CHƯƠNG 2.

SỰ DẪN ĐIỆN TRONG CHẤT RẮN

Phần 1. Sự dẫn điện

Sự dẫn điện (electrical conduction) liên quan đến chuyển động của các hạt
điện tích trong vật chất dưới tác dụng của điện trường. Một vật liệu được xem là
chất dẫn điện nếu nó chứa một số lượng lớn các hạt tải điện tự do (free charge
carrier). Trong kim loại, do bản chất của liên kết kim loại, các điện tử hóa trị hình
thành nên một số lượng lớn điện tử (gọi là “biển điện tử”) tự do di chuyển trong
kim loại và được gọi là điện tử dẫn (conduction electron). Trong chương này,
chúng ta xem các điện tử dẫn trong kim loại như là các hạt điện tích tự do và có thể
được gia tốc bởi điện trường. Khi có mặt điện trường, các điện tử dẫn sẽ có một
vận tốc trung bình, được gọi là vận tốc trôi (drift velocity), phụ thuộc vào điện
trường. Bằng cách áp dụng Định luật II Newton cho chuyển động của điện tử và
kết hợp với các khái niệm như thời gian tự do trung bình giữa các lần va chạm của
điện tử với rung động của mạng tinh thể (lattice vibration), tạp chất,… chúng ta sẽ
đưa ra các phương trình cơ bản để mô tả sự dẫn điện trong chất rắn. Khái niệm
quan trọng nhất là độ linh động trôi (drift mobility), là đại lượng đo lường mức độ
dễ khi hạt tải điện dịch chuyển trong chất rắn dưới tác dụng của điện trường.

2.1. Thuyết cổ điển: mô hình Drude

2.1.1. Kim loại và sự dẫn điện

Mật độ dòng điện (electric current density) 𝐽 được định nghĩa là số lượng điện
tích dịch chuyển qua một đơn vị diện tích trong một đơn vị thời gian, và được biểu
diễn bởi
Δ𝑞
𝐽= ,
𝐴Δ𝑡
trong đó, Δ𝑞 là số lượng điện tích dịch chuyển qua diện tích 𝐴 trong khoảng thời
gian Δ𝑡. Hình 2.1 biểu diễn dòng dịch chuyển (flow) của các điện tử qua một tiết
diện (cross-sectional area) A dưới tác dụng của điện trường 𝐸⃗𝑥 . Lưu ý rằng, hướng
dịch chuyển của điện tử ngược chiều với hướng của điện trường 𝐸⃗𝑥 và hướng của
dòng điện.
 Hình 2.1. Dòng trôi của các điện tử dưới tác dụng của điện trường.

Chúng ta biết rằng, các điện tử dẫn dịch chuyển hỗn loạn (randomly) trong
kim loại nhưng chúng ta sẽ giả sử rằng, dưới tác dụng của điện trường 𝐸⃗𝑥 , chúng
có vận tốc theo phương 𝑥.

Vận tốc trung bình của điện tử theo phương 𝑥 tại thời điểm 𝑡 được ký hiệu bởi
𝑣𝑑𝑥 (𝑡). Vận tốc này được gọi là vận tốc trôi (drift velocity), là trung bình của vận
tốc tức thời (instantaneous velocity) 𝑣𝑥 theo phương 𝑥 trên số lượng lớn các điện
tử (~1028 𝑚−3 ):
1
𝑣𝑑𝑥 = [𝑣𝑥1 + 𝑣𝑥2 + ⋯ + 𝑣𝑥𝑁 ], (2.1)
𝑁

trong đó, 𝑣𝑥𝑖 là vận tốc theo phương 𝑥 của điện tử thứ 𝑖, và 𝑁 là số điện tử dẫn
trong kim loại. Giả sử rằng, 𝑛 là số lượng điện tử trong một đơn vị thể tích trong
chất dẫn (tức mật độ điện tử), và được xác định bởi 𝑛 = 𝑁/𝑉. Trong khoảng thời
gian Δ𝑡, các điện tử dịch chuyển một khoảng cách Δ𝑥 = 𝑣𝑑𝑥 Δ𝑡 nên tổng điện tích
Δ𝑞 đi qua diện tích 𝐴 bằng 𝑒𝑛𝐴Δ𝑥. Lập luận này là hợp lý vì tất cả các điện tử
trong khoảng cách Δ𝑥 đều đi qua diện tích 𝐴; do đó, 𝑛(𝐴Δ𝑥) là tổng số điện tử đi
qua diện tích 𝐴 trong khoảng thời gian Δ𝑡.

Mật độ dòng điện theo phương 𝑥 được xác định bởi

Δ𝑞 𝑒𝑛𝐴𝑣𝑑𝑥 Δ𝑡
𝐽𝑥 = = = 𝑒𝑛𝑣𝑑𝑥 .
𝐴Δ𝑡 𝐴Δ𝑡
Phương trình trên mô tả mối liên hệ giữa 𝐽𝑥 và vận tốc trung bình 𝑣𝑑𝑥 của
điện tử. Cần lưu ý rằng, vận tốc trung bình tại mỗi thời điểm có thể không bằng
nhau vì điện trường có thể thay đổi theo thời gian, ví dụ như 𝐸⃗𝑥 = 𝐸⃗𝑥 (𝑡). Do đó, ta
có thể viết lại phương trình trên dưới dạng phụ thuộc vào thời gian như sau:

𝐽𝑥 (𝑡) = 𝑒𝑛𝑣𝑑𝑥 (𝑡). (2.2)

Để thiết lập mối liên hệ giữa mật độ dòng điện 𝐽𝑥 và điện trường 𝐸⃗𝑥 , ta phải
khảo sát ảnh hưởng của điện trường lên chuyển động của điện tử trong chất dẫn.
Để làm được điều này, chúng ta sẽ xem xét tinh thể đồng.

