메모리반도체

메모리 반도체(d 램 낸드플래시 산업 분석)

1 메모리 반도체

메모리 반도체 종류와

특징
메모
리 반도체 메모리 반도체는 정보를
종류 저장하는 데 사용되는
반도체이며 크게 RAM
(Random Access
Memory), ROM (Read Only
R Memory)로 나뉜다.
AM
반도체 RAM 반도체는
특징 프로그램이 실행되는 동안
필요한 정보를 저장하는
컴퓨터 메모리이다. 전원이
꺼지면 정보가 사라지기
때문에 휘발성의 특징을
R 가지고 있다. 데이터 속도가
AM 빨라 주로 CPU 와 하드
반도체 디스크 사이에서 정보를
특징 처리해주는 역할을 한다.
RAM 반도체는 DRAM
(Dynamic Random Access
Memory)과 SRAM (Static
Random Access Memory)
으로 나뉜다.

RAM 반도체는 전력이

공급되지 않아도 정보가
사라지지 않는 반도체이며
비휘발성 특성과 삭제나
수정이 어려운 특징을
가진다. 낸드플래시가
대표적이며 DRAM 반도체
DRAM
보다 속도는 현저히
반도체의
느리지만 저장 용량에서
구성요소
 이점이 있다.

DRAM 반도체 특징

DRAM 반도체와 SRAM 반도체

DDR (Double Data Rate)
DRAM 반도체는 저장된 정보가 시간이 흐름에 따라 소멸되는 반도체이다. DRAM 1 개의
셀에는 트랜지스터 1 개와 커패시터 1 개로 구성된다.
트랜지스터: 전류의 흐름과 차단을 조절하는 소자(일종의 스위치 역할)
커패시터: 전하를 저장하는 소자(일종의 그릇 역할)
SRAM 구성요소 및 특징
DRAM 반도체 단위 면적 당 셀의 수가 많을수록 효율이 올라간다. 즉, 회로를 구성하는
트랜지스터의 간격을 줄이면 웨이퍼 하나 당 셀의 수를 늘릴 수 있다. DRAM 반도체는 크기가
크고 데이터 처리 속도가 빨라 컴퓨터의 메인 메모리, 그래픽 메모리, 스마트폰 등에서 쓰인다.
시장 조사 업체 옴디아에 따르면 DRAM 반도체 시장은 2023 년 기준 약 416 억 달러가
예상된다.
‘
DDR 은 기존 DRAM 이 CPU 의 한 번 클럭에 데이터를 한 번 전송했던 것과 다르게 데이터를
두 번 전송하는 기술이다. DDR 버전이 올라갈수록 속도는 향상되고 소비 전력을 감소되고
있다.

SRAM 반도체는 전원을 공급하는 한 데이터를 유지하는 반도체이다. 회로가 복잡해

집적도가 낮고 값이 비싸 대용량으로 만들기에 어렵기 때문에 소용량 메모리나
캐시메모리에 주로 사용된다. 비트 하나 당 트랜지스터 6 개가 사용된다.

구성요소

단점과 장점

낸드 플래시

낸드플래시가 구조적으로 디램과 구분되는 가장 큰 차이점은 게이트(Gate)가 2 개다. MOS

형 트랜지스터(Tr)는 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트 총 3 개의 단자로 구성된다. 그 중
게이트 단자가 1 개이면 DRAM, 2 개이면 낸드 플래시가 되는 것이다. 낸드 플래시의 추가된
게이트 단자는 부유 게이트, 즉 플로팅 게이트(Floating Gate)라고 부른다.

게이트에 전하가 가하면 이 전하는 전자가 절연층을 통해 플로팅 게이트로 흐르게 하여

 효과적으로 데이터를 저장한다. 그렇기 때문에 데이터 저장 용량이 크고 전원이 꺼져도
데이터가 사라지지 않는 비휘발성의 이점과 속도는 느리다는 단점을 가지고 있다.

반도체 시장 분석
DRAM 반도체
DRAM 반도체 시장은 3 개의 기업이 독점하고 있다. 아래 표에서 볼 수 있듯이 22 년 12 월
기준 DRAM 시장 점유율이 삼성전자 45.1%, sk 하이닉스 27.7%, 마이크론 23%로 나타난다.
3 개의 기업이 독점하고 있는 이유는 2 차례에 걸친 치킨 게임 때문이다.
2007 년 대만의 반도체 기업이 생산량을 증가시켰고 2008 년에 금융위기가 찾아오면서
일본 기업 키몬다가 파산했다. 2010 년 다시 대만과 일본 기업이 생산량을 증가시키면서 sk
텔레콤이 하이닉스를 인수하고 마이크론이 엘피다를 인수하면서 3 개의 기업이 DARM 시장을
독점하기 시작했다. 이처럼 반도체 시장은 수요와 공급이 반도체 가격에 큰 영향을 주는 사이클
시장이다. 따라서 현재 남아있는 세 개의 기업은 각각 생산성을 높여 생산 단가를 낮추는데
초점을 두고 있다.

