Advances in Non-Volatile Memory and

Storage Technology 2nd Edition

Magyari-Kope
Visit to download the full and correct content document:
https://ebookmass.com/product/advances-in-non-volatile-memory-and-storage-techno
logy-2nd-edition-magyari-kope/
More products digital (pdf, epub, mobi) instant
download maybe you interests ...

Metal Oxides for Non-volatile Memory: Materials,

Technology and Applications Panagiotis Dimitrakis

https://ebookmass.com/product/metal-oxides-for-non-volatile-
memory-materials-technology-and-applications-panagiotis-
dimitrakis/

Advances in Supercapacitor and Supercapattery:

Innovations in Energy Storage Devices Mohammad Khalid

https://ebookmass.com/product/advances-in-supercapacitor-and-
supercapattery-innovations-in-energy-storage-devices-mohammad-
khalid/

Solar Fuels (Advances in Solar Cell Materials and

Storage) Nurdan Demirci Sankir

https://ebookmass.com/product/solar-fuels-advances-in-solar-cell-
materials-and-storage-nurdan-demirci-sankir/

Advances in Remote Sensing Technology and the Three

Poles 1st Edition Manish Pandey

https://ebookmass.com/product/advances-in-remote-sensing-
technology-and-the-three-poles-1st-edition-manish-pandey/
Current Developments in Biotechnology and
Bioengineering: Advances in Composting and
Vermicomposting Technology Ashok Pandey

https://ebookmass.com/product/current-developments-in-
biotechnology-and-bioengineering-advances-in-composting-and-
vermicomposting-technology-ashok-pandey/

The Farinograph Handbook : Advances in Technology,

Science, and Applications, 4th Edition Jayne E. Bock

https://ebookmass.com/product/the-farinograph-handbook-advances-
in-technology-science-and-applications-4th-edition-jayne-e-bock/

Advances in Carpet Manufacture 2nd Edition K K Goswami

https://ebookmass.com/product/advances-in-carpet-manufacture-2nd-
edition-k-k-goswami/

Volatile States in International Politics Eleonora

Mattiacci

https://ebookmass.com/product/volatile-states-in-international-
politics-eleonora-mattiacci/

Non-Thermal Plasma Technology for Polymeric Materials:

Applications in Composites, Nanostructured Materials,
and Biomedical Fields Thomas

https://ebookmass.com/product/non-thermal-plasma-technology-for-
polymeric-materials-applications-in-composites-nanostructured-
materials-and-biomedical-fields-thomas/
Advances in Non-volatile Memory
and Storage Technology
Woodhead Publishing Series in Electronic and
Optical Materials

Advances in Non-volatile
Memory and Storage
Technology
Second Edition

Edited by

Blanka Magyari-Köpe
Yoshio Nishi

An imprint of Elsevier
Woodhead Publishing is an imprint of Elsevier
The Officers’ Mess Business Centre, Royston Road, Duxford, CB22 4QH, United Kingdom
50 Hampshire Street, 5th Floor, Cambridge, MA 02139, United States
The Boulevard, Langford Lane, Kidlington, OX5 1GB, United Kingdom
Copyright © 2019 Elsevier Ltd. All rights reserved.
No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or
mechanical, including photocopying, recording, or any information storage and retrieval system, without
permission in writing from the publisher. Details on how to seek permission, further information about
the Publisher’s permissions policies and our arrangements with organizations such as the Copyright
Clearance Center and the Copyright Licensing Agency, can be found at our website: www.elsevier.com/
permissions.
This book and the individual contributions contained in it are protected under copyright by the Publisher
(other than as may be noted herein).

Notices
Knowledge and best practice in this field are constantly changing. As new research and experience
broaden our understanding, changes in research methods, professional practices, or medical treatment
may become necessary.
Practitioners and researchers must always rely on their own experience and knowledge in evaluating
and using any information, methods, compounds, or experiments described herein. In using such
information or methods they should be mindful of their own safety and the safety of others, including
parties for whom they have a professional responsibility.
To the fullest extent of the law, neither the Publisher nor the authors, contributors, or editors, assume
any liability for any injury and/or damage to persons or property as a matter of products liability,
negligence or otherwise, or from any use or operation of any methods, products, instructions, or ideas
contained in the material herein.

Library of Congress Cataloging-in-Publication Data

A catalog record for this book is available from the Library of Congress
British Library Cataloguing-in-Publication Data
A catalogue record for this book is available from the British Library
ISBN: 978-0-08-102584-0

For information on all Woodhead publications visit our

website at https://www.elsevier.com/books-and-journals

Publisher: Matthew Deans

Acquisition Editor: Kayla Dos Santos
Editorial Project Manager: Emma Hayes
Production Project Manager: Joy Christel Neumarin
Honest Thangiah
Cover Designer: Miles Hitchen
Typeset by SPi Global, India
Contributors

Stefano Ambrogio IBM Research-Almaden, San Jose, CA, United States

Y. Ando Tohoku University, Sendai, Japan

G. Bersuker The Aerospace Corporation, Los Angeles, CA, United States

Chong Bi Department of Materials Science and Engineering; Department of Electrical

Engineering, Stanford University, Stanford, CA, United States

Philippe Blaise CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, France

B. De Salvo CEA-LETI Minatec Campus, Grenoble, France

Jonas Deuermeier CENIMAT/i3N, Department of Materials Science, Faculty of

Sciences and Technology, Universidade NOVA de Lisboa and CEMOP/UNINOVA,
Campus de Caparica, Caparica, Portugal

Regina Dittmann Peter Grünberg Institute (PGI-7), Forschungszentrum Jülich GmbH

and JARA-FIT, Jülich, Germany

T. Endoh Tohoku University, Sendai, Japan

S. Fukami Tohoku University, Sendai, Japan

D.C. Gilmer Nantero, Inc., Woburn, MA, United States

Ludovic Goux Imec, Kapeldreef, Leuven, Belgium

T. Hanyu Tohoku University, Sendai, Japan

Michel Harrand CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, France

Susanne Hoffmann-Eifert Peter Grünberg Institute (PGI-7), Forschungszentrum

Jülich GmbH and JARA-FIT, Jülich, Germany

Hyunsang Hwang Department of Materials Science and Engineering, Pohang

University of Science and Technology, Pohang, South Korea
xiiContributors

Cheol Seong Hwang Department of Materials Science and Engineering, and Inter-
University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, South
Korea

Daniele Ielmini Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria,

Politecnico of Milan and IU.NET, Milan, Italy

S. Ikeda Tohoku University, Sendai, Japan

Asal Kiazadeh CENIMAT/i3N, Department of Materials Science, Faculty of Sciences

and Technology, Universidade NOVA de Lisboa and CEMOP/UNINOVA, Campus de
Caparica, Caparica, Portugal

H. Koike Tohoku University, Sendai, Japan

Yunmo Koo Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of

Science and Technology, Pohang, South Korea

Luca Larcher Applied Materials, Reggio Emilia, Italy

Seokjae Lim Department of Materials Science and Engineering, Pohang University

of Science and Technology, Pohang, South Korea

Massimo Longo CNR—Institute for Microelectronics and Microsystems—Unit of

Agrate Brianza, Italy

Y. Ma Tohoku University, Sendai, Japan

Stephan Menzel Peter-Grünberg-Institut (PGI-7), Forschungszentrum Jülich GmbH

and JARA-FIT, Jülich, Germany

Rivu Midya Department of Electrical and Computer Engineering, University of

Massachusetts, Amherst, MA, United States

Thomas Mikolajick NaMLab gGmbH; Institute of Semiconductors and Microsystems,

TU Dresden, Dresden, Germany

Gabriel Molas CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, France

Cécile Nail CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, France

H. Ohno Tohoku University, Sendai, Japan

Andrea Padovani Applied Materials, Reggio Emilia, Italy

Contributorsxiii

Jaehyuk Park Department of Materials Science and Engineering, Pohang University

of Science and Technology, Pohang, South Korea

Paolo Pavan Dipartimento di Ingegneria "Enzo Ferrari", Università di Modena e

Reggio Emilia, Modena, Italy

L. Perniola CEA-LETI Minatec Campus, Grenoble, France

Francesco Maria Puglisi Dipartimento di Ingegneria "Enzo Ferrari", Università di

Modena e Reggio Emilia, Modena, Italy

Mingyi Rao Department of Electrical and Computer Engineering, University of

Massachusetts, Amherst, MA, United States

Noriyuki Sato Department of Materials Science and Engineering; Department of

Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, United States

H. Sato Tohoku University, Sendai, Japan

R. Shirota National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan

Jeonghwan Song Department of Materials Science and Engineering, Pohang

University of Science and Technology, Pohang, South Korea

D. Suzuki Tohoku University, Sendai, Japan

Navnidhi Kumar Upadhyay Department of Electrical and Computer Engineering,

University of Massachusetts, Amherst, MA, United States

D. Veksler The Aerospace Corporation, Los Angeles, CA, United States

E. Vianello CEA-LETI Minatec Campus, Grenoble, France

Shan X. Wang Department of Materials Science and Engineering; Department of

Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, United States

Zhongrui Wang Department of Electrical and Computer Engineering, University of

Massachusetts, Amherst, MA, United States

Rainer Waser Peter-Grünberg-Institut (PGI-7), Forschungszentrum Jülich GmbH

and JARA-FIT, Jülich; Institut für Werkstoffe der Elektrotechnik (IWE 2), RWTH
Aachen, Aachen, Germany

J. Joshua Yang Department of Electrical and Computer Engineering, University of

Massachusetts, Amherst, MA, United States
OxRAM technology development
and performances 1
Ludovic Goux
Imec, Kapeldreef, Leuven, Belgium