Nguyên tử đồng có 1 điện tử hóa trị ở phân lớp 4𝑠, và điện tử này liên kết yếu
với nhân. Trong cấu trúc FCC của tinh thể đồng, các ion dương 𝐶𝑢+ nằm tại tâm
của các mặt. Các điện tử hóa trị dễ dàng tách khỏi nguyên tử và dịch chuyển tự do
trong chất rắn, tạo thành đám mây điện tử. Những điện tử này có thể tự do dịch
chuyển dưới tác dụng của điện trường, tạo nên mật độ dòng điện 𝐽𝑥 . Do đó, các
điện tử hóa trị trong đám mây điện tử được gọi là điện tử dẫn.

Lực hút giữa các đám mây điện tử tích điện âm và các ion 𝐶𝑢+ tạo nên liên
kết kim loại và định hình cho kim loại rắn. Lực hút tĩnh điện giữa các điện tử dẫn
và các ion dương làm cho các điện tử dẫn có cả thế năng 𝑃𝐸 và động năng 𝐾𝐸.
Các điện tử dẫn dịch chuyển trong mạng tinh thể tương tự như các nguyên tử khí
dịch chuyển hỗn loạn trong xi-lanh. Mặc dù động năng trung bình của các nguyên
3
tử khí được xác định bằng 𝑘𝑇 nhưng biểu thức này không đúng đối với các điện
2
tử trong kim loại vì các điện tử tương tác tĩnh điện rất mạnh với các ion kim loại và
với nhau.

Động năng trung bình của điện tử dẫn trong kim loại được xác định chủ yếu
bởi tương tác tĩnh điện của các điện tử này với các ion kim loại và cũng như với
nhau. Do đó, so với các yếu tố khác tác động lên điện tử dẫn trong kim loại, chúng
ta thường bỏ qua sự phụ thuộc của động năng trung bình vào nhiệt độ. Từ Ví dụ
1.1 của Chương 1, chúng ta thấy rằng động năng trung bình có độ lớn tương đương
với độ lớn của thế năng trung bình, hay nói cách khác là tương đương với năng
lượng liên kết, có giá trị bằng khoảng vài 𝑒𝑉 trên một nguyên tử. Gọi 𝑢 là vận tốc
trung bình của điện tử dẫn. Nếu chỉ dựa trên tương tác tĩnh điện, ta có động năng
1
trung bình 𝑚𝑒 𝑢2 có giá trị vào khoảng vài 𝑒𝑉. Từ đó, suy ra 𝑢 vào khoảng
2
~106 𝑚/𝑠. Kết quả này tuy chưa chặt chẻ nhưng cũng chỉ ra được rằng, vận tốc
trung bình 𝑢 gần như không phụ thuộc vào nhiệt độ và lớn hơn nhiều so với kết
quả thu được từ thuyết động năng phân tử (kinetic molecular theory). Nguyên nhân
chính liên quan đến cơ lượng tử (quantum mechanics) và sẽ được trình bày sau.

Thực tế, các tinh thể đồng không hoàn hảo và các nguyên tử không đứng yên.
Trong mạng tinh thể có thể có các khiếm khuyết, vùng trống, tạp chất,… làm tán
xạ (scatter) các điện tử dẫn. Quan trọng hơn nữa, do nhiệt năng, các nguyên tử
rung động (vibrate) quanh vị trí của chúng trong mạng tinh thể, được gọi là vị trí
cân bằng (equilibrium position) (Hình 2.2a). Một điện tử không thể tránh khỏi va
chạm với các nguyên tử do rung động; kết quả là nó sẽ bị tán xạ từ nguyên tử này
sang nguyên tử khác. Nếu không có điện trường, đường đi của một nguyên tử có
thể được minh họa như ở Hình 2.2a, trong đó, hiện tượng tán xạ làm cho các điện
tử chuyển động hỗn loạn trong mạng tinh thể. Khi điện tử chạm tới bề mặt của tinh
thể, nó sẽ “bật” trở lại tinh thể. Do đó, khi không có điện trường, sau một khoảng
thời gian, điện tử quay trở lại vị trí ban đầu. Xét trên một khoảng thời gian đủ dài,
các điện tử xem như không chuyển động theo bất cứ hướng nào.
Ex

u
x

+
Vibrating Cu ions V

(a) (b)

Hình 2.2. Chuyển động của điện tử dẫn: (a) không có điện trường; (b) có điện
trường.

Khi vật dẫn được nối với một viên pin và tạo nên một điện trường trong tinh
thể (Hình 2.2b), điện tử sẽ được gia tốc theo phương 𝑥 cùng với chuyển động hỗn
loạn. Sau một khoảng thời gian, điện tử sẽ dịch chuyển được một đoạn hữu hạn
theo phương 𝑥. Điện tử được gia tốc theo phương 𝑥 dưới tác dụng của lực điện
𝑒𝐸⃗𝑥 , và sau đó sẽ va chạm với các nguyên tử đang rung động và mất đi vận tốc. Do
đó, cần sử dụng vận tốc trung bình để tính dòng như ở biểu thức (2.2). Lưu ý rằng,
do điện tử được gia tốc theo phương 𝑥 nên quỹ đạo giữa các lần va chạm có dạng
parabol.

