Professional Documents
Culture Documents
Chương 1 T NG Quan
Chương 1 T NG Quan
1
Chương x. Nhập môn Kỹ thuật màng mỏng
- Phún xạ.
2
1. Giới thiệu chung
Định nghĩa: Màng mỏng được hiểu là lớp chất rắn phủ lên bề
mặt của vật rắn khác (đế) với chiều dày tới hạn - khi mà các
hiệu ứng vật lý và tính chất của nó thể hiện không giống như
trong vật liệu khối. Nhìn chung, chiều dày của màng mỏng được
đề cập trong các công nghệ vật liệu và linh kiện điện tử nằm
trong khoảng 10 – 1000 nm.
Phân loại cách chế tạo màng mỏng:
Gồm ba nhóm chính:
- Phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học (Chemical vapor
deposition - CVD)
- Phương pháp lắng đọng pha hơi vật lý (Physical vapor
deposition - PVD)
- Phương pháp hóa và hóa lý kết hợp.
3
1.1 Phương pháp lắng đọng pha hơi hóa học (CVD)
Ưu điểm:
- Hệ thiết bị đơn giản.
- Tốc độ lắng đọng cao (đến 1m/phút).
- Dễ khống chế hợp thức hóa học của hợp chất và dễ dàng pha
tạp chất.
- Có khả năng lắng đọng hợp kim nhiều thành phần.
- Có thể tạo màng cấu trúc hoàn thiện, độ sạch cao.
- Đế được xử lý ngay trước khi lắng đọng bằng quá trình ăn
mòn hóa học.
- Có thể lắng đọng lên đế cấu hình đa dạng, phức tạp.
4
Nhược điểm:
- Cơ chế phản ứng phức tạp.
- Đòi hỏi nhiệt độ đế cao hơn trong các phương pháp khác.
- Đế và các dụng cụ thiết bị có thể bị ăn mòn bởi các dòng
hơi.
- Khó tạo hình linh kiện màng mỏng thông qua kỹ thuật
mặt nạ (mask).
5
Các dạng CVD
Đặc trưng của phương pháp CVD được phân biệt bởi các phản
ứng hóa học trong quá trình lắng đọng. Có bốn loại phản ứng
chính, đó là:
6
1.2 Phương pháp bay hơi vật lý (PVD)
7
Các nguồn bốc bay
Chén và thuyền
Súng điện tử
8
Laser ablation
(bóc tách laser)
10
Chương 1. Động học chất khí
Khái niệm về chất khí (thuyết động học chất khí)
- Chất khí được coi là một hệ gồm nhiều nguyên tử và phân tử
(phân tử), có cùng khối lượng và kích thước (bỏ qua đặc
điểm về hình dạng và cấu tạo bên trong của chúng).
- Các phân tử coi như những quả cầu rắn va chạm một cách
đàn hồi, rất bé so với khoảng cách giữa chúng. chuyển động
hỗn loạn không ngừng, luôn va chạm nhau và va chạm với
thành bình chứa chúng.
- Ngoại trừ lúc va chạm nhau, không có lực tương tác nào
giữa chúng. Do vậy, áp suất của chất khí lên thành bình thực
chất là xung lượng mà các phân tử truyền cho thành bình
khi chúng va chạm.
11
1. Các hàm phân bố của phân tử
12
Ý nghĩa
Áp suất P trên hướng x được tính bằng:
P N / V .mvx .
2
Vì vậy:
2 1 2
vx v .
3
13
Thay vào phương trình trên, chúng ta có:
1 N 2
P .mv .
3 V
1/2
hay: 2kT .
vp
m
16
So sánh ba đại lượng tốc độ
Định nghĩa:
Tần suất va chạm (Z) là số va chạm của phân tử khí trong
một hệ tĩnh với một đơn vị diện tích bề mặt trong đơn vị
thời gian.
x
dN v N vx2 dvx .
