Predavanje6 IUkarakteristike PN SpojaOdstupanje Od Idealme

Sveučilište J.J.
Elektrotehnički fakultet
Strossmayera u Osijeku Osijek
Prof.dr.sc. Tomislav Švedek
ELEKTRONIKA 1
Predavanje 11/45
2.3 STRUJNO-NAPONSKA
KARAKTERISTIKA PN-SPOJA U
STACIONARNOM STANJU
U neravnoteži kroz PN-spoj u zatvorenom strujnom krugu teče struja.
U > 0 - velika struja kroz PN-spoj - struja propusne polarizacije (ulazi

u P-područje, a izlazi iz N-područja).
U < 0 - vrlo mala struja kroz PN-spoj - struja nepropusne polarizacije/
reverzna struja (ulazi u N-područje, a izlazi iz P-područja)
Za proračun I-U karakteristike PN-spoja u stacionarnom stanju treba

riješiti sustav od pet međusobno nezavisnih diferencijalnih jednadžbi s
pet nepoznanica: Jn, Jp, n, p i F.
Za taj nelinearni sustav jednadžbi ne postoji analitičko

rješenje, već samo numeričko - pomoću računala.
Predavanje 11/45
STACIONARNOM STANJU
 transportne jednadžbe (određuju gustoću struja):
dnx  dp x 
J n  qn( x ) n F x   qDn J p  qp( x ) p F x   qD p
dx dx
 jednadžbe kontinuiteta u pojednostavljenom stacionarnom obliku
(pretpostavljena izravna rekombinacija):
nx  1 J n p x  1 J n
0  0 
 ef q x  ef q x
 Poissonova jednadžba:
dF x  q
 N D  N A  p( x )  n( x )
dx 
Predavanje 11/45
STACIONARNOM STANJU
Približno rješenje gornjih jednadžbi temelji se na pretpostavkama W.
Schockleyja da se PN-spoj može podijeliti u dva potpuno različita
područja: osiromašeno područje - gotovo bez pokretljivih nosilaca
naboja
kvazineutralno područje -
osiromašeno kvazineutralno nema zamjetnog djelovanja
područje N-područje električnog polja
kvazineutralno
P-područje
Osiromašeno područje
uvijek crtano
nesrazmjerno veliko!
Predavanje 11/45
STACIONARNOM STANJU
Duljina kvazineutralnih područja WB i WE može imati dvije krajnje vrijednosti:
1. biti znatno duža od difuzijskih duljina Lp i Ln. (dioda širokih strana WE >> Ln
i WB >> Lp)
Lp
WB xnWB
Lp
xn
0 –xp 0
–xp –WE
Ln
–WE Ln
2. biti znatno kraća od difuzijskih duljina Lp i Ln. (dioda uskih strana

WE << Ln i WB << Lp)
Predavanje 11/45
STACIONARNOM STANJU
P-tip N-tip
pp0 i np0 - ravnotežne koncentracije nn0 i pn0 - ravnotežne koncentracije
većinskih i manjinskih nosilaca većinskih i manjinskih nosilaca
naboja naboja
pp(–xp) = pp0 - neravnotežna nn(xn) = nn0 - neravnotežna
koncentracije većinskih nosilaca koncentracije većinskih nosilaca
naboja na rubu osiromašenog naboja na rubu osiromašenog
područja područja
np(–xp) - neravnotežna koncentracije pn(xn) - neravnotežna koncentracije
manjinskih nosilaca naboja na manjinskih nosilaca naboja na
rubu osiromašenog područja rubu osiromašenog područja
np(–xp) - ekscesna koncentracije pn(xn) - ekscesna koncentracije
manjinskih nosilaca naboja na manjinskih nosilaca naboja na
rubu osiromašenog područja rubu osiromašenog područja
Predavanje 11/45
STACIONARNOM STANJU
Raspodjela slobodnih nosilaca naboja lijevo i desno od ruba osiromašenog
područja kod propusne (U > 0) polarizacije diode s širokim stranama.
P-tip log p, log n N-tip

pp(–xp) = pp0 nn(xn) = nn0
nn0
pp0
np(–xp) pn(xn)
np0
np(–xp) pn0
pn(xn)
Ln –x’p 0 x n Lp x
’
bez napajanja (U = 0) propusna (U > 0) polarizacija