Để tính vận tốc trôi 𝑣𝑑𝑥 của điện tử dưới tác dụng của điện trường, chúng ta
cần xem xét vận tốc 𝑣𝑥𝑖 của điện tử thứ 𝑖 theo phương 𝑥 tại thời điểm 𝑡. Giả sử lần
va chạm gần nhất xảy ra tại thời điểm 𝑡𝑖 ; do đó, trong khoảng thời gian (𝑡 − 𝑡𝑖 ),
điện tử được gia tốc mà không bị va chạm (Hình 2.3). Gọi 𝑢𝑥𝑖 là vận tốc của điện
tử thứ 𝑖 theo phương 𝑥 ngay sau khi va chạm, và được gọi là vận tốc ban đầu
(initial velocity). Do 𝑒𝐸𝑥 /𝑚𝑒 là gia tốc của điện tử, vận tốc 𝑣𝑥𝑖 theo phương 𝑥 tại
thời điểm 𝑡 được xác định bởi
𝑒𝐸𝑥
𝑣𝑥𝑖 = 𝑢𝑥𝑖 + (𝑡 − 𝑡𝑖 ).
𝑚𝑒

Velocity gained along x

Present time
vx 1-u x1
Last collision

Electron 1
time
t1 Free time t
vx 2-u x2

Electron 2
time
t2 t
v x3-u x3

Electron 3
time
t3 t

HìnhVelocity
2.3. Sự gained invận
thay đổi the x-direction at time𝑥 tdưới
tốc theo phương fromtác
thedụng
electric
củafield
điện trường
(Ex) for three electrons. There will be N electrons to consider in
tại thời điểm 𝑡 đối với 3 điện tử khác nhau.
the metal.
Tuy nhiên, biểu thức này chỉ tính cho điện tử thứ 𝑖. Chúng ta cần vận tốc
trung bình 𝑣𝑑𝑥 cho tất cả các điện tử theo phương 𝑥. Do đó, ta trung bình biểu thức
trên đối với 𝑖 = 1 đến 𝑁 điện tử, như đối với (2.1). Chúng ta giả sử rằng ngay sau
khi va chạm với các ion đang rung động, điện tử có thể dịch chuyển theo một
hướng ngẫu nhiên; do đó, xác suất điện tử dịch chuyển theo hướng âm hay dương
của phương 𝑥 là như nhau, và như vậy thì giá trị trung bình của 𝑢𝑥𝑖 trên nhiều điện
tử sẽ bằng 0. Do đó, ta có
1 𝑒𝐸𝑥 ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅
𝑣𝑑𝑥 = [𝑣𝑥1 + 𝑣𝑥2 + ⋯ + 𝑣𝑥𝑁 ] = (𝑡 − 𝑡𝑖 ),
𝑁 𝑚𝑒

với ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅
(𝑡 − 𝑡𝑖 ) là thời gian tự do trung bình (average free time) giữa các lần va chạm
đối với 𝑁 điện tử.

Giả sử 𝜏 là thời gian tự do trung bình (mean free time) hay thời gian trung
bình giữa các va chạm (cũng được biết đến là thời gian tán xạ trung bình(mean
scattering time) hay thời gian hồi phục (relaxation time)). Đối với một vài điện tử,
(𝑡 − 𝑡𝑖 ) lớn hơn 𝜏, và đối với các điện tử khác, thời gian này ngắn hơn 𝜏 (Hình
2.3). Trung bình của (𝑡 − 𝑡𝑖 ) đối với 𝑁 điện tử cho kết quả bằng với 𝜏. Do đó, ta
có thể thay 𝜏 cho (𝑡 − 𝑡𝑖 ) trong biểu thức trước và thu được
𝑒𝜏
𝑣𝑑𝑥 = 𝐸𝑥 (2.3)
𝑚𝑒

Phương trình (2.3) cho thấy rằng, vận tốc trôi tăng tuyến tính với điện trường.
Hằng số tỉ lệ 𝑒𝜏/𝑚𝑒 được ký hiệu là 𝜇𝑑 và được gọi là độ linh động trôi (drift
mobility). Như vậy, ta có

𝑣𝑑𝑥 = 𝜇𝑑 𝐸𝑥 (2.4)

với
𝑒𝜏
𝜇𝑑 = (2.5)
𝑚𝑒

Phương trình (2.5) mô tả mối liên hệ giữa độ linh động trôi của điện tử với
thời gian tán xạ trung bình 𝜏. Đại lượng 𝜏 liên hệ trực tiếp với các quá trình vi mô
gây ra hiện tượng tán xạ của điện tử trong kim loại như rung động của mạng tinh
thể, tạp chất,…

Từ biểu thức của vận tốc trôi 𝑣𝑑𝑥 , mật độ dòng điện 𝐽𝑥 , kết hợp với các
phương trình (2.4) và (2.2), ta có

𝐽𝑥 = 𝑒𝑛𝜇𝑑 𝐸𝑥 (2.6)
 Như vậy, mật độ dòng điện tỉ lệ với điện trường và độ dẫn điện 𝜎 chính là
thành phần nhân với 𝐸𝑥 , có nghĩa là

𝜎 = 𝑒𝑛𝜇𝑑 (2.7)

Độ linh động trôi là một khái niệm quan trọng và là một thông số được sử
dụng rộng rãi trong vật lý linh kiện bán dẫn. Độ linh động trôi đo lường điện tử
chuyển động nhanh như thế nào dưới tác dụng của điện trường. Nếu điện tử không
bị tán xạ nhiều, tương ứng với thời gian tự do trung bình dài, dẫn đến độ linh động
trôi lớn; có nghĩa là, điện tử linh động cao và dễ dàng đáp ứng theo tác động của
điện trường. Tuy nhiên, độ linh động trôi lớn không đồng nghĩa với độ dẫn điện
cao bởi vì 𝜎 còn phụ thuộc vào mật độ điện tử 𝑛.