삼성전자 기술력

낸드플래시
낸드 플래시 시장은 스마트폰, 태블릿 PC, 기타 멀티미디어 가전 등에서 사용되는
플래시카드와 USB 드라이브, SSD 와 같은 정보저장장치(Storage Devices)로 사용되고 있다.
현재 5 가지 유형의 NAND 플래시 메모리 저장 장치가 있으며 각 유형 간의 차이점은 각 셀이
저장할 수 있는 비트 수이다. 각 셀은 데이터를 저장할 수 있는데, SLC NAND 의 경우 셀당 1
삼성전자 DRAM 매출 비중 비트를 저장하고, MLC 의 경우 셀당 2 비트를 저장하며, TLC 의 경우 셀당 3 비트를 저장하고,
QLC 의 경우 셀당 4 비트를 저장하며, 그리고 PLC 의 경우 셀당 5 비트를 저장합니다. 따라서,
SLC NAND 는 각 셀에 “0” 또는 “1”을 저장하고, MLC NAND 는 각 셀에 “00”, “01”, “10” 또는
“11” 등을 저장한다. 이러한 다섯 가지 유형의 NAND 는 다양한 가격으로 다양한 수준의 성능과
내구성 특징을 제공하며 이 중에서 SLC 는 가장 저렴하고 용량이 크다는 장점을 가지고 있다.

3D 낸드플래시
3D NAND 에는 다수의 메모리 셀 층이 수직으로 쌓여 층 간에 상호연결되어 있다. 수직으로
쌓인 다수의 메모리 셀 층은 큰 저장 용량을 생성하면서도 적은 공간을 차지하고 전체적으로 각
메모리 셀 간 연결이 짧아짐으로 인해 성능이 높아진다. 이는 또한 2D NAND 에 비해 바이트당
비용이 적다는 이점이 있다. 3D NAND 플래시 장치는 MLC, TLC 또는 QLC 설계를 활용할 수
있다.

위와 같은 기술로 지난 몇 년간 낸드플래시 가격이 떨어지면서 이를 사용해 만드는 SSD 의

 가격 또한 떨어졌다. SSD 는 기존에 비싼 가격으로 높은 성능을 요구하는 서버 응용 분야에만
적합했지만 가격이 하락하면서 민간 부문에서도 사용되기 시작했다. 서버용 SSD 시장 또한
이에 힘입어 지속적으로 성장할 것으로 예측된다.
SSD: 기존 하드디스크와 달리 반도체를 이용한 저장 매체로 소음이 적고 데이터를 읽는 속도가
빠르며 전력도 적게 듬

심텍 주요 제품

삼성전자
세계 최초 Multi-step EUV 가 적용된 DRAM 양산 체계를 선제적으로 갖추었고, 8 세대 V-
NAND 등 선단 제품 라인업 확보로 원가 경쟁력을 높이고 있다.

EUV 첨단 공정 기술: 기존 193 nm 보다 향상된 13.5 nm 의 미세한 파장을 적용

강점
메모리는 동일한 크기 내에 더 많은 용량을 저장가능
정밀도를 높여 공정시간 감소

8 세대 V-NAND: 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)의 고용량제품으로, 웨이퍼당 비트

주요 고객사
집적도가 이전 세대 보다 대폭 향상
SSD 부문에서는 5 나노 기반 신규 컨트롤러를 탑재한 PC 용 고성능 NVMe SSD ‘PM9C1a’
를 양산 시작
NVMe SSD ‘PM9C1a: PC 용 고성능 SSD. 기존 제품보다 전력 효율이 최대 70% 증가하고
매출액 및 비중
데이터 읽기 속도가 1.6 배 증가함

삼성전자의 반도체 사업 부문은 매출의 약 32.6%를 차지한다. 아래 표를 통해 메모리 반도체

매출이 약 70%를 차지하는 것을 볼 수 있다.
 티에스이 주요제품

강점

주요 고객사

매출액 및 비중

출처: 전자공시 삼성전자 사업보고서

Sk 하이닉스
지난 2022 년 11 월 SK 하이닉스는 8.5Gbps 동작 속도와 함께 세계 최저 구동 전력인
1.01~1.12V 를 구현한 모바일용 D 램 LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X)를
출시했다. 이에 HKMG 공정이 사용되었으며 생산성을 높이는데 높은 기여를 했다.