Predavanje 11/45
STACIONARNOM STANJU
Raspodjela slobodnih nosilaca naboja lijevo i desno od ruba osiromašenog
područja kod nepropusne (U < 0) polarizacije diode s širokim stranama.
nn0
pp0
np0
–np(–xp) pn0
–pn(xn)
–x’’p 0 x’’n x
bez napajanja (U = 0) nepropusna (U < 0) polarizacija

Predavanje 11/45
2.3.1. Propusna polarizacija. Dioda širokih strana
Pretpostavka da u kvazineutralnom području gotovo nema djelovanja
električnog polja (niti vanjskog, niti ugrađenog), znači da se radi o
režimu niske injekcije, kod koje do bitne promjene koncentracije
dolazi samo kod manjinskih nosilaca naboja
np(x) = np0 + np(x) ; x  –xp
neravnotežne koncentracije
manjinskih nosilaca naboja
pn(x) = pn0 + pn(x) ; x  xn
Iako je zanemarivo, slabo električno polje ipak postoji u

kvazineutralnim područjima, jer bez njega ne bi tekla
struja kroz PN-spoj
Predavanje 11/45
Zbog propusne polarizacije PN-spoja došlo je do malog, ali bitnog

povećanja koncentracije manjinskih nosilaca naboja, koja izaziva
difuzijsko gibanje manjinskih nosilaca.
Driftna komponenta uslijed vanjskog polja može se zanemariti zbog

niske koncentracije manjinskih nosilaca naboja  ukupna struja
pripisuje se samo difuzijskom gibanju manjinskih nosilaca.
dnx  dpx 
J n  qn( x ) n F x   qDn J p  qp( x ) p F x   qD p
dx dx
Predavanje 11/45
Transportne jednadžbe za difuzijsko gibanje manjinskih nosilaca naboja:
dn p x  dpn x 
J n ( x)   qDn , x  x p J p ( x )  qD p , x  xn
dx dx
Za izračun struje PN-spoja - naći matematički izraz koji opisuje

razgradnju neravnotežnog naboja manjinskih nosilaca naboja (unutar
nekoliko difuzijskih duljina) od ruba osiromašenog područja prema
kraju kvazineutralnih područja: np(x) i pn(x)
Predavanje 11/45
Zbog režima niske injekcije (struju kroz PN-spoj opisuju samo

difuzijske jednadžba), stacionarna jednadžba kontinuiteta u
kvazineutralnom području prelazi u difuzijsku jednadžbu (obična
diferencijalnu jednadžba):
n p x  d2 n p x  pn x  d2 p n x 
0  Dn 0  Dp
n dx 2 p dx 2
Opći oblik rješenja opisuje prostornu raspodjelu ekscesnih

koncentracija manjinskih nosilaca naboja:  x  xp   x  xp 
n p x   C1exp    C 2 exp 
 Ln   L
 n


 x  xn   x  xn 
pn x   C3exp    C 4 exp 
 Lp   Lp 
   
Predavanje 11/45
Određivanje rubnih uvjeta: x =:

nn0
pp0
np0
np(–xp) pn0
pn(xn)
–x’p 0 xn x
’
Dovoljno duboko u kvazineutralnim područjima nema neravnotežnog

stanja:
np(–) = 0 i  pn(+) = 0
Predavanje 11/45
Određivanje konstanti C1 i C 4:
  
n p     0  C1exp 
 
  C 2 exp 

x =– :  Ln   Ln 
0
C1  0
    
x =+ : p n    0  C3exp 
   C 4 exp  
 Lp   Lp 
   
0
C4  0
Predavanje 11/45
Određivanje rubnih uvjeta: Rub osiromašenog područja x =– xp / + xn

nn0
pp0
np0
np(–xp) pn0
pn(xn)
–x’p 0 xn x
’
Neravnotežne koncentracije:
np(–xp)= np(–xp)+np0 i pn(xn)= pn(xn)+pn0
ovise o vanjskom naponu U!!

