Sveučilište J.J.

Elektrotehnički fakultet
Strossmayera u Osijeku Osijek

Prof.dr.sc. Tomislav Švedek

ELEKTRONIKA 1

Predavanje 15/45
Koje su karakteristike spoja metal-
poluvodič (MS)?
Kakvo je osiromašeno područje i
barijerni kapacitet spoja MS?
Kako se MS-spoj ponaša u neravnoteži?

Predavanje 15/45
 3. SPOJ METAL-POLUVODIČ (MS)

Svaka realna poluvodička komponenta: dioda, bipolarni tranzistor, spojni

ili MOS tranzistor s efektom polja, sastoji se od nekoliko tipova spojeva:
PN, N+N, P+P, metal-P+ i metal-N+.
MS-spoj u tim komponentama predstavlja omski (neispravljački) spoj,
pomoću kojeg se poluvodička struktura komponente preko metalnih
priključaka (kontakata) povezuje s vanjskim svijetom.

Odgovarajućim MS-spojem može se dobiti i svojstvo PN-spoja -

ispravljački efekt. Ispravljački MS-spoj je lakše proizvesti, a i brzina rada
mu je veća nego kod PN-spoja (važno u sklopnom režimu rada!).
Prve poluvodičke diode bile su točkaste diode - oštar metalni šiljak
zaboden u neki prirodni kristal poluvodiča (radio-detektori za
demodulaciju AM signala). I prvi tranzistor bio je izveden kao točkasta
komponenta (Ge pločica - baza u koju su bila zabodena dva metalna
šiljka - emiter i kolektor).
Predavanje 15/45
 3.1. ISPRAVLJAČKI SPOJ METAL-
POLUVODIČ
Model energetskih E0
pojasa metala
q m površina
metala

EFm
metal

qm = E0 – EFm - rad izlaza iz metala [m(Au) = 4,8 V, m(Al) = 4,3V]

EFm - Fermijeva razine metala
E0 - energija slobodnog elektrona u vakuumu
Sniženje potencijalne barijere metala pod djelovanjem vanjskog električnog
polja naziva se Schottkyjev efekt - diode temeljene na spoju metal-
poluvodič nazivaju se diodama sa Schottkyjevom barijerom.

Predavanje 15/45
 3.1. ISPRAVLJAČKI SPOJ METAL-
POLUVODIČ
Ovisno o dopiranju poluvodič može biti P-tipa ili N-tipa, pa njegov rad
izlaza qsp i qsn za isti tip poluvodiča nije konstantan - ovisi o
koncentraciji primjesa NA i ND, te temperaturi T.
Konstantna veličina kod poluvodiča je E0
q
sklonost (afinitet) elektrona ka izlazu EG
na površinu q ( (Si)=4,05V). qsp
EFi
EFP
0
P-tip
U MS-spoju poluvodič N-ili P-tipa može imati veći ili manji rad izlaza
od rada izlaza metala, stoga postoje četiri moguće kombinacije od kojih
samo dvije daju ispravljački spoj:
metal - N-tip poluvodiča: qm > qsn
metal - P-tip poluvodiča: qm < qsp
Predavanje 15/45
 3.1.1. Spoj metal-poluvodič u stanju ravnoteže

Stvaranje Schottkyeve barijere - energetski pojasi prije i poslije "kontakta"

ioni
qm > qsn donora
-
- + +
N-tip metal - + + N-tip
metal -
- + +
-

Fu
q E0
qsn
qsn q 0
EG E
qm
EFN qB qUk EG
EFm EF
0 0
metal N-tip metal N-tip
db
qUk = q(m – sn)
qB=q(m – )
Predavanje 15/45
 3.1.1. Spoj metal-poluvodič u stanju ravnoteže

-
- + + Unutarnje električno polje Fu
- +
metal -
- +
+
+
N-tip sprječava daljnju difuziju elektrona iz
- poluvodiča - spoj metal-poluvodič N-
Fu tipa je u stanju termodinamičke
ravnoteže.
qsn q 0
E
qB qUk EG Potencijalna barijera za elektrone
EF koji se gibaju iz poluvodiča u metal -
0 je razlika radova izlaza iz metala i
metal N-tip poluvodiča: qUk = q(m – sn) gdje je
db Uk kontaktni potencijal. Vanjski
napon može mijenjati tu barijeru.
Difuzija iz metala u poluvodič moguća je samo za elektrone čija je energija
viša od potencijalne barijere qB=q(m - ). Ta barijera je za dani metal i
poluvodič konstantna i neovisna o vanjskom naponu.

