U v o d

Rec laser je akronim od light amplification by stimulated emission of radiation (pojacanje svetlosti stimulisanom emisijom zracenja). Njegova bitna karakteristika, koja ga izdvaja od ostalih izvora svetlosti je emisija strogo definisanih (uzanih) snopova monohromatske svetlosti. Monohromatska svetlost je svetlost odredjene talasne duzine. Primena lasera je siroka, u razlicitim oblastima zivota, nauke. Posebnu grupaciju lasera cine poluprovodnicki laseri. Njihova znacajna primena je u obezbedjivanju monohromatske svetlosti koja prenosi informacije kroz opticka vlakna komunikacionih sistema. Funkcionisanje lasera bazirano je na kvantnomehanikom principu koji kae da kada foton interaguje sa elektronom postoji jednaka verovatnoa:

da e foton biti apsorbovan, a elektron pobuen na vii energetski nivo ili da e, ako je elektron ve pobuen, emisija drugog fotona biti stimulisana deeksitacijom elektrona iz pobuenog stanja u energetski nie stanje.

Po nacinu rada i tipu aktivne sredine laseri se mogu podeliti u cetri:

laser cvrsog stanja, tecni laser, gasni laser poluprovodnicki diodni laser.

Istorijat razvoja poluprovodnickih lasera

Ideja o poluprovodnickim laserima potekla je od strane ruskog naucnika N.Basova 1957 godine.Vec krajem 1962 godine, na predlog Basova i Dumkea , naucnici u cetri americke laboratorije nezavisno demonstriraju svoje verzije poluprovodnickih lasera:

Dr.Robert N.Hol-Istrazivacki razvojni centar Deneral Elektrik /Njujork/ Dr.Nik Holonjak ,mladji-Industrijski centar Deneral Elektrik , /Sirakuza-Njujork/ Dr. Marsal Nejtan -IBM Istrayivacka laboratorija /Jorktaun Hajts-Njujork/ Dr.Robert Rediker-MIT Linkoln Laboratorija /Leksington-Masacusets/ Prvi poluprovodnicki laseri su radili na niskim temperaturama u impulsnom rezimu, a vec naredne godine proizvedeni su za rad u kontinuelnom rezimu.Dalji razvoj i efikasniju emisiju inicirali su H.Kremer, Z.Alferov i R.Kazarinov predlogom o laserskim diodama sa heterostrukturom.Godine 1968. tim ruskog naucnika Alferova izveo je prvi impulsni laser

sa heterostrukturom a 1970. demonstriran je rad prvog kontinualnog poluprovodnickog lasera na sobnoj temperaturi. Laserske diode jos uvek nisu bile u prakticnoj primeni.Veliki broj otkrica bio je neophodan da bi poluprovodnicki laseri dostigli nivo na kome se danas nalaze. Hronologija vaznih otkrica:

1970.L.Esaki i R.Tsu: Prva quantum well struktura 1978.D.R.Skifers, Rad laserske diode GaAlAs/GaAs na sobnoj temperaturi ,bazirane na quantum well strukturi. 1979. H.Soda ,Povrsinsko emitujuca (surface-emitting) laserska dioda 1981.F.Kojama, Laserske diode sa distribuiranim Bragovim reflektorom GaInAsP/InP, emitovana talasna duzina 1.58 m. 1985.K.Iga: VCSEL (GaAlAs/GaAs) laser dioda ,rad u impulsnom rezimu na sobnoj temperaturi 1991.M.Hase:prvi kratkotrajni rad plavo zelene emitujuce laseske diode na principu II-VI poluprovodnika ZnSe 1996.S.Nakamura ,prvi efikasan plavo emitujucilaser pri radu na sobnoj temperaturi baziran na III-V grupe, GaN

Danas, poluprovodniki laseri predstavljaju praktino jednu od najbitnijih optoelektronikih naprava: Optike fiber komunkacije i optiko skladitenje podataka, a isto tako su iroko rasprostranjeni u niu aplikacija u mnogim oblastima. Ovaj uspeh je oekivan s obzirom na injenicu da se pumpanje poluprovodnikih lasera vri na taj nain to se proputa struja kroz njih na odgovarajuem naponskom nivou.