Predavanje 11/45
Određivanje konstanti C2 i C3:

Kvazi-Fermijeve razine (na koji djeluje samo vanjski napon !)
razmaknute su za qU, te u području prostornog naboja (–xp < x < xn)
vrijedi (EFn - EFp )= q U.
Neravnotežna koncentracija manjinskih nosilaca naboja uz rub
osiromašenog područja, uz uvjete niske injekcije [ pp(–xp) = pp0 i np0pp0
=ni2 ], za P stranu su jednake:
 qU 
 
n p  x p  n p 0  exp 
 kT 
i slično za N-stranu:
 qU 
p p xn   p n 0  exp 
 kT 
Predavanje 11/45

Određivanje ekscesnih koncentracija iz razlike neravnotežnih i
ravnotežnih koncentracija P-strane:
   
n p  x p  n p  x p  n p 0      qU  
n p  x p  n p 0 exp   1
  kT  
   qU 
n p  x p  n p 0  exp 
 kT 
i slično za N-stranu:
  qU  
p n xn   p n xn   p n0  p n0 exp   1
  kT  
Predavanje 11/45

  qU    0 
x =– xp
 
n p  x p  n p 0 exp 
 1  C 2 exp
L


  kT    n 
  qU    0 
x = xn p n xn   p n 0 exp   1  C3 exp 
  kT    kT 
Predavanje 11/45
Konačni oblik prostorne raspodjele ekscesnih koncentracija manjinskih

nosilaca naboja:
 U    x  xp 
n p x   n p 0 exp   1 exp ,
 x  x p
  kT    Ln 
 U    x  xp 
pn x   nn 0 exp   1 exp  ,
 x  xn
  kT    Ln 
Predavanje 11/45
Uvrštenje u izraz za difuzijsku struju:
d n p ( x ) d   U    x  xp 
J n ( x )  qDn  qDn n p 0 exp   1 exp ,
 x  x p
dx dx    kT    Ln 
nakon deriviranja daje za P-stranu :

qDn n p 0   qU    x  xp 
J n x   exp   1 exp ,
 x  x p
Ln   kT    Ln 
Slično za N-stranu: :
qD p p n 0   qU    x  xn 
J p x   exp   1 exp  , x  xn
Lp   kT    Lp 
 
Predavanje 11/45
Ukupna gustoća struje kroz PN-spoj (uz pretpostavku da se struja u
području prostornog naboja ne mijenja), jednaka je zbroju gustoća struja
na rubovima osiromašenog područja i kvazineutralnih N-područja i P-
područja:
 
qDn n p 0 qD p pn 0   qU  
   
J  J n  x p  J p xn  
 L

L


exp
kT
  1
 n p    
Množenjem s površinom presjeka PN-spoja - A [cm2], uz np0 NA= ni2 i
pn0 ND = ni2, dobiva se strujno-naponska karakteristika idealne diode:
 U  
I  I S exp   1 Schockleyjeva jednadžba
  U T  
gdje je:

2  Dn Dp 
I S  qni A   reverzna struja zasićenja
 N A Ln N D L p 
 
Predavanje 11/45
kT
UT  - naponski ekvivalent temperature!
q
Strujno-naponska karakteristika idealne diode kod propusne polarizacije
(U nekoliko puta veće od UT):
U  I, pA
I  I S exp 
 UT 
U,V
Strujno-naponska karakteristika idealne diode kod nepropusne polarizacije (|
U | nekoliko puta veće od UT, npr 0,1 V)
I  I S
– U,V –I, pA
Predavanje 11/45
Strujno-naponska karakteristika idealne diode za mA područje u
linearnom mjerilu:
I, mA
U 
I  I S exp 
 UT 
propusna
polarizacija
–0,6 –0,4 –0,2 U>0
I  I S 0 0,2 0,4 0,6 U,V
nepropusna – I, pA
polarizacija
U<0
Predavanje 11/45
Strujno-naponska karakteristika idealne diode za mA područje u
semilogaritamskom mjerilu:  I    U  U
 
ln   lnexp  
 IS    U T  U T
I
IS >0
106 a U
a cij
105 r i z
o la
104 p
103 s na
u
op
102 pr
101 nepropusna polarizacija U < 0
100
U
0 5 10 15
UT
Predavanje 11/45
2.3.3. Faktor injekcije. Asimetričan PN spoj.
Faktor injekcije ili djelotvornost injekcije  - omjer struje jednog tipa