Predavanje 15/45
 3.1.1. Spoj metal-poluvodič u stanju ravnoteže

Stvaranje Schottkyeve barijere - energetski pojasi prije i poslije "kontakta"

ioni
qm < qsp akceptora
+ – –
+
metal P-tip metal + – – P-tip
+ – –
+

Fu
q E0
qm EG q E0
qsp EG
EFm qsp qUk
EFP
0 EF
metal P-tip metal qB 0
P-tip
db
qUk = q(sp– m)
qB= EG – q(m – )
Predavanje 15/45
 3.1.2. Karakteristike osiromašenog područja spoja
metal-poluvodič
Primjer spoja metal-poluvodič N-tipa
U stanju termodinamičke ravnoteže spoj metal-poluvodič je prema van
neutralan - gustoća pozitivnog prostornog naboja iona donora N-strane
jednak je gustoći zrcalnog negativnog naboja uz rub spoja na strani metala.
Ako se pretpostavi da je metal idealan vodič, naboji koji su na njega prešli
iz poluvodiča raspodijelili su se na njegovoj površini (delta funkcija).

metal Q(x) N-tip

+qNDxn prostorni
+ naboj iona
0 x n = db x
delta
funkcija –qNDxn

Predavanje 15/45
 3.1.2. Karakteristike osiromašenog područja spoja
metal-poluvodič
Primjer spoja metal-poluvodič N-tipa
metal N-tip
Prvom integracijom Poissonove
Q(x) jednadžbe (jednodimenzionala
+qNDxn slučaj - koordinata x) dobiva se
+ jakost električnog polja
0 xn = db x
xn  x
F x   qN D , 0  x  xn
–qNDxn 

Maksimum električnog polja je na

F(x) rubu spoja (x=0):

0 db x xn
FM  qN D

FM
Predavanje 15/45
 3.1.2. Karakteristike osiromašenog područja spoja
metal-poluvodič
Primjer spoja metal-poluvodič N-tipa

metal N-tip Drugom integracijom u granicama od

 = 0 do (xn) = n = Uk dobiva se
F(x)
2
0 db x xn
U k  qN D
2
FM
Iz poznatog Uk može se odrediti širina
 (x) osiromašenog područja db - širi se
isključivo na stranu poluvodiča:
 n = Uk
2U k 
0 db x xn  d b 
qN D
Ravnotežni iznos prostornog naboja može izraziti preko kontaktnog
potencijala:
Qso  AqN D d b  A 2qN DU k
Predavanje 15/45
 3.1.3. Spoj metal-poluvodič u stanju neravnoteže.
Propusna polarizacija. Nepropusna
polarizacija
Spoj metal-poluvodič u stanju neravnoteže

-
U stanju ravnoteže na rubu spoja
metal
- +
- +
+
+ N-tip (gledano iz metala u poluvodič), postoji
-
- +
-
+ barijera visine qB koja sprječava
– JMS = konst. Fu – JSM (U)
difuziju elektrona iz metala u
poluvodič. U prvoj aproksimaciji ona ne
qsn q 0 ovisi o naponu na spoju metal-poluvodič
E
qB qUk EG
EF - pa je – JMS = konst.
Kontaktni potencijal Uk u cijelosti se
0 javlja na osiromašenom sloju
metal N-tip
db poluvodiča.