Princip rada poluprovodnickih lasera

Treba napomenuti da je ova vrsta lasera slicna LED diodama. Kao i kod LED dioda, struja direktno polarisanog P-N spoja prouzrokuje rekombinaciju viska (ili natkoncentracije np - npe) manjinskih nosilaca , sto dovodi do emisije svetlosti. Za razliku od svetlosti LED dioda (spontana emisija), svetlost dobijena laserom je monohromatska i rezultat je procesa stimulisane emisije. Neka P-N spoj emituje svetlost zbog struje direktne polarizacije. Ako se na krajeve P-N spoja postave ogledala, emitovana svetlost ce se reflektovati od njih, pri cemu ce svetlost u pravcu normalnom na ogledala postati dominantna. Znacajno je sledece: prisustvo ove svetlosti frekvencije povecace verovatnocu porasta broja manjinskih elektrona koji padaju sa provodne u valentnu zonu emitujuci svetlost iste frekvencije . Kako prisustvo novih fotona energije h izaziva dalji porast emisije svetlosti frekvencije , nastaje lancana reakcija, koja dovodi do stimulisane emisije svetlosti. Jasno, tokom stimulisane emisije upadni snop svetlosti malog

intenziteta prerasta u svetlosni snop velikog intenziteta, kao sto se vidi na slici. Ovo se zove opticko pojacanje.

Slk slika 1. Da bi se iskoristila ova generisana svetlost, jedno od ogledala se izradjuje kao polupropustljivo, tako da strogousmereni, monohromatski snop svetlosti moze da napusti komponentu. Da bi laser funkcionisao, jos jedan operacioni problem mora biti resen: koncentracija viska elektrona u provodnoj zoni mora da se odrzava na visokom nivou, inace posto fotoni napuste komponentu, visak elektrona ce biti utrosen, tako da ce generisanje svetlosti da prestane. Ovo se postize tako sto se struja direktne polarizacije odrzava iznad potrebnog nivoa (struja praga), tako da je koncentracija injektovanih manjinskoh nosilaca u oblast P-tipa dovoljno veca od ravnoteznog nivoa. Ovaj uslov je poznat kao inverzna populacija. U slucaju neravnoteze, koncentracije elektrona i supljina su izrazene preko dva odvojena kvazi-Fermijeva nivoa (EFN i EFP). Primer na slici ilustruje slucaj vrlo visoke koncentracije i elektrona i supljina, tako da i EFN i EF P zadiru u energetske zone. Pokazuje se da je za stimulisanu emisiju neophodno da se izbegne apsorpcija svetlosti. Da bi se odigrala stimulisana rekombinacija parova elektron-supljina, neophodno je sledece: 1. da postoje fotoni energije h , 2. da postoje elektroni na energetskom nivou E2 u provodnoj zoni i 3. da postoje supljine na nivou E1 u valentnoj zoni, pri cemu je E2-E1=h. Tada brzina stimulisane rekombinacije moze da se izrazi kao: Konacno, E FN E FP > h = E 2 E 1 .

Otuda, stimulisana emisija moze da nadjaca apsorpciju samo u slucaju jakih neravnoteznih koncentracija elektrona i supljina, tako da je razlika izmedju odgovarajucih kvazi-Fermijevih nivoa veca od energije emitovanih fotona.

TIPICNI HETEROSPOJNI LASER

Rekombinacija kod indirektnih poluprovodnika, kao sto je Si, ne dovodi do znacajne emisije svetlosti. Zato se poluprovodnicki laseri izradjuju od direktnih poluprovodnika, tipicno od III-V i II-VI poluprovodnickih jedinjenja. Osim toga, prakticno je nemoguce da se postignu uslovi (3.8) koriscenjem standardnog P-N spoja. Takodje, neophodno je da se ogranici emitovani snop svetlosti unutar aktivne oblasti lasera. Svi ovi zahtevi mogu biti ispunjeni koriscenjem struktura sa slojevima razlicitih III-V i/ili II/VI poluprovodnika. Spoj razlicitih poluprovodnickih materijala se zove heterospoj. Razliciti poluprovodnicki materijali imaju razlicite energetske procepe, tako da na heterospoju nastaje diskontinuitet energetskih zona, slicno kao na Si-SiO2 medjupovrsini. Ovi diskontinuiteti mogu da pomognu da se ostvari uslov E FN E FP > h = E 2 E 1 . Uz to, razliciti materijali imaju razlicite indekse prelamanja,sto na paralelnim medjupovrsinama moze da potpomogne totalnu refleksiju snopa svetlosti, tako da je svetlost ogranic~ena unutar aktivne oblasti. Za dobijanje heterospoja (nanosenje jednog poluprovodnckog materijala preko drugog) koristi se tehnoloski postupak koji se zove molecular beam epitaxy (epitaksija snopom molekula). Da bi se dobile medjupovrsine visokog kvaliteta, uzorci se tretiraju u komorama u kojima je ostvaren visoki vakuum, kroz koje se propustaju reaktivni gasovi. Pri tome, uzorci ostaju u komori, dok se gasovi menjaju, propustajuci se od jednog do drugog sloja.Izbor poluprovodnika koji ce emitovati svetlost (aktivnog sloja) zavisi od toga koja se frekvencija svetlosti zahteva. uobicajno se koriste sledeci materijali sa karakteristikama:

