Elektronika (konspekt)

Franciszek Goek (golek@ifd.uni.wroc.pl) www.pe.ifd.uni.wroc.pl

Wykad 07

Elementy aktywne, lampy elektronowe i tranzystory.

Lampy prniowe i tranzystory

Lampa trioda

Tranzystor jest elementem, ktry zmieniajc swoj oporno moe wzmacnia sygnay elektryczne w sprzcie audio albo jako tzw. 0-1 przecznik realizowa funkcje logiczne w obwodach cyfrowych. Znacznie wczeniej przed powstaniem tranzystora wynaleziono Lamp (J.A. Fleming 1904 dioda prniowa, Lee De Forest 1906 trioda prniowa, I. Langmiur 1912 - wysokoprniowe lampy radiowe). Poczynajc od lampy triody, zoonej z katody, anody oraz umieszczonej midzy nimi siatki, stao si moliwe sterowanie prdem anoda-katoda przy pomocy pola elektrycznego siatki i maego prdu siatka-katoda. Ten swoisty zawr (w ktrym potencja siatki przymyka prd anodowy) zapewni efekt wzmacniania sygnaw elektrycznych. Dla wielu badaczy efekt wzmocnienia sygnau sterujcego triod by inspiracj w pracach nad otrzymaniem tranzystora. www.angelfire.com/planet/funwithtransistors/Book CHAP-4A.html
www.daheiser.info/VTT/TEXT/vacuum%20tube%20characteristic%20equations.pdf

Wzmacnianie sygnaw elektrycznych na zasadzie dzielnika napicia zawierajcego jeden sterowalny, zmienny rezystor.
Rozwamy ukad szeregowo poczonych: sterowanego rezystora zmiennego Rz i rezystora staego odbiornika Ro poczonych z zasilaczem tak jak dzielnik napicia. Mamy tu

URo = Ro U/(Ro + Rz) napicie na Ro URz = Rz U/(Ro + Rz) napicie na Rz.

Przy zmianie Rz od wartoci Rz>>Ro do Rz <<Ro moc wydzielana w Ro zmieni si w przyblieniu od Pmin = 0 do Pmax = U2/Ro. Zatem impuls mocy wyjciowej wydzielanej w odbiorniku osignie warto Pwy Pmax = U2/Ro. Jeeli moc sygnau sterujcego Ps, ktry pokrci rezystorem Rz bya mniejsza od Pmax to otrzymalimy wzmocnienie sygnau KP = Pwy /Ps. Taki trick mona wykona zarwno przy pomocy lampy jak i tranzystora. Zdolno wpywania sygnau elektrycznego na inny sygna elektryczny to podstawowa cecha tzw. elementw aktywnych. Obecnie w ukadach elektronicznych elementy aktywne w postaci tranzystorw wystpuj wyjtkowo obficie.

Trioda jako element dzielnika napicia dajcego wzmocnienie sygnau elektrycznego. Dziki duej przeroczystoci siatki S wielokrotnie mniej

elektronw trafia w siatk ni zostaje przez ni przepuszczonych do anody co ju powodujc wzmocnienie prdowe. Z rodziny charakterystyk statycznych na poniszym rysunku wida, e US < Ua (8V<90V) co daje wzmocnienia napiciowe. Dodatkowo mamy: Ia>IS oraz Ia> IS co w rezultacie daje znaczne wzmocnienie mocy.

Ua Ia >> Ua IS

PRa >> PSterujce

http://ecclab.com/start.php3?ID=6.

Parametry lampy.
Oznaczenia: Ua - Napicie anodowe (wzgldem katody). Ia - Prd anodowy Us - Napicie siatka katoda, symbol maej zmiany (przyrostu), Ra - rezystor anodowy (obcienie).

ra (lub a) - dynamiczna rezystancja anodowa: ra = Ua/Ia przy staym napiciu siatki US gm - transkonduktancja (lub Sa - nachylenie charakterystyki): gm = Ia/US przy staym napiciu anody Ua. (lub ka) - wspczynnik amplifikacji: = IUa/USI przy staym prdzie anodowym Ia. Wystpuje zwizek midzy wspczynnikiem amplifikacji , rezystancj dynamiczn anodow ra i transkonduktancj gm (nachyleniem charakterystyki Sa): = ra gm (lub ka= a Sa) Wzmocnienie napiciowe kU = Ra/( ra+Ra) kU = ka Ra/(a +Ra)

