半導 體與 IC 簡介

內容簡介

• 1. 半導體產業吸引人的原因

• 2. 台灣半導體產業發展歷程

• 3. 台灣資訊產業與半導體產業之現況

• 4. 半導體簡介及 IC 製造流程概述
2003 年新鮮人 最想進入的十 大行
業
網際網路業 3.7%

光電通信器材業 4.1%

金融證券產險業 4.2%

電腦系 4.4%

圖書出版文化事業 4.6%

進出口貿易商 4.9%

電腦週邊業 5.3%

電子製造業 5.7%

半導體業 5.8%

學校及文教機構 6.6%

3.0% 3.5% 4.0% 4.5% 5.0% 5.5% 6.0% 6.5% 7.0%

2003 年全球電子資訊產品成長評估 151,000
160,000

140,000
107,000
產值(百萬美金) 120,000

100,000
69,414
80,000
51,740
60,000

40,000
12,847 11,198 7,821
20,000 3,880 1,608 1,424 1,045

0
桌上型電腦
半導體

手機

筆記型電腦

LCD監視器

Cable
數位相機

ADSL

無線通信
PDA
DVD
35% 30.6%
27.4%
30%

25% 20.8%
成長率 (%)

17.3%
20% 16.4%

12.7% 12.1%
15%
7.1% 7.4%
10%

5% 0.4% 0.5%

0%
2003 年人才需 求最多的十大 行業

網際網路業 3.2

企管及其他工商顧問 3.2

百貨零售業 3.6
MIS及軟體業 4.1

金融證卷保險業 6.2

光電通信器材業 7.2

半導體業 7.6
進出口貿易業 7.8

電腦週邊業 8.3
電子製造業 10.1

2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
百分比(%)
 台灣 半導體 發展 歷程
萌芽 期 技術 技術自立 及擴 展期
引進 期

12 吋
專業設計
交大半導體 設計 , 製造 8吋 DRAM 廠
後段封裝 前段製造 專業代工
實驗室成立 的研發 DRAM 廠 專業代工廠
專業測試
1964
1966
培育人才 1974
1980
1966 高雄電子 1987
1969 飛利浦 1980 UMC 成立 1994
1970 德州儀器 1981 園區成立 2000
1982 UMC 量產 1987 台積電成立
太欣成立 茂矽成立
1974 工研院電子所成立 華邦成立 1994 世界先進成立
1976 工研院引進 RCA 技術 德基成立 力晶成立
2000 台積電 12 吋廠成立
1977 工研院產出第一個 CMOS 1989 台灣光罩 1995 南亞成立
2001 聯電 12 吋廠成立
1979 國內設計第一個商用 IC 成功 旺宏成立 1996 茂德成立
茂德 12 吋廠成立
電子錶 2002 力晶 12 吋廠成立
2003 華亞 12 吋廠成立
台積電第二座 12 吋廠成立
( 全球最大 )
 台灣 IC 產業技術發 展策略
工研 院電子所 主要技術 來源
IC 聯電 80 → 電子所

Foundry 台積 87 → 電子所
•德基 87 → TI, IBM
我國 IC 技術發展 三部 曲 •華邦 87 → 電子所 , Toshiba(98 年加入 DRAM)
• 聯電 IC 技術建立
• 台積專業代工策略模式
•茂矽 87 → Oki, Siemens
• 世界先進自有品牌 DRAM •旺宏 89 → Matsushita (97 年加入 DRAM)

DRAM 世界先 進 94 → 電子所 , 鈺創

•力晶 94 → Mitsubishi, Elpida
•南亞 95 → Oki, IBM, Infineon
•茂德 96 → Siemens, Elpida
台灣資 訊產業上市 公司關聯圖
上游 零件 中游 下游
半導體製造 主機板 桌上型電腦 宏神大致精
微 電達眾福英
聯日矽台光茂華旺大華華力世 宏神大致精華環華承技微梅浩映 電
電月品積罩矽邦宏眾泰通晶界 電達眾福英泰電碩啟嘉星捷鑫泰 腦 筆記型電腦 宏大仁神藍英環華倫華廣群
光 電 先 電眾寶達天業電碩飛宇達光
進 附加卡 達