Izvana doveden napon se pribraja ili oduzima od Uk, čime se mijenja samo
potencijalna barijera i uvjeti difuzije elektrona iz poluvodiča u metal (dakle,
samo gustoća struje –JSM !).
Predavanje 15/45
3.1.3. Spoj metal-poluvodič u stanju neravnoteže.
Propusna polarizacija. Nepropusna
polarizacija
Označavanje struja:
– JSM gustoća struje elektrona koji prelaze iz poluvodiča u metal
– JMS gustoća struje elektrona koji prelaze iz metala u poluvodič.
Minus predznak označava da je tehnički smjer tih struja suprotan
smjeru gibanja elektrona!

– JMS = konst. Fu – JSM (U)

qsn q 0
E
qB qUk EG
EF
0
metal N-tip
db

Predavanje 15/45
 3.1.3. Spoj metal-poluvodič u stanju neravnoteže.
Propusna polarizacija. Nepropusna
polarizacija
Propusna polarizacija U > 0
I U
+
qm > qsn
– +
metal – + N-tip
– +

Fu
Fv
Fuk
Smanjila se potencijalna barijera za elektrone iz poluvodiča u metal na
iznos q(Uk –U), gdje je U > 0. Osiromašeno područje se sužuje, gustoća
struje –JSM raste, a struja –JMS ostaje konstantna. Vrijedi: –JSM > –JMS
=konst., ukupna struja kroz spoj metal-poluvodič je veća od nule i po smjeru
jednaka struji –JSM.
Predavanje 15/45
 3.1.3. Spoj metal-poluvodič u stanju neravnoteže.
Propusna polarizacija. Nepropusna
polarizacija
Propusna polarizacija U > 0

-
+
metal - + N-tip
- +

– JMS = konst. Fuk – JSM (U)

E0
q(Uk– U)
qB EG
EF
qU
0
metal N-tip
db

Predavanje 15/45
 3.1.3. Spoj metal-poluvodič u stanju neravnoteže.
Propusna polarizacija. Nepropusna
polarizacija
Nepropusna polarizacija U < 0
I U
+
qm > qsn
- +++
-
metal - +++ N-tip
-
- +++

Fu
Fv
Fuk
Povećala se potencijalna barijera za elektrone iz poluvodiča u metal na
iznos q(Uk –U), gdje je U < 0. Osiromašeno područje se širi, gustoća struje
–JSM postaje jednaka 0, a struja –JMS ostaje konstantna. Vrijedi: –JSM < –
JMS =konst., ukupna struja kroz spoj metal-poluvodič je samo mala struja
nepropusne polarizacije po smjeru jednaka struji –JSM.
Predavanje 15/45
 3.1.3. Spoj metal-poluvodič u stanju neravnoteže.
Propusna polarizacija. Nepropusna
polarizacija
Nepropusna polarizacija U < 0
-
+ + +
metal - + + + N-tip
- + + +

– JMS = konst. Fuk

q(Uk– U)
E0
qB EG
qU EF
0
metal N-tip
db

Predavanje 15/45
Koliki je barijerni kapacitet spoja MS?
Kakva je strujno-naponska
karakteristika MS?
Kakva su odstupanja od idealne IU-
karakteristike?
Kako se formira omski (neispravljački)
MS-spoj?

Predavanje 15/45
 3.1.4. Barijerni kapacitet spoja MS

Kod nepropusne polarizacije spoja metal-poluvodič N-tipa, pad napona na

osiromašenom području povećava se na Uk – U (U < 0!), pa se i povećava i
prostorni naboj u poluvodiču:

metal Qs (U )  AqN D d b (U )  A 2qN D (U k  U )

N-tip
Q(x)
- prostorni naboj ovisi o izvana
+ dovedenom naponu U, kod malog
izmjeničnog električnog signala
0 db d’b x
osiromašeno područje se ponaša kao
db za U = 0 kapacitet kapacitivnosti:
d’b za U < 0 dQ qN D
Cb  A
dU 2U k  U 

Predavanje 15/45
 3.1.4. Barijerni kapacitet spoja MS

Ako se ukupni pad napona na osiromašenom području eksplicitno izrazi

pomoću izraza za barijerni kapacitet:

U k  U   qN D 1
2
2 Cb
- linearna ovisnost napona na 1
osiromašenom području (Uk – U) Cb
2
o recipročnoj vrijednosti kvadrata
barijernog kapaciteta (1/Cb2). mjerenje
Konstantu proporcionalnosti
određuje koncentracija primjesa aproksimacija
(npr. donora).
Uk U
Razina dopiranja poluvodiča može se dovoljno točno odrediti iz nagiba pravca,
dok se Uk rjeđe određuje iz presjeka s naponskom osi (nedovoljno točno!).
Predavanje 15/45
 3.1.5. Strujno-naponske karakteristike spoja MS

Pretpostavka: "idealan" spoj MS površine presjeka A, zanemarena

energetska stanja na površini poluvodiča, konstantna Schottkyjeva barijera.
U stanju ravnoteže vrijedi (U = 0, I = 0), spoj MS je u ravnoteži pa su
struje –IMS i –ISM (struje većinskih nosilaca naboja elektrona) jednake i
međusobno se poništavaju.

– JMS Fu – JSM Struja manjinskih nosilaca

naboja (šupljine iz poluvodiča u
E0 metal za spoj metal- poluvodič
qsn q
qB qUk EG N-tipa) može se zanemariti, jer
EF je koncentracija većinskih
nosilaca naboja koji prolaze
0 kroz spoj nekoliko redova
metal N-tip
veličine viša od koncentracije
db manjinskih.
Predavanje 15/45
 3.1.5. Strujno-naponske karakteristike spoja MS

Struja kroz cijelu MS strukturu mora biti konstantna, pa su struje –IMS i –

ISM proporcionalne koncentraciji elektrona na površini spoja MS.
Koncentracija elektrona u volumenu poluvodiča nV može se izraziti preko
EG i EF u volumenu i jednaka je koncentraciji primjesa ND:
 E  E F V 
nV  N D  N c exp G 
– JMS Fu – JSM  kT 
E0
qsn q Za koncentraciju elektrona nS
qUk
qB EG na površini poluvodiča (rub
EF spoja metal-poluvodič!) vrijedi
ista ovisnost, ali o energijama
0 na površini:
metal N-tip
db  EG  E F S 
nS  N c exp 
 kT 
Predavanje 15/45
 3.1.5. Strujno-naponske karakteristike spoja MS
– JMS Fu – JSM

E0
qsn q
qB qUk EG
EF

0
metal N-tip
db

Budući da vrijedi: EG  E F S  qΦB  EG  E F V  qU k

izraz za koncentraciju elektrona nS može se pisati kao:
 EG  E F V   qU k   Uk 
nS  N c exp  exp    N D exp  
 kT   kT   UT 
Predavanje 15/45
 3.1.5. Strujno-naponske karakteristike spoja MS
Struje –IMS i –ISM su proporcionalne koncentraciji nS elektrona na
površini metala i na površini poluvodiča, pa se uz uvođenje konstante
proporcionalnosti k mogu pisati kao
 Uk 
 I SM  knS  kND exp  
 UT 
 Uk 
 I MS  knS  kND exp  
 UT 

U ravnoteži je razlika tih dviju struja:

I = –ISM – (– IMS) = 0

Predavanje 15/45
 3.1.5. Strujno-naponske karakteristike spoja MS

U neravnoteži: propusna polarizacija (U > 0, I  0) smanjuje se

potencijalna barijera za protok elektrona iz poluvodiča u metal za iznos
izvana dovedenog napona U. Za elektrone koji dolaze iz metala u
poluvodič potencijalna barijera ostaje nepromijenjena.