1.1 Introduction
1.1.1 Nonvolatile memory applications
1.1.1.1 Storage-class memory (SCM)
In today’s computational systems, memories are categorized into volatile memory and
nonvolatile memory (NVM) technologies.
Due to the ever increasing demand for more memory capacity, planar NAND Flash
has been scaled down to below 20-nm feature size. Concomitantly, three-dimensional
(3D) vertical NAND Flash has been developed as a Bit-Cost-Scalable (BiCS) solution
and allows today entering the Terabyte era. As a result, the NVM market is by far
dominated by NAND Flash technology, and the forecast is that the future of NAND
will be NAND [1].
In the volatile memory category, the main technologies are the static RAM (SRAM)
and dynamic RAM (DRAM), which are higher-speed and higher-performance tech-
nologies, however, exhibit poor scalability. Their role in a central process unit (CPU)
is to store data that require immediate access while NAND Flash or hard-disk drive
(HDD) store information that is not required immediately but for available future us-
age [2].
The problem arises when transferring data from DRAM to NAND: the overall per-
formance of the system is limited by the huge latency gap between these two tech-
nologies. This gap has been virtually fitted with architectural solutions to increase
the data access speed but at the expense of complex system design and increased
chip area. In recent years, researchers have started exploring the possibility of novel
memory concepts to improve the existing memory hierarchy. The concept of storage
class memory (SCM) has been proposed, aiming to fill the access time gap between
the “memory-memory” and the “storage-memory.”
As a “bridge” technology between DRAM and Flash, the main requirements for
SCM are intermediate between DRAM and Flash and should be cost effective.
In short, SCM should be enabled by a nonvolatile, cheap, and scalable technology
having clearly better reliability (write endurance and retention) than Flash. At the lead
in this future booming market, Intel-Micron announced the 3D X-point Memory in
2015 [3] and launched products in 2017. Although not officially confirmed by Intel-
Micron, it is generally agreed in the memory community that 3D X-point is based on
phase-change memory technology.

Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology. https://doi.org/10.1016/B978-0-08-102584-0.00001-2

Copyright © 2019 Elsevier Ltd. All rights reserved.
4 Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology

As will be detailed in the following sections, the filamentary resistive RAM

(RRAM) technology has also proven to be a promising candidate in this growing
market.

1.1.1.2 Internet of Things (IoT)—Embedded memory

Another booming market is the concept of Internet of Things (IoT), which is defined
as “intelligent connectivity of smart devices by which objects can sense one another
and communicate” [4].
The advent of billions of connected devices is creating new opportunities and huge
markets for the emerging memories. In fact, the market for IoT devices has been pro-
jected to more than 3.5 trillion in 2020.
In a typical electronic system, logic and NVM components are fabricated sepa-
rately due to the incompatibility in integration flow. To accommodate the exponential
growth of IoT devices, chip costs have to be reduced.
This drives the need for developing new embedded memory technology where a
chip can contain both logic and memory components to lower the cost and save space
on the printed circuit boards. This is referred to as system-on-a-chip (SoC). The exist-
ing SoC chip uses NOR Flash as embedded memory. However, to integrate embedded
NOR Flash in 28 nm node and below, up to 15 extra photomasks need to be added
in the overall fabrication process, which makes embedded NOR Flash an extremely
expensive technology, all the more for more advanced logic nodes. Therefore, an al-
ternative CMOS-compatible and low-cost embedded memory technology would be
highly desired to feed the IoT market as well as other embedded markets.
In this respect too, the RRAM technology is a strong contender, as will be shown next.

1.1.2 Resistive RAM technology

To fulfill the requirements of these new applications, various new memory device
concepts have been proposed and studied. The prominent concepts are spin-transfer
torque magnetic RAM (STT-MRAM), phase-change RAM (PCRAM), and RRAM
or ReRAM. These technologies, due to limited maturity, are categorized as emerging
memories.
The RRAM category is the name of a group of memory technologies characterized
by an electrically reversible resistive switching functionality between a low resistance
state (LRS) and a high resistance state (HRS). One of the most attractive advantages
of RRAM is the low-cost integration allowed by the combination of CMOS-friendly
materials within a simple two-terminal device structure, which typically consists of a
dielectric layer sandwiched between two metal electrodes.
Between the numerous mechanisms potentially at the origin of resistive-switching
effects, nano-ionic transport and redox-reaction mechanisms taking place at the nano-
meter scale [5] have been clearly identified as accounting for the switching function-
ality of various systems.
In most of the RRAM devices reported [6–8], the resistive switching property orig-
inates from the growth and shrinkage of a nanoscaled conductive filament (CF) in the
OxRAM technology development and performances5

dielectric layer. These devices are generally referred to as filamentary RRAM devices,
whose characteristics mainly depend on the CF. In particular, due to the nanoscale
character of the switching, filamentary RRAM has been so far perceived as highly
scalable [5,9], and has thus been developed intensively.
This is, for example, the case of electrochemical metallization memory (ECM) and
valence change memory (VCM) cell concepts.
The ECM concept has led to the development of the conductive bridge RAM tech-
nology (CBRAM), whereby the filament consists of metallic species injected from an
active electrode, typically Ag or Cu, into the dielectric layer [10].
On the other hand, the VCM concept is at play in the Oxide switching RAM tech-
nology (OxRAM), whereby the dielectric layer is an insulating oxide material through
which a CF of oxygen-vacancy defects (Vo) is electrically created [11]. This technol-
ogy generally uses a transition metal oxide (TMO) material, typically HfO2, Ta2O5, or
TiO2 [11,12].
On the other hand, devices with nonfilamentary resistive switching mechanism
have also been reported [13,14]. These devices exhibit area-dependent current flow,
which is not observed in filamentary RRAM after the filament has been created. Here
the resistive switching is achieved by modulation of the effective tunneling barrier
thickness at the oxide-metal interface, as induced electrically by the uniform motion
of Vo defects. An advantage of this concept is the scalability of the operating current
with the device area.
Between these different concepts, this chapter is dedicated to the filamentary
OxRAM technology, and we specifically focus on the works achieved at imec in this
field over the last decade.
In Section 1.2, we first review how the initial developments moved from the uni-
polar to the bipolar switching concept, and we describe typical structures, fabrication
flows, testing procedures, and electrical characteristics of bipolar devices that main-
stream nowadays.
In Section 1.3, we focus on material developments allowing substantial improve-
ments in memory performances, and finally, in Section 1.4, we address key reliability
challenges to address in the future.

1.2 History and basics of filamentary OxRAM

Resistive switching and negative differential resistance phenomena were first reported
in the 1960s in rather thick oxide materials, for example, Al2O3 [15] and NiO [16] lay-
ers. This early period of research has been comprehensively reviewed in Refs. [17,18].
Since the 2000s, there has been a renewed interest in resistive switching in TMO
systems, driven by the potential industrial application as RRAM. In this period, the
developments focused on NiO and TiO2 systems exhibiting unipolar switching oper-
ation [19,20], which means that the same voltage polarity may be used both for set
switching to LRS and reset switching to HRS. This unipolar operation received large
consideration due to possible integration with a two-terminal selector element, such as
6 Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology

a diode, which in turn held the promise of dense memory integration potential. Goux
and Spiga [19] give a recent review of unipolar-switching developments.

1.2.1 From unipolar to bipolar concept

The unipolar switching originates from a distinct class of switching mechanism, which
is called thermochemical memory (TCM) mechanism. Indeed, contrary to bipolar
VCM switching mechanisms where the motion of oxygen ionic species is dominated
by drift, the TCM switching is dominated by thermal-controlled diffusion and redox
reaction of active oxygen species.
This major microscopic difference between VCM and TCM mechanisms reflects in
different memory characteristics.

1.2.1.1 Unipolar operation mechanism

Unipolar switching is usually observed in simple metal–insulator–metal (MIM) struc-
tures, where the “I” and “M” elements are typically constituted of an oxide layer and
noble metallic layers respectively.
Fresh cells are most often in a very high resistive state requiring the application
of a large “forming” voltage (Vf), which is generally regarded as a sort of electrical-­
breakdown [21,22] allowing to turn the cell for the first time in LRS. After this so-
called “forming” conditioning step, the cell may be reversibly reset-switched to HRS
and set-switched to LRS, as illustrated in Fig. 1.1A–C.
The reset switching operation corresponds to the rupture of the CF, resulting in a
drop of conductivity. Let us assume first that the CF consists of a VO-chain. Upon reset
operation, the current density through the CF has been shown to reach high values,
generating the necessary thermal energy to activate the migration of oxygen from
O-rich regions outside the CF toward O-deficient regions inside the CF. According
to this picture, the reset switching corresponds to the local reoxidation of the CF. It
requires moving back the forming-generated O-species to VO sites, and as the switch-
ing is unipolar in nature, this process is expected to take place primarily laterally by
diffusion mechanisms. In agreement with this scenario, we have evidenced by means

Fig. 1.1 (A) Cross-sectional TEM images and (B) schematic structures of Ni\NiO\Ni cells;
(C) Consecutive unipolar I-V sweeps obtained on the same cell; (D) Extracted Vset and Vreset as
a function of the I-V cycles [21].
OxRAM technology development and performances7

of TEM and EELS characterization a significant increase of the O/Ni ratio after reset
operation in TiN\NiO\Ni cells [23]. Assuming now that the CF consists of a metallic
Ni-chain the thermal dissolution of Ni upon reset switching might be a more realistic
mechanism for CF rupture. In this scenario too the diffusion mechanism is expected to
occur sideways from inside the Ni-rich CF toward outside Ni-poor regions. In both sit-
uations, the physics of the reset operation is overall expected to depend on the spatial
distribution of defects, on local fields as well as on temperature profiles.