Nghịch đảo của thời gian trung bình giữa các va chạm 1/𝜏 tương ứng với tần
số va chạm trung bình (mean frequency of collisions); nghĩa là, 1/𝜏 là xác suất
trung bình trên một đơn vị thời gian mà một điện tử bị tán xạ. Do đó, trong khoảng
thời gian nhỏ 𝛿𝑡, xác suất tán xạ (probability of scattering) là 𝛿𝑡/𝜏. Xác suất tán xạ
trên một đơn vị thời gian 1/𝜏 không phụ thuộc vào thời gian và chỉ phụ thuộc vào
bản chất của cơ chế tán xạ điện tử.

Trong quá trình đưa ra biểu thức (2.3) của 𝑣𝑑𝑥 , ta có một giả sử quan trọng.
Ta thu được biểu thức của 𝑣𝑑𝑥 bằng cách trung bình vận tốc của 𝑣𝑥𝑖 theo 𝑁 điện tử
theo phương 𝑥 tại một thời điểm (2.1). Vận tốc trôi biểu diễn vận tốc trung bình
của tất cả các điện tử theo phương 𝑥 tại một thời điểm; nghĩa là, 𝑣𝑑𝑥 là trung bình
theo số lượng (number average) tại một thời điểm. Hình 2.2b cho thấy rằng, sau
nhiều va chạm và sau một khoảng thời gian Δ𝑡 ≫ 𝜏, điện tử sẽ dịch chuyển đi một
đoạn Δ𝑥 theo phương 𝑥. Thành phần Δ𝑥/Δ𝑡 biểu diễn vận tốc hiệu dụng của điện
tử theo phương 𝑥. Đây là vận tốc trung bình đối với một điện tử qua nhiều va
chạm, tức là trong một khoảng thời gian dài (Δ𝑡 ≫ 𝜏) nên Δ𝑥/Δ𝑡 là trung bình theo
thời gian (time average). Giả sử rằng, trong khoảng thời gian Δ𝑡, xảy ra nhiều va
chạm. Ta có thể lập luận rằng, vận tốc trôi Δ𝑥/Δ𝑡 được tính bằng cách trung bình
theo thời gian đối với một điện tử sẽ bằng với vận tốc trôi 𝑣𝑑𝑥 được tính bằng cách
trung bình theo tất cả số lượng điện tử tại một thời điểm. Tức là
Δ𝑥
= 𝑣𝑑𝑥
Δ𝑡
 Hai vận tốc này là chỉ bằng nhau với các điều kiện của trạng thái ổn định
(steady-state condition) (Δ𝑡 ≫ 𝜏).
 2.2. Sự phụ thuộc vào nhiệt độ của điện trở suất: kim loại thuần lý tưởng

Khi các điện tử dẫn chỉ bị tán xạ bởi các rung động nhiệt (thermal vibration)
của các ion kim loại thì 𝜏 trong biểu thức 𝜇𝑑 = 𝑒𝜏/𝑚𝑒 mô tả thời gian trung bình
giữa các lần tán xạ. Độ dẫn điện và điện trở suất được ký hiệu lần lượt là 𝜎𝑇 và 𝜌𝑇
với 𝑇 đại diện cho tán xạ rung động nhiệt (thermal vibration scattering).

Để tìm sự phụ thuộc của 𝜎 vào nhiệt độ, ta xem xét sự phụ thuộc của thời gian
trung bình 𝜏 vào nhiệt độ vì đại lượng này xác định độ linh động trôi. Một điện tử
dịch chuyển với vận tốc trung bình 𝑢 sẽ bị tán xạ khi quỹ đạo của nó đi qua tiết
diện 𝑆 của một tâm tán xạ (scattering center) (Hình 2.4). Tâm tán xạ có thể là một
nguyên tử đang rung động, một hạt tạp chất,… Do 𝜏 là thời gian trung bình cho
một quá trình tán xạ nên quãng đường tự do trung bình ℓ (mean free path) của điện
tử giữa các lần tán xạ là 𝑢𝜏. Nếu 𝑁𝑠 là mật độ của tâm tán xạ thì trong thể tích 𝑆ℓ
sẽ có một tâm tán xạ, nghĩa là (𝑆𝑢𝜏)𝑁𝑠 = 1. Do đó, thời gian tự do trung bình
được xác định bởi
1
𝜏= . (2.8)
𝑆𝑢𝑁𝑠