nosilaca naboja (npr. šupljina) u odnosu na ukupnu struju PN-spoja
(vrijedi za rub osiromašenog spoja (x = –xp i x = xn)):
qD p p n 0  U  
 exp   1
I p (0) I p ( 0) L p   U T  
p   
I ( 0) I p ( 0)  I n ( 0) qD p pn 0   U   qDn n p 0  U  
 exp
U    1   exp   1
Lp   T   Ln   UT  
1 1
p   1 p je to veći što je veća vodljivost
Dn L p n p 0  n Lp
1 1 (koncentracija primjesa) one strane iz koje se
D p Ln p n 0  p Ln
injektiraju nosioci, i što je difuzijska duljina
za promatrani tip nosilaca naboja manja!
Predavanje 11/45
2.3.3. Faktor injekcije. Asimetričan PN spoj.
Kod poluvodičkih komponenata često je potrebno da kroz jedan njihov
propusno polariziran PN-spoj protječe mnogo veća struja jednog, nego
struja drugog tipa nosilaca naboja.
Asimetričan P+N-spoj (NA >> ND), osiromašeno područje se širi pretežno
na N stranu: P-strana injektira više šupljina na N-stranu, no N-strana
elektrona na P+-stranu  (pn(xn) >> np(–xp)

pp0
nn0
pn(xn)
np(–xp) pn0
np0
propusna polarizacija
–x’p 0 x’n x
Predavanje 11/45
2.3.5. Dioda uskih strana
Drugi granični slučaj idealne diode je dioda kratkih strana. U njoj su

kvazineutralna područja znatno kraća od difuzijskih duljina WE << Ln i
WB << Lp, pa stoga u njima ne dolazi do značajnije rekombinacije
nosilaca naboja (svi manjinski nosioci rekombiniraju tek na omskim
kontaktima takve diode).
Lp
U praksi su moguće i
xnWB
kombinacije jedne široke
i jedne kratke strane! –xp 0
–WE
Ln
Predavanje 11/45
2.3.5. Dioda uskih strana
Gustoće struja su određene kao:

qDn n p 0   qU   qDn pn0   qU  
J n x    exp   1 J p x   exp   1
W 'E   kT   W 'B   kT  
Linearna promjena koncentracije ukazuje na to da je struja šupljina u
cijelom N području konstantna te da za kompenzaciju rekombiniranih
šupljina ne treba dodatna struja (isto vrijedi i za struju elektrona na P-strani).
Ukupna gustoća struje kroz PN-spoj jednaka je zbroju struja elektrona i
šupljina na samom rubu osiromašenog područja:
 qDn n p 0 qD p pn 0   qU  
 
J  J n  x p  J p xn      exp
   1
 W 'E W ' B   kT  
U dioda širokih strana karakteristična duljina je difuzijska duljina
manjinskih nosilaca naboja (Ln i Lp), a kod dioda kratkih strana
karakteristična duljina je duljina kvazineutralnog područja (W’E i W’B).
Predavanje 11/45
2.3.6. Odstupanja od idealne strujno-naponske
karakteristike PN-diode
I-U karakteristika idealne diode dobivena je uz pretpostavke:

• zanemarene rekombinacije i generacije u području prostornog
naboja
• niske injekcije manjinskih nosilaca i
• zanemarenih padova napona u neutralnim područjima PN-spoja.
Mjerenje pokazuje bitno odstupanje (posebno kod Si dioda), naročito

u reverznom dijelu, od računski dobivenih karakteristika.
Odstupanja od idealne krivulje:

a) odstupanje u reverznom dijelu karakteristike,
b) odstupanje u propusnom dijelu karakteristike pri niskim,
c) visokim i
d) vrlo visokim naponima propusne polarizacije.
Predavanje 11/45
Odstupanja su posebno vidljiva ako se I-U karakteristika crta u
semilogaritamskom mjerilu.
I
IS idealna dioda
10 8
>0
d)  U  
U
107 I  I S exp   1
a
cij
106 c)   U T  
a
riz
105
la
po
104 aproksimacija realne diode

a
sn
b)
pu
103
  U  
o
a)
pr
102 I  I R 0 (0)exp   1
101 nepropusna polarizacija U < 0   mU T  
100
5 10 15 20 25 30 U
UT
Predavanje 11/45
Utjecaj rekombinacije i generacije u području prostornog naboja
Model idealne diode dobiven je uz pretpostavku da se procesi

rekombinacije (R) i termičke generacije (G) odvijaju samo u
kvazineutralnim područjima P-tipa i N-tipa!
U realnoj diodi generacija i rekombinacija nosilaca naboja postoji i u

