoretical description of native and extrinsic defects,
and the reduced dimensionality of some defects: for example, a grain boundary is a line defect
in 2D, and edge dislocation is a point defect. Interstitial atoms do not exist in the majority of
2D materials (e.g. graphene, h-BN, MoS2 ), as it is energetically more favorable for the atom to
take an adatom position rather than be embedded into the atomic network. The authors also
discuss the plausibility that various species can be adsorbed at the reactive dangling bonds of
the atoms next to vacancies (e.g., hydrogen or nitrogen atoms) in 2D MoS2 and other TMDs.
These “defects” can give rise to shallow occupied states close to conduction band minimum
(CBM) or empty states next to valence band minimum (VBM). The authors further discuss
how the geometry of 2D materials requires making changes in the theoretical description
of charged point and line defects, as the screening/electrostatics is strongly anisotropic and
inhomogeneous, and the results may depend on the shape of the simulation cell and electro-
static correction scheme used. The authors further state that the environment should also be
carefully accounted for, both in modifying the screening and by choosing the values of atom
chemical potentials matching the experimental situation.
1. Introduction 3
The third chapter by Paola de Padova et al. on “Defects in two-dimensional elemental ma-
terials beyond graphene” presents an extensive review of elemental 2D materials beyond
graphene such as Borophene, Silicene, Germanene, Stanene, Plumbene, Phosphorene, Ar-
senene, Antimonene Bismuthene, Selenene and Tellurene. Here, the authors review different
types of structural point defects, including Stone-Wales, single vacancy, and bi-vacancies, as
well as grain boundaries (lines) and adatoms as described based on theoretical and experi-
mental published reports. The discussion extends to highlighting that some of these emerging
2D materials show non-trivial topological behavior due to the presence of defects that could
be of great interest for their potential use in several electronic applications.
The fourth chapter is by Stephen McDonnell and Petra Reinke on “Defects in transition metal
dichalcogenides” provides the reader with an overview of the role of defects on the properties
of TMD materials. The authors list the various types of defects unique to 2D materials and
provide examples from the experimental database and point out that the community is still
a long way from synthesizing truly high-purity films comparable to silicon. In the long term,
achieving high purity material will significantly simplify property engineering of TMDs, but
in the near term, we must continue to thoroughly characterize the materials and continue
to consider both random/uncontrolled and engineered defects when interpreting their func-
tional properties.
To complement the chapters on defects, two chapters have been dedicated to crystal
growth of graphene, h-BN and TMDs. While Chapter 5 written by Vitaliy Babenko and Stephan
Hofmann reviews the growth of electronic grade graphene and h-BN, Chapter 6 written by Yu-
Chuan Lin et al. reviews the growth of electronic grade TMD thin films. Over the last decade
or so a large effort has been dedicated to the development of large-scale crystal growth of
2D materials. Bottom-up thin film approaches are being developed for 2D materials to meet
industrial requirements and extensive efforts are also being dedicated to the understanding
and control of defects in synthetic materials as opposed to naturally occurring 2D materi-
als like graphite and some MoS2 . Hexagonal boron nitride and many other TMDs have not
been found in nature. These processes are developed to replace the exfoliated process for
graphene, h-BN and TMDs extensively used to generate samples for fundamental studies.
Today, wafer scale processes such as catalytic chemical vapor deposition of graphene and
h-BN have been developed and numerous vapor deposition processes are being developed
for TMDs. The authors of these two chapters review and describe in depth various processes
used to grow large area 2D materials films with controlled defect densities to meet the many
device performance requirements.
The previous chapters on growth are followed by Chapter 7 by David B. Geohegan et al.
on “Nonequilibrium synthesis and processing approaches to tailor heterogeneity in 2D ma-
terials” where defects are studied with respect to nucleation and growth where stochastic
variations in chemical potential, temperature, flux of different species push the synthesis
environment out of equilibrium. Cooperative effects, such as strain accumulation due to co-
alescence with other crystalline domains during growth, can also induce both localized and
long-range heterogeneities. In the case of 2D TMD materials such effects are manifested as
changes in optoelectronic properties. The authors go on to describe a synergistic approach to
reveal the synthetic origins of heterogeneity in 2D TMD materials that involves a combination
of: (1) temporally- and spatially-resolved in situ diagnostics of growth environment, using
primarily optical spectroscopic and electron microscopy techniques, (2) a correlation between
4 1. Introduction
References
[1] Scientific Background on the Nobel Prize in Physics 2010, Class for Physics of the Royal Swedish Academy of
Sciences. https://www.nobelprize.org/uploads/2018/06/advanced-physicsprize2010.pdf, 2010.