Na slici je prikazan laser sa GaAs kao aktivnim slojem. Ovo je primer tipicnog poluprovodnickog lasera. Da bi se ostvarili odgovarajuci diskontinuiteti energetskih zona neophodno je da sa obe strane aktivnog sloja budu slojevi sa sirim energetskim procepima. Kod ovog lasera u tu svrhu se koristi AlGaAs N- i P-tipa. Ovde ce se razmotriti N-AlGaAs/P-GaAs heterospoj. Ako je nivo dopiranja N-AlGaAs dovoljno visok, elektronski kvazi-Fermijev nivo (EFN) je dovoljno blizu dna provodne zone, tako da nastaje diskontinuitet provodne zone sa GaAs: dno provodne zone u GaAs se spusta ispod E FN . Analogno, diskontinuitet valentne zone na P-AlGaAs-P-GaAs heterospoju sme{ta EFP ispod vrha valentne zone. Ovo obezbedjuje uslove za inverznu populaciju kada se primeni odgovarajuci napon direktne polarizacije. Emitovana svetlost se reflektuje nazad i dalje ogledalskim povrsinama zahvataju}i dovoljno fotona da startuju stimulisanu emisiju. Fotone koji prodju kroz polupropustljivo ogledalo (koji, ustvari, predstavljaju laserski snop) zamenjuju novi elektroni i supljine, koje obezbedjuje laserska struja direktne polarizacije IF.

SLika 2. Diskontinuiteti provodne zone na oba heterospoja (N-AlGaAs-P-GaAs i P-GaAs-PAlGaAs) su vrlo znacajni. Oni kreiraju potencijalnu jamu koja zahvata manjinske nosioce (elektrone), tako da oni ne mogu da difunduju van aktivne oblasti. Ovo ogranicenje nosilaca je znacajno za odrzavanje inverzne populacije i maksimiziranje stimulisane rekombinacije i emisije svetlosti. S druge strane, ogranicenje svetlosti se ostvaruje zbog cinjenice da je indeks prelamanja AlGaAs manji nego indeks prelamanja GaAs. Sloj koji se nanosi preko GaAs, kao i sloj na koji se nanosi GaAs takodje formiraju heterospojeve sa susednim AlGaAs slojevima. Ovo, takodje, dovodi do diskontinuiteta energetskih zona. Medjutim, osiromaseni slojevi su uzani zbog visokog dopiranja, tako da ne predstavljaju prakticni problem za protok struje.

Slika 3.

ematski prikaz energetskih zona i strukture injekcionog poluprovodnikog lasera.

Glavna tekoa vezana za strukturu osnovnog injekcionog poluprovodnikog lasera je velika gustina struje praga potrebna za populacionu inverziju: ~ 105 A/cm2 na 300 K, odnosno ~ 103 A/cm2 na 77 K. Zato je on uglavnom bio korien na temperaturi tenog azota (77 K), pa i tada u impulsnom reimu (da bi izmeu impulsa bilo omogueno hlaenje). Znaajan napredak je postignut izradom poluprovodnikih injekcionih lasera na bazi viestrukih heterospojeva, omoguen novim tehnologijama izrade tankih slojeva, kao to je epitaksija molekularnim snopom (MBE). Kod lasera na bazi viestrukih heterospojeva, kao posledica razliitih vrednosti energetskih procepa na mestima heterospojeva, pojavljuju se razliite potencijalne barijere u provodnoj i valentnoj zoni. Pri direktnoj polarizaciji ove multiheterospojne laserske strukture dolazi do lokalizacije injektovanih nosilaca (elektrona i upljina) u okolini aktivne oblasti heterospojeva (irine 0,1 - 0,5 m), gde dolazi do rekombinacije nosilaca i emisije fotona. S obzirom da promena u indeksu prelamanja istovremeno vri lokalizaciju emitovanih fotona u ovoj aktivnoj oblasti (zbog totalne refleksije), to u toj oblasti postoji istovremeno visoka koncentracija elektrona, upljina i fotona. Zato ovde laserski efekat nastaje pri znatno nioj gustini struje (~ 500 A/cm2 na 300 K), to omoguava rad ovog lasera i u kontinualnom reimu, na sobnoj temperaturi.