Ta có thể chỉ ra rằng, vận tốc trung bình 𝑢 của các điện tử dẫn trong kim loại
ít phụ thuộc vào nhiệt độ. Thực vậy, các điện tử dịch chuyển hỗn loạn trong tinh
thể kim loại với vận tốc trung bình gần như không đổi và phụ thuộc chủ yếu vào
mật độ của chúng. Nếu ta cho số lượng của tâm tán xạ trên một đơn vị thể tích
bằng mật độ nguyên tử thì sự phụ thuộc vào nhiệt độ của 𝜏 được xác định chủ yếu
bởi tiết diện 𝑆. Chúng ta xem xét một điện tử tự do “thấy” gì khi nó tiến đến một
nguyên tử đang rung động như trong Hình 2.4. Vì rung động nguyên tử là ngẫu
nhiên nên một nguyên tử sẽ bao phủ một tiết diện là 𝜋𝑎2 với 𝑎 là biên độ của rung
động. Nếu quỹ đạo của điện tử đi qua tiết diện 𝜋𝑎2 thì nó sẽ bị tán xạ. Do đó, thời
gian trung bình giữa các lần tán xạ 𝜏 tỉ lệ nghịch với diện tích 𝜋𝑎2 làm cho tán xạ
điện tử, nghĩa là 𝜏 ∝ 1/𝜋𝑎2 .

S =  a2


=u a

Electron

Scattering
Hình 2.4.ofSự
antán
electron fromtửthe
xạ của điện thermal
do rung độngvibrations ofnguyên
nhiệt của các the atoms.
tử. The
electron travels a mean distance  = u  between collisions. Since the
Rung động cross
scattering nhiệt của một nguyên
sectional theđược
area istửS,cóinthể mô hình
volume hóa như
S there mustchuyển
be at
động của một vật có khối lượng 𝑀 gắn vào lò xo. Động năng trung bình của của
least one
1
scatterer, Ns(Su) = 1.
2 2
dao động là 𝑀𝑎 𝜔 với 𝜔 là tần số dao động. Từ thuyết động năng của vật chất,
4
1
ta có động năng trung bình phải tương đương với 𝑘𝑇. Do đó, ta có
2

1 1
𝑀𝑎2 𝜔2 ≈ 𝑘𝑇.
4 2
Như vậy, 𝑎2 ∝ 𝑇. Có thể thấy rằng, lập luận này là hợp lý vì khi nhiệt độ tăng
thì biên độ rung động của nguyên tử tăng. Do đó,
1 1 𝐶
𝜏∝ ∝ hay 𝜏= ,
𝜋𝑎2 𝑇 𝑇
 Với 𝐶 là một hằng số không phụ thuộc vào nhiệt độ. Thế 𝜏 vào 𝜇𝑑 = 𝑒𝜏/𝑚𝑒 ,
ta có
𝑒𝐶
𝜇𝑑 = .
𝑚𝑒 𝑇

Và điện trở suất của kim loại là

1 1 𝑚𝑒 𝑇
𝜌𝑇 = = = 2 ,
𝜎𝑇 𝑒𝑛𝜇𝑑 𝑒 𝑛𝐶

hay

𝜌𝑇 = 𝐴𝑇,

với 𝐴 là một hằng số không phụ thuộc vào nhiệt độ. Kết quả này cho thấy điện trở
suất của một dây kim loại thuần tăng tuyến tính với nhiệt độ, và điện trở suất chỉ
phụ thuộc sự tán xạ của các điện tử dẫn do rung động của các nguyên tử.
 2.3. Nguyên tắc Matthiessen

Lý thuyết về sự dẫn điện dựa trên sự tán xạ do các rung động của mạng tinh
thể chỉ được áp dụng tốt cho các kim loại thuần và không áp dụng hiệu quả cho
hợp kim (metallic alloy). Điện trở suất của hợp kim phụ thuộc yếu vào nhiệt độ.
Do đó, chúng ta cần tìm một cơ chế tán xạ khác.

Ta xem xét một hợp kim có các nguyên tử tạp chất (impurity atom) được phân
bố ngẫu nhiên. Một điện tử có thể bị tán xạ bởi các nguyên tử tạp chất vì chúng
không đồng nhất với các nguyên tử chủ (host atom) (Hình 2.5). Các nguyên tử tạp
chất có thể có kích thước nhỏ hoặc lớn hơn nguyên tử chủ. Do các nguyên tử tạp
chất gây nên sự biến dạng cục bộ (local distortion) trong mạng tinh thể nên chúng
sẽ ảnh hưởng đến quá trình tán xạ. Để tìm hiểu sự tán xạ do tạp chất, ta xem xét
tiết diện tán xạ. Yếu tố gây ra sự tán xạ điện tử là sự thay đổi cục bộ và đột ngột
của thế năng 𝑃𝐸 của điện tử khi nó tiến đến gần tạp chất vì lực sinh ra trên điện tử
được xác định bởi
𝑑(𝑃𝐸)
𝐹=− .
𝑑𝑥
Strained region by impurity exerts a
scattering force F = - d (PE) /dx