[2] K.S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T.J. Booth, V.V. Khotkevich, S.V. Morozov, A.K. Geim, Two-dimensional
atomic crystals, Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America 102 (30) (2005)
10451–10453.
References 5
[3] N.R. Glavin, R. Rao, V. Varshney, E. Bianco, A. Apte, A. Roy, E. Ringe, P.M. Ajayan, Emerging applications of
elemental 2D materials, Advanced Materials 32 (7) (2020).
[4] F.N. Xia, H. Wang, D. Xiao, M. Dubey, A. Ramasubramaniam, Two-dimensional material nanophotonics, Nature
Photonics 8 (12) (2014) 899–907.
[5] C.R. Dean, A.F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K.L. Shepard,
J. Hone, Boron nitride substrates for high-quality graphene electronics, Nature Nanotechnology 5 (10) (2010)
722–726.
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Das Haus am Zirkelstein
Von Dr. Kurt Schumann, Dresden
Mit Bildern von Walter Möbius
Die Verse sind nicht von Schiller oder von Mörike, sie sind
überhaupt nicht dichterisch wertvoll; die Reime sind nicht neu und
die Stimmung ist etwas sentimental, aber gut sind sie doch, denn sie
spiegeln die Liebe einfacher Menschen zu einem Werk, das sie in
gemeinsamer Arbeit geschaffen und dessen sie sich in
gemeinsamer Freude freuen.
Als die Bewegung der Naturfreunde seit Beginn dieses
Jahrhunderts lebhaft aufblühte, mußte es natürlich ihre erste Sorge
sein, für die zumeist minderbemittelten Mitglieder
Übernachtungsgelegenheit für Wanderungen und Heime zu
schaffen. So erklärt es sich, daß jetzt weit über hundert
Naturfreundehäuser in allen Teilen der Welt vorhanden sind. Von
diesen liegt die Mehrzahl in unsern deutschen Mittelgebirgen, im
Schwarzwald wie im Taunus, im fränkischen Jura wie im Teutoburger
Walde, im Erzgebirge wie in der Sächsischen Schweiz. Erst kürzlich
wurden hier dem Reichsfiskus am Königstein einige Pulverhäuser
abgemietet, die teils als Jugendherberge, teils als Naturfreundehaus
dienen. Sie bieten Unterkunftsmöglichkeit für fünfhundert Wanderer
und wenn sie auch, da nicht zu dem jetzigen Zweck erbaut, kleine
Mängel inbezug auf Einrichtung und Aussehen aufweisen, so helfen
sie doch gerade in dieser Gegend einem sehr brennend gewordenen
Bedürfnis ab.