HKMG 공정 도입: 트랜지스터 게이트에 누설 전류를 차단하는 절연체 물질을 High-k

물질로 변경하고 전자 이동속도를 빠르게 하는 gate 물질을 metal
물질로 변경해 빠른 속도를 구현하고 전력을 최소화함(이전 세대
대비 속도 33% 향상, 전력 21% 감소)

유진테크 주요 제품

출처: 전자공시 sk 하이닉스 사업보고서

강점

고객사

마이크론

매출 및 비중
출처: 트렌드 포스

반도체 시장을 예측하는데 3 가지 지표를 사용할 수 있다. 글로벌 유동성 증감률, 미국 ISM

제조업 지수이다.

글로벌 유동성 증감률

아래 표에서 볼 수 있듯이 글로벌 유동성과 반도체 기업의 PBR 이 같이 움직이는 것을 볼 수
있다. 글로벌 유동성 증감률 지표는 글로벌 시장에 얼만큼의 자본이 있는지를 나타내는
지표이다. 2022 년부터 연준을 비롯한 여러 중앙 은행이 기준 금리를 인상해 글로벌 유동성이
축소된 것을 볼 수 있다. 긴축 정책이 끝나고 글로벌 유동성이 회복기에 접어든다면 반도체 산업
또한 수요가 증가할 것을 예측할 수 있다.
미국 ISM 제조업 지수
미국 공급관리자협회(ISM)에서 하는 수많은 설문조사 중에서 경제 변동과 밀접한 관계가
있는 ‘신규주문, 생산, 고용, 원자재 배송속도, 재고’에 대한 설문조사 값을 종합해 PMI 지수라는
것을 만든다. 아래 표를 보면 ISM 제조업 지수와 반도체 기업의 PBR 이 함께 움직이는 것을 볼
수 있다. ISM 제조업 지수는 역사적으로 미국 정책 금리와 반비례한다. 긴축 정책이 끝나고
금리가 인하될 때 ISM 제조업 지수는 상승할 것이라 예측할 수 있다.
낸드플래시 시장 분석
DRAM 반도체 관련 기업

심텍

심텍의 주요 제품군은 DRAM 등의 메모리칩을 확장시켜주는 모듈 PCB 와 각종 반도체칩을

조립할때 사용되는 서브스트레이트 기판 등이 있다. .

모듈 PCB: 모듈 PCB 는 개인용 컴퓨터나 Server 등의 기억 용량을 확장시키기 위해 Memory

반도체 칩을 하나의 PCB 위에 여러 개를 고밀도 실장하여 Memory 용량을
확장시킨 제품

서브스트레이프 기판: 미세한 회로의 고밀도 기판으로 반도체의 전기적 신호를 메인보드에
연결하는 반도체패키징 공정의 핵심부품

설립 이래 집중해 왔던 반도체용 PCB 부문은 기술 장벽이 높은 산업이며, 심텍이 제조하는

모듈 PCB 와 서브스트레이트 기판 부문에서 유의미한 신규 업체의 진입이 없었던 바, 향후 경쟁
구도의 변동 가능성은 낮은 상황이다.

고객사로는 메모리 IC 기업인 삼성전자, sk 하이닉스, us dram maker 인텔 등이 있고

조립 및 패키징 기업인 ase, amkor 등이 있다.

출처: 전자공시시스템 심텍 사업보고서

티에스이

메모리 반도체 전공정이 완료된 웨이퍼를 테스트하는 데 쓰이는 핵심 부품인

probe card(소모품) 생산을 생산하고 후 공정 최종 검사단계에 쓰이는 interface
board 을 생산하는 기업이다.

수직계열화를 통해 복수의 관계회사로부터 필요한 부품, 자재 등을 공급받고 있다.

PCB(Printed Circuit Board, 인쇄회로기판)는 ㈜타이거일렉, 프로브 핀은 ㈜메가터치
등에서 공급받고 있으며, 디스플레이 구동칩(DDI)를 다루는 ㈜엘디티, 반도체 테스트
하우스를 담당하는 ㈜지엠테스트 등도 있다.

주요 고객사로는 삼성전자, sk 하이닉스가 있다.

출처: 전자공시시스템 티에스이 사업보고서

유진테크

반도체 장비 제조회사로 전공정의 웨이퍼 처리공정 중 박막형성재료를 화학반응에 의해

반도체기판(wafer)위에 박막을 형성하는 장비를 개발, 생산하는 기업이다.

유진테크의 BlueJay™(Single Thermal LPCVD 장비)와 Albatross™(Plasma 장비)는

경쟁사 대비 뛰어난 기술 경쟁력을 갖추고 있다. 전세계 반도체증착장비 시장에서
국내장비업체의 국산화율이 현저히 낮은 상황에서 세계 굴지의 반도체 소자업체의 검증을 받아
핵심장비로 사용되고 있다.

고객사로는 삼성전자, SK 하이닉스 등이 있다.

출처: 전자공시스템 유진테크 사업보고서

DRAM 반도체 시장 산업 분석