IC 設計 華亞友致英達智訊環精華隴麗
傳真機 金大華明
系 泰瑟訊福群電邦康電英碩華台 寶霸昭碁
義聯松聯偉矽凌瑞鈺揚智威 統
隆詠瀚發詮統陽昱創智原盛 電源供應器
組 電話 , 手機 東濟大華明
件 達光新致鴻協國 訊業霸昭碁
電寶巨茂運益碁 通
光電半導體 訊 致亞系亞昆合
連接器 產 數據機 福瑟統旭盈勤
光光漢億鼎國瑩 品
磊寶磊光元聯寶 鴻廣正金
海宇崴利 衛星通訊 台
揚
機殼
被動元件 交換機 , 基地台 仲台東
鴻英 琦林訊
海誌
國環凱華華天匯旺興大
巨電美容科揚僑詮勤毅
鍵盤 英金
計算機 業寶
達
旭英明群
印刷電路板 麗群碁光 消 致
費 電源保護器 伸
華楠耀祥南敬佳九台耀金建欣 光碟機
通梓文裕亞鵬鼎德光華像榮興 性
明宏英達源華廣大 產 聯宏精世捷佳互所震
碁電群電興碩宇騰 品 物流 , 代理 強科元平元能盛羅旦
門行
液晶顯示器 輸 滑鼠 致順佳互震
出 OA 產品 伸德能盛旦
碧光勝 入 致系昆 行
悠聯華 週 伸統盈
邊 掃描器 友智訊達華亞昆
設 網 網路卡 訊邦康電泰瑟盈
影像感測器 備 全致英力旭明大金鴻大昆 路
友伸群捷麗碁眾寶友騰盈 產
友智訊達亞昆
敦 品 集線器 訊邦康電瑟盈
南 印表機
明金旭
碁寶麗 磁碟 , 光碟片 中佳精錸
環錄碟德
馳返變壓器 其
監視器
它
聯 精天宏友資三倚普
昌 源誠神仁達國明華皇美青慧中憶 軟體 , 資訊服務 業剛科立通商天揚
興洲達寶電豐碁升旗格雲智光聲
台灣半導 體工業關聯圖
智
原 聯 瀚 松 IP
發 豪晶昱瑞原智盛威陽凌詠聯詮偉智揚玖旺隆義創鈺生民統矽成矽茂新茂敦
設計
思
源 EDA