1.2.1.2 Variability and endurance of unipolar switching

Some NiO cells have been reported to exhibit coexistence of unipolar and bipolar
resistive switching properties [21]. While NiO is intrinsically a thermochemical ma-
terial, the disordered/defective microstructure of the layers proved favorable to ionic
drift and electrochemical redox mechanisms, allowing thus selecting reversibly any
switching mode between unipolar and bipolar [21]. Note that the forming step itself
is sufficient to induce disorder and facilitate ionic drift in high-quality dielectrics. For
example, coexisting unipolar and bipolar operation modes were obtained after form-
ing operation in TiN\HfO2\Pt cells where a high-quality amorphous HfO2 layer was
prepared by ALD [11,24].
The switching variability was investigated in various reports [20,21]. In general,
the switching-voltage distribution is wider for unipolar than for bipolar switching.
Indeed, as the reset mechanism is a self-accelerated process for unipolar mechanisms,
it may be argued that the programming of the HRS state is difficult to control, leading
to different cycle-to-cycle (C2C) RHRS and subsequent Vset parameters, as observed in
Fig. 1.1D [21]. Other reports also suggested that the variability degrades in a configu-
ration of multiple-CF network [25], wherein the switching “hot” spot is likely to move
within the network from cycle to cycle.
Hence, not surprisingly, write-endurance lifetime is clearly shorter for unipolar
than for bipolar switching. Between the invoked origins are the larger temperatures
required for reset compared to bipolar switching, possibly inducing electro-migration
effects [26], the gradual loss of species involved in the radial diffusion, or simply the
drift-induced loss of species inherent to the use of a single programming polarity [11].
Overall, unipolar OxRAM suffered from high operating voltage, large switching
variability, as well as limited endurance. Hence, it gradually lost interest concomitantly
with the substantial improvement of bipolar OxRAM technologies by the years 2010.
Nowadays, modern OxRAM devices are implemented in bipolar mode where the
growth or shrinkage of the conductive filament is achieved by relying on a voltage con-
trolled ion migration assisted by temperature and electric field enabling faster set and reset
operations. The rest of the chapter will be dedicated to the development of this concept.

1.2.2 Bipolar switching concept

1.2.2.1 Device structure
In addition to memory performance limitations, unipolar switching OxRAM showed
the major drawback of involving difficult-to-integrate materials, for example, noble
8 Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology

metals required in the model system Pt/NiO/Pt to avoid parasitic oxidation during the
thermal-induced reset operation.
In contrast, the drift-dominated mechanisms involved in bipolar VCM allow using
CMOS-friendly electrode materials like TiN or TaN.
Regarding the oxide layer, excellent performances have been demonstrated using
mature atomic-layer deposition (ALD) oxide layers like HfO2 [7,27] or Ta2O5 [28,29],
which are considered today as the mainstream oxide families of OxRAM.
However, the key success of bipolar OxRAM lies elsewhere, that is in the electrical
asymmetry of the structure, as required for a bipolar functionality. We evidenced by
Internal Photoelectron Emission (IPE) that some low work-function metallic layers
like Hf, Ti, Ta inserted at one interface of the MIM stack are very appropriate to induce
such required asymmetry. Fig. 1.2 shows the substantial decrease of electron barrier
of ~1 eV from TiN to Hf electrode [30]. This effect is due to the oxygen scavenging
by Hf leading to the development of an oxygen deficient hafnia interlayer between
Hf and HfO2. A resulting substochiometric oxide interlayer is formed, often referred
to as oxygen-exchange-layer (OEL) [31]. The role of this layer will be to “exchange”
oxygen species with the filament in the oxide layer during the bipolar switching op-
eration. On the other hand, the TiN opposite electrode is considered inert to oxygen
in the first approximation. Hence, the O-scavenging layer of Hf induces an oxygen
vacancy profile along the oxide thickness and will be the main knob allowing to tune
the bipolar switching functionality and characteristics of the device. Both the nature
and the thickness of this layer will be key to the device performances, as will be shown
in the following sections.
As best O-scavenging materials, in general, the use of “mother” metals in Ta2O5\
Ta [29] or HfO2\Hf [27] is preferred and shows robust stack stability after integration
thermal budget. And in practice, up to today the TiN\HfO2\Hf\TiN and TiN\Ta2O5\

Fig. 1.2 Internal Photo-Emission (IPE) characterization of TiNx/HfO2/TiNx and TiNx/Hf/

HfO2/TiNx samples, showing the logarithmic plots of the electron quantum yield as a function
of photon energy. The signal observed under positive +1 V and negative 1 V bias corresponds
to electron IPE from the bottom and top metal electrode, respectively [30].
OxRAM technology development and performances9

Ta\TiN are considered as mainstream OxRAM devices and will be the baselines dis-
cussed in the following sections.

1.2.2.2 Integration and scaling

In this section, we describe a typical 1-Transistor/1-Resistor (1T1R) integration flow used to
fabricate TiN\HfO2\Hf\TiN and TiN\Ta2O5\Ta\TiN in a crossbar configuration, and where
the “T” element is the selector device addressing the “R” OxRAM device (Fig. 1.3A).
After the front-end-of-line (FEOL) processing of this select transistor (nMOSFET),
the OxRAM device is fabricated as follows: A 100-nm-thick TiN is deposited by
physical-vapor-deposition (PVD) as a bottom electrode (BE) where the electrical con-
nection to the transistor is realized by tungsten (W) plugs. After BE patterning SiO2
is deposited and polished by chemical–mechanical polishing (CMP) down to the TiN
surface. This step ensures flat BE surface and is thus critical for device performance.
Subsequently, the active HfO2 layer, or Ta2O5 respectively, is deposited by ALD, typ-
ically using HfCl4, or TaCl5 resp., as precursor, and H2O as the oxidant, followed by
the PVD of the Hf, respectively. Ta, O-scavenging metal layer and a TiN top electrode
(TE). Then, the oxide\TE stack is patterned via lithography and etch steps, where a
typical device size of 40 × 40 nm2 is formed in imec process flow. Finally, passivation
modules using Si3N4 and SiO2 layers deposited by CVD and contact formation steps
are carried out.
Fig. 1.3B depicts the cross-section TEM image of a pristine TiN\HfO2\Hf device.
By means of patterning trimming processes, sub-10 nm devices are realized. As ob-
served on Fig. 1.3B the Hf layer is laterally oxidized during process flow, which re-
duces further the active device size [27].

1.2.2.3 Typical device testing and characteristics

The role of the select transistor is not only to isolate and address the cell but also to
limit more efficiently the current overshoot during forming and set, as compared to the

Fig. 1.3 (A) Schematic representation of the so-called 1T1R configuration; (B) cross section
along BE and TE of a minimum-sized (8 × 12 nm2) reference 5 nm-HfO2\10 nm-Hf RRAM
stack; the HfO2 layer is amorphous, Hf is crystalline, oxides sidewalls at TE are further
reducing effective cell size; (C) typical set and reset I-V traces obtained on the cells [27].
10 Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology

current compliance (CC) function of a commercial semiconductor parameter analyzer

(SPA) [22]. In a 1T1R scheme, the transient current flowing through the OxRAM cell
is controlled by fixing an appropriate gate voltage (Vg), which is a key aspect for reli-
able characterization of the device because the CF properties depend on this transient
current [19].
The set operation is carried out by applying a positive voltage to the selected cell
Bit-Line (BL) while the Source-Line (SL) is grounded. Conversely, for reset opera-
tion, a negative voltage is applied to the BL. In a well-designed 1T1R structure with
controlled stray capacitance, the maximum current reached during reset is linked to
the saturation current imposed by the transistor during the set operation. In any case,
in practice, larger Vg may be applied during the reset operation because this step does
not need to limit the current. For state resistance readout, the transistor is fully open
and Vread = 0.1 V is applied to the BL.
Using this methodology Fig. 1.3C shows typical set/reset I-V traces obtained after
forming on TiN\HfO2\Hf cells and using a Vg amplitude allowing a maximum operat-
ing current Iop = 50 μA during set, as imposed by the saturation level of the transistor.

Forming
As mentioned, before memory operation the cells need to undergo a “forming” step,
whereby the conductive filament is formed through the oxide layer.
In Ref. [27] we studied the scaling behavior of the forming voltage (Vf) down to
10-nm TiN\HfO2\Hf cell size. We observe that while amorphous HfO2 maintains a
well-behaved scaling vs area, polycrystalline HfO2 shows abrupt dispersion and me-
dian Vf increase below ~40 nm size, which is attributed to the abrupt decrease of
grain-boundary density [27]. Therefore, in order to keep Vf control with scaling to sub-
10 nm size, amorphous oxide layers are preferred, allowing uniform weak electrical
path and controllably low Vf.
We also observed that the forming operation is also highly controlled by the en-
gineered O-scavenging layer. Fig. 1.4 shows for TiN\Ta2O5\TE cells that Vf may be
drastically decreased by changing Ta to Ti TE O-scavenging layer [29]. This is due to
the larger O-affinity of Ti, resulting in a lower formation energy (Ef) of Vo in Ta2O5,
and which in turn induces a lower Vf. As can be observed in Fig. 1.4B, the breakdown
voltage (Vbd) data extracted by applying opposite voltage polarity are higher than Vf,
which is due to a larger energy required for the drift of oxygen anionic species toward
TiN as compared to the O-scavenging layer.
Interestingly, a thicker Ta layer or the use of a substochiometric TaOx TE layer also
allows to tune Ef and thus Vf. Actually, the nature and thickness of the scavenging layer
tune the oxygen chemical potential at the interface, as will be detailed in the following
sections.
Note also that the scavenging is so strong for Ta2O5\Ti cells that the top part of the
Ta2O5 layer is fully depleted after integration (Fig. 1.4C) and the switching operation
is poor. This effect confirms that the mother-metal Ta is preferred to preserve device
integrity. Using Ta (10 nm) TE, excellent Vf uniformity is observed for a Ta2O5 thick-
ness range down to 3 nm, which allows to controllably limit Vf < 1.5 V for device sizes
down to 20 nm [29].
OxRAM technology development and performances11

1.E-06
TiN\Ta
T 2 O 5 \Ti
Ta
I TE (A)

1.E-08

2.7
O

TiN

TaOx

Ti(O)8.9
1.E-10
(A) 0 1 VTE (V) 2 3
5
1
N

Counts (norm.)
Vf , V BD (V)

4
Ti
0.5
3
TiN \ Ta2O5\ TE: O
2 S=30 nm
0
t Ta2O5 =8 nm
10 20 30 40
(15dev./test)
Position (nm)
(B) (C)
Fig. 1.4 Median preforming I-V traces (A), and Vf and Vbd data of 30-nm-size Ta2O5 devices
having different TE materials, showing strong scavenging difference between Ta- and Ti-
based TE; (C) XTEM and EELS profiles on as-integrated devices, showing a huge Ti-induced
O-soaking from the Ta2O5 layer [29].