Zanim przejdziemy do omawiania tranzystora warto wspomnie oprcz triody, o takich lampach jak tetroda czy pentoda. Trioda jest lamp trjelektrodow i najprostsz zapewniajc efekt wzmocnienia. Poprawiajc charakterystyki wzmacniacza w lampie dodano drug siatk (o staym potencjale dodatnim) aby zmniejszy pojemno pasoytnicz midzy anod a siatk pierwsz sterujc tak powstaa tetroda. Tetroda miaa jednak powan wad polegajc na tym, e cz elektronw wtrnych, wybijanych z anody bya przechwytywana przez dodan siatk drug. Taki efekt, zwany dynatronowym, powodowa wklnicia na charakterystykach anodowych lampy (Ia=Ia(Ua)) a przez to powane znieksztacenia wzmacnianego sygnau. Aby tego unikn dodano jeszcze jedn, trzeci siatk tak powstaa pentoda. Siatka trzecia w pentodzie zwykle ma potencja zerowy (czyli jest zwarta z katod) i dziki temu stanowi barier dla elektronw wtrnych z anody. Elektrony wtrne s zawracane do anody i efekt dynatronowy tu nie wystpuje. Oprcz pentod z siatk zerow (antydynatronow) stosowane byy rwnie pentody z podwjnym sterowaniem, tzw. pentody mieszajce. W takich pentodach siatka trzecia bya drug siatk sterujc. Takie pentody mona byo stosowa w ukadach koincydencyjnych i antykoincydencyjnych jak rwnie do przemiany czstotliwoci (czy modulacji sygnaw w.cz.). Ich wad znowu bya dua pojemno midzy anod a siatk trzeci (S3) ograniczajc od gry czstotliwo sygnaw doprowadzanych do siatki S3. W heptodzie mamy dwie dodatkowe siatki ekranujce (S1 i S3 sterujce a S2 i S4 ekranujce albo S1 i S4 sterujce a S3 i S5 ekranujce z S2 jako specjalnej siatki-anody dla heterodyny lokalnego generatora).

TRANZYSTORY
W 1926r. Julius Lilienfeld (autor wielu patentw) opatentowa ide, e sabo przewodzcy materia umieszczany w polu elektrycznym bdzie zmienia swoje przewodnictwo pozwalajc na uzyskanie efektu wzmocnienia (i moe te efektu przeczenia). Poszukiwania realizacji tej idei trway wiele lat. Przemys telekomunikacyjny stosowa w tym czasie niedogodne lampy prniowe i przeczniki. Po wojnie w roku 1946 Mervin Kelly dyrektor laboratoriw Bella powoa grup badawcz dla opracowania staociaowych substytutw lamp i przecznikw. Czonkowie tej grupy w 1947 roku, wynaleli tranzystor ostrzowy a po kilku miesicach tranzystor zczowy. Tranzystory polowe, realizujce ide Lilienfelda, pojawiaj si od 1953 roku jako tranzystory typu JFET, i po 1960 roku jako tranzystory MOSFET. Ju w 1954 roku sprzedano 100 000 tranzystorowych radioodbiornikw a
laboratoria Bella wykonay komputer z 700 tranzystorami dla si powietrznych USA.

Tranzystor to wynalazek, ktry wywar i nadal wywiera wielki wpyw na czowieka i jego
otoczenie. Wynalezienie tranzystora byo jednym z wielu poytecznych wynikw szerokiego programu badawczego powiconego pprzewodnikom, w ktrym brali udzia fizycy, chemicy, metalurdzy i elektronicy. Wiele lat przed wynalezieniem tranzystora wiadomo byo, e przewodno pprzewodnika zmienia si pod wpywem temperatury oraz pod wpywem owietlenia (przewodno ronie z temperatur odwrotnie ni w metalach, przewodno ronie te przy owietlaniu). Oczywistym jest, e przewodno zaley od iloci nonikw adunku w jednostce objtoci oraz od ruchliwoci tych nonikw. Ruchliwo to stosunek prdkoci dryfu nonikw adunku vd w polu elektrycznym E do natenia tego pola. Ruchliwo nonikw adunku decyduje o szybkoci dziaania i przeczania tranzystorw. Wzrost temperatury obnia ruchliwo w metalach i pprzewodnikach ale gwatownie zwiksza iloci nonikw adunku i przewodno tylko w pprzewodnikach . Efekty te wyjania pasmowa teoria cia staych zapocztkowana przez A.H. Wilsona w 1931r. Ju na pocztku XX wieku jako odbiorczy ukad radiowy wykorzystywano, nie rozumiejc jego dziaania, detektor krysztaowy (inaczej dioda ostrzowa) w postaci zcza bardzo cienkiego drutu stalowego z krysztakiem galeny (PbS). Ukady z detektorem krysztaowym byy stopniowo wypierane przez ukady lampowe, a te ju w drugiej poowie XX wieku przez ukady tranzystorowe. Oczywicie to fizycy wynaleli tranzystor i fizycy znajduj kolejne jego udoskonalenia. William Bradford Shockley w roku 1938 rozpocz poszukiwanie sposobu zmiany detektora krystalicznego na wzmacniacz sygnau elektrycznego. Poszukiwania te przerwane przez wojn kontynuowa od roku 1945 kierujc grup, w ktrej byli midzy innymi Brattain i Bardin (wynalazcy tranzystora ostrzowego).