Wenn man bedenkt, daß der größte Teil des Geschaffenen durch
den Idealismus einiger weniger zum Teil in schwierigen Kriegszeiten
entstand, in denen man oft Material und Werkzeug von Schandau
bis hierher tragen und in dem notdürftig überdachten Keller
übernachten mußte, so wird man das Haus mit noch ganz anderen
Augen ansehen. Als Heimatschützler aber wollen wir uns freuen,
daß trotz diesen Schwierigkeiten hier ein Bau entstanden ist, der in
die umgebende Landschaft paßt wie selten einer. Auf vielen Fahrten
in einem mehr als zwanzigjährigen Wanderleben habe ich kaum ein
Haus gefunden, das den Ansprüchen, die man an ein Wander- und
Erholungsheim stellen muß, so entspricht wie das Dresdner
Naturfreundehaus. Um so befremdender wirkt es darum, wenn man
immer wieder bekannte Wandrer und Wanderführer findet, die sonst
in der Sächsischen Schweiz und ihren Herbergen aufs beste
Bescheid wissen, die diese Musterhütte nicht kennen. Vielleicht
regen diese Zeilen manchen dazu an, diese Unterlassungssünde
wieder gut zu machen. Den Naturfreunden aber, die zu Ferien- und
Feiertagszeiten hier Freude und Erholung suchen, möge immer
Verwirklichung des verheißungsvollen Worts erblühen, mit dem das
am Anfang zitierte »Hüttenlied« schließt:
Ich liebe die Bäume. Ich habe sie schon immer geliebt. Ob sie
dichtgeschart einer neben dem andern im Wald große Landflächen
bergauf und bergab mit ihrem satten Dunkel bekleiden – ob ein
großer, mit seinen Ästen weitausgreifender Baum auf einem langen
Bergesrücken wie ein Wahrzeichen steht, auf Stadt und Land gleich
einem Herrscher herabschaut und die Wanderer zu weiter
Rundschau herauflockt – ob sie in langer Reihe links und rechts an
der Landstraße stehen, ihr weithin sichtbar das Geleite geben und
sie von oben herab mit ihren zusammenstoßenden Kronen
beschatten – ob die beiden Pappeln wie zwei Wächter hüben und
drüben vor der Hofeinfahrt stehen und über den First des
Bauernhauses auf die Felder hinausschauen – ob sie in den langen
Reihen des Obstgartens regelmäßig ausgerichtet einer neben und
hinter dem andern stehen.
Ich liebe die Bäume: ob sie im Winter kahl und schwarz dastehen,
daß sie sich bis in ihre feinsten Zweige hinauf von dem grauen
Himmel wie ein vielgestaltiges Gewebe abheben – ob sie sich im
Lenz mit ihrem ersten helleuchtenden Grün leise schmücken, als
wenn sie den Winterschlaf abgeschüttelt hätten – mag dann im
Sommer die Sonne in die vielen tausend Spiegelchen des
Blätterdaches scheinen – und mag dann der Herbst sie aufleuchten
lassen in Gelb und Braun und Rot wie ein Scheidegruß, ehe Sturm
und Reif den Kehraus machen.
Ich liebe den Baum: ob die Pappel wie ein Ausrufezeichen in der
Landschaft hoch und schlank hinaufwächst und dem leichten Winde
gehorchend hin- und herschwankt – ob nun die Eiche am Wegrand
ihre gewaltige Laubkrone unbeweglich starr aufbaut, getragen von
den dicken knorrigen Ästen, und andern Pflanzenwesen unter ihr
Licht und Luft nimmt.
Ich liebe die Bäume. Nur wegen der reichen Form ihrer
Erscheinung? Ich fragte mich, ich prüfte mich: es muß noch etwas
mehr, etwas andres als diese Äußerlichkeit sein, was mir den Baum
so lieb und wert macht. Nicht gleich fand ich eine Lösung. Da fügte
es die Zeit. Von einer andern Seite kam ich her und fand, was mir
Befriedigung gab. Ich kam vom Menschen her: die Gedanken über
den jungen Menschen, über das reifende Kind führten mich zum
wachsenden und gewordenen Baum. Ich fand zwischen beiden
Wesensverwandtes und Ähnlichkeit.
Das Kind wächst nach einem inneren Gesetz heran und wird zu
dem, wozu es werden kann und muß. Die Natur hat dem jungen
Menschen allerhand Anlagen, stille Kräfte gegeben, mit der
Fähigkeit und dem Streben, sich zu entfalten und in Erscheinung
sich auszureifen. Manchmal hat die Natur in einen Menschen eine
Anlage niedergelegt wie ein Geschenk, das sie nur selten hier und
da von sich loslöst: mitten aus Armut und Niedrigkeit geht gleich
einem Licht ein Künstler, ein Denker, ein Erfinder, ein Führer der
Menschheit auf: aus sich heraus geworden, allen Widerständen und
Hemmungen zum Trotz, als ein Eigner aus Eigenem dastehend. Oft
sind die Anlagen ein Niederschlag der Umgebung, eine Mitgabe von
Vater und Mutter, eine Selbstverständlichkeit von
Familienüberlieferung und -eigentümlichkeit. Das Kind atmet den
Geist des Vaterhauses ein, und mit ihm wächst es heran zu einem
Menschen, der in den Spuren der Eltern mehr oder weniger weiter
geht.