Filament shape and scaling

The forming step is expected to result in a Vo-rich filamentary region having asymmetric
[Vo] profile increasing from the TiN to the Hf interface [32,33]. This forming scenario is
more likely to occur than the virtual-cathode growth model (growth of Vo defects from the
cathode side) because the Vo formation energy (Ef) will decrease closer to the scavenging
layer, resulting in larger [Vo], and the mobility of the O-anionic species will increase with
the increase of [Vo][33]. Hence the filament will gradually form from the scavenging layer
toward the “inert” TiN electrode. Based on this scenario, it is expected that the forming
step results in a conical filament having its narrow constriction closer to TiN.
Likewise, the reset switching is expected to take place “naturally” closer to the TiN
anode due to: (i) the lower Vo density to recover; (ii) the O-blocking role of the TiN
interface during reset-induced O-anionic drift; and (iii) the larger O-mobility within
O-deficient HfO2 materials.
A few years after proposing this scenario, we performed a 3D Conductive Atomic-
Force-Microscopy (C-AFM) tomography experiment on a TiN\HfO2\Hf cell [34]. This
technique allows, after electrical forming of the device, to record the current flowing
through the scanning conductive tip while scrapping gradually the device materials.
In this “scalpel” mode, the tip is brought in contact with the sample and mechanically
scrapes a layer of the material to expose the layer underneath. The C-AFM imaging
mode is used in-between successive scalpel steps to generate 2D images of the con-
duction map. After complete device scrapping, a 3D tomogram is reconstructed by in-
terpolation of 2D images. Fig. 1.5 shows the result for TiN\HfO2\Hf cells programmed
using a forming current of 50 μA. The experiment confirmed the conical shape of the
filament, with its widest part near the Hf TE (7 nm) and the narrowest region near the
TiN BE (3 nm), as shown in Fig. 1.5C.
12 Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology

(A) 30
100 pA
y 7 nm

X (nm)
15
x y

0 pA
7nm
Section axes 0
100 0
x Current (pA)
S1

S2
16

3 nm
10

X (nm)
y

x (nm) 7nm 0
80 0
y (nm) 2 nm
Current (pA)
(B) (C)
x

Fig. 1.5 3D observation of a conductive filament by C-AFM tomography technique in TiN\

HfO2\Hf cell. (A) Tomographic reconstruction of the crossbar memory cell visualized by
volume rendering after top electrode removal (scan size 800 × 200 nm); (B) 2D zoom into
the region containing the CF and observation by volume rendering and isosurface at fixed
threshold (blue shape) for the CF under investigation in 5-nm-thick HfO2 (scale bar 2 nm).
The conductive filament is shown in double cross section (axes according to inset). The
low-current contribution in the tomogram is suppressed to enhance the contrast of the highly
conductive features. (C) 2D observation of the CF section-planes (left panels) and C-AFM
spectra (right panels) to determine effective CF size [34].

This experiment also evidenced that OxRAM technology may be scaled below
­10-nm ­cell size.

Set/reset switching
After forming, the OEL will serve as a Vo reservoir supplying Vo species during set
switching to LRS and absorbing them back during reset to HRS. The actual set/reset
operations will translate geometrically by the modulation of the constriction width
close to the TiN BE, which will, in turn, modulate the electrical resistance level.
Electrically, this translates, similarly to the unipolar switching, into an HRS resistance
level intermediate between LRS and pristine resistance levels.
Note that only the constriction will impact the device resistance, so it should be
understood that the OEL element extends from over the rest of the filament. This OEL
element created during forming contains all Vo species required for set/reset operation,
meaning no additional Vo defects are created.
OxRAM technology development and performances13

As set/reset voltages (Vset/Vreset) drop locally on the defective constriction, their

amplitude is lower than Vf. In practice, to better characterize the intrinsic switching
properties, it is convenient to use a structure having an integrated load resistor as a
current limiter (in a so-called 2R structure) [35]. In this scheme, we typically apply
triangular pulses to one electrode of the 2R device structure. The applied voltage is
acquired on one channel of a high-bandwidth oscilloscope while the current is read out
by connecting the opposite electrode in series to the 50-Ω impedance-matched input
resistance of the oscilloscope and converting into current the voltage generated on this
shunt resistor.
Fig. 1.6 shows typical set/reset I-V curves after subtracting the voltage dropped on
the load resistor. For the set switching, we observe that after overcoming a “trigger”
set voltage, the voltage snap-backs to a transient Vtrans voltage, and the transient cur-
rent rises at this constant Vtrans, which corresponds to the gradual growth of the con-
striction. Interestingly, the transient reset is onset after applying an opposite voltage
having the same amplitude of Vtrans, which is followed by a voltage snap-forward due
to voltage redistribution during constriction narrowing. Contrary to set, reset operation
will thus be self-limited.
Vtrans was observed to depend neither on the operating current nor on geomet-
rical factors [35]. Hence, Vtrans constitutes the intrinsic transient switching volt-
age parameter of the device, which we relate to the Vo mobility measure during
switching. Consistently, we also observed that Vtrans varies in the range 0.4 –0.7 V
(Fig. 1.7A and B) depending on the scavenging material although the constriction
sits at the opposite side [29]. This effect is due to the “remote” character of the
scavenging [30], which means that the scavenging layer modulates the oxygen
chemical potential up to the opposite electrode (Fig. 1.7C). Therefore, a strong
scavenging layer, such as Hf, will lower the chemical potential and thus increase
Vo mobility. In agreement, HfO2\Hf cells exhibit lower Vreset parameter than Ta2O5\
Ta cells [29].

Fig. 1.6 DC cycling on 2R structure (RA = 5.68 kΩ) showing the “extrinsic” I-V trace (blue)
and “intrinsic” (red), both lines are mean over 50 cycles. The abrupt current drop in “extrinsic”
RESET (not observed in 1R and 1T1R structures) can be linked to voltage accelerated RESET
consequence of the large overvoltage (|V-Vtrans|) already present at RESET onset [35].
14 Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology

1.5

1M S = 30 nm

Vset (V)
t ox = 6 nm 1.0
Resistance (Ω)

100k HRS Vstop = - 1.2V 0.5

(5dev.x20cyc.) –0.5
LRS

Vreset (V)
10k –1.0

–1.5
Hf Ta Ta TaO Hf Ta Ta TaO
–2.0
1k HfO2 HfO 2 Ta 2 O5 Ta 2 O5 HfO2 HfO2 Ta 2 O5 Ta 2 O5

(A) (B)

mo [Vo ]

~ ωx - 1 TaO
Vo mobility
Ta
TE
BE

Oo Oo V o Oo V o Hf
(C)
Fig. 1.7 (A) DC HRS and LRS resistance, and (B) switching-voltage distributions for Ta2O5
and HfO2 devices, showing the tuning of switching parameters by the TE material, irrespective
of the dielectric material; (C) Schematic representation of the oxygen chemical-potential
profile along the CF, tunable by the electrodes and thus allowing modulation of the Vo mobility
for fixed CF geometry (ωx) [29].

Quantum point-contact conduction and hour-glass model

We developed both a Quantum Point Contact (QPC) conduction model [36] and a
so-called Hour-Glass (HG) model [37] allowing to describe the complete set of exper-
imental electrical properties of our devices.
The QPC model is based on the Landauer-Büttiker formulation which treats
the transport as a transmission problem for electrons at the Fermi level. In this ap-
proach, the conduction is controlled by the CF constriction length and width, which
are inversely proportional to parameters ωx and ωy, respectively, which are deter-
mined themselves by a parabolic potential barrier along the filament and a transversal
parabolic potential well, respectively, defining a saddle surface in the x, y, E-space
(Fig. 1.8A). Since the transport is assumed to be ballistic inside the QPC, the applied
potential drops only at the two CF interfaces of the constriction.
Using this QPC model, we have proposed an HG electrical switching model aiming
to describe the atomistic movement of the ions while retaining analytical tractability.
The proposed model proved successful to model the electrical switching characteris-
tics and statistical fluctuations of our HfO2 and Ta2O5-based devices.
Another random document with
no related content on Scribd:
 — Mitäkö? Ka, tiedäthän sinä, mitä minä haluan! Sieluja tietysti.
En suinkaan minä nyt rahan tai muun mullan perässä rupea
kuljeksimaan.

— Ei siitä mitään puhetta ollut, väitti nyt seppä, enkä minä sieluani
anna.

Tästä paholainen raivostui ja silmäin hohto kävi entistä

kiiluvammaksi. Vaahto pursusi pitkin hänen torahampaitaan ja häntä
kohosi ylös kuin iskeäkseen kynnellään, kun hän sanoi:

— Tässä ei kysytäkään, vaan otetaan, koska kerran valta on!

Ja hän yritti nousta lavitsalta, kuroitellen kaameita, koukkukynsisiä

käsiään seppää kohti. Mutta ennenkuin hän ehti sen tehdä, ärjäisi
seppä ihmeellinen ilme silmissään, kasvaen varreltaan jättiläisen
kokoiseksi kuin olisi hänestä yht'äkkiä tullut kaiken olevaisen valtias,
Jumalan antamalla pelastuksen uskolla:

— Tartu kiinni!

