GT ÑIEÄN TÖÛ CÔ BAÛN

Ch3. MOSFET VAØ COÅNG

LOGIC
 I. Khaùi nieäm veà soá
• Thí duï veà caùi baäc ñieän

SW
• Khi SW hôû : Ñeøn taét “0”
• Khi SW ñoùng: Ñeøn saùng “1”
+
V
L
• Cho ta khaùi nieäm veà tín hieäu
khoâng lieân tuïc hay tín hieäu “soá”

H L I 0 1
5V 0V
Ñuùng sai
• Digit 1 0
Ñaëc tính cuaû baäc ñieän töû(coâng taéc ñieän töû)

In In

control =“1”
SW
Control
= "0"
Control ="1"
control = “0”

Out Out

Khi ñieàu khieån = “0” , baäc hôû, baäc ôû trang thaùi OFF
Khi ñieàu khieån = “1”, baäc ñoùng, baäc ôû traïng thaùi ON

Vaäy ta coù theå thöïc hieän caùc haøm logic baèng caùc baäc (coâng
taéc)ñieän töû
MOSFET laø moät trong nhöõng linh kieän thöôøng ñöôïc söû duïng laøm
baäc
 II. Baäc MOSFET
• MOSFET ( Metal Oside Semiconductor) hieän nay ñöôïc duøng trong
cheá taïo vi maïch, nhaát laø vi maïch kích thöôùc raát lôùn (VLSI –
Very large Scale Integration).
• Kyù hieäu cuûa linh kieän MOSFET:

D Drain D
Gate G G
S Source S

linh kieän rôøi vi maïch (IC)

khoâng ñoái xöùng ñoái xöùng giöõa D vaø S

n - MOSFET
 Caùch hoaït ñoäng baäc MOSFET
• Theo quan ñieåm hai caûng:
1. S mod (Sweitch mode) D D
iDS

G G
OFF ON

vGS<VTH vGS> VTH

S S
VT = 1V

• Theo daïng oscilloscope: iDS

Ñaëc tuyeán iDS = f(vDS)
vGS < VTH

vGS >/ VTH vDS

• Inverter (Maïch Ñaûo)

VDD = 5 V

RL B

A
vout
5V

A B =/A
0 VT =1V 5V vin
• Möùc ñieän theá ( Laptop T1000)
Gôûi Nhaän
1: 5 5 1
4,5 VOH
4,1 ViH VOL  0, 2V VIL  0,5 
}vuøng caám  Yes
0,9 ViL
VOH  4,8V VIH  4,5V 
0,5 VOL
0 0 VOL  0,5V VIL  1,5V 
 no
VOL = 0,5V VIL = 0,9V VOH  4,5V VIH  3,5V 
VOH = 4,5V VIH = 4,1V
2. Model SR ( Switch resistor model) cûa MOSFET
• Model MOS chính xaùc hôn
iDS
D D
vGS >/ VTH iDS

G G
OFF RON
1/RON 5k

ON
vGS<VTH vGS> VTH
vGS < VT
S S
• vDS
VT = 1V

• Baûng söï thaät

VDD
VDD
RD
RD
Vo
C Vo
G
OFF G
C=0 RON 0 1
C =1
vGS<VTH ON
1 0
S vGS> VTH
Vo =VDD=“1” RON
S
Vo  VDD  VOL
RON  RD
•
 Cách hoạt động chế độ giao hoán
• Khi không có xungvào:MOSFET không dẫn .
Ta có: +VDD
R DS (off )
V o (off )  VDD  V DD  VOH
RD  R DS (off ) RD

  20V   20V
1k   

Vo
• Khi có xung vào: MOSFET dẫnR RDS(off)

Ta có: R DS (on)
V o (on)  V DD  0V  VOL
R D  R DS (on)
+VDD
10
  20V   0,198V  0, 2V
1k   10

Vo
RDS(ON)
• Toùm laïi:
• Coù hai moâ hình ( model) cuûa MOSFET
iD iD
vGS >/ VTH

vGS >/ VTH

1/RON

vGS < vTH vDS vGS < VTH vDS

S model SR model
xaáp xæ 1 xaáp xæ 2
Moâ hình cuûa MOSFET
• MOSFET coù hình aûnh töông töï nhö voøi nöôùc nhö sau:

S
(Source) G (gate) S
Nguoàn van

G
D(Drain) D
Maùng
• Möùc ñieän theá logic qui ñònh cuûa MOSFET:
VOH max V IHmax
Möùc logic 1
VOHmin Möùùc logic1
NM V IHmin
Khoâng Khoâng
xaùc ñònh xaùc ñònh
NM V ILmax
VOLmax Möùc logic 0
Möùc logic0
VOLmin V ILmin

1 VOH 1
VOH min Leà nhieãu V IHmin
V  VOH min  VIH min
NMH
Khoâng
Sender Receiver VNML  VOL max  VIL max
xaùc ñònh
VIL max
0 VOLmax Leà nhieãu 0
0 0
• II. Caáu taïo MOSFET