W budowie tego pierwszego tranzystora trudnym byo umieci dwa ostrza (emiter i kolektor) w odlegoci okoo 0,1 mm od siebie na czystej powierzchni krysztau Ge.

Nezwykle wanymi dla wynalezienia tranzystora byy: 1) W 1936 r. Mervin Kelly organizuje grup badawcz dla rozwoju urzdze elektronicznych na bazie cia staych (jak diody krystaliczne zamiast lamp prniowych). 2) Inna grupa powoana w 1946 r. przez M. Kellyego, ktrej kierownikiem zosta Bill Shockley decyduje aby zaj si najprostszymi pprzewodnikami: germanem i krzemem. 3) Bardeen i Brattain, na podstawie prac z Purdue University szybko orientuj si, e gwnym problemem uzyskania efektu polowego (zmiany opornoci wymuszane zewntrzym polem elektrycznym) s stany powierzcniowe.

Dziki tranzystorom moemy: 1) budowa ukady wzmacniajce iloczyn napicia i prdu czyli moc sygnau elektrycznego, 2) budowa przeczniki i ukady zerojedynkowe. Podobne moliwoci stwarzay lampy ale przy wikszych kosztach i stratach energii na grzanie katod. Ponadto dziki tranzystorom dokonuje si rewolucja, w ktrej dotychczasowy nonik informacji - papier zastpowany jest nonikami elektronicznymi i powstaje inteligencja z elektronicznymi mzgami i sensorami daleko bardziej sprawnymi od naszych biologicznych.

Tranzystory zczowe bipolarne

W nazwie sowo bipolarne bierze si z tego, e w mechanizmie dziaania takich tranzystorw istotn rol odgrywaj noniki adunku obu znakw. Tranzystory te skadaj si z dwch zczy pn, ktre razem stanowi ukad typu npn albo pnp. Takie ukady nazywamy odpowiednio tranzystorami typu npn lub pnp. W obu przypadkach rodkowa warstwa pprzewodnika, zwana baz B, jest bardzo cienka. Jej grubo jest porwnywalna ze redni drog swobodn nonikw adunku wstrzykiwanych do niej z emitera, tak aby zapewni sam efekt tranzystorowy polegajcy na przechwytywaniu tyche nonikw przez kolektor. Prd kolektora jest niemal rwny prdowi emitera. Tylko drobna cz nonikw (okoo 1%), ktre ulegn rekombinacji w cienkiej bazie stanowi prd bazy. Brzegowe warstwy tranzystora maj nazwy odpowiednio: emiter E i Kolektor C. Nazwa tranzystor pochodzi od angielskiego opisu efektu: TRANsferable reSISTOR, w ktrym rezystancja midzy kolektorem a emiterem moe by zmieniana przez sygna podany midzy baz a emiter.

