KOMPONENTE

BIPOLRANIH
M.I.k
Izolacija elemenata pomoću revezrno
polariziranih PN spojeva
Najčešći način izolacije je pomoću reverzno polariziranih PN-spojeva. Ista se može provesti na više načina:

Osnovni problem u
monolitnoj intergraciji
bipolarnih komponenata je
osiguravanje njihove
međusobne izolacije. Sve
komponente su dijelovi - Izolacija difuzijom se može vršiti na 2 načina.

iste silicijske pločice I svi
su dobijeni istovremeno.
Nedostatak jednostrane je što tranzistori, koji su izrađeni u N području, imaju
mali probojni napon.
-Dvostrana je bolja zato što sa jedne strane se vrši difuzija po cijeloj površini a
s druge strane kroz oksidnu masku.
Nedostaci su to što duboka difuzija zahtijeva visoku temperature I traje dugo.
Zahtijeva veliku površinu, zauzima prostor.
2
Monolitni
NPN
tranzistor
Tranzistor za integralna kola se pravi
u izoliranoj N oblasti. Razlika između
tranzistora za integralna kola (IK) I
normalnog planarnog je u tome što
kod IK kolektorska struja teče
paralelno kolektorskom spoju prema
kontaktu na površini, a kod
normalnog teče okomito sa
površinom
3
 Na sl.10 vidimo transistor u normalnom
režimu. Dioda predstavlja PN spoj izolirane

“
oblasti i supstrata. Tačka S mora biti na
najnižem potencijali kako bi dioda bila
reverzno polarizirana.
Sl.11 predstavlja transistor u zasićenju.
Kolektorski sopj je direktno polariziran (služi
kao emitter parazitnog tranzistora).

4
Faktor strujnog pojačanja parazitnog PNP-
tranzistora može se još više smanjiti
stavljanjem n+ sloja u kolektorsku oblast
(sl.12)

Kako je vrijeme života u N+ oblasti malo, a

pored toga postoji usporavajuće polje, to je i
faktor strujnog pojačanja parazitnog PNP-
tranzistora mali, pa je štetno dejstvo malo.
Monolitne PN diode
U principu svaki PN spoj u monolitnom sklopu može poslužiti kao PN dioda. Međutim u najvećem broju
standardnih izvedbi koristimo se spojem emiter-baza ili spojem kolektor-baza NPN tranzistora kao PN
diodom za monolitne sklopove. Standardni NPN tranzistor služi kao PN dioda u pet različitih
konfiguracija:
a. Dioda emiter-baza s kolektorom spojenim na bazu
b. Dioda emiter-baza s prekinutim krugom kolektor-baza
c. Dioda kolektor-baza s emiterom spojenim na bazu
d. Dioda kolektor-baza s prekinutim krugom emiter-baza
e. Dioda emiter-baza paralelno spojena s diodom kolektor-baza

6
NPN tranzistor u diodnom spoju

Svaka od dioda ima prednosti ali i mane. Diode koje se koriste spojem emiter-baza imaju
relativno niski iznos probojnog napona (6-9V). Didoama koje se koriste spojem kolektor-baza
iznos probojnog napona je visok (više od 25V)
U dinamičkim uslovima rada diode sa PN spojem emiter-baza imaju kraće vrijeme zadržavanja
od onih s PN spojem kolektor-baza.

7
Diode i tranzistor
sa Šotkijevom
barijerom

Šotkijeva dioda je posebna vrsta

diode koja ima veoma kratko
vrijeme uključivanja i isključivanja,
kao i znatno niži prag provođenja
nego kod običnih silicijumskih
dioda

8
 Aluminijumski kontakt 1 naparen je na površinu
epitaksijalnog izolacijskog n otoka kojem je površinska

“
koncentracija donora znatno manja od 5*10 na 18
atoma/cm3
Kontakt 2 ostvaren je tako da je prije naparavanja
aluminijuma na N silicijumu izvršena emiterska N+
difuzija u silicijum ispod područja kontakta.
Aluminijum će u području kontakta 2 formirati
neispravljački spoj metal-poluvodič sa N+ silicijumom.

9
Naponsko-strujna karakteristika u
propusnom smjeru, određena je
eksponencijalnim zakonom
kao i kod PN diode, ali su radni naponi
kod iste struje 0,2 do 0,3 V manji nego
kod PN dioda. Zato je
Šotkijeva dioda po svojim
karakteristikama bliža idealnom
prekidaču od pn diode.
Tehnološka realizacija spomenutog
spoja NPN-tranzistora i Šotkijeve diode
prikazana je na slici 17. Šoktijeva diode
tu je realizirana tako da je aluminij
kojim je formiran bazni kontakt
naparen dijelom i preko N-područja
kolektora bez prethodne N+ difuzije.
Takav transistor sa Šotkijevom diodom
zove se Šotkijev tranzistor. U el.
šemama on se prikazuje simbolom na
slici 18.
10