I



Hình 2.5. Hai loại tán xạ khác nhau: tán xạ do tạp chất và tán xạ do rung động
Two different types of scattering
nhiệt.processes involving scattering from
impurities alone and thermal vibrations alone.
Ví dụ, khi nguyên tử tạp chất có kích thước khác nhau so với nguyên tử chủ
được đưa vào mạng tinh thể, nguyên tử tạp chất sẽ làm biến dạng vùng xung quanh
nó, hoặc là đẩy các nguyên tử chủ ra xa hoặc là kéo chúng lại gần (Hình 2.5). Tiết
diện gây ra tán xạ cho điện tử là vùng bị biến dạng đàn hồi (elastically distorted)
bởi tạp chất (gồm nguyên tử tạp chất và các nguyên tử chủ lân cận) nên điện tử sẽ
đột ngột chịu một lực tác dụng 𝐹 = −𝑑(𝑃𝐸)/𝑑𝑥 trong vùng này do sự thay đổi đột
ngột của thế năng 𝑃𝐸. Vùng này có tiết diện tán xạ lớn do sự biến dạng sinh ra bởi
tạp chất có độ rộng gấp vài lần khoảng cách nguyên tử. Các nguyên tử tạp chất sẽ
cản trở chuyển động của điện tử và do đó làm tăng điện trở.
 Như vậy, chúng ta có 2 loại thời gian tự do trung bình giữa các va chạm: (1)
𝜏 𝑇 đối với tán xạ chỉ do rung động nhiệt, và (2) 𝜏𝐼 đối với tán xạ chỉ do tạp chất.
Chúng ta định nghĩa 𝜏 𝑇 là thời gian tự do trung bình giữa các lần tán xạ chỉ do rung
động nhiệt và 𝜏𝐼 là thời gian tự do trung bình giữa các lần tán xạ chỉ do va chạm
với tạp chất (Hình 2.5).

Nhìn chung, một điện tử có thể bị tán xạ bởi cả 2 quá trình nên thời gian tự do
trung bình hiệu dụng 𝜏 giữa 2 lần tán xạ bất kỳ sẽ nhỏ hơn từng thời gian tán xạ 𝜏 𝑇
và 𝜏𝐼 riêng lẻ. Một điện tử sẽ bị tán xạ khi va chạm hoặc với nguyên tử đang rung
động hoặc với nguyên tử tạp chất. Xét trong một đơn vị thời gian, 1/𝜏 là xác suất
xảy ra tán xạ bất kỳ, 1/𝜏 𝑇 là xác suất xảy ra tán xạ chỉ do rung động tinh thể, và
1/𝜏𝐼 là xác suất xảy ra tán xạ chỉ do tạp chất. Theo lý thuyết xác suất của 2 sự kiện
độc lập, ta có
1 1 1
= + . (2.9)
𝜏 𝜏𝑇 𝜏𝐼

Trong biểu thức (2.9), ta giả sử các cơ chế tán xạ là độc lập. Như vậy, thời
gian tán xạ 𝜏 nhỏ hơn cả hai 𝜏 𝑇 và 𝜏𝐼 . Chúng ta có thể mô tả biểu thức (2.9) như
sau: Trong một đơn vị thời gian, tổng số lần va chạm (1/𝜏) là tổng của số lần va
chạm chỉ do rung động nhiệt (1/𝜏 𝑇 ) và số lần va chạm do tạp chất (1/𝜏𝐼 ).

Độ linh động trôi 𝜇𝑑 phụ thuộc vào thời gian tán xạ trung bình hiệu dụng 𝜏
thông qua 𝜇𝑑 = 𝑒𝜏/𝑚𝑒 nên biểu thức (2.9) có thể được biểu diễn lại theo độ linh
động trôi được xác định bởi các cơ chế tán xạ khác nhau. Do đó,
1 1 1
= + , (2.10)
𝜇𝑑 𝜇𝐿 𝜇𝐼

với 𝜇𝐿 là độ linh động trôi theo tán xạ tinh thể, và 𝜇𝐼 là độ linh động trôi theo tán
xạ tạp chất. Theo định nghĩa, ta có 𝜇𝐿 = 𝑒𝜏 𝑇 /𝑚𝑒 và 𝜇𝐼 = 𝑒𝜏𝐼 /𝑚𝑒 . Điện trở suất
hiệu dụng (tổng) 𝜌 của vật liệu là 1/𝑒𝑛𝜇𝑑 và ta có
1 1 1
𝜌= = + ,
𝑒𝑛𝜇𝑑 𝑒𝑛𝜇𝐿 𝑒𝑛𝜇𝐼

Biểu thức trên có thể viết lại như sau:

𝜌 = 𝜌𝑇 + 𝜌𝐼 , (2.11)
với 𝜌𝑇 = 1/𝑒𝑛𝜇𝐿 là điện trở suất do tán xạ tinh thể và 𝜌𝐼 = 1/𝑒𝑛𝜇𝐼 là điện trở suất
do tán xạ tạp chất.

Kết quả ở biểu thức (2.11) cho thấy điện trở suất hiêu dụng 𝜌 là tổng của 2
thành phần. Thành phần thứ nhất 𝜌𝑇 = 1/𝑒𝑛𝜇𝐿 là điện trở suất do tán xạ gây ra bởi
rung động nhiệt của các nguyên tử chủ. Đối với các tinh thể kim loại gần thuần
khiết thì đây là thành phần có đóng góp chủ yếu. Khi ta cho tạp chất vào thì sẽ phát
sinh thêm thành phần thứ hai 𝜌𝐼 = 1/𝑒𝑛𝜇𝐼 là điện trở suất do tán xạ gây ra bởi va
chạm của điện tử với các nguyên tử tạp chất. Thành phần thứ nhất phụ thuộc vào
nhiệt độ vì 𝜏 𝑇 ∝ 𝑇 −1 , còn thành phần thứ hai thì không.