Modele diodowe uatwiaj sprawdzenie i rozpoznanie tranzystora przy pomocy multimetru. Multimetry zwykle dysponuj funkcj dioda, ktra daje stay prd od zacisku czerwonego do tzw. wsplnego. Sprawdzajc t funkcj zcza BE i BC, stwierdzimy, e UCB < UBE co jest zgodne z faktem silniejszego domieszkowania emitera ni kolektora. Tranzystor poczony szeregowo swoimi zaciskami emitera i kolektora z opornikiem i wczony do zasilania napiciem UCC stanowi swoisty dzielnik napicia! Zcze BE jest polaryzowane sygnaem sterujcym. Otwierajc zcze BE powodujemy, e z emitera wprowadzane s mobilne noniki adunku w obszar cienkiej bazy a tym samym w poblie zcza BC. Okoo 99% tych nonikw jest porywane przez kolektor (rys. na nastpnym slajdzie). Tylko okoo 1% nonikw trafia w obszarze bazy na noniki przeciwnego znaku i rekombinuje z nimi. W tranzystorze npn elektrony wstrzyknite z emitera do bazy rekombinuj z dziurami nonikami wikszociowymi w bazie. Na miejsce kadej znikajcej dziury, w procesie rekombinacji, z zacisku bazy wchodzi nastpna dziura stanowic cz prdu bazy. Najprostszy model intuicyjny mwi, e sygnaem o maej amplitudzie mocy, za pomoc bazy (zaworu), dokonuje si zamykanie i otwieranie przepywu duego adunku (o duej amplitudzie mocy) midzy kolektorem i emiterem. Czasem tranzystor nazywany jest triod pprzewodnikow.

rdo sterujce zczem BE pracuje z maym prdem ale decyduje o prdzie o nateniu o dwa rzdy wielkoci wikszym w obwodzie emiter-kolektor-opornik-zasilacz duej mocy. Cech charakterystyczn tranzystora jest to, e prd kolektora IC jest proporcjonalny do prdu bazy IB. Stosunek st = IC/IB nazywa si statycznym (staoprdowym) wspczynnikiem wzmocnienia prdowego (inne oznaczenie: h21E = IC/ IB). Prd emitera rozgazia si na prd bazy i prd kolektora: IE = IC + IB. Zatem IE jest h21E+1 razy wikszy od IB.

Cieczowy model spolaryzowanego otwartego i zamknitego tranzystora npn

Modele tranzystora bipolarnego

Tranzystory bipolarne pracujce jako wzmacniacze traktuje si zwykle jako elementy sterowane prdowo (sterowane prdem bazy). Zatem modelem tranzystora bipolarnego, zalenie od ukadu w ktrym funkcjonuje, moe by rdo prdowe sterowane prdem (rys. a) albo rdo napiciowe sterowane prdem (rys. b). - jest wspczynnikiem proporcjonalnoci.

Modele tranzystora bipolarnego

Tranzystory bipolarne mog te pracowa jako elementy przeczajce (nieliniowe, on/off). Wtedy mona je traktowa jako przeczniki sterowane prdem (rys. a) albo przeczniki sterowane napiciem (rys. b).

Prosty model tranzystora mwi, e: I = I , gdzie 10<<1000.

C B

Kady tranzystor charakteryzuje si maksymalnymi (dopuszczalnymi) wartociami IC, IB i UCE. Wan wielkoci charakteryzujc tranzystor jest czstotliwo graniczna fT okrelana jako ta, przy ktrej wspczynnik wzmocnienia prdowego maleje do jednoci

Tzw. prosty model tranzystora jako wzmacniacza prdowego mwi, e z dobrym przyblieniem prd kolektora jest proporcjonalny do prdu bazy: IC = stIB (w rzeczywistoci zaley od: natenia prdu kolektora, napicia kolektor-emiter, temperatury, a nawet od egzemplarza tego samego typu tranzystora). Ponadto w modelu prostym przyjmujemy, e UBE = const. = 0.6V, tranzystor sterowany jest prdowo, IE=IC+IB=IB(1+ ). Gdy tranzystor pracuje jako wzmacniacz, zcze baza-emiter jest polaryzowane w kierunku przewodzenia. Bariera potencjau na tym zczu jest zredukowana. W efekcie mamy znaczny prd w elementach: emiter - bardzo cienka baza (rzdu m) kolektor. W obwodzie bazy pynie znikomy prd gdy prawie wszystkie noniki adunku wstrzykiwane z emitera do bazy szybko znajduj si w obszarze zcza baza-kolektor i tu s przyspieszane do kolektora. Dziki temu, e w cienkiej bazie prawdopodobiestwo rekombinacji i rozproszenia nonikw jest mae, okoo 99% prdu emitera przechwytuje kolektor. Pozostae okoo 1% prdu emitera stanowi prd w obwodzie bazy. O wzmocnieniu decyduje fakt, e mae amplitudy UB i IB powoduj due amplitudy UC i IC (bo IC = stIB a UC = RCIC). Czyli maa amplituda mocy w obwodzie bazy wywouje du (wzmocnion) amplitud mocy w obwodzie kolektora!