Samassa jo päivä valkeni lopullisesti ja lumiulappa levisi sepän

silmien eteen puhtaana, miljoonien kiteiden kimallellessa säihkyvänä
vyönä maan uumenilla. Tuo pimeä olento kiemurteli rahillaan
tuskaisena, ja sen silmistä suihkusi sihisten helvetin kaameata tulta.
Mutta sepän kimppuun se ei päässyt, vaan kävi yhä utuisemmaksi,
kunnes seppä ei enää nähnyt sitä ollenkaan. Hän seisoi nojaten
alasimeensa ja mietti mennyttä elämäänsä ja sen turhia pyrkimyksiä,
ja kun vihdoin aurinko kohotti teränsä taivaanrannan takaa täyttäen
avaruuden valonsa tulvalla, tunsi seppä sielunsa ylenevän Jumalan
puoleen, siihen korkeaan auvoon, joka täällä elämässä joskus
suurina hetkinä ihmisen sieluun kajastaa. Hän tunsi löytäneensä
täydellisen tiedon, jonka paholainen oli häneltä hänen omaan
sieluunsa kätkenyt.

*****

— Mutta mitä tämä nyt merkitsee! tuskitteli Pietari, kun Jeesus

käski hänen vain ajaa eteenpäin. Tuossahan seppä makaa
tainnoksissa, etkä häntä ollenkaan auta. Kohta saapuu paholainen ja
vie hänet ihan iltikseen.

Jeesus ei vastannut mitään. Pietari nureksi vanhaan totuttuun

tapaansa edelleen ja puheli:

— Tääkin seppä raukka — hyvä mieshän se on ollut ikänsä… ja

totuutta etsivä. Äskenkin hiihti perääsi kuin hurja, ja sinä vain ajelet
pois niine hyvinesi. Niinkuin tämän maan ihmiset erikoisesti perääsi
hiihtelisivät — johan nyt!

Ja hän todisti suruisena ja tyytymättömänä:

— Eivät hiihtele, eivät… Eivät edes oveansa tahdo avata, vaikka

tarjolle tulet.

Silloin kohotti Jeesus sormensa, katsoi Pietariin nuhdellen ja

sanoi:

— Ole vaiti, Pietari, ja kuuntele!

Pietari teroitteli kuuloansa joka taholle. Aluksi tunkeutui vain

talviaamut syvä ja häiriintymätön hiljaisuus kaikkialta hänen
mieleensä, kunnes yht'äkkiä avaruudessa särähtikin kipeä ja
kiukkuinen vingahdus. Se oli kuin pitkä ja hirveä pettymyksen kirous,
ja samalla myös Pietarille vaikeni totuus. Ilahtuneena hän kääntyi
sanomaan Jeesukselle:

— Mutta sieltähän täisikin tulla paholaiselle liukas lähtö!

Hyvästä mielestä hytisten hän kääntyi kiirehtimään ruunaa, kun

Jeesus käski pysähdyttää ja odottaa. Hetken kuluttua rupesi aurinko
nousemaan ja pian täytti koko taivaan ja maan ihmeellinen kirkkaus,
josta tuntui hohtavan sieluun sanomaton auvon ja rauhan
hengähdys. Ja Pietari ymmärsi. Hän risti kätensä, painoi päänsä
rinnalleen pyhän hartauden vallassa ja lääkitsi sydäntänsä sillä
tunnelmalla, joka taivaassa herää, kun Jeesuksen lunastustyö
valloittaa taistelevan sielun pahan kahleista. Hänen vanhan
kalastajasydämensä täytti suuri ja jumalallinen rakkaus.

VII

Jeesus ja Pietari matkasivat edelleen ympäri Suomea. Ei ollut sitä

kotia, sitä sydäntä, jonka ovelta ei sinä talvena ja keväänä olisi
kuulunut tuota hiljaista kolkutusta, joka sävähdyttää, koskee kipeästi,
herättää ja hellyttää. Ei ollut liioin sitä vaaraa ja sitä lehtoa,
järvenselkää ja lakeutta, jota Jeesus ei olisi hymyllään siunannut,
jättäen sen väräjämään maisemien ylle ihanana autereena. Ja kuta
pitemmälle kevät ehti, sitä riemukkaammalta se rupesi tuntumaan
kaikista luoduista: Jumalan läsnäolo kaikui joka linnun laulusta ja
tuulen raikkaasta huminasta urpurikkaassa koivikossa. Mielihyvillään
astua köpitteli Pietari uskollisesti Herransa jäljessä antaen
sydämensä nauttia siitä siunauksen runsaudesta, jota Jeesus
kaikkialle valoi. Hän oli iloinen, vaikka pyrkikin vanhaan tapaansa
väliin väittelemään, perustellen itsepäisesti omaa mielipidettään. Kun
hän taas kerrankin hiukan moitiskeli Jeesusta siitä, että tämä oli
määrännyt laiskalle miehelle vireän vaimon, asettaen tälle siis
ylimääräisen taakan kannettavaksi, sanoi Jeesus:

— Kuule Pietari! Eiköhän ole parasta, että nyt lähdet liikkeelle

ominpäin? Silloinpa saat järjestellä ihmisten asioita niinkuin
viisaimmaksi katsot. Minä menen omalle haaralleni. Tapaamme
sitten toisemme, kun olemme tosihyvän ihmisen löytäneet.

Pietari suostui ja hyvästeli Herransa, joka läksi yksin astumaan

tietänsä, Pietarin mennessä omaansa. Ja Pietari päätti, että nyt hän
vapaasti ja esteettä koettelee ihmisten sydäntä ja kylvää runsain
käsin siunausta heidän keskuuteensa.

Tämä tapahtui samaan aikaan, jolloin sotamies Lusti sai eron

sotapalveluksesta. Lusti oli iloinen sotilas, joka ei ollut vielä siihen
päivään saakka itsestään eikä huomisesta huolehtinut. Kun häntä ei
enää tarvittu, vaan maksettiin viimeinen killinki kouraan ja sanottiin,
että sai mennä, otti hän huoletonna laukkunsa, osti kaikilla rahoillaan
kolme pientä leipää evääksi ja läksi laulellen kävelemään
kotipuoleensa, muistellen niitä otteluja ja iloisia juominkeja, joissa oli
ehtinyt mukana olla. Huolimatta synnistä ja pahasta, jota sotamies
Lusti oli tehnyt paljonkin, oli hänen sydämessään säilynyt syrjä
puhtaana, ja siitäpä kohosi hänen mieleensä ehtymätön iloisuus
sekä silmiinsä kirkas ja avonainen lapsen katse. Näin hän nyt
hilpeänä ja ajatusten puutteessa vihellellen vaelsi keväistä kangasta
pitkin sinne päin, jossa kerran nuoruudessa oli ollut hänen kotinsa.

Eipä aikaakaan, kun jo tulee häntä vastaan kumaraharteinen,

valkopartainen ukko, joka hiljalleen astua köpittää koukkusauvansa
nojassa. Kun ukko saapuu sotamiehen eteen, huomaa tämä, että
hänen silmistään loistaa lapsellisen hurskas ja vilpitön ilme. Ukko
tarkastelee häntä muhoillen ja tyynesti hyvän aikaa, kunnes tervehtii:
 — Kuka sinä olet ja yksinkö kävelet?

Sotamies Lustia naurattaa, mutta hän vastaa ystävällisesti toisen

tervehdykseen ja sanoo:

— Minä olen sotamies Lusti ja menen kotipuoleen. Kuka sinä olet?

Silloin Pietari älyää sanoa:

— Vai Lusti. Minä olen Santtepekki.

Ja hän hymyilee omalla keksinnöllään. Lustia naurattaa myöskin,

sillä tuo ukko tuossa näyttää niin herttaiselta ja hyvältä. Hän istahtaa
tiepuoleen, avaa laukkunsa ja vetää leipänsä esiin, aikoen ruveta
syömään. Silloin Pietari, joka on ruvennut pitämään Lustista, päättää
koetella hänen sydämensä hyvyyttä ja sanoo:

— Anna, rakas veli, yksi noista leivistä minulle! jouduin kulkemaan

aivan ilman ruokaa ja kovin nyt sydänalaani hiukaa.

Sotamies Lusti katsoo vuoroin häneen ja vuoroin leipiinsä, kunnes

rupeaa nauramaan ja sanoo:

— Etpä paljoa pyydä kuin kolmanneksen kaikista eväistäni. Mutta

minä pidän sinusta — kas siinä, heh!

Ja hän ojensi auliisti leivän Pietarille, jonka vanha sydän oikein

sykähti ilosta. Nythän tässä hyvä ihminen vastaan sattui! Kiitollisena
pureskeli hän leipäänsä, kunnes tuli ajatelleeksi, että vasta viimeisen
leivän anto tosi hyvää sydäntä todistaisi, ja päätti varovaisuuden
vuoksi koetella Lustia perinpohjin. Niinpä hän, kun oli erottu ja
hyvästelty, kiiruhti toista tietä uudelleen Lustia vastaan, muuttaen
muotonsa. Ystävällisesti nytkin Lusti tiedusteli nimet ja kaikki,
puhutteli hauskasti ja alkoi siinä taas ajatuksissaan leipäkyrsäänsä
pureskella. Silloin Pietari pyysi valittavalla äänellä leipää, kun oli
kovasti nälkäinen eikä ollut evästä. Lusti nauroi leveästi ja puheli:

— Kolme vaivaista kakkaraa eväikseni sainkin ja niistäkin annoin

jo yhden muutamalle äijälle, joka tuolla tiellä nälkäänsä valitteli.
Mutta mitäpä siitä! Kun olet nälkäinen, niin tuossa on — heh!

Ja hän ojensi leipänsä Pietarille, joka tuskin tahtoi uskoa niin

hyvää sydäntä olevankaan. Mutta uskoa täytyi. Varmuuden vuoksi
hän päätti kuitenkin koetella Lustia vielä viimeisen kerran, ja kiiruhti
siis taas uuden muotoisena häntä vastaan, pyysi leipää ja saikin.
Reilusti puheli hänelle Lusti:

— Sen ei vanhan sotamiehen sovi viimeistäkään palaa itkeä, jos

tarvitsevainen sitä häneltä pyytää. Siinä on, äijä, nautitse
terveydeksesi!