Zato što je struja iz poluvodiča

– JMS = konst. – JSM (U)
Fuk u metal (–ISM) veća od struje iz
q(Uk– U)
E0 metala u poluvodič (–IMS)
qB EG povećala se i koncentracija
EF elektrona na površini
qU
poluvodiča:
0
metal N-tip
 U U 
db nS  n  N D exp  k 
 UT 

Predavanje 15/45
 3.1.5. Strujno-naponske karakteristike spoja MS

Struje su sada definirane kao  U U 

 I SM  k nS  n   kND exp  k 
 UT 

 Uk 
 I MS  knS  kND exp  
 UT 

Ukupna struja kroz spoj MS jednaka je

 Uk  U  
I   I SM  I MS  kND exp  exp   1
 UT   UT  
odnosno
 U  
I  I S exp   1
  UT   Schottkyjeva jednadžba idealne diode

Predavanje 15/45
 3.1.5. Strujno-naponske karakteristike spoja MS

U neravnoteži: nepropusna polarizacija (U < 0, I  0) povećava se

potencijalna barijera za protok elektrona iz poluvodiča u metal za iznos
izvana dovedenog napona U. Za elektrone koji dolaze iz metala u
poluvodič potencijalna barijera ostaje nepromijenjena.

– JMS = konst. Koncentracija elektrona na

Fuk
q(Uk– U) površini poluvodiča se
E0 smanjuje i postaje praktički
qB EG jednaka 0!
qU EF
0
nS  0
metal N-tip
db

Predavanje 15/45
 3.1.5. Strujno-naponske karakteristike spoja MS

Struje su sada definirane kao

 I SM  0

 Uk 
 I MS  knS  kND exp  
 UT 

Ukupna struja kroz spoj MS jednaka je maloj struji reverzne polarizacije

 U 
I  0  I MS  kND exp  k    I S
 UT 

Predavanje 15/45
 3.1.5. Strujno-naponske karakteristike spoja MS

ID, mA Schottkyjeva PN-dioda

dioda
 U  
I  I S exp   1
  UT  

–0,4 –0,2
0 0,2 0,4 0,6 U,V
– ID, pA

Zato jer je kod Schottkyjeve diode reverzna struja

zasićenja IS veća od one kod PN-diode, Schottkyjeva
dioda u propusnom smjeru vodi pri nižim naponima!!!
Predavanje 15/45
3.1.5. Strujno-naponske karakteristike spoja MS

Posebnu primjenu ispravljački spoj MS nalazi

kod spojnog unipolarnog tranzistora s efektom
polja - JFET, gdje je reverzno polarizirani PN-
spoj ispod upravljačke elektrode zamijenjen
nepropusno polariziranom Schottkyjevom
barijerom. Takav se tranzistor često naziva FET
sa Schottkyjevom barijerom, ili FET sa
strukturom metal-poluvodič - MES FET, a
nalazi široku primjenu u visokofrekvencijskim
GaAs integriranim sklopovima.

Predavanje 15/45
 3.1.6. Odstupanja od idealne IU- karakteristike
spoja MS

Ako je osiromašeno područje db znatno šire od srednjeg slobodnog

puta elektrona - Ln, elektroni imaju dovoljno prostora za ubrzavanje
električnim poljem Fuk nastalim zajedničkim djelovanjem unutarnjeg
i vanjskog električnog polja, pa je struja kroz spoj MS nastala
zajedničkim djelovanjem difuzije i drifta.

I  qN D  n N D 2q
U k  U exp  qU k exp qU   1  I   qU  
    (U ) exp   1

S
 kT   kT     kT  

Često se strujno-naponska karakteristika izražava u obliku:

  U   gdje I'S nije funkcija napona, a n je jednak

I  I ' S exp   1 1,02 do 1,15. Dobro poklapanje mjernih
  nUT   rezultata i ovog izraza dobiva se za diodu
aluminij-silicij uz n = 1,07.
Predavanje 15/45
 3.2. OMSKI (NEISPRAVLJAČKI) SPOJ MS

Na površini ispravljačkog spoja MS nastaje osiromašeno područje -

koncentracija osnovnih nosilaca na površini spoja manja je nego u
volumenu poluvodiča - a prijelaz elektrona iz metala u poluvodič
sprečava potencijalna barijera. Takav MS spoj ima pri nepropusnoj
polarizaciji veliki otpor koji ograničava struju.