Przykad. Wyznaczy (poda wyraenie na) wzmocnienie napiciowe kU = Uo/Us. Najpierw wyznaczymy napicie wejciowe Uin z wiedzy o dzielniku napicia mamy: Uin = Usri/(ri + Rs) -> Uin = Usri/(ri + Rs) i to napicie te ulega podziaowi: Uo = Usri/(ri + Rs) Ro/(rw+Ro), W kocu; kU = Uo/Us = ri/(ri + Rs) Ro/(rw+Ro), Komentarz: z wyraenia na ku wida, e wzmocnienie ukadu jest mniejsze od (wzmocnienia samego tranzystora) i zaley od wzgldnej wartoci rezystancji wejciowej ri i rezystancji rda Rs oraz rezystancji obcienia i rezystancji wyjciowej. Wzmocnienie staje si bliskie wartoci gdy ri >> Rs i Ro >> rw.

Uproszczony model Ebersa-Molla mwi, e: IC = IS[exp(UBE/UT) 1]

Poprawniejszym modelem tranzystora bipolarnego jako elementu transkonduktancyjnego jest model Ebersa-Molla. W tym modelu wykorzystujemy zaleno prdu kolektora od napicia midzy baz a emiterem UBE: IC = IS[exp(UBE/UT) - 1] (jest to uproszczone rwnanie EbersaMolla, w dalszym uproszczeniu skadnik -1 jest pomijany gdy IC >> IS). gdzie: UT = kT/q (= 25.3mV w temperaturze pokojowej), IS prd wsteczny nasycenia zaleny od danego egzemplarza tranzystora i jego temperatury. Ta zaleno jest tak silna, e IC ronie o 9% przy wzrocie temperatury o 1C i niezmienionym napiciu UBE (pomimo tego,e UT = kT/q). Model Ebersa-Molla jest bardziej przydatny do opisu dynamiki przeczania tranzystora w elektronice cyfrowej (dwustanowej). Przy pomocy modelu E-M mona oszacowa niektre parametry tranzystora niezalene od typu.

Przykadowa rodzina charakterystyk tranzystora bipolarnego Efekt Earlyego:

niezerowy wpyw napicia UCE na prd kolektora przy staym napiciu UBE. Powoduje to odchylenia od idealnego rda prdowego. (UBE te zaley od UCE przy staym IC). UBE 0.0001UCE

Wida, e opr dynamiczny rE ma ma warto i gwnie zaley od natenia prdu IC. Zaleno rE od temperatury ukryta jest w wartoci UT.

Uwaga. W odrnieniu od opornikw czy kondensatorw zwanych dwjnikami,

tranzystory podobnie jak wiele ukadw (np. filtry) zaliczamy do czwrnikw. Dla czwrnikw wyrniamy dwie wielkoci wejciowe U1 i I1 oraz dwie wyjciowe: U2 i I2. Zauwamy, e przyoenie napicia do jakiego ukadu wymaga dwch zaciskw. Podobnie jest z odebraniem np. wzmocnionego napicia. Fakt ten w naturalny sposb przyczynia si do stosowania teorii czwrnikw w elektronice a w szczeglnoci do opisu wzmacniaczy. Symbol: h21E to wanie element tzw. macierzy He.

Proste ukady tranzystorowe

rdo prdowe Negator Wycznik arwki

Suma napi: staego 5.6 V i spadku napicia na RE polaryzuj zcze BE. Zatem RE realizuje tzw. ujemne sprzenie zwrotne stabilizujce prd obcienia.

5V na we. daje 0.3 V na wy. Za poniej 0.6V na we. daje 5V na wy.

W przeczniku mamy prd o dwa rzdy wielkoci mniejszy od prdu arwki. Oszczdzamy przecznik.

Charakterystyka przejciowa tranzystora IC=IC(UBE) --> Charakterystyka przejciowa ukadu Uwy = Uwy(Uwe).

Rodzina charakterystyk wyjciowych tranzystora bipolarnego npn i ograniczenie wyboru obcienia RC. Prosta obcienia IC = (UCC - UCE)/RC powinna lee poniej hiperboli Pmax = ICUCE . linia odcicia oba zcza nie przewodz. Linia nasycenia gwatowny spadek wsp. i utrata liniowoci przy minimalnym napiciu UCE.