Viimeisen leivän hän antoi ja Pietarille ihan herahtivat kyyneleet

silmiin. Hän natusteli karkeata leipää ja puheli:

— Jumala sinua siunatkoon ja sinulle hyvän työsi palkitkoon!

Sitten he erosivat taas, kunnes Pietari palasi sotamiehen luo siinä

ensimmäisessä Santtepekin haahmossaan. Hän tahtoi seurata
tämän kunnon miehen mukana, voidakseen sitten Jeesukselle
kuvata, minkälainen hän oikein oli. He vaelsivat yhdessä ja sotamies
Lusti jutteli leveästi:

— Vaivaisen leivänkakkaran kyllä raatsii köyhälle antaa, jos on

miestä toista sijalle puuhaamaan. Kun meillä molemmilla on nyt
eväiden puute, niin ruvetaanpas miettimään, mistä niitä saataisiin,
sillä emme me kauan tyhjällä kulje. Jotakin elämisen keinoa on nyt
keksittävä.

— Mitäpä muuta kuin pyydetään ensimmäisestä talosta, joka

eteen koituu, työtä. Työntekohan on rehellisin elämisen keino, arveli
tähän Santtepekki ja katseli tutkivasti toveriinsa.

— Saattaa kyllä olla, vastasi sotamies Lusti hiukan ikävystyneesti,

ja varmaan niin onkin. Mutta, lisäsi hän, en tahdo salata sinulta,
Santtepekki, sitä, että työnteko on minusta vihdoinviimeistä tässä
maailmassa. Työtä en tahdo tehdä, ellei ihan nälkäkuolema siihen
pakota, ja sitä en usko, sillä aina sentään nokkela mies itsensä
nikarasta toiseen muutenkin keinottelee.

Santtepekki kuunteli toverinsa puhettaviaan kauhistuneena ja

tiedusteli:

— Kuinka voit pitää rehellistä työntekoa niin vastenmielisenä?

Työstähän vasta ihmiselle tosi ilo ja onni lähtee.

— Kaikkia vielä, vastasi Lusti. Olen kyllä kuullut niin sanottavan,

mutta kysynpä: tokko lienee tavallista tervettä ihmistä, joka viitsisi
kortta ristiin panna, ellei pakkoa olisi tahi synnillinen kunnia
houkuttelisi? Eipä ole. Selväähän on, että laiskuus, kun ei vain leipä
puutu, on kaikista ihaninta tässä maailmassa. Sehän näkyy jo
sanastakin, sillä pantiinhan paratiisissa työ ihmiselle synnin
rangaistukseksi. Ja sitä se on. En viitsi tehdä työtä.

Santtepekki tuli aivan ymmälle kuullessaan Lustin viime väitteen,

johon hänellä ei ollut erikoisempaa vastaamista. Suruissaan siitä,
että tämä hänen niin hyväsydämiseksi huomaamansa toveri
osoittautuikin toisaalta näin kevytmieliseksi, hän uudelleen tiedusteli,
minkälaisilla keinoilla Lusti sitten aikoi itsensä elättää. Tämä puheli
leveästi:

— Vielä häntä sellaista kysyy vanhalta sotamieheltä, joka on jo

moneen kertaan ehtinyt kaikki metkut oppia. Suoraan sanoen: aion
elää kerjäämisellä ja pienellä petkutuksella, arkailematta viatonta
varkauttakaan, sillä sellainen ei ole erikoisemmasti synnillistä. Mutta
vanhastaan pidän lakina sitä, että köyhän viimeistä en ota, enkä
ihmisen henkeen kajoa. Näin olen tähänkin saakka kunniallisesti
toimeen tullut ja luulenpa edelleenkin tulevani, kunnes luoja
armossaan korjaa sieluni iankaikkiseen autuuteensa.

Santtepekki ei ollut uskoa korviaan. Ihmeissään hän kysyi:

— Kuinka voit luulla, että luoja korjaa sielusi, kun kerran sanot
aina petkutuksella eläneesi? Piru kai sinut korjaa eikä luoja?

— Ehei! nauroi Lusti leveästi. Sillä otuksella ei ole Lustin kanssa

mitään tekemistä. Et tiedä, Santtepekki, että minä olen vanha,
urhoollinen sotamies, joka satoja kertoja olen pannut alttiiksi henkeni
muiden puolesta. Olen kyllä varastanut, juonut, mässännyt, kun olen
saanut tilaisuuden, elänyt kovin huonosti, mutta sillä olen tehnyt
pahaa vain itselleni enkä muille. Viatonta ja sorrettua olen aina
puolustanut, totisessa asiassa en ole valehdellut, ja Jumalaan olen
lapsuudesta saakka järkähtämättä uskonut. Katson siis
kerskailematta olevani tämän maailman paremmanpuoleisia ihmisiä,
jo senkin vuoksi, että sydämessäni on aina asunut ilo ja rakkaus
kaikkia luotuja kohtaan, olivatpa ne mitä hyvänsä. Olen iloinen mies,
Santtepekki, huomaa se! Ja minä elän aina niin kuin iloinen
ihmisluontoni vaatii, milloinkaan itseäni pettämättä tahi
teeskentelemättä muuksi kuin mikä olen, nimittäin ihmisparka,
alaston ja kurja Jumalan edessä, vailla kaikkia ansioita. Kuinka voisi
nyt Jeesus, joka korjasi molemmat ryövärit rinnaltaan paratiisiin,
kiristää mitattoman armonsa minun vaivaisen kohdalle niin pieneksi,
että kehno saisi kauluksestani kiinni? Se on mahdotonta,
Santtepekki, en usko sitä milloinkaan, ja iloisena sekä luottaen
Jumalaan astua tellää siis sotamies Lusti taivasta kohti. Joko nyt
ymmärrät, kuinka varmalla perustuksella minun asiani ovat?

Santtepekki tunsi päätänsä huimaavan. Sotamies Lusti oli

erikoinen ihminen, se täytyi myöntää. Jos tuo kaikki, mitä hän sanoi
itsestään, oli totta, oli hän hyvin huono ihminen, suuri syntinen. Mutta
ei käynyt kieltäminen, että hänellä oli myös hyvät puolensa.
Ilmeisesti hänellä oli jalo ja avara sydän, johon hän lämpimästi sulki
kaiken, mitä maailmasta tajusi. Sotamies Lusti oli jo harmaapää,
mutta siitä huolimatta lapsi, joka herätti ystävyyden tunnetta kaikilla
ominaisuuksillaan, hyvillä ja huonoilla, sen avomielisen lapsen-
asteen vuoksi, jolla hän oli. Santtepekin päässä vilahti ajatus, että
sotamies Lusti oli turmeltumaton, hyvä ihminen, mutta sitten, hän
heti muisti, mitä Lusti oli huonosta elämästään tunnustanut,
ikäänkuin säikähti omaa sekaannustaan ja virkahti ankarasti:

— Helvettiin sinä joudut!

— No, sehän saadaan nähdä sitten, kun sinne asti päästään,

vastasi tähän hyväntuulisesti Lusti.

He astuivat vaiteliaina edelleen, molemmat mietiskellen omia

asioitaan, kunnes poikkesivat tien vieressä olevaan taloon. Pirttiin
tultuaan he näkivät, kuinka isäntä hapuili siellä melkein kuin sokea ja
valitteli silmiänsä, jotka olivat pahoin kipeytyneet. Sotamies Lustia
säälitti ja hän ryhtyi isännän kanssa laveihin puheisiin, kertoen
ihmeellisestä silmäin voiteesta, josta vieraalla maalla sotaretkellä
ollessaan oli kuullut. "Se olisi varmaankin auttanut, jos sitä olisi
saatu", lopetti hän. Isäntä huokaili:

— Olisipa saattanut auttaa, kun jo siitä kuuleminenkin tuntuu

tuottavan huojennusta. Mikä sinulla on tämä mies toverina? kysyi
hän samalla.

— Tämä on mikä lienee mieron kiertäjä, joka nälissään turvautui

minuun, äläpäs nyt eto rikkaaseen. Santtepekiksi sanoi itseään.
Siivo ukko se on, ei pure eikä hauku, selitteli nyt Lusti leveästi ja
komensi: Käy, Santtepekki, peremmäksi, äläkä ujostele! Tässä
talossa on hyvä isäntä, vaikka onkin näkö pilalla.

Santtepekki nousi ovensuusta, jonne oli väsyneenä istahtanut,

asteli hiljaa peremmäksi ja seisahtui isännän eteen, laskien kätensä
hänen silmilleen. Ja silloin tuntui kaikista pirtissä-olijoista, että
huoneeseen oli ilmestynyt ihmeellinen voima, joka salpasi heidän
kielensä ja kirkasti heidän katseensa näkemään outoja asioita.
Minne oli kadonnut tuo äsken ovensuussa ollut kerjäläisvanhus?
Oliko se hän, joka seisoi tuossa isännän edessä kirkkaana, suurena
ja pyhänä, otsallansa taivaan loiste? Kuin unessa he kuulivat äänen
kohoavan rukouksena Jumalan puoleen, anoen sitä valoa, joka ei
milloinkaan sokeaksi tule, ja samalla oli lumous ohi. Santtepekki
istahti nöyrästi rahille, mutta isäntä sanoi äkkiä riemastuneena:

— Minähän näen! Näen hyvin! Sinä, ukko, paransit silmäni!

Kaikki olivat sanattomia hämmästyksestä. Sotamies Lusti otti lakin

pois ja silmäili Santtepekkiä syvällä kunnioituksella. Sitten hän pani
lakin jälleen päähänsä ja arveli itsekseen: "Kyllä tästä nyt
matkaeväitä heltiää!"
 Ja isäntä rupesi tietysti tarjoilemaan Santtepekille runsasta
palkintoa
hänen hyvästä työstään, rahaa, ruokaa, mitä vain ukko halusi. Mutta
Santtepekki ilmoitti, ettei hän voi ottaa mitään. Silloin ei sotamies
Lusti enää voinut olla asiaan sekaantumatta, vaan sanoi
Santtepekille:

— Mutta nythän sinulta on viimeinenkin järki-vähäinen aivan

mennyttä!
Miksi et ottaisi palkkaa, kun isäntä sitä hyvän työsi vuoksi tarjoaa?
 — Ei Jumalakaan hyviä töitään palkan vuoksi tee. Armosta ja
rakkaudesta hän kaiken antaa, vastasi Santtepekki hiljaa ja nöyrästi.