području prostornog naboja. Hoće li ti procesi biti izraženiji u kvazi-
neutralnom području ili u području prostornog naboja, ovisi o:
• načinu proizvodnje,
• vanjskom naponu i
• radnoj temperaturi.
Predavanje 11/45
Utjecaj rekombinacije i generacije u području prostornog naboja
najizraženiji je pri reverznoj polarizaciji PN-spoja (U < 0 V).
  0  
I  I S exp   1   I S
  U T  
Reverzna struja zasićenja IS posljedica je termičke generacije parova
nosilaca u kvazineutralnim područjima i zatim difuzije manjinskih
nosilaca u područje prostornog naboja, kroz koje se oni pod utjecajem
električnog polja prebacuju na drugu stranu.
Ako je širina osiromašenog područja db velika i ako se radi o
poluvodiču širokog energetskog procjepa (EG) s R-centrima,
ukupna struja reverzne polarizacije IS povećava se dodatno i za
iznos nosilaca generiranih u R-centrima unutar osiromašenog
područja.
Predavanje 11/45
IS je približno proporcionalna s ni2

Kako vrijedi: ni(Si)  1010 cm–3, a ni(Ge)  1013 cm–3, reverzna struja
zasićenja germanija je oko 106 puta veća od reverzne struje silicija.
– U,V –IS(Si)
Si
–IS(Ge) – 106IS(Si)
Ge
–I, pA
Generacijska komponenta struje osiromašenog sloja postoji i
kod Ge i Si dioda - do znatnijeg odstupanja od IS=konst
idealne diode dolazi u silicijskoj diodi jer je njena struja IS do
šest redova veličine manja!
Predavanje 11/45
Struja korekcije (povećava struju reverzne polarizacije PN-diode) -
posljedica razlike učestalosti procesa rekombinacije i generacije u
osiromašenom području (R – G). U stacionarnim uvjetima ona se može
izračunati iz jednadžbi kontinuiteta:
I RG   divJ n dV   divJ p dV qA  ( R-G )dx
volumen V volumen V volumen V
kvazineutralno osiromašeno kvazineutralno N-

P-područje područje područje
R–G
2
n( x ) p( x )  ni
–xp 0 xn x
Predavanje 11/45
Za rekombinaciju preko R-centara vrijedi izraz:
nx px   ni
2
RG 
px   p1  n  nx   n1  p
U neravnoteži (PN-spoj pod naponom U) postoje neravnotežne koncentracije
nosilaca naboja:
 qU 
 qU 
p n x n   p n 0 exp   
n p  x p  n p 0 exp 
 kT   kT 
čiji je umnožak koncentracija nosilaca u osiromašenom području jednak:

 qU 
nx  px   ni exp
2

 kT 
Predavanje 11/45
Uvrštenje neravnotežne koncentracije:
2 U 
ni exp   ni 2
 UT 
RG 
px   p1  n  nx   n1  p
Rješenje jednadžbe kontinuiteta daje struju korekcije:
2  qU   xn dx
I RG  qAni exp   1 
  kT    x p  px   p1  n  nx   n1  p
Struja korekcije IRG uvodi naponsku ovisnost struje reverzne struje

zasićenja!
Predavanje 11/45
a) Reverzna polarizacija PN-spoja (U < 0)
Umnožak neravnotežnih koncentracija nosilaca naboja n(x) i p(x) u slučaju
reverzne polarizacije (uz U << UT):
U 
nx px   ni exp
2
  ni 2
 UT 
Neravnotežne koncentracije i većinskih i manjinskih nosilaca naboja se

smanjuju. S porastom | U |>>UT raste širina osiromašenog područja db, pa
procesi generacije i rekombinacije više nisu uravnoteženi
2 U 
ni exp   ni 2
 UT 
RG  0
px   p1  n  nx   n1  p
Predavanje 11/45
(R – G) <0  prevladava generacija = termičko stvaranje parova elektron-
šupljina  struja reverzne polarizacije realne PN-diode raste brže od
reverzne struje zasićenja IS idealne diode.
Struja korekcije dobiva se integracijom u granicama – xp do xn:
I RG  
2

qAni x p U   xn (U )    qAn d U 
i b
p1 n  n1 p  ef
uz uvrštenje U < 0, zanemarenje neravnotežnih koncentracija generiranih
elektrona n(x) i šupljina p(x) za koje vrijedi n(x)<< n1 i p(x)<< p1, te uz
p1 n  n1 p
 ef 
ni
Predavanje 11/45
Struja korekcije pri reverznoj polarizaciji (U