Thời gian trung bình 𝜏𝐼 giữa các lần tán xạ do va chạm với nguyên tử tạp chất
phụ thuộc vào khoảng cách giữa các nguyên tử tạp chất và do đó phụ thuộc vào
mật độ của của các nguyên tử này (Hình 2.5). Nếu ℓ𝐼 là khoảng cách trung bình
giữa các nguyên tử tạp chất thì thời gian tự do trung bình giữa các va chạm chỉ với
tạp chất sẽ là 𝑙𝐼 /𝑢, không phụ thuộc vào nhiệt độ vì 𝑙𝐼 được xác định bởi mật độ
1
−
tạp chất 𝑁𝐼 (tức là ℓ𝐼 = 𝑁𝐼 ), và vận tốc trung bình của điện tử 𝑢 thi gần như
3

không đổi trong kim loại. Khi không có tạp chất, 𝜏𝐼 sẽ vô cùng lớn nên 𝜌𝐼 = 0.
Nguyên tắc tổng của các điện trở suất do các cơ chế tán xạ khác nhau như trong
biểu thức (2.11) được gọi là nguyên tắc Matthiessen.

Các điện tử có thể bị tán xạ bởi các nguyên nhân khác như do khiếm khuyết
tinh thể,… Các quá trình tán xạ này đều đóng góp vào điện trở suất của kim loại,
cũng như quá trình tán xạ do tạp chất. Chúng ta có thể viết biểu thức của điện trở
suất hiệu dụng của kim loại như sau

𝜌 = 𝜌𝑇 + 𝜌𝑅 , (2.12)

với 𝜌𝑅 được gọi là điện trở suất dư (residual resistivity) và phụ thuộc vào cơ chế
tán xạ điện tử bởi tạp chất, khiếm khuyết tinh thể,… (nghĩa là 𝜌𝑅 bao gồm cả 𝜌𝐼 ).
Điện trở suất dư rất ít phụ thuộc vào nhiệt độ, trong khi 𝜌𝑇 = 𝐴𝑇. Do đó, điện trở
suất hiệu dụng được biểu diễn như sau:

𝜌 ≈ 𝐴𝑇 + 𝐵, (2.13)

với 𝐴 và 𝐵 là các hằng số không phụ thuộc vào nhiệt độ.

 Biểu thức (2.13) cho thấy rằng, điện trở suất của kim loại thay đổi gần như
tuyến tính với nhiệt độ với 𝐴 và 𝐵 phụ thuộc vào bản chất của vật liệu. Thay vì đưa
ra bảng giá trị của 𝐴 và 𝐵, chúng ta thường sử dụng hệ số nhiệt (temperature
coefficient), liên quan đến sự thay đổi nhỏ và được chuẩn hóa quanh giá trị nhiệt độ
tham chiếu (reference temperature). Hệ số nhiệt của điện trở suất (temperature
coefficient of resistivity, viết tắt là TCR) 𝛼0 được xác định bởi sự biến thiên của
điện trở suất khi nhiệt độ tăng một đơn vị tại vị trí nhiệt độ tham chiếu 𝑇0 , nghĩa là
1 𝛿𝜌
𝛼0 = [ ] , (2.14)
𝜌0 𝛿𝑇 𝑇=𝑇0

với 𝜌0 là điện trở suất tại nhiệt độ tham chiếu 𝑇0 , thường là 273 𝐾 (0𝑜 𝐶) hoặc
293 𝐾 (20𝑜 𝐶), và 𝛿𝜌 = 𝜌 − 𝜌0 là sự biến thiên của điện trở suất do sự thay đổi
nhỏ của nhiệt độ 𝛿𝑇 = 𝑇 − 𝑇0 .

Nếu điện trở suất được xác định theo biểu thức 𝜌 ≈ 𝐴𝑇 + 𝐵 trong (2.13) thì
theo biểu thức (2.14) ta có 𝛼0 là hằng số trong khoảng nhiệt độ 𝑇0 đến 𝑇, và biểu
thức (2.14) được viết lại theo dạng thường gặp như sau

𝜌 = 𝜌0 [1 + 𝛼0 (𝑇 − 𝑇0 )]. (2.15)

Biểu thức (2.15) chỉ đúng khi 𝛼0 là hằng số trên khoảng nhiệt độ quan tâm,
thỏa mãn biểu thức (2.13). Điều này thường đúng trên một khoảng nhiệt độ giới
hạn. Lưu ý rằng, 𝛼0 phụ thuộc vào nhiệt độ tham chiếu 𝑇0 , cũng giống như 𝜌0 phụ
thuộc vào 𝑇0 .

Biểu thức 𝜌 = 𝐴𝑇 mà được sử dụng cho tinh thể kim loại thuần để tìm sự biến
thiên của điện trở suất theo nhiệt độ chỉ là gần đúng. Để xác định mức độ đúng của
biểu thức 𝜌 = 𝐴𝑇, ta đưa nó vào biểu thức (2.14) và thu được 𝛼0 = 𝑇0−1 . Nếu ta
1
lấy nhiệt độ tham chiếu 𝑇0 bằng 273 𝐾 (0𝑜 𝐶) thì 𝛼0 = 𝐾; nói cách khác, biểu
273
thức (2.15) tương đương với 𝜌 = 𝐴𝑇.

Bảng 2.1 cho thấy rằng, 𝜌 ∝ 𝑇 là một xấp xỉ tương đối tốt đối với một số kim
loại thuần phổ biến như Cu, Al, Au,… nhưng lại cho kết quả kém đối với các chất
khác như Indium, Antimony, và các kim loại từ như sắt và niken.