• Transistor EMOSFET được thực hiện trên 1 giá ( nền ,

thân) Si loại p. Và trên nền nói trên 2 vùng pha đậm n+
được khuếch tán tạo nên cực nguồn S và cực thoát D.
• Một lớp cách điện ( SiO2) đặt dưới cực cổng G, nên điện
trở ngõ vào ( cực G ) rất lớn có thể đến vài chục – vài
trăm Gohm.
• Do cấu trúc như trên nên FET này có tên MOSFET ( MOS–
Metal-Oxide-Semicon-ductor )
• Do giữa 2 cực S và D thành lập vùng hiếm lớn, nên
MOSFET không dẫn điện khi chưa được phân cực .
2.Cách hoạt động
E-MOSFET kênh n còn gọi là NMOS loại tăng trước
tiên được phân cực với VDS >0 nhỏ và giử không
đổi ,cho VGS thay đổi:
• Khi VGS <0 , dưới cổng ( dưới lớp oxid) chỉ có lớp
điệntích dương(do cảm ứng )nên ID = 0 , MOSFET
không dẫn.
• Khi VGS > 0 nhưng vẫn VGS < VTH MOSFET vẩn
ngưng dẫn.
• Khi VGS > VTH số điện tích âm dưới cực cổng đủ
hình thành kênh n từ cực S sang cực D, nhờ đó
các điện tử tự do dễ dàng di chuyển từ S sang D
dưới tác động của điện trường ngoài ( cực D có
VDD rất lớn).
MOSFET dẫn điện nhưng do điện trường còn nhỏ
nên dòng ID vào khoảng vài uA.
• Khi VGS > 0 càng lớn, số điện tử tự do ( hạt tải đa
số ) trong kênh cảm ứng càng tăng làm dòng thoát
ID càng tăng.
• Nếu giờ giử VGS đủ lớn như trên và làm thay đổi
VDS ( bằng cách thay đổi VDD):
 Lúc VDS còn nhỏ dòng ID tăng rất nhanh
 Lúc VDS tăng đủ lớn, do vùng thoát phân cực
nghịch , vùng hiếm lan rộng làm hẹp và bị nghẽn
tại cuối kênh , dòng thoát ID đạt trị số bão hoà ( có
trị lớn nhứt và không đổi) VDSbh .
 Sau đó, nếu tiếp tục gia tăng VDS > VDSbh vùng hiếm
phía cực D càng rộng làm điểm nghẽn di chuyển về
phía cực nguồn S nên dòng ID vẫn giử trị không đổi
( bão hoà) ( H.9 ) .

Chú ý
(1). Do EMOSFET dẫn điện chỉ bằng các hạt tải đa số
nên còn gọi lả linh kiện hạt tải đa số hay transistor
đơn cực(đơn hướng).
(2). Việc điều khiển các hạt tải đa số bằng điện
trường nên EMOSFET còn được gọi là linh kiện
điều khiển bằng điện trường.
(3). Với các EMOSFET kênh p thì lý luận tương tự
nhưng với kênh cảm ứng là các lỗ trống , cực S và
cực D là các lỗ trống cho sẳn ( xem giáo trình ).
 Figure 9.32 n-channel enhancement MOSFET circuit and
drain characteristic

iD (mA)

100 v GS = 2.8 V

80 2.6 V

60 Q 2.4 V

D iD
40 2.2 V
G + RD
2.0 V v DS
20 +
1.8 V V v GS –
1.6 V
GG
– S VON
1.4 V
0
0 2 4 6 8 10 v DS (V)
MOSFET coù hai kieåu hoaït ñoäng:
- Giao hoaùn hay chuyeån maïch ( Switching mode)
- Khueách ñaïi (Amplifier mode)
• Giao hoaùn:
Khi ñieåm tónh Q hoaëc ôû vuøng ngöng ( cut off region) hoaëc ôû vuøng
ñieän trôû ( vuøng khoâng tuyeán tính) döôùi taùc ñoäng cuûa xung ôû
ngoõ vaøo
(cöïc coång G)
• Khueách ñaïi:
Khi ñieåm tónh Q chæ di chuyeån trong vuøng baûo hoaø döôùi taùc
ñoäng cuûa tín hieäu vaøo cöïc coång G.
id id
Q2 Q2
Q
Q1
Q1 vds vds
• 3. Biểu thức điện thế và dòng điện
a.Biểu thức điện thế
Dựa vào lý thuyết và đặc tuyến, quỉ tích các điểm
có VDSbh cho bởi:
VDSbh = VGS – VTH (1).
b. Biểu thức dòng điện thoát ID.
- Trong vùng điện trở : VGS < VTH hay VDS < VGS – VTH
ta có :
ID = k[ 2( VGS-VTH)VDS – (VDS)2] (2)
- Trong vùng bão hoà :VGS >VTH hay
VDS > VGS-VTH ta có :
ID = k(VGS – VTH )2 (3)
k hằng số tuỳ thuộc linh kiên .
 Thông số kỹ thuật của EMOSFET
• 2N7000 có trị số cực đại:
VDSS 60 V
VGSS 60 V
IDM 200 mA
PDM 400 mW
Tjmax -55 + 1500C
a. Phân cực bằng cầu chia thế và RS
• Xác định điểm tĩnh điều hành Q:
R 2
VG  V DD
R1  R 2 + VDD

V S  RS I D RD ID

V GSQ  V G  V S  0 1 R1

+
I DQ  k V GSQ  V TH 
2
2 Q VDS
-
+
V DS  V DD   R D  R S  I D 3 VGS
- ID
R2 RS

• Đường tải tĩnh:

V DS V DD
ID   4
RD  RS RD  RS
• Mạch có thể bỏ điện trở RS vì FET ổn định đối
với nhiệt độ
Các phép tính giống như trên nhưng cho Rs = 0