Parametry i charakterystyki tranzystorw bipolarnych Od wspczynnika st naley odrnia wspczynnik maosygnaowy . = IC/ IB przy UCE = const. natomiast st = IC/IB Gdy tranzystor pracuje z maymi sygnaami, np. w ukadzie wzmacniacza liniowego wwczas charakterystyki w otoczeniu punktu pracy mog by zastpione stycznymi, zwanymi parametrami maosygnaowymi lub rniczkowymi. Oto kilka przykadw: 1. Transkonduktancja: gm = IC/ UBE. (w przyblieniu gm= IC/UT=IC/25mV, dla IC=2,5mA gm 0,1S). 2. Rniczkowa (dynamiczna) rezystancja wyjciowa: rCE = UCE/ IC przy UBE = const. 3. Rniczkowa (dynamiczna) rezystancja wejciowa: rBE = UBE/ IB przy UCE = const.

Wzmacniacze Wzmacniacze s urzdzeniami, w ktrych energia ze rde zasilania (zasilaczy) jest zamieniana na energi sygnau wyjciowego przy pomocy sygnau sterujcego. Zwykle do wejcia wzmacniacza podawana jest suma skadowej staej i skadowej zmiennej: u(t) = U0 + UZMIeNNE, i(t) = I0 + IZMIENNE. Skadowa zmienna jako sygna wzmacniany zwykle jest znacznie mniejsza od skadowej staej. Skadowa staa peni tylko rol pomocnicz wyznaczajc punkt pracy wzmacniacza tranzystorowego. Wyrniamy trzy typy wzmacniaczy: WE, WB WK. Wzmacniacz o wsplnym emiterze (WE) jest dzielnikiem napicia utworzonym przez impedancj obcienia i sterowan (a zatem zmieniajc si) impedancj tranzystora midzy kolektorem a emiterem. Wyraenie : wsplny emiter oznacza, e emiter jest wspln dla wejcia i dla wyjcia (uziemion) elektrod tranzystora. Sygnaem wyjciowym (wzmocnionym) jest napicie i prd kolektora. Zmienna skadowa napicia kolektora (okrelanego wzgldem zerowego potencjau masy i uziemionego emitera) ma faz przeciwn (tj. odwrcon o 180o) do fazy sygnau sterujcego - wejciowego. Wzrostowi potencjau na bazie (dodatnia amplituda skadowej zmiennej sygnau sterujcego uBE) odpowiada zmniejszenie impedancji tranzystora i napicia na kolektorze uCE. Wzmocnienie prdowe wynosi h21E = . Przy znacznym wzmocnieniu napiciowym (zalenym od obcienia) wzmocnienie mocy jest rzdu 2.

Wzmacniacz o wsplnym kolektorze (WK). Ukady WK czsto zwane s wtrnikami emiterowymi. Kolektor jest tu elektrod wsplna dla skadowych zmiennych poniewa jest zwarty z ziemia poprzez du pojemno zasilacza (stao napicia UCC). To znaczy, e na kolektorze jest tylko stay potencja brak skadowej zmiennej. Obcienie znajduje si midzy emiterem a ziemi i wraz z tranzystorem stanowi dzielnik napicia. Istotne jest, e ten ukad nie odwraca fazy, powtarza zmiany napicia wejciowego i powiksza prd wejciowy -razy (wzmocnienie mocy te wynosi ). Brak wzmocnienia napiciowego (Uwy/Uwe jest o wos mniejsze od 1 bo rE nie jest = 0) wyjania nazw: wtrnik emiterowy ukad powtarza napicie zmienne. Potencja na bazie jest cay czas wikszy od potencjau na emiterze o okoo 0.6 V (0.6 do 0.7 V) poniewa tranzystor jest cay czas otwarty. Zatem potencja emitera wdruje za potencjaem bazy cay czas bdc przesunitym o 0.6 V potrzebne do otwarcia zcza BE. Poniewa UBE=Uwe-URobc mamy do czynienia z ujemnym sprzeniem zwrotnym redukujcym wzmocnienie napiciowe. Bardzo wanym jest, e Rwe = Robc, gdy prd wyjciowy jest -krotnie wikszy od prdu wejciowego. Dziki temu ukad WK jest swoistym transformatorem impedancji i pozwala na dopasowanie maej impedancji obcienia do duej impedancji rda sygnau sterujcego (wzmacnianego prdowo).