— Mutta kyllä meidän elämisemme sitten kapeaksi käypi, vastasi

nyt
Lusti kiivastuneena, jos tässä ilmaiseksi aiot koko maailman
parantaa.
Ottaisit edes ruokaa, sillä meillähän ei ole ollenkaan eväitä.

Ja isäntä lisäsi:

— Vasta teurastettiin tuossa lammas. Ottakaa edes sen lihat

mukaanne, niin on jotakin, mitä tiellä pureksia.

Huomatessaan, että isäntä teki tarjouksensa todellakin hyvästä

sydämestä ja kiitollisena, taipui Santtepekki tähän, ja Lusti sulloi
lampaanlihat laukkuunsa. Levähdettyään ja syötyään he taas
läksivät kulkemaan.

— Ei, hyvä veli, tämä tällainen käy päinsä, puheli nyt Lusti
opettavaisesti Santtepekille. Kun olet kerran tuollainen taitoniekka,
että kädellä pyyhkäisemällä teet sokean näkeväksi, niin siitä
taidostahan vasta killinkejä heltiää. Parempaa elämisen keinoa ei voi
olla. Mitäpä siis muuta kuin sinä toimitat sairaiden parantamisen, ja
minä otan osalleni maksun kantamisen. Voit olla varma siitä, että
yhtä tunnollisesti ja perinpohjin kuin sinä tehtäväsi suoritat, minäkin
pidän huolen omastani. Näin me molemmat levitämme onnea ja
siunausta, emme ainoastaan koko maakuntaan, vaan vieläpä omaan
vatsaamme, joka muuten olisi aina tyhjä paitsi suu auki vastatuuleen
kuljettaessa.
 Santtepekki ei sanonut mitään, vaan huokasi hiljaa itsekseen..
Mitä oli hänen tehtävä tälle omituiselle ihmislapselle, joka ei
näyttänyt horjahtavan erikoisluonteensa tasapainosta silloinkaan,
kun jumalallinen ihmetyö tapahtui hänen silmäinsä edessä?
Päinvastoin hän oli heti valmis käyttämään sitä tavalla, joka ei ollut
Jumalan tarkoitus, saadakseen itselleen rahaa ja lihallisia nautintoja.
Olisiko mitään keinoa, jolla saisi hänen sielunsa järkytetyksi ja
silmänsä avatuksi? Santtepekki tunsi, kuinka Jumalan aivoitukset
sotamies Lustin suhteen olivat hänelle tuntemattomat, ja huoaten
hän kaipasi Jeesuksen kaikkiviisasta läsnäoloa ja johtoa. Hän päätti
kääntyä rukouksella mestarinsa puoleen ja halusi siksi poistua
syrjemmäksi. Hän pyysi Lustia hetkisen odottamaan ja tämä
selittikin:

— Mikäpä siinä. Laihaa olikin tuon talon ruoka, niin että mielinpä
vähän maistaa näitä lampaanlihoja. Mene sinä vain, minne haluat;
minä teen tulen ja paistan rasvaiset paistit, etteivät lihat pääse
pilautumaan.

Ja hän kaivoi lihat laukustaan ja rupesi tekemään tulta. Pietari

sanoi mennessään Lustille:

— Paista sydänkin ja säästä se minulle.

— Saattaneehan tuon paistaa, lupasi Lusti ja jatkoi mielissään

puuhiansa, sillä aikaa kuin Santtepekki raskaalla ja ahdistetulla
mielellä pyysi Jumalalta apua tämän ihmissydämen arvoituksen
ratkaisuun.

Kun Santtepekki oli poistunut, paistoi Lusti heti lampaan sydämen

tuumien itsekseen, että se mahtoi olla erikoinen makupala, koska
ukko varasi sen itselleen. Ja hyvältähän se maistuikin. Kun
Santtepekki palasi ja kysyi sitä, vastasi Lusti hilpeästi:

— Mitä turhia puhelet! Eihän lampaalla sydäntä olekaan.

Ja vaikka Santtepekki kuinka olisi häntä tutkinut, ei hän saanut

asiasta selvää, sillä Lusti valehteli haikailematta ja naureskeli. Yhä
huolestuneemmaksi tuli Santtepekin sydän ja vaiteliaina he vaelsivat
edelleen.

VIII

Kuljettuaan aikansa, Santtepekki jurona ja puhumattomana, Lusti

alati iloisesti lörpötellen, he vihdoin saapuivat kaupunkiin. Silloin
sanoi Lusti:

— Voi hyväinen aika, kuinka tyhmästi teit, kun et ottanut siltä

isännältä rahaa! Olisipa nyt hauska mennä tuonne krouviin ja saada
sieltä huikeat ryypyt ja hyvät syömiset tämän rasittavan matkan
vaivojen palkinnoksi. Mutta mennäänhän nyt joka tapauksessa
sinne, koska olen siellä vanhastaan tuttu, sillä eipä tiedä, mitä siellä
rahattomankin suuhun sattuu luiskahtamaan.

Hän kääntyi reippaasti krouvia kohti ja Santtepekki seurasi

mukana ikäänkuin tahdottomana. Hämillään ja suruisena hän näki,
kuinka Lusti ujostelematta hymyili vastaan tuleville tytöille, tervehti
heitä, jopa pysähtyi puhelemaankin ja leikkiä laskemaan, ja kuinka
tytöt yleensä mielellään sallivat sen tapahtua, naureskellen ja
keikautellen itseään. Lusti nipisti heitä leuan alta, jolloin he
näpsäyttivät häntä kädelle ja juoksivat pois, mutta ilmeisesti suurin
suuttumatta. Ja Lusti tuntui olevan heidän kanssaan kuin vanha
tuttava, iskien silmää jokaiselle. Ällistyen vanha Santtepekki seurasi
tätä menoa, mutta ei voinut saada itseään erikoisemman ankaran
siveellisen suuttumuksen valtaan, sillä Lusti teki kaiken niin
viattomalla ja hyväntuulisella tavalla, että synnin ja kadotuksen
tuomiota oli siihen vaikea sovittaa. "Onko tämä mahdollista?" ajatteli
Santtepekki ymmällä; "lähden hakemaan oikein hyvää ihmistä,
löydän tämän sotamiehen ja panen hänen sydämensä koetukselle,
jonka hän kestää; ja vaikka hän nyt näyttää olevan oikea porsas,
juoppo, valehtelija, rakastelija, ehkä varaskin, en silti voi ruveta
pitämään häntä huonona ihmisenä; päinvastoin minun täytyy sanoa,
että pidän hänestä yhä enemmän, huolimatta kaikista kepposista ja
vinkeistä. Saa nähdä, mitä hän nyt tuolla synnin luolassa keksii?" Ja
Santtepekki tunsi uteliaisuutta sitä ajatellessaan.

Krouvissa vallitsi iloinen mekastus ja äijät haastelivat hartaasti

lasiensa ääressä. Kun Lusti astui sisään, syntyi aika mellakka. Sieltä
täältä kuului iloisia tervehdyksiä, joihin Lusti vastasi vanhana
tuttavana, kulkien pöydästä toiseen ja nakellen naamaansa
ojennettuja tervetuliaiskupposia. Pian hän istahti sakeimpaan
pöytään ja oli kohta kuin kotonaan, haastellen ja valehdellen laveasti
ja korkealla äänellä viime urotöistään, seurakunnan säestäessä
häntä mehevillä naurunpuuskilla ja huomautuksilla.

Hiljaa ja vaatimattomasti oli sen sijaan Santtepekki hiipinyt

huoneen hämärimpään nurkkaan, vaipuen siellä katselemaan
edessänsä olevaa ihmisten menoa ja sitä ajattelemaan. Siinä oli
hänen nähtävänään ihminen suruttomuutensa vallassa, hillittömässä
ja ajattelemattomassa himojensa palveluksessa, juuri sellaisena kuin
hän suurimmalta osaltaan vaelluksensa suorittaa. Santtepekin
mieleen kuvastui koko maan pinta, täynnä tätä samaa kansaa ja
menoa, teutaroimassa paheissa ja synnissä, kuurona sille
johdatukselle, joka ylhäältä koettaa sitä parempaan ohjata. Hänelle
kirkastui uutena totuutena, ettei ihminen itse voi itseään pelastaa,
vaan perustuu hänen autuutensa yksistään Jumalan
kärsivällisyyden, armon ja anteeksiannon rajattomuuteen, siihen
uhriin, jota Jeesuksen sovintokuolema merkitsee. Ja tässä valossa
tuntui Santtepekistä toisekseen, että nuo hartaasti paloviinaa
kallistelevat ja haastelevat ihmiset, etukynnessä sotamies Lusti,
olivat rotkon reunalla leikkiviä lapsia, joita suojeli vain korkea ja
tutkimaton varjelus.

Santtepekki oli päässyt mietteissään tähän saakka, kun hän kuuli

oven narahtavan. Kääntyessään katsomaan hän näki oviaukossa
miehen, joka synkästi ja tutkivasti tarkasteli huoneessa olijoita.
Muutkin hänet huomasivat ja kuinka ollakaan, vaikeni vähitellen melu
ja puheensorina; kaikki liikahtelivat levottomina tuoleillaan, vilkaisivat
toisiinsa rauhattomasti ja altakulmain, ja alkoivat taas kuin
vangittuina tuijottaa ovelle. Siellä seisovan, oudon miehen silmät
näyttivät hehkuvan kuin hiilet ja hänen kasvoilleen kuvastui ilkeä
hymy, joka levisi niille vähitellen kuin myrkyllinen sumu. Santtepekki
seurasi tarkoin kaikkea ja koetti arvata, mitä tästä nyt oli tuleva, sillä
hän oli ainoa, joka tunsi tulijan. Mutta hän ei puhunut mitään.