Omski ili neispravljački kontakt mora imati linearnu strujno-naponsku

karakteristiku i malen otpor za obje vrste polarizacije - utjecaj barijere
na protok nosilaca naboja mora biti zanemarivo mali.
Postoje dva tipa omskih spojeva:
• tunelski omski spoj i
• Schottkyev omski spoj

Predavanje 15/45
 3.2.1. Tunelski omski spoj
U spoju MS osiromašeno područje se širi isključivo na stranu
poluvodiča.
2U k  db se smanjuje višim dopiranjem
xn  d b 
qN D poluvodiča!
Na mjestima gdje je potreban omski kontakt poluvodiči se često dopiraju
do stanja kada im Fermijeva razina prelazi u vodljivi ili valentni pojas
(degenerirani poluvodiči ili pseudometali ), pa im se db suzuje na
nekoliko nanometara, pri čemu je moguća pojave tuneliranja.
Kada je metal –, a poluvodič + elektroni ne moraju imati energiju veću
od potencijalne barijere qB. Prema efektu tuneliranja dovoljno je da na
suprotnoj strani (u ovom slučaju u vodljivom pojasu) postoje nezauzeta
energetska stanja. Isto vrijedi i za slučaj metal +, a poluvodič –. U oba
slučaja se radi o velikom broju slobodnih nosilaca naboja pa već pri
malom vanjskom naponu teče velika struja, odnosno otpor spoja metal-
poluvodič je nizak.
Predavanje 15/45
 3.2.1. Tunelski omski spoj

metal –, a poluvodič + metal +, poluvodič –

I U I U

metal N+ metal N+

tuneliranje
elektrona
qB tuneliranje qB EG
elektrona EF
EG
EF
0
metal metal N+
0
N+

Predavanje 15/45
 3.2.2. Schottkyjev omski spoj

Omski spoj (kontakt) može se postići i kod širokih osiromašenih

područja odabirom materijala kod kojih je u ravnotežnom stanju
površina spoja obogaćena slobodnim nosiocima. Prema Schottkyjevoj
teoriji za omski spoj metal-poluvodič N-tipa rad izlaza poluvodiča treba
biti viši od rada izlaza metala (qsn> qm). Za spoj metal-poluvodič P-
tipa vrijedi obrnuti zahtjev.

Kod omskog spoja metal-poluvodič N-tipa barijera prolazu elektrona iz

metala u poluvodič qB niska je i elektroni je prelaze već pri malom
vanjskom naponu. Na površini poluvodiča elektroni stvaraju višak
slobodnih nosilaca naboja, dok uz metal ostaje sloj pozitivnog naboja.

Predavanje 15/45
 3.2.2. Schottkyjev omski spoj

Schottkyjev omski spoj - energetski pojasi prije i poslije "kontakta"

qm < qsn

+
+ – –
metal N-tip metal + – – N-tip
+
+ – –

qm q(– m) E0

q(sn– m)
E0 EG
qsn q
EFm EG EF
EFN
0

0
metal N-tip metal N-tip
db

Predavanje 15/45
 3.2.2. Schottkyjev omski spoj

Q(x) Bitna razlika - prostorni naboj uz

prostorni naboj - površinu spoja stvaraju slobodni nosioci
delta-funkcija elektroni naboja - elektroni, a ne kao u
0 xn= db x ispravljačkom spoju pozitivni naboj
-qn’S stacionarnih iona donora. Stoga je taj sloj
obogaćen elektronima.
F(x)
Za malu razliku radova izlaza, tj. Uk < 0,1V,
0 x zakrivljenost energetskih pojasa mala -
db
poluvodič nedegeneriran. Uz veći napon Uk
(x) db poluvodič na mjestu spoja postaje
0 x degeneriran.
Uk

Obogaćeni sloj na mjestu spoja znači da je u cijelom sustavu spoj metal-poluvodič

mjesto najmanjeg otpora - ukupan otpor ovisi samo o kvazineutralnom području.

Predavanje 15/45
Predavanje 15/45