Wzmacniacz o wsplnej bazie WB. W tym ukadzie potencja bazy jest stay a sygnaem sterujcym (wzmacnianym) zmieniany jest potencja emitera. Ukad ten nie zmienia fazy sygnau wzmacnianego przy niskich czstotliwociach. Tj. wyjciowy sygna ma faz zgodn z sygnaem wejciowym. Wzmocnienie prdowe wynosi prawie 1 (jest okoo 1% mniejsze od 1). Wzmocnienie napiciowe jest due i zaley od RC. Istotn zalet tego ukadu jest maa pojemno (pasoytnicza) Cwe-wy = CEC, ktra faworyzuje go przy wzmacnianiu sygnaw o wysokich czstotliwociach. Wad jest maa rezystancja wejciowa (IE jest + 1 razy wikszy od IB). Ukad ten majc du impedancj wyjciow moe dopasowywa (przeciwnie do ukadu WK) du impedancj obcienia do maej impedancji rda.

Uwaga. Przy doborze tranzystora katalogowa graniczna czstotliwo

tranzystora ft powinna by okoo 100 razy wiksza ni przewidywana granica pasma przenoszenia wzmacniacza WE. W przypadku wzmacniaczy WK i WB wymagania s znacznie mniejsze i ft moe by nawet porwnywalna z fg.

Wzmacniacz o wsplnym emiterze (WE).

Rezystory R1 i R2 stanowi dzielnik napicia zapewniajcy spoczynkowy punkt pracy ukadu (okrelaj potencja bazy). C1 i C3 s pojemnociami sprzgajcymi przekazujcymi tylko skadow zmienn sygnau pomidzy kolejnymi stopniami ukadu. C1 jest kondensatorem wejciowym a C3 wyjciowym dla naszego ukadu. RE i CE zapewniaj silne ujemne sprzenie zwrotna dla najniszych czstotliwoci stabilizujc tym sposobem prac ukadu. RC jest opornikiem kolektora na ktrym odkada si zmienny spadek napicia o amplitudzie wielokrotnie wikszej (efekt wzmocnienia) od amplitudy sygnau podawanego na baz. Faza tego sygnau jest przesunita o 180o (bo wyszy potencja na bazie wymusza wikszy prd kolektora i przez to wikszy spadek U na RC i niszy potencja na kolektorze). Przed wykonaniem wzmacniacza naley wybra tranzystor i pozna jego parametry z odpowiedniego katalogu. Znajc parametry dobieramy wartoci Ucc i Ic (Ic = Ispoczynkowe).
Rc dobieramy tak aby Ic Rc = Ucc/2. RE dobieramy tak aby Ic RE = okoo 1V (dla stabilnoci temperaturowej). R1 i R2 dobieramy tak aby: UB=VE+0,6V 1,6V oraz RT (R Thevenina) tego dzielnika nie bya wiksza od 0,1 Rwe tj. RT < 0,1RE. czyli R1 0,1RE. O doborze pojemnoci decyduje pasmo czstotliwoci wzmacnianych sygnaw.

Efekt Millera
Polega na tym, e pojemno midzy wejciem a wyjciem dowolnego odwracajcego faz wzmacniacza jest elementem ujemnego sprzenia zwrotnego. Takie pojemnociowe ujemne sprzenie zwrotne osabia, a dla wyszych czstotliwoci nawet eliminuje wzmocnienie. We wzmacniaczu o wsplnym emiterze pojemno CCB osabia wzmocnienie w takim stopniu jak pojemno wejciowa o wartoci: Cwej. = CCB(1+kU) (ktra z opornoci wewntrzn rda stanowi filtr dolnoprzepustowy).

Sposoby eliminacji efektu Millera

Jednowejciowy wzmacniacz rnicowy

Elektronika lista zada 07

1) Oblicz wzmocnienie napiciowe kU ukadu przedstawionego na rys. wiedzc, e Rs = 1 , ri = 24 , rw = 100 , Ro = 5 k a = 250. 2. Wiedzc, e woltomierze pokazay napicia: V1 = 2 V, V2 = 1,3 V i V3 = 8 V. Oblicz warto wzmocnienia prdowego . 3. Oblicz spoczynkowe wartoci IB, IC, UCE. Dane: =100, R1 = 100 k, R2 = 50 k, RC = 5 k, RE = 3k, UCC = 15 V, UBE = 0,7 V.

dane triody: a = 200 , a = 100 oraz warto Ra = 1,8 k oblicz wzmocnienie napiciowe ukadu kU:
4. Majc