Vihdoin kävi asema kiusalliseksi. Sotamies Lusti, joka jo oli

joltisestikin päissään, oli hänkin kiehtoutunut vieraan silmiin
tuijottamaan, tunsi sielunsa hämäryydestä huolimatta jotakin ilkeätä
ja vierasta vaikutusta, hyppäsi tuoliltaan rikkoen lumouksen voiman
ja ärjäisi tulijalle:

— Käy sisään, mies, äläkä siellä turhia tuijottele!

Silloin mies astui hitaasti ja arvokkaasti sisään, tervehti kumartaen

joka puolelle ja sanoi sulavasti ja kohteliaasti:
 — Täytynee tulla, koska kristitty ihminen sitä nimenomaan vaatii.

— Ei täällä pelätä, vaikka olisit itse paholainen! ärjäisi siihen

vastaukseksi Lusti, jota vieraan ynseä käytös harmitti. Mutta vieras
ei enää ollut häntä kuulevinaan, vaan kysyi isännältä yösijaa, joka
luvattiinkin. Lustipa ei kuitenkaan heittänyt häntä rauhaan, vaan
siirtyi vähitellen kierrellen ja kaarrellen vieraan läheisyyteen, kunnes
röyhkeästi istahti hänen pöydännurkalleen ja rupesi tuijottelemaan
häntä hävyttömästi silmiin. Ja kun vieras yritti viedä viinilasia
huulilleen, tyrkkäsi Lusti sen kuin vahingossa hänen kädestään, niin
että se kirposi lattialle ja meni sirpaleiksi. Samassa hyppäsi vieras
pystyyn, silmät leimahtivat pahanenteisesti ja hän tempasi
miekkansa huotrasta. Tuimasti kysyi hän:

— Riitaako haastat?

— Riitaa! vastasi Lusti kiukkuisesti, sillä humalapäissään hän oli

nokkautuva ja pahankurinen. Ollenkaan pelkäämättä hänkin veti
miekkansa ja ärjäisi peloissaan katseleville juomaveikoilleen:

— Tilaa tupaan, että saan listiä tältä kukkoilevalta herralta korvat!

Lusti ei siedä öykkäreitä eikä ole vielä milloinkaan ketään pelännyt!
Pian nähdään, mieskö vai piru on nuttusi sisällä.

Ja samassa oli tuima ottelu käynnissä.

Santtepekki istui tyrmistyneenä nurkassaan, jossa häntä oli tuskin

huomattu. Häntä kauhistutti se tapa, jolla Lusti oli esiintynyt, mutta
samalla hän tunsi kunnioittavansa Lustia. Miksi oli tämä tuntenut
tuollaista vastenmielisyyttä vierasta kohtaan? Nähtävästi siksi, että
hänen koko olemuksensa nousi kapinaan hänen läsnäoloansa
vastaan. Lusti ilmeisesti tunsi, että tuo musta mies oli heidän
kaikkien yhteinen vihollinen, jolta ei ollut mitään hyvää odotettavissa,
ja suoran sydämensä käskystä pyrki heti hänen kimppuunsa
saadakseen hänet karkoitetuksi. Santtepekki aavisti, että vieraalla
tulisi olemaan Lustista parempi vastus kuin oli odottanutkaan, sillä
Lustilla oli lapsen mielen kirkas panssari rintansa suojana.
Santtepekkiä jännitti kovasti ja hän seurasi ottelun kulkua sydän
pamppaillen.

Miekat salamoivat välähtelevinä ja nopeina piirtoina, ja ihaillen

seurasivat katsojat taistelua. Näki selvään, että molemmat olivat
tähän leikkiin tottuneita, ja että jos vieras olikin aivan mestari, ei Lusti
paljoa jälkeen jäänyt. Kuin kärppä hän liikahteli notkeasti ja
salamannopeasti, ja käsi teki vain taitavia ranneliikkeitä miekan
kärjen alati pyrkiessä vastustajan rintaan. "Joko antaudut?" kysyi
pilkallisesti vieras. "En", vastasi Lusti, "sillä luoja minun miekkaani
ennenkin on ohjannut".

Sanoessaan tämän hän teki tuiman hyökkäyksen ja silloin nähtiin

kumma: kuullessaan Lustin sanat vieras horjahti ja vei vasemman
kätensä silmilleen, jolloin Lusti etevällä otteella iski säilän hänen
kädestään, niin että se rämähtäen kirposi kauas permannolle. Lusti
polki sen jalkansa alle ja sanoi pistäessään omaansa tuppeen
hyväntuulisesti:

— Tunnusta pois, mies, tavanneesi parempasi! Paljon on Lusti

miekkaa eläessään heilutellut, mutta eipä ole vielä pahempaa
naarmua huolinut nahkaansa ottaa. Tule tänne, että taputtelen sinua
päälaelle ja lohduttelen, jos olisi niinkuin mielesi myrtynyt!

Vieras ei sanonut mitään, vaan otti miekkansa ja hävisi ovesta

kuin varjo. Mutta kapakassa puhkesi valloille remuava riemu. Lustia
kannettiin ympäri huonetta ja viiniä tuotiin vahvasti pöytään. Lusti
riemastui itsekin menestyksestään ja rupesi laveasti kertoilemaan
kaikista mahdottomampia valheita menneistä sankaritöistään, jotka
nyt kuitenkin tapasivat herkkäuskoisen kuulijakunnan, sillä olihan
äsken nähty, mikä mies hän oli. Hän puheli ja naukkaili, kunnes
kesken puhettaan äkkiä huomasi Santtepekin, joka nurkastaan
uteliaana hänen puuhiansa seurasi. Lusti sanoi:

- No, vanha toveri! Mitä siellä nurkassa yksin istuskelet ja olet niin
surullisen näköinen? Tule ja ota sinäkin, vanha mies, lämmin ryyppy,
niin rupeavat veresi hiukan vilkkaammin kiertelemään!

Ja hän meni Santtepekin luo, tarttui häntä käsivarteen ja veti hänet

ystävällisesti, toisen vastusteluista huolimatta, pöydän ääreen,
komentaen:

— Tehkää tilaa, miehet, vanhukselle. Kauan saatte maailmassa

vaeltaa, ennenkuin teidän silmistänne sellainen hyvyys loistaa kuin
tällä ukolla. Kunniapaikalle hopeahapsi, tietäkää se! Enkös tehnytkin
oikein antaessani pienen opetuksen tuolle mustalle paholaiselle, joka
niin hienona tänne joukkoomme yritti?

— Kyllä teit, poikani, saattoi nyt Santtepekki täydestä

sydämestään sanoa, sillä hänhän oli ainoa, joka tiesi, kenet Lusti
todellakin oli tehnyt aseettomaksi. Ja hänen täytyi istua pöydän
päähän, johon hänelle kunnioittaen tehtiin tilaa, niin arveluttavalta
kuin se hänestä tuntuikin. Mutta kun Lusti sitten pani täysinäisen
viinilasin hänen eteensä, kieltäytyi hän ehdottomasti siitä
maistamasta. Lusti harmistui:

— No olet sinäkin ihmeellinen äijä! Kun tässä hyvät naapurit

sinulle ystävyyttä osoittavat ja viiniä tarjoavat, niin kieltäydyt.
Luuletko sen itsellesi pahaa tekevän? Ota pois ja lämmitä vanhaa
ruumistasi, kuten muutkin ihmiset, äläkä ole mikään nurrupoika!

Ja hän tarjosi uudelleen lasia Santtepekille.

"Kuin muutkin ihmiset". Ne sanat kaikuivat Santtepekin sielussa

omituisena, surumielisenä värinänä. Kaukaa kuului hänen mieleensä
lempeä ääni, joka kerran oli sanonut tuntevansa ihmisen, sen ääni,
joka oli tullut "muiden ihmisten kaltaiseksi". Santtepekki tajusi nyt,
mitä se merkitsi: sitä, että ymmärtääkseen ihmisen oikein täytyi tulla
hänen kaltaisekseen. Huoaten hän tarttui lasiin ja kallisti sen pohjaan
saakka. Lusti sanoi hyväksyen:

— Kas niin! Sehän oli oikein tukeva ryyppy! Jatka vain, niin kyllä
sinusta vielä mies tulee vanhanakin. Ja hän kaasi Santtepekin lasin
uudelleen täyteen. Kuta useammin lasin Santtepekki kallisti, sitä
ihmeellisemmäksi hän tunsi olonsa. Hänestä tuntui kuin olisi hän
aste asteelta laskeutunut yhä lähemmäksi inhimillisyyden vuolasta ja
haaleata virtaa, kunnes vihdoin painui siihen kokonaan ja lähti
uimaan rinnakkain miljoonien sielujen kanssa, rakkaassa
veljeydessä. Ja hänen sielussaan heräsi se suloisen kipeä, katkeran
tuskallinen, mutta samalla kaukaisesti hyvää tekevä ja sielua
avartava polte, jonka Jumala on ihmiselle kalliina aarteena
lahjoittanut ja jonka nimi on elävä, maahan asti nöyrtyvä, uskolla ja
avunhuudolla ylös pyrkivä synnintunto, sielujen ankara kevätmyrsky,
joka raivoaa katkoen puita ja oksia, sortaen maahan kaikki lahot
rakennukset, hälventäen valheen ja teeskentelyn sumut, mukanansa
lupaus ihanasta kevään ajasta, jolloin kyynelöivä maailma välkkyy
armon auringon loisteessa ja autuuden soitto täyttää sielun.
Santtepekki katsahti ympärilleen pimeään krouvin tupaan, jossa
savuavat kynttilät siellä täällä tuikuttivat, uneliaaseen, pöytänsä