<< UT) je:
qAni d b U  • generacijskog tipa (potpomaže reverznu
I RG 
 ef struju zasićenja IS),
• proporcionalna s ni, a ne ni2, i
• ovisi o širini osiromašenog područja db(U).
db(U) ovisi o ukupnom naponu Uuk =Uk–U, pa je struja IRG također
proporcionalna naponu (proporcionalnost ovisi o tipu PN-prijelaza):
1 1
I RG   U uk n  Uk  U n
n = 2 za skokoviti i n = 3 za lienarno postupni PN-prijelaz

Predavanje 11/45
Struja korekcije IRG ovisi o:
• vrsti poluvodiča (preko ni ),
• naponu U i količini primjesa (NA i ND) (preko db(U)),
• pribraja se reverznoj struji zasićenja IS idealne diode (koja je
posljedica termičke generacije samo u neutralnim područjima).
Ukupna struja reverzne polarizacije
I
realnog PN-spoja naponski je ovisna
IS realna d
iod a
veličina:
102 I(U) = – IS – IRG(U)
101 idealna dioda Za Si na T = 300 K vrijedi: IRG
100 =102 ... 103IS, pa u gornjem
10-1 U izrazu prevladava drugi
5 10 15
UT pribrojnik
Predavanje 11/45
b) Propusna polarizacija PN-spoja (U > 0)
Kod propusne polarizacije u području prostornog naboja je (R – G) > 0 -
prevladava rekombinacija parova elektron-šupljina.
U 
nx p x   ni exp
2
  ni 2
 UT 
Kako i ovdje ukupna struja zbog rekombinacije u području prostornog

naboja ovisi o gustoći energetskih stanja u blizini sredine energetskog
procjepa (rekombinacija preko R-centara!), a umnožak koncentracija
većinskih i manjinskih nosilaca u području prostornog naboja je veći od ni2,
to se može pretpostaviti da vrijedi n(x)>> n1 i p(x)>> p1, što znači da se
povećava broj naboja sposobnih za rekombinaciju.
Predavanje 11/45
Glavna pomoć pri rješavanju integrala
2  qU   xn dx
I RG  qAni exp   1 
  kT    x p px  n  nx  p
granični slučaj kada je p(x)n= n(x)p, odnosno kada je nazivnik minimalan.

Tada vrijedi  qU 
p x  n  nx  p  2  n p ni exp 
 2kT 
pa integracija daje qAni d b U   qU 

I RG U   sinh     
 ef  2kT  ef n p
Predavanje 11/45
Ukupna se struja korekcije može, uz označavanje
qAni d b U   qU 
I RG U   sinh   I R 0 (U )
 ef  2kT 
prikazati slično kao za idealnu diodu:

  qU  
I RG  I R 0 U exp   1
  2kT  
Kod propusne polarizacije (U > 0) struja IR0(U) manje ovisi o naponu od

eksponencijalne funkcije pa se može pretpostaviti da je IR0(U = 0) konstantna.
Predavanje 11/45
Ukupna struja realne PN-diode jednaka je:
  qU     qU  
I real  I  I RG  I S exp   1  I R 0 0 exp   1
  kT     2kT  
idealna dioda korekcijski član
Koja će komponenta struje u realnoj diodi prevladati ovisi o T i U :
• rekombinacija u kvazineutralnom području ili
• rekombinacija u području prostornog naboja.
Za Si na T = 300 K vrijedi: IRG =102 ... 103IS, pa za napone 0 < U/UT < 7
prevladava drugi pribrojnik.
Predavanje 11/45
I
>0
IS I
108 aU
107 IS a
realna diod
cij
106
a
riz
105 102 da
la
i o
po
d
104 101 l na
na
a
103 ide
s
100
pu
102
o
10–1
pr
101 nepropusna polarizacija U < 0 5 U

