8


   

   
 (Transducer) %
%%
7 7 % %
(Heat and Temperature)
%%%%
%% %
%%% 7 7 7 7
7 % (Fahrenheit) 7 %
32 F 7% 212 F (Celsius) 7% 0 C %
100 C
TF = (9/5) (TC)+32
TC = (5/9)(TF-32)
% 8.1

-
- 7
- 7

K
0
273.15
373.15

F
-459.6
32
212

% : (% . 2537, 54)

C
-273.15
0
100

161

% %
%% %% %
%% % 7
-  (Bimetallic
Element)
- 
- 
- 
- 
% %
%% %
%
8.1
(Resistance Detector ; RTD)  8.1
 (Resistance Temperature Detectors; RTD)
 
 PP
R (Positive Temperature Coefficient; PTC)
 (Resistance Thermometers)

% 8.1
8.1.1 RTD %% %
% 0C %
% %
% %%%

162

% ^% RTD
% (sheath) %
% 0.5 2.5 7 RTD %

% %
% RTD
% 8.2 RTD %

 C

(
)//C

-
()
-
()
-
( )
- -
-
-

-190 540

25 % 0C

0.0039

-200 125
-18 125
-50 600

25 % 0C
25 % 0C
1000 % 0C

0.0039
0.0039
0.0039

-272 200
-75 120
0 120

27 % 0C
10 % 25C
100 % 20C

0.0037
0.0038
0.0067

% : (% . 2537, 58)
8.1.2 (Type of RTD) %%
% % 7
8.1.2.1  PT PT-10 ,
PT-100 , PT-1000 P  
P 
10 bird cage

163

  100  0 C (PT-100) DIN 43760

R = 0.00385 // C
R  + 0.00392 // C
8.1.2.2 P 
8.1.2.3 

8.1.2.4 
(Drift) P  
8.1.3
8.1.3.1 (Sensitivity) = 0.00385 /
C ( 0.004 /C)

P 100 
0.4 P 100 C

 8.2 
 : ( P. 2545, 147)

164

8.1.3.2 (Response Time)

  ( 
) P ( )
(sheath)
8.1.3.3 (Construction) 
 
() 
P  (sheath)

8.1.3.4 % (Signal Conditioning) %
 (0.4 %)   8.2 ()
P 
P 2 AD DC  
 P P


  8.2 () 
   8.2 () P
AD DC
P   8.4 ()

P P 

 

  P

8.1.3.5 % 
  I2R
 100 C 3 C 

165

103 C  3 C  P
  P 1 P 25 mW/ C
I2R 25 mW P 1 C
8.1.3.6 (Range) P
 100
C 650 C   180 C 300 C

 8.3 
 : ( P. 2545, 150)
8.1.4 RTD 7%
7 RTD l2R 7
RTD 7 C 7 1 mA %
% %7
% 7
% (Dissipation constant) RTD
% RTD %7 1 25mW/C
% l2R %7 RTD 25mW
1C % RTD
7%% %%
8.1.5
1. 
2.

166

3. 
(I2R)  
   
1C mW  1/10C mW P
  1 m/s
8.2
(Thermister) 
100
450,000 (1)
(2)
 
^% %
% 156 %% 1 C 7 %
RTD % RTD
%7 % %

% 8.4
R
  100C 
 
 
  P
P   P

167

P   
 7%
7 %
7 % % 7 7
7
7%
7%7% (Dissipation) %
%%
%7 %


%

% %%
% % 7%

(RS) %
7 (RS) %
% 8.5

% 8.5
% : ( 1. 2545, 30)
2 R

168

8.2.1 7
(sintering
dope) 7 %
7
8.2.2 % %%
%%
% 7
7 %
 8.3 


 25 C
B

 ,



- 100 C 450 C ( ) 0.5
100 M
1 k 10 M 
2000 K 5500 K
> 125 C
300 C 
600 C 
1 mW / K 
8 mW / K P
1 22
1 1

% : ( 7. 2545, 180)
 8.6 () 
P
 
 8.6 () 
 R

169

 R R
P  8.6 ()


Vs
VS
Rs

t oC

A
R

t oC

VS

()

t oC

()

()
t oC
VS

t oC

VS

()

()

 8.6
 : ( P. 2545, 184)
 8.6 () 
 
P
 8.6 () 

8.3
(Thermocouple) %
(Active transducer) % 8.4 7%
7% %%
%
% % %7

170

(Hot junction) % (Cold junction) %

%7 %
%

% 8.7
8.3.1 2
P
P  8.8

() 7

() %

() % % () %
% 8.8
% : ( 1. 2537, 151)

171

% 8.8 () 7 2
% 7 %
%% %
% %7 %7
%7
% 8.8 () %%
%% 7
7 %
% 8.8 () 7 %
% A B %
% % 8.4 ()
7 % A
B % %
% 8.8 ()
% %
% 7 %
% %%%
77 % 8.9