Zu diesem Aussichherauswachsen tritt von außen heran die
Erziehung, die Einwirkung durch Persönlichkeiten, die in sittlicher
und geistiger Hinsicht dazu berufen sind. Die Erziehung kann darum
kein Abrichten, kein zwangmäßiges Einwirken nach einem
vorgedachten Plane sein, kein Gestalten und Bilden zu einem von
außen her an das Kind herangebrachten Zweck. Erziehung kann nur
den Sinn einer Hilfe haben, indem sie Hindernisse beiseite räumt,
den Weg bereitet, indem der Erzieher mit ihm geht und es schützt
vor Irrtum und Umweg.
Mitten in diese Gedankengänge schaute mir zum Fenster herein
von weither die Babisnauer Pappel. Wie manchmal habe ich unter
deinem Schatten gelegen und in deine Zweige hinaufgesonnen! Du
bist so ein Eigner aus Eigenem, so groß und gewaltig, so breit und
rund, so fest und gesund, so frei und selbständig stehst du auf
schöner Höhe! Und du, meine liebe Pappel, du Stolz meines
Gartens, kommst auch zu mir in meine Gedanken. Als ich dich vor
zwanzig Jahren pflanzte, reichte ich mit der Hand an deine Spitze,
jetzt ragst du hoch hinaus mit deinen schlanken beweglichen Gerten
über das Dach des Hauses. Aus dir ist geworden, was du im Kleinen
schon warst und versprachst.
Und nun habe ich es gefunden. Auch ihr Bäume seid Wesen für
sich, von Anfang bis zum Ende hin. Auch in euch ist ein Ziel gesetzt
von Anfang an. Auch ihr seid belebte, zielstrebige, wollende und
müssende Natur. Auch euch hat die Natur eine besondere Anlage
mitgegeben und Kräfte, die in dieser Richtung weiter sich entfalten,
bis ihr das seid, was in euch ist. Und das werdet ihr ohne viel
Erziehung, ohne viel Zutun von außen her. Der Naturfreund pflanzte
euch ins Erdreich, dorthin, wo er euch haben wollte. Er gab euch
Licht und Luft, er trug euch Wasser an die Wurzel. Und dann
überließ er euch eurem Werden. So wie ihr wurdet im Sonnenschein
und im Regen, wie ihr Sturm und Ungewitter, Frost und Trockenheit
trotztet: er hatte seine Freude daran. So seid ihr mir nun nicht bloß
lieb und wert geworden durch euer vielgestaltiges und wechselndes
Äußeres – ihr sprecht zu mir aus tiefem verinnerlichtem Sinn, als
wenn auch ihr beseelt wäret, als wenn auch in euch ein unsichtbarer
Geist nach Verkörperung sich gestaltete.
Doch was soll das hier? Der Ring schließt sich für mich auch hier
im Heimatschutz. Ihr Menschen müßt auch diesen Sinn für den
Baum erleben. Dann werdet ihr nicht so herzlos einem schönen
Baum vor seiner Zeit mit Axt und Säge das Ende bereiten. Ihr werdet
ihn schützen und zu erhalten suchen, wie es der nachdenkliche
Jukundus im »Verlorenen Lachen« jenem alten stattlichen Eichbaum
auf aussichtsreicher Höhe angetan hat. Dann werdet ihr nicht mehr
so gedankenlos einem Baum Äste, Zweige und Blüten nehmen,
dann werdet ihr ganz anders in seinem Schatten ruhen und den
Platz an seinem Stamm in schöner Ordnung zurücklassen. So gut
wir einem lieben oder großen Menschen zugetan sind, ihn ehren und
uns mit ihm freuen: so wollen wir auch den Baum als ein Stück im
tiefern Sinn belebter Natur achten und ehren.
So sind wir auch von dieser Seite her zum Heimatschutz
gekommen.
Herrnhut
Ein Stimmungsbild von Susanne Hausdorf
Man muß einen Dichter erleben, sonst hat man nichts von ihm.