Slika 4.

ematski prikaz strukture, indeksa prelamanja i energetskih zona injekcionog lasera na bazi Al1-xGaxAs heterospojeva. Pogodno dizajnirani laseri na bazi multiheterospojnih struktura imaju koherentnost zraenja ~ 101 nm, to je desetak puta bolje od osnovnih poluprovodnikih lasera, a u

rangu sa gasnim laserima. Ovo je posledica diskretne gustine stanja 2D elektronskog i upljinskog gasa u ovim strukturama. Sline prednosti imaju i laseri sa strukturom superreetke. Pobuivanje poluprovodnikih lasera vri struja koja tee kroz p-n spoj, odnosno kroz multislojnu strukturu napravljenu od legure sa odgovarajuim energetskim procepima. Za rad na talasnim duinama od oko 800 nm koristi se legura na bazi GaAs, u kombinaciji sa GaAlAs. To je materijal ije se energetski procep moe podeavati doziranjem aluminijuma, a time se ujedno odreuje i radna talasna duina. U podruju veih talasnih duina, do oko 1600 nm, koriste se viekomponentne legure na bazi GaAlAsP sa InP ka podlogom. Danas korieni spektar talasnih duina u optikim telekomunikacijama je mali deo infracrvenog dela spektra.

Primena poluprovodnickih lasera

Poluprovodniki (diodni) laseri, su danas u najiroj svakodnevnoj upotrebi Slika 5. To su laseri koji emituju kontinuirano zraenje, obino malih snaga (do 100 mV), najece u crvenom i infracrvenom delu spektra. Kao aktivni medij, a ujedno i rezonator koriste poluprovodniku ploicu (eng. chip) tipa GaAs, INP, gasbu ili Gan. Njihova iroka uporebu rezultat je masovne proizvodnje, zbog jednostavne tehnologije izrade i niske cene. Lasersko zraenje nastaje kao rezultat rekombinacije elektrona i upljina unutar poluprovodnika kada se na krajeve poluprovodnika dovede odgovarajuci napon. Karakterie ih visoka efikasnost konverzije elektrine u svetlosnu energiju. Nominalna bitni duina emisije (boja) definisana je tipom poluprovodnika, strujom koja prolazi kroz poluprovodnik i temperaturom.

Slika 5.

Poluprovodniki se laseri danas koriste kao itai CD-ova i DVD-ova, kao itai cena u svim prodavnicama, u laserskim printerima, kao laserski pokazivaima (engl. pointer), laserski instrumenti za merenje duine i kosine, u telekomunikacijama, itd. U naunim se laboratorijama oni koriste za eksperimente laserskog hlaenja molekula i stvaranja jednog novog stanja materije tzv. Bose-Einstainovog kondezata (BEC), Slika 6. BEC je najhladnije eksperimentalno izmereno stanje materije. BEC je najhladnije eksperimentalno izmereno stanje materije. Temperatura atoma koji ine BEC iznosi svega stotinjak nK. Atomi na tim temperaturama zaboravljaju na svoju individualnu svest i dobijaju novu, kolektivnu svest. U takvim se uslovima moe povuci analogija izmeu atoma i fotona, prvenstveno to se tie svojstva koherentnosti. U skladu sa tome naunici su izumeli atomski laser koji pokazuje sva svojstva fotonskog (svetlosnog) lasera. Upotreba atomskog lasera u holografija i interferometrija omogucila bi veliki korak prema osvajanju novih prirodnih prostranstava. Naime, zbog dualne prirode (de Broljova hipoteza), atomi se takoe ponaaju kao talasi ija je talasna duina mnogo kraca od talasne duine svetlosnih lasera. To bi u eksperimentima holografije znailo povecanje rezolucije do nanometarskih skala, odnosno u eksperimentima interferometrije povecanje osetljivosti instrumenta ime bi se direktno mogla testirati kvantna teorija.

Slika 6. Raspodjela atoma po brzinama ukazuje na stvaranje BEC-a