Professional Documents
Culture Documents
Dientusosld 2
Dientusosld 2
Dientusosld 2
Chương 5
nghịch 3 bit A
0
B
0
C
0
U/D’ A
0
B
0
C
1
0 0 1 0 1 0
• Mô tả bộ đếm và các 0 1 0 0 1 1
0 1 1 1 0 0
trạng thái 1
1 0 0 1 0 1
1 0 1 1 1 0
1 1 0 1 1 1
1 1 1 0 0 0
0 0 0 1 1 1
0 0 1 0 0 0
0 1 0 0 0 1
0 1 1 0 1 0
0
1 0 0 0 1 1
1 0 1 1 0 0
1 1 0 1 0 1
1 1 1 1 1 0
Ví dụ thiết kế: Bộ đếm
• Số Flip-Flop cần dùng là 3
• Giả sử ta chọn sử dụng JK Flip-Flop
• Khi đó, đáp ứng của các Flip-Flop được mô tả
như sau:
Xác định điều kiện kích thích
cho các Flip-Flop
• Để xác định điều kiện kích thích cho các Flip-Flop tuỳ
theo đáp ứng cần có ta sử dụng bảng sau:
• Với JK Flip-Flop, điều kiện kích thích tương ứng là:
S0: J = 0 và K = x S1: J = x và K = 0
T0: J = x và K = 1 T1: J = 1 và K = x
• Sai số tuyến
tính (tính phi
tuyến) của
đặc tính
truyền đạt
Biến đổi DAC
• DAC biến đổi mã nhị
phân ở lối vào thành tín
hiệu analog ở cửa ra
VOUT = N×VREF/2m ,
m là số bit của mã nhị
phân ở lối vào
• Các phương pháp biến
đổi
– Mạch phân áp
– Lưới điện trở có trọng số
– Lưới điện trở R-2R
DAC dùng mạch phân áp
• Điện áp chuẩn so sánh VREF
được chia thành 2n mức nhờ
bộ phân áp gồm 2n điện trở.
• Tuỳ theo giá trị của mã nhị
phân ở lối vào mà có một
mức điện áp tương ứng
được chọn đưa tới cửa ra
(VOUT = N×VREF/2n).
• Trở kháng vào của mạch
đệm (Op-Amp) cần phải rất
lớn.
• Đặc điểm:
– Sử dụng rất nhiều điện trở
và switch (≥2n)
– Sai số do offset của Op-Amp
– Trễ do có nhiều switch nối
tiếp
DAC dùng điện trở có trọng số
• Điện áp ra VOUT:
– Bit cao nhất (MSB): VOUT(bn-1) = -VREF/2 × bn-1
– Bit tiếp theo: VOUT(bn-2) = -VREF/4 × bn-2 …
– Bit thấp nhất (LSB): VOUT(b0) = -VREF/2n × b0
VOUT = - VREF/2n× (bn-1×2n-1 + bn-2×2n-2 +…+ b0×20) = - N×VREF/2n
• Đặc điểm:
– Sử dụng ít điện trở (n điện trở cho DAC n bit)
– Trị số các điện trở rất khác nhau
DAC dùng lưới điện trở R-2R
• Trên đây là một kiểu ADC tích phân (tích phân hai sườn dốc – dual
slope)
– Điện áp vào VIN được tích phân trong thời gian Tn cố định. Sau thời gian
này VC= VIN × Tn = VIN × 2n.Tclock
– Điện áp VREF được tích phân trong thời gian Tp. Sau thời gian này tụ
phóng hết. Do vậy, Tp = VIN × 2n.Tclock /VREF
– Số đếm được trong thời gian này là N= Tp /Tclock = 2n × VIN/VREF
• Đặc điểm:
– Mạch đơn giản
– Tốc độ rất thấp (cỡ 2 × 2n.Tclock cho một phép biến đổi n bit)
Đặc điểm chung của ADC
• Độ chính xác
– Phụ thuộc vào các phần tử mạch
– Thể hiện qua số bit
• Tốc độ
– ADC cần qua trình so sánh nên thường chậm hơn
nhiều so với DAC
• Các tín hiệu
– Khởi động ADC: START
– Báo kết thúc phép biến đổi: EOC
– Điều khiển ba trạng thái khi ghép nối với BUS: OE
ĐIỆN TỬ SỐ
Chương 7
• Address: Xác định địa chỉ của ô nhớ cần trao đổi
• Data: Nội dung thông tin cần trao đổi với ô nhớ được
chọn
• Chip Enable: Cho phép (chọn) chip nhớ
• Write Enable: Cho phép viết vào ô nhớ được chọn
• Output Enable (Read): Đọc nội dung ô nhớ được chọn
Tốc độ của bộ nhớ
• Tốc độ hoạt động của bộ nhớ được đánh giá thông qua
thời gian truy nhập (access time), bao gồm:
– Read access
– Write access
Tổ chức bộ nhớ
Tổ chức bộ nhớ
Xác định khối nhớ được chọn
Đọc/viết bộ nhớ
• Các bit địa chỉ chia làm hai nhóm (hàng và cột)
• Các chân data có thể trao đổi hai chiều
• Các tín hiệu Chip Enable, Write Enable và Output Enable điều khiển
việc trao đổi dữ liệu
Phần tử nhớ
• Phần tử nhớ là đơn vị lưu giữ thông tin cơ bản
trong các chip nhớ
• Các tên gọi:
– Memory Cell
– Storage Cell
– Bit Cell
• Word Line: đường chọn ô nhớ được giải mã từ
các bit địa chỉ
• Bit Line: nội dung thông tin trao đổi của từng bit
trong mỗi ô nhớ
Bộ nhớ chỉ đọc - ROM
• Bộ nhớ ROM (Read Only Memory): nội dung
không thay đổi ngay cả khi cắt nguồn cung cấp.
