VLASTNÍ POLOVODIČE

Z hlediska vedení elektrického proudu rozdělujeme

látky na:
1. vodiče 2. izolanty
kovy (=10-6 .m), bakelit, sklo
elektrolyty =10-2 .m), (=109 .m)

10-2 .m 109 .m

3. polovodiče (=10-2 .m až 109 .m)

Si, Ge, C, Se, Te, PbS, hemoglobin, chlorofyl
Závislost měrného elektrického odporu (rezistivity)
na teplotě

.m

kov

t
o
C
V kovech se zvyšující se teplotou kmitající částice mřížky
víc překážejí pohybu elektronů.
Závislost měrného elektrického odporu (rezistivity)
na teplotě

.m

polovodič

kov

t
o
C
V polovodičích se zvyšující teplotou se zvětšuje hustota
volných elektronů.
Termistor

+ -

I
t

Termistor je polovodičová součástka, jejíž odpor velmi

závisí na teplotě.
Vodiče
- kovy, obsahují velké množství volných elektronů
uvolněných z valenčních sfér elektronových obalů.
Izolanty
- neobsahují téměř žádné volné elektrony, téměř všechny
elektrony jsou vázány k jádru.
 28 64
Atom křemíku 14 Si Atom germania 32 Ge
Atomy Si a Ge mají ve valenční vrstvě 4 elektrony.

+ +

Atomy se snaží seskupovat do krystalové mřížky tak,

aby ve valenční vrstvě měly 8 elektronů.
Krystalová mřížka křemíku

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Každý atom je vázán se 4 sousedními atomy pomocí

4 vlastních valenčních elektronů a 4 valenčních elektronů,
z nichž každý patří jednomu sousednímu atomu.
Krystalová mřížka křemíku

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Všechny valenční elektrony se podílejí na vazbě, v krysta-

lové mřížce nejsou volné elektrony - křemík je izolant.
Platí při nízkých teplotách a u chemicky čistého křemíku.
Krystalová mřížka křemíku při vyšších teplotách

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Kmity atomů vyvolají porušení vazeb, některé valenční

elektrony se uvolní a vznikají volné elektrony.
Uvolněním elektronů z vazby se z křemíku stává vodič.
Krystalová mřížka křemíku při vyšších teplotách

Si + Si Si Si
+

Si Si Si Si
+

Si Si Si Si

Uvolněním elektronů z vazby vznikne v mřížce prázdné

místo - díra. Díra je místo s kladným nábojem, který získá
z přebytku kladných nábojů atomového jádra.
Krystalová mřížka křemíku při vyšších teplotách

Si + Si Si Si
+

Si Si Si Si
+

Si Si Si Si

Generace páru elektron - díra

- vznik volného elektronu a díry uvolněním elektronu z vazby
Krystalová mřížka křemíku při vyšších teplotách

Si + Si Si Si
+

Si Si Si Si
+

Si Si Si Si

Rekombinace páru elektron - díra

- obsazení díry volným elektronem
- zánik dvojice volných částic s nábojem
Zdánlivý pohyb děr po krystalu polovodiče

Si Si Si Si

+ +

Si Si + Si Si
+ +

Si Si Si Si

Některý z valenčních elektronů neporušených sousedních

vazeb přeskočí na místo vazby porušené.
Současně