% 8.9 E, J, K R
% : ( 1. 2537, 152)

172

% 8.9
7 E, J,
K R %%
% 7 %
% J % 8.5 %
400 F 7 12 mV % 75 F
% 12 mV % 475 F (400F + 75
F = 475 F) %% % 75 F
% 75 F 7 %
%% %% 75 F 7
% % %
% 50 F 100 F
7%% 7 %
% 8.5 ()
2 4 % R2
R3 7 7 R1 R4 R1 R4
R3 %%
^ %%7 7
% 75 F R1 R2 7

% 7 75F %
7%%
% %% % R3
%%% 7 R3
R3 R2 R2 R3 %7
% %7 7
%% 0 %
% % 75 F R2 R3 7
%7 %
7

173

%
7%
7 7
% 8.4

B
R
S
J
K
T
E

C
F

 mV.

0 13.814
30%
32 3310
0 13.814
-6%
0 1820
-13%
-02.25 21.108

-50 1768 -60 3210

-10%
-0.236 18.698

-50 1768 -60 3210

-8.096 42.922
/
-210 760 -350 1400
-6.458 54.875
-210 1372 -450 2500
/
-270 400 -450 750
-6.258 20.869
/
/
-270 1000 -450 1830
-9.835 76.358
% % 7

% : (% . 2540, 12)
8.3.2 RTD %
7
% %
%

174

% 8.10 J
% : (% . 2537, 72)
J % 8.10 %%
(Iron) % (Constantans) %
% %7%
7 % 8.7 %
7 %
% %%
% 8.11 %% %
%7% 77
% %
% % 8.11

Tx
V

Tx

% 8.11
% : (% . 2537, 72)

175

(Tx)
(Tref.) %7% (Tx)
% % %
7% 0C 1 00C %7 7
RTD
7 % % 8.10
% 8.12
7 Tref. %
RTD %7

% 8.12
% : (% . 2537, 73)
%
% %
(Twistedpair) % 8.13 % %
% %
% %
%
(sheath)

%%
%

176

% 8.13 %
% : (% . 2537, 74)
8.4
% % % P N %
8.14 () % N % P
(Hole)

()

()

% 8.14 % P N %
% : (% . 2537, 75)
%% N %%
%% % 7%7 %
7% % P %
%% %%
% N %77 7%
% % 8.14 () % N 7%
%% 7%% % P
7 % % 7 %%
%7 7 %%7

177

% % %
% IC 50C
150 C % % 8.15

% 8.15
8.5  
RTD

RTD 

P  
(Solid-state) (Integrated Circuit, IC) 

(IC temperature sensor)

3
LM335, LM34 National Semiconductor AD590/AD592 Analog
Devices LM335 (temperature sensitive zener diode) LM335
% 8.16

TO-92

TO-46

% 8.16 LM335
% : ( . 2548, 41)

178

LM135/LM235/LM335
  8.5
 8.5 LM135/LM235LM335 temperature ranges

LM135
LM235
LM335

(C)
-55 +155
-40 +125
-40 +100

% : ( . 2548, 41)
LM34
 50 F +300 F
LM34  8.17 () 
50 mV 3 V P +5F +300F
  8.17 () P 
50 F 500 mV  +300F
3 V  8.17 () 8.17 ()

P
AD590 AD592
 8.17 AD590
55C +150C  0.5C  AD592
25C +105C

179

() P

() 

()

()
 8.17 LM34
% : ( . 2548, 45)

180

() P

()
 8.18 AD590/AD592
% : ( . 2548, 41)
8.6
%%
7
8.6.1 % %
7 7
%% %%
8.6.2 IC 7
% %
% 77

181

8.6.3 RTD %
RTD %% %%%
500 C %%
RTD %
% RTD
% % %
RTD
8.6.4 % RTD
7%
7%%
% %%
7 %
7 %
%%
% 8.6

-
-
-

RTD

IC
- %%
- -
- %%
-
%
-
-
-

2


-

% : (% . 2537, 77)

182

% 8.7

%
%
%%

RTD

-
-

-
7
7

IC
-
250 C
-

-
7
-

% : (% . 2537, 77)


    

  
 (Transducer)
1. (Resistance Detector ; RTD) 
RTD 
  0C RTD  (sheath) 

% %

183

2. 
100
450,000 2 R

3. (Thermocouple) %
(Active transducer) % 7%
%%
%%
4. % %
% P N % N %
P (Hole)
5.  
(IC temperature sensor)
3 LM335, LM34 National Semiconductor
AD590/AD592 Analog Devices LM335 (temperature sensitive zener diode)
LM335

6. %%
7
6.1 % %
7 7
%% %%
6.2 IC 7
% %
% 77
6.3 RTD %
RTD %% %%%
500 C %%
RTD %
% RTD

184

% % %
RTD
6.4 % RTD
7%
7%%
% %%
7 %
7 %
%%