Bộ nhớ ROM gồm các loại sau:
– MROM (Mask ROM): nội dung được nạp trong quá
trình chế tạo
– PROM (Programmable ROM): nội dung được viết
một lần, sử dụng cầu chì
– EPROM (Erasable PROM): nội dung có thể viét/xoá
được nhiều lần, sử dụng tia cực tím
– EEPROM (Electrically EPROM): viết/xoá nhiều lần.
Xoá bằng điện.
– Flash ROM: EEPROM nhưng có tốc độ đọc/viết và
mật độ lớn hơn nhiều
Phần tử nhớ ROM
• Bộ nhớ ROM sử dụng Diode hoặc Transistor
(BJT/MOS) làm đơn vị nhớ cơ bản
• Có các kiểu phần tử nhớ:
Cầu nối (E)EPROM
Phần tử nhớ PROM, EPROM, và
EEPROM
Bộ nhớ MOS ROM 1
Bộ nhớ MOS ROM 2
Bộ nhớ đọc/viết - RAM
Bộ nhớ RAM (Read - Write Memorie) gồm:
• STATIC RAM (SRAM)
– Dữ liệu được lưu giữ vĩnh viễn một khi còn có nguồn
cung cấp duy trì
– Kích thước lớn (6 transistors/cell)
– Tốc độ cao
– Cấu trúc vi sai (Differential)
• DYNAMIC RAM (DRAM)
– Cần có chu kỳ ‘làm tươi’ nội dung phần tử nhớ
– Kích thước nhỏ (1-3 transistors/cell)
– Tốc độ thấp
– Cấu trúc đơn (Single Ended)
Phần tử nhớ SRAM
• Phần tử nhớ SRAM dùng tải điện trở
– Tiêu thụ công suất ở trạng thái tĩnh, cần RL lớn
Phần tử nhớ SRAM
• Phần tử nhớ RAM tĩnh dùng 6 transistor:
Quá trình viết SRAM
Quá trình đọc SRAM
Phần tử nhớ DRAM – 3 transistor
• Xung điện: tín hiệu điện có thời gian tồn tại xác
lập ngắn (cỡ thời gian quá độ của mạch)
• Các đặc trưng cơ bản của tín hiệu xung
– Digital:
• Mức (cao, thấp)
• Sườn (lên, xuống)
– Analog:
• Biên độ
• Độ rộng
• Chu kỳ
• Độ lấp đầy (Duty Cycle)
Mạch tạo xung
• Các xung điện được tạo ra từ những mạch điện tử có
hai trạng thái xác lập ứng với hai mức cao (H) và thấp
(L) của điện áp ra
• Các mạch điện tử như vậy có thể được chia thành các
nhóm như sau:
– Mạch tự dao động, cả hai trạng thái đều không ổn định
(Astable). Mạch tự chuyển từ trạng thái này sang trạng thái
khác.
– Mạch đợi, có một trạng thái ổn định (Monostable). Khi có kích
thích mạch chuyển sang trạng thái không ổn định sau đó tự
động trở về trạng thái ổn định ban đầu. Với một xung kích thích
ở cửa vào mạch tạo một xung đơn ở cửa ra (One-shot).
– Mạch trigger, cả hai trạng thái đều ổn định (Bistable). Mạch có
thể chuyển từ trạng thái này sang trạng thái khác tuỳ thuộc vào
tín hiệu kích thích từ bên ngoài. Loại mạch này còn được gọi là
mạch Flip-Flop
Tạo xung bằng cổng NOT
VC = VCC(1 – e-t/RC)
Tại tx: VCC(1 – e-tx/RC) = VCC×2/3
e-tx/RC = 1/3 → tx = RC×ln3 = 1,1×RC
Mạch tự dao động dùng 555