Bảng 2.1. Điện trở suất, hệ số nhiệt 𝛼0 tại 273 𝐾 (0𝑜 𝐶) của các kim loại khác
nhau.
 Sự phụ thuộc vào nhiệt độ của điện trở suất của các kim loại khác nhau được
biểu diễn ở Hình 2.6. Có thể thấy rằng, ngoại trừ các vật liệu từ như sắt và niken,
mối quan hệ tuyến tính 𝜌 ∝ 𝑇 có thể được áp dụng gần đúng cho nhiều kim loại
thuần cho đến nhiệt độ nóng chảy (melting temperature). Lưu ý rằng, đối với hợp
kim như Ni-Cr, điện trở suất phụ thuộc chủ yếu vào điện trở suất dư nên điện trở
suất gần như không phụ thuộc vào nhiệt độ, tương ứng với hệ số nhiệt TCR nhỏ.
 2000
Inconel-825
NiCr Heating Wire
1000
Iron
Tungsten
Resistivity (n m) Monel-400

T

Tin
100 Platinum
Copper
Nickel

Silver

10
100 1000 10000
Temperature (K)

Hình 2.6. Sự phụofthuộc

The resistivity various điện trởassuất
của metals của các kim
a function loại khác nhau
of temperature vào nhiệt
above 0
𝑜
độ (trên
°C. Tin melts at 505 K whereas 0 𝐶).
nickel and iron go through a magnetic
to non-magnetic (Curie) transformations at about 627 K and 1043 K
Thông thường,The
respectively. sự phụ thuộc của
theoretical điện trở(suất
behavior vàoisnhiệt
 ~ T) shownđộ for
củareference.
kim loại thuần
được selectively
có thể[Data biểu diễn thực dưới dạng
nghiệmfrom
extracted varioussausources including sections in
Metals Handbook, 10th Edition, Volumes 𝑇 𝑛
2 and 3 (ASM, Metals
Park, Ohio, 1991)] 𝜌 = 𝜌0 [ ] , (2.16)
𝑇 0

với 𝜌0 là điện trở suất tại nhiệt độ tham chiếu 𝑇0 , và 𝑛 là hệ số phụ thuộc vào dữ
liệu thực nghiệm. Bảng 2.1 liệt kê một số giá trị 𝑛 thường gặp đối với các kim loại
thuần ở nhiệt độ trên 0𝑜 𝐶. Có thể thấy rằng, đối với cac kim loại không có từ tính
thì 𝑛 gần bằng 1, trong khi đối với các kim loại từ như sắt và niken thì 𝑛 gần bằng
2. Đối với sắt, điện tử dẫn không chỉ tán xạ bởi rung động của nguyên tử mà còn
do tương tác từ với các ion sắt trong mạng tinh thể, dẫn đến sự phụ thuộc vào nhiệt
độ phức tạp.
 Mặc dù các phân tích đưa ra mối quan hệ tuyến tính 𝜌 = 𝐴𝑇 + 𝐵 đối với điện
trở suất nhưng nó không đúng trong thực tế, ví dụ như đối với đồng (Hình 2.7).
Khi nhiệt độ giảm, thường dưới ~100 𝐾 đối với nhiều kim loại, giả thuyết các
nguyên tử rung động với tần số không đổi là không đúng. Thật vậy, số lượng
nguyên tử rung động với năng lượng đủ lớn để tán xạ điện tử dẫn bắt đầu giảm
nhanh chóng khi nhiệt độ giảm nên điện trở suất do tán xạ bởi rung động nhiệt trở
nên phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ. Thời gian tự do trung bình 𝜏 = 1/𝑆𝑢𝑁𝑠 trở nên
lớn hơn và phụ thuộc vào nhiệt độ mạnh hơn, dẫn đến điện trở suất nhỏ hơn so với
mối quan hệ 𝜌 ∝ 𝑇. Phân tích đầy đủ chỉ ra rằng 𝜌 ∝ 𝑇 5 . Do đó, tại nhiệt độ thấp
nhất, theo nguyên tắc Matthiessen, điện trở suất trở thành 𝜌 = 𝐷𝑇 5 + 𝜌𝑅 với 𝐷 là
hằng số. Do độ dốc của 𝜌 theo 𝑇 được xác định bởi 𝑑𝜌⁄𝑑𝑇 = 5𝐷𝑇 4 tiến đến 0 khi
𝑇 rất nhỏ nên ta có 𝜌 tiến về 𝜌𝑅 khi 𝑇 tiến tới 0 𝐾. Do đó, tại các nhiệt độ thấp
nhất, điện trở suất bị giới hạn bởi sự tán xạ do tạp chất và khiếm khuyết tinh thể.
100
T
10
Resistivity(n m)

 (n m)
0.1 3.5
3 T
  T5 2.5
0.01
2

0.001
1.5   T5
1
0.5  = R
 = R
0.0001 0
0 20 40 60 80 100
T (K)
0.00001
10 100 1000 10000
Temperature(K)

Hình 2.7. Sự thay đổi điện trở suất của đồng từ các nhiệt độ thấp nhất đến cao
The resistivity of copper from lowest to highest temperatures (near
nhất (gần nhiệt độ nóng chảy 1358 𝐾). Đồ thị dạng log-log.
melting temperature, 1358 K) on a log-log plot. Above about 100 K,
  T, whereas at low temperatures,   T 5 and at the lowest
temperatures  approaches the residual resistivity R . The inset
shows the  vs. T behavior below 100 K on a linear plot ( R is too
small on this scale).
Protect pdf from copying with Online-PDF-No-Copy.com