100 UT
5 10 15 20 25 30 U
UT
Za realnu PN-diodu   qU   m(U) = 2 za 0 <U/U < 7
I real  I R 0 0exp   1 T
  mU kT   m(U) =1 za 7 <U/UT <10

vrijedi izraz
Predavanje 11/45
c) Utjecaj visoke injekcije (U > 0)
Režim niske injekcije: ekscesne koncentracije manjinskih
nosilaca naboja np i pn bitno su više od ravnotežnih
koncentracija pn0 i np0, ali zanemarivo manje od koncentracije
većinskih nosilaca naboja pp0 i nn0 pa struju kroz PN-spoj
određuje difuzijska struja manjinskih nosilaca.
PN-dioda kod napona propusne polarizacije U/UT > 10 ulazi u područje
visoke injekcije  neravnotežne koncentracije većinskih nosilaca
naboja nisu zanemarive u odnosu na njihovu ravnotežnu koncentraciju.
Pri visokoj injekciji vrijedi: pn= nn > nn0, a np=pp > pp0, stoga sada
postaje bitna i difuzijska komponenta struje većinskih nosilaca.
Ona postoji i pri niskoj injekciji
ali je tamo zanemariva!
Predavanje 11/45
FL
n(x), p(x) + –
difuzija JDn gustoća

većinskih elektrona
drift JFn struje
nn(xn) –
nn0
difuzija JDp gustoća
manjinskih šupljina JFp struje
pn(xn) drift
+
pn0
xn x
Za izračun jakosti unutarnjeg električnog polja FL uzrokovanog visokom
injekcijom nosilaca naboja, pretpostavlja se da je ukupna struja elektrona
jednaka nuli, a unutarnje polje se prikazuje promjenom ugrađenog potencijala :
Predavanje 11/45
dnx  d dnx  d
J n  J Dn  J Fn  qDn  qnx  n 0 qDn  qnx  n
dx dx dx dx
d Dn 1 dnx  uz primjenu d 1 dnx 

  UT
dx  n nx  dx Einsteinove relacije dx nx  dx
UL n( xn ) nn 0  n
dnx 
 d   UT
0 n (  )  nn 0 nx 
 nn 0  n   n 

U L  U T ln  
 U T ln1  
 
 nn 0   nn 0 
Predavanje 11/45
Ugrađeni potencijal kod visoke  nn 0  n   n 

injekcije posljedica je ekscesne U  U ln
T    U ln 1  
L
nn 0   T 
nn 0 
koncentracije većinskih nosilaca naboja.  
Kod niske injekcije je ekscesna koncentracija n većinskih nosilaca

naboja bitno manja od np0 pa je UL = 0.
FL djeluje i na manjinske nosioce naboja (šupljine) N-strane pa njihova struja

sada dobiva i driftnu komponentu:
dp x  d
J p  J Dp  J Fp  qD p  qpx  p
dx dx
Predavanje 11/45
FL
n(x), p(x) + –
nn(xn) – nn0
difuzija JDp gustoća
pn(xn) manjinskih šupljina
+ drift JFp struje
pn0
xn x
dp x  d dpx 
J p  J Dp  J Fp   qD p  qpx  p  2qD p
dx dx dx
Zbog električke neutralnosti d 1 dnx 
 UT
dp(x)/dx = dn(x)/dx dx nx  dx
Predavanje 11/45
dp x 
J p  2qD p
dx
Gradijent koncentracije šupljina na N-strani je negativan, pa

je struja usmjerena u smjeru osi x!
Krajnji rezultat: struja manjinskih nosilaca ponaša se kao da je

difuzijska konstanta porasla na dvostruku vrijednost. Za
vrijednosti U/UT > 10 [područje c) realne karakteristike PN-diode ]
struja realne diode može se također aproksimirati izrazom
  qU  
I  I R 0 0 exp   1
  mU kT   uz m = 2.
Predavanje 11/45
d) Utjecaj omskih gubitaka (U > 0)
U modelu idealne PN-diode zanemareni su padovi napona na

kvazineutralnim P- i N-područjima i vanjskim kontaktima (pretpostavka:
napon U doveden na PN-diodu pojavljuje se samo na mjestu najvećeg
otpora - osiromašeno područje !)
Pri malim strujama ta pretpostavka je točna:

- koncentracija primjesa P-strane i N-strane obično je veoma
visoka, pa je otpor kvazineutralnih P- i N-područja vrlo mali,
- a presjek diode A uglavnom je veći od duljina njenih stranica
W’B i W’E.
Predavanje 11/45
I
N P Rp U
U'
Rn
Pri većim strujama kroz diodu treba uzeti u obzir i padove

napona na kvazineutralnim područjima (pojednostavljeno
prikazano dodavanjem otpornika u seriju s osiromašenim
slojem):
 