18
Trong khoảng thời gian dt chỉ có một phần
phân tử có thể va chạm với bề mặt. Đó là
những phân tử ở trong khoảng cách vxdt tính
từ bề mặt. Gọi Aw là diện tích bề mặt mà
các phân tử va chạm, thì vx d t.A w /V là
phần thể tích chứa các phân tử va chạm
được với bề mặt.
Số phân tử có tốc độ vx trong khoảng vx + dvx
và mà chúng va chạm với bề mặt trong thời
gian dt là
d N vx N / V A w v x v x dv x dt.
2 2
19
Vì tốc độ của phân tử có các giá trị từ 0 đến
cho nên trong ct trên có phần liên quan đến tốc
độ. Gọi phần đó là N* , chúng ta có:
vx2
vx v dv A vx . exp 2 d vx kT / 2 m .
* 2 1/ 2
N x x
v
p
0 0
Khi đó ta có:
NA w kT 1/2
dN i dt ,
V 2.m
1N
z vav
4V
1
z P. 2.mkT
2
nvav .
z
4
Đồ thị phân bố các giá trị tuyệt đối của tốc độ các
phân tử hơi nhôm tại 1200oC (áp suất 10-2 Torr) và
phân tử hyđro tại 25oC và 1200oC cho thấy tốc độ
phân tử có giá trị trong khoảng 10 5 m/s. Hơn nữa vì
phân tử khí H2 nhẹ hơn nguyên tử hơi nhôm cho nên
chúng có tốc độ cao nhiều hơn và khi nhiệt độ tăng
thì số phân tử có tốc độ cao cũng tăng lên. 23
3. Quãng đường tự do của phân tử khí
MÆc dÇu ph©n tö khÝ cã tèc ®é chuyÓn ®éng rÊt lín, song
v× cã va ch¹m liªn tôc lµm lÖch híng chuyÓn ®éng cho nªn
chóng kh«ng thÓ vît ®îc qu·ng ®êng lín. Khi xÐt hiÖn tîng
truyÒn khèi lîng trong tr¹ng th¸i khÝ chóng ta cÇn biÕt qu·ng
®êng mµ c¸c ph©n tö vît qua gi÷a c¸c lÇn va ch¹m. Sù va ch¹m
lµ ngÉu nhiªn, cho nªn “qu·ng ®êng” Êy còng cã nh÷ng gi¸ trÞ
rÊt kh¸c nhau vµ mang tÝnh thèng kª.
25
H×nh 1.2. DiÖn tÝch x¶y ra va ch¹m
d 2 vav dt là thể tích chứa va chạm kể trên
vav dt 1 .
Do vậy QĐTD bằng: 2 2
d nvav dt d n
Nếu tính đến sự chuyển động đồng thời của tất cả các
phân tử, thì vận tốc tương đối của các phân tử có giá
trị là 2,v av do đó chúng ta có: 1
.
2d 2 n
1,01 105 Pa
n 2, 46 10 25 m 3 .
1,38 1023 J / K 298K
Dòng khí chảy qua ống tròn hình trụ (gọi tắt là
ống) hoặc lỗ hổng (chiều dày của lỗ hổng được
bỏ qua) thay đổi theo kích thước tương đối của
cấu trúc ống so với QĐTD và tốc độ dòng khí.
Đại lượng đặc trưng cho chế độ dòng khí là hệ
số Knudsen (Kn).
- QĐTD
l - là đường kính của dòng khí
Kn
l (tức đường kính trong của ống dẫn
khí) 28
Phân biệt hai trường hợp chính của chế độ dòng
khí:
dP .
2 2
u r a r / 4
dz
Dòng tổng (J) của các phân tử trên một giây sẽ là:
31
n dP a 2 2
a
J nu r 2 .rdr a r rdr
0 2 dz 0
n a 4 dP a 4 dP
P
8 dz 8 kT dz
Vì J không phụ thuộc vào tọa độ z, cho nên nếu như ống
có độ dài L và chênh lệch áp suất giữa hai đầu ống là
nhỏ thì chúng ta có thể lấy gần đúng như sau:
P dP Pav P
dz L