台聯南茂茂旺華力世天立矽漢大
IC 廠 積電科矽德宏邦晶界下生統磊王
先
進

台台中漢 台翔中杜
灣灣德磊 晶圓 製造 光罩 灣準華邦
小信 光 凸
松越 罩 板

華耀
通文 基板
日矽華南立菱立
封裝 月品泰茂衛生生
光
佳順中旭
茂德信龍 導線架

日矽華南矽聯大京立菱鑫華力泰汎超全
測試 月品泰茂豐測眾元衛生成鴻成林利豐懋
光
台灣晶圓廠與 IC 產品關 聯
公司名稱

大王
圖 晶圓廠 晶圓廠 投片時 最大產 製程技
編號
FAB1
尺寸
4
間
1988
能
30000
術水準
0.70 消費性IC
主要產品 附註

天下 FAB1 6 1998 25000 0.50 消費性IC

立生半導體 FAB1 6 1998 25000 0.45 消費性IC
FAB1 5 1992 12000 0.50 Analog IC
FAB2 5 1991 35000 0.50 Analog IC 原合泰
漢磊 FAB3 5 1994 25000 0.55 Analog IC
FAB4 6 2002 35000 0.45 LCD Driver IC
FAB1B 5 1994 25000 0.60 Analog IC
FAB1 6 1992 37000 0.35 EEPROM, Flash, Logic
旺宏 FAB2 8 1997 46000 0.18 ROM, Logic
FAB3 8 2001 40000 0.14 Mask ROM, Flash
FAB1A 8 1997 38000 0.14 DRAM
茂德
FAB1B 12 2002 18000 0.11 DRAM
茂矽 FAB1 6 1994 38000 0.35 Power IC, Flash, LCD Driver IC, ROM
FAB1 8 1996 30000 0.14 DRAM
南亞科技 FAB2 8 2000 30000 0.14 DRAM
FAB3 12 2003 30000 0.11 DRAM
FAB1 8 1996 40000 0.14 DRAM
力晶
FAB2 12 2002 25000 0.11 DRAM
矽統 FAB1 8 2000 36000 0.14 Core Logic, Graphic
FAB2 6 1990 80000 0.45
FAB3,4 8 1995 47000 0.18
FAB5 8 1997 40000 0.14
FAB6 8 1999 50000 0.13
台積電 FAB7 8 1995 46000 0.18 Foundry 原德碁
FAB8 8 1998 59000 0.14 原世大
FAB12 12 2001 25000 0.11
FAB14 12 2002 30000 0.11
FAB15 12 2003 30000 0.11
FAB6A 6 1989 48000 0.45
FAB8A 8 1995 35000 0.18
FAB8B 8 1996 37000 0.18
FAB8C 8 1998 30000 0.14
聯電 Foundry
FAB8D 8 2000 35000 0.13
FAB8E 8 1997 35000 0.18
FAB8F 8 2000 40000 0.13
FAB12A 12 2001 40000 0.11
FAB1A 8 1994 15000 0.18
世界先進 DRAM, Foundary
FAB1B 8 1997 25000 0.18
FAB2 6 1992 50000 0.45 SRAM, Flash
華邦 FAB4 8 1997 18000 0.14
DRAM
FAB5 8 1999 18000 0.14
半導體簡 介及 IC 製造 流程概
述
何謂半導 體 (Semiconductor)?

導體 半導 體 絕緣 體

單位 :
Ohm·m

金, 銀, 銅, 鋁, 鐵, 鉻 元素半導體 : Si, Ge, Sn, Se, Te 玻璃 , 陶瓷 , 塑膠

化合物半導體 : GaAs, InP, ZnS, AlGaAs, AlGaInAs
半導體 依摻雜可 分為 N 型 /P 型半
導體
N 型半導 體 P 型半 導體

Si Si Si Si Si Si

Si P Si Si B Si
Extra electron Hole

Si Si Si Si Si Si
 為何半 導體材料 要選擇矽 ?
• 半導體工業約在 1950 年開始發展 , 以鍺材料為主 , 但 1960 年
• 代後矽就取代了鍺的地位 .

• 矽 (Si) 可從地殼中最豐富的元素 (SiO2) 純化提煉 .

• 熱製程中容易生成 SiO2, 為一強且穩定的介電層 .

• 矽的 化物不溶於水 .

• 矽擁有較大的能隙 , 能承受較高溫度及較大雜質摻雜範圍 .

• 矽的崩潰電壓比較高 .
何謂 金 - 氧 - 半導 (MOS) 電晶
體
水閘門 MOS 電晶體
閘極
(Gate)

水流
電流 通道
水源 (Current) (Channel)
排水 口
水路
源極 汲極
(Source) (Drain)
MOS 電晶 體的分 類與 操作原
理
NMOS 電晶體 PMOS 電晶體
閘極 閘極
(Gate) (Gate)
0V: 不通 5V: 不通
5V: 通 0V: 通

負電 子 電流 電流 電洞

源極 P- 基板 汲極 源極 N- 基板 汲極
(0V) (0V) (+5V) (+5V) (+5V) (0V)
+5V 0V
0V +5V +5V 0V

Metal( 金屬線 )

Gate Gate

-- - - -
N+ N+ P+ + + P+
++ +
Source Drain Source Drain
P- 基板 (0V) N- 基板 (+5V)

NMOS 導通模式 PMOS 導通模式

• 何謂積體電路 (IC)

• IC=Integrated Circuit
• 為很多電路元件積集在一起 , 產生某些電性的功
能.
• IC 就像是印刷電路板 (PCB) 的濃縮版 .