U '  U  I R p I   Rn I   U  IRs I 
Predavanje 11/45
Smanjenje pada napona na osiromašenom području smanjuje razinu
injekcije nosilaca naboja pa pri većim naponima struja raste raste sporije!
I
IS I
106 IRs
omski efekt
105
20 U U,V
UT
Semilogaritamsko mjerilo linearno mjerilo
Predavanje 11/45
Predavanje 11/45

Predavanje6 IUkarakteristike PN SpojaOdstupanje Od Idealme

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

You might also like

Predavanje6 IUkarakteristike PN SpojaOdstupanje Od Idealme

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Predavanje6 IUkarakteristike PN SpojaOdstupanje Od Idealme

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Sveučilište J.J.

Prof.dr.sc. Tomislav Švedek

U > 0 - velika struja kroz PN-spoj - struja propusne polarizacije (ulazi

Za proračun I-U karakteristike PN-spoja u stacionarnom stanju treba

Za taj nelinearni sustav jednadžbi ne postoji analitičko

2. biti znatno kraća od difuzijskih duljina Lp i Ln. (dioda uskih strana

P-tip log p, log n N-tip

bez napajanja (U = 0) propusna (U > 0) polarizacija

P-tip log p, log n N-tip

bez napajanja (U = 0) nepropusna (U < 0) polarizacija

Iako je zanemarivo, slabo električno polje ipak postoji u

Zbog propusne polarizacije PN-spoja došlo je do malog, ali bitnog

Driftna komponenta uslijed vanjskog polja može se zanemariti zbog

Transportne jednadžbe za difuzijsko gibanje manjinskih nosilaca naboja:

Za izračun struje PN-spoja - naći matematički izraz koji opisuje

Zbog režima niske injekcije (struju kroz PN-spoj opisuju samo

Opći oblik rješenja opisuje prostornu raspodjelu ekscesnih

Određivanje rubnih uvjeta: x =:

P-tip log p, log n N-tip

Dovoljno duboko u kvazineutralnim područjima nema neravnotežnog

Određivanje rubnih uvjeta: Rub osiromašenog područja x =– xp / + xn

P-tip log p, log n N-tip

ovise o vanjskom naponu U!!

Određivanje konstanti C2 i C3:

Određivanje konstanti C2 i C3:

Određivanje konstanti C2 i C3:

Konačni oblik prostorne raspodjele ekscesnih koncentracija manjinskih

Uvrštenje u izraz za difuzijsku struju:

nakon deriviranja daje za P-stranu :

Faktor injekcije ili djelotvornost injekcije  - omjer struje jednog tipa

P-tip log p, log n N-tip

Drugi granični slučaj idealne diode je dioda kratkih strana. U njoj su

Gustoće struja su određene kao:

I-U karakteristika idealne diode dobivena je uz pretpostavke:

Mjerenje pokazuje bitno odstupanje (posebno kod Si dioda), naročito

Odstupanja od idealne krivulje:

104 aproksimacija realne diode

Model idealne diode dobiven je uz pretpostavku da se procesi

U realnoj diodi generacija i rekombinacija nosilaca naboja postoji i u

IS je približno proporcionalna s ni2

kvazineutralno osiromašeno kvazineutralno N-

čiji je umnožak koncentracija nosilaca u osiromašenom području jednak:

Struja korekcije IRG uvodi naponsku ovisnost struje reverzne struje

Neravnotežne koncentracije i većinskih i manjinskih nosilaca naboja se

Struja korekcije pri reverznoj polarizaciji (U

n = 2 za skokoviti i n = 3 za lienarno postupni PN-prijelaz

Kako i ovdje ukupna struja zbog rekombinacije u području prostornog

granični slučaj kada je p(x)n= n(x)p, odnosno kada je nazivnik minimalan.

pa integracija daje qAni d b U   qU 

Ukupna se struja korekcije može, uz označavanje

prikazati slično kao za idealnu diodu:

Kod propusne polarizacije (U > 0) struja IR0(U) manje ovisi o naponu od

Ukupna struja realne PN-diode jednaka je:

101 nepropusna polarizacija U < 0 5 U

  mU kT   m(U) =1 za 7 <U/UT <10

difuzija JDn gustoća

d Dn 1 dnx  uz primjenu d 1 dnx 

Ugrađeni potencijal kod visoke  nn 0  n   n 