Hermann Löns, der Dichter, verdient es ganz besonders, ein
Erlebnis zu sein. Nur so gewinnt man das richtige Verständnis von
ihm. Und das ist ja der Zweck meiner kurzen Worte und des
heutigen ganzen Abends. Liebe zu ihm und seinen Werken soll
erweckt werden und die Würdigung, die er verdient.
Das aber soll gleich vorweg deutlich ausgesprochen werden:
Hermann Löns ist kein »Jagdschriftsteller«, als der er so gern
abgezeichnet wird, er ist auch kein »Heimatschriftsteller« oder ein
»Heidedichter«, sondern er ist einfach ein Mensch und ein Dichter,
wie wir nicht viele gehabt haben und nicht viele haben.
Ein Dichter nimmt das ganze Leben wie eine Dichtung, und jede
seiner Dichtungen nimmt er wie das ganze Leben. Darin liegt sein
Glück und sein Unglück. Wer ihm das nachfühlen kann, der ist
ebenso glücklich oder unglücklich.
Alle die Verwirrungen und Irrungen, an denen das Leben Löns oft
krankte, liegen in der tiefsten Seele seiner Dichternatur begründet,
und wer hier beschreiben, erzählen und kennen lernen will, der muß
gründlich und lange in diese Tiefen hinabtauchen und den Grund
klären.
Löns gehört zu denen, denen die Dichtung und die ungeheure
Tiefe ihrer Empfindung und Einbildungskraft glühende Male in die
Seele brannte, und wo Brandwunden waren, da bleiben Narben, und
manche Feuerwunden des Herzens heilen niemals. Wenn er gefehlt
hat, so trugen Verwirrung, Verirrung und Krankheit die Schuld daran.
Hermann Löns hat selbst das Beste über sich, sein Werden und
Schaffen geschrieben. Das steht im ersten Heft des deutschen
Literaturblattes »Eckart« im vierten Jahrgang von 1909.
Löns ist am 29. August 1866 in Kulm an der Weichsel geboren;
seine Eltern waren Westfalen. Sein Vater war Gymnasialoberlehrer;
seine Mutter Klara geb. Kramer stammte aus Paderborn. Als
Hermann ein Jahr alt war, wurde sein Vater nach Deutsch-Krone
versetzt, wo die Familie Löns siebzehn Jahre blieb. Seine erste
Kindheitserinnerung, die für seinen Sinn recht bezeichnend ist, war,
daß er in einem blauen Kittel auf einem gepflasterten Hofe saß und
grün und rot gefärbte Blattkäfer in eine Pillenschachtel sammelte.
»Mit fünf Jahren lockte mich eine tote Maus mehr als ein Stück
Kuchen.« Immer größer wurde seine Liebe zur Natur, vereint mit
einem Hange zum Alleinsein; er war auch deshalb meist einsam,
weil er sich in dem fremden Lande als Westfale nicht einheimisch
fühlen konnte. Meist ganz für sich durchstreifte er Heide, Wälder und
Moore und erlebte dabei allerlei Abenteuer:
»Beim Besuch einer Seeschwalbensiedlung, die sich auf einer
Insel im Klotzowmoor befand, ertrank ich beinahe. Acht Tage
nachher biß mich eine Kreuzotter.«
»Teils durch meinen Vater, teils durch das Leben auf Gütern und
Förstereien, auf denen ich meist die Ferien verbrachte, wurde ich
Fischer und Jäger, doch war mir schon damals ein unbekannter
Fisch, ein seltener Vogel, eine regelwidrig gefärbte Eichkatze von
größerem Werte denn ein gutes Geweih oder eine ganze Tasche
voller Hühner. – Ich schoß auf meinen ersten Hirsch wie nach der
Scheibe, aber als ich in den Sägemühler Fichten eine
Schwarzdrossel als Brutvogel fand, flog mir das Herz. Schon damals
war ich der Heide angeschworen. Ich konnte vor Freude über die
Pracht des maigrünen Buchenwaldes nasse Augen bekommen, aber
die Heiden, Kiefernwälder, Moore und Brüche lockten mich doch
mehr. Ähnlich ging es mir mit den Menschen; auch bei ihnen lockte
mich das Ursprüngliche!«