• 依照 IC 積集度多寡 , 可分為 :

• SSI: Small Scale Integration (<100)

• MSI: Medium Scale Integration (100~1000)
• LSI: Large Scale Integration (>1000)
• VLSI: Very Large Scale Integration (>100,000)
• ULSI: Ultra Large Scale Integration (>10000,000)
 IC 積集度的 演進
1.0E+1 0

1.0E+0 9
SI
1.0E+0 8
UL

1.0E+0 7
積極度(元件/IC)

SI
1.0E+0 6 VL
1.0E+0 5

I
1.0E+0 4 LS
1.0E+0 3
I
1.0E+0 2 MS
I
SS
1.0E+0 1
1960 1965 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005

西元
 IC 的發展 史
世界上第 一個電 晶體 (1948, Bell Lab)
1947 年聖誕前夕 , AT&T 的 Bell 實驗室的 John
Bardeen 及 Walter Brattain 展示第一個由鍺所製成的
點接觸式電晶體 . 當電流訊號施加於鍺晶體接點 , 輸
出功率會大於輸入功率 . 並於 1948 年公諸於世 .
1949 年 William Shockley 發表雙載子電晶體運作理
論 . 並預測接面式雙載子電晶體 (BJT) 將出現 .
1950 年第一個單晶鍺電晶體生產 , 並取代電子產品中
的真空管 .
1952 年 Gordon Teal 發表第一個單晶矽電晶體 .
1955 年 Shockley 在舊金山南方成立 Shockley
Semiconductor Lab. 帶動矽谷 的成立 .
1956 年 Shockley, Bardeen, Brattain 共同獲頒諾貝爾
物理獎 .
1957 年 , Gordon Moore 和 Robert Noyce 離開
Shockley 公司 , 成立 Fairchild Semiconductor 公司 .
1958 年積體電路時代來臨 ( 整個五 O 年代為分離式
IC 元件的天下 ).
1966 年 , Gordon 和 Robert 離開 Fairchild 並創立
Intel ( 濃縮 Integrated electronics).
IC 製造流 程

土地 IC 設計師 製程整 合工程師

擴散工程 師
薄膜工程 師
IC 成品 完成之 晶片 黃光工程 師
蝕刻工程 師
 IC 製造過程
初始晶片
(primary wafer)

PR PR

Initial ox Initial ox Ini ox Ini ox

Si substrate Si substrate Si sub Si sub

Thin film module

Diff module PHOTO module ETCH module
Diff, PHOTO, ETCH, T/F

Chip Cutting IC cross section

Wafer Sorting WAT

Bonding Packaging Final Test

IC 產品 分類 動態隨機存取記憶體 (DRAM)
揮發性
靜態隨機存取記憶體 (SRAM)
記憶體 IC
(Memory IC) 光罩唯讀記憶體 (MASK ROM)
非揮發性 可消除 , 可程式唯讀記憶體 (EPROM)
可電除 , 可程式唯讀記憶體 (EEPROM)
快閃記憶體 (FLASH)

微處理器 (MPU)
微元件 IC 微控制器 (MCU)
(Micro component IC) 微處理週邊 IC (MPR)
數位訊號處理器 (DSP)
IC
系統核心邏輯晶片組
視訊控制晶片
標準邏輯 IC
儲存控制晶片
邏輯 IC 其他輸入 / 輸出儲存控制晶片
(Logic IC) 可程式邏輯排列 (PLD)
特殊應用 IC 閘排列 (Gate Array)
(ASIC) 電路元設計 (CBIS)
全客戶設計

線性 IC 功率 IC (Power IC)
類比 IC
(Analog IC) LCD 驅動 IC (LCD Driver)
線性和數位混合 IC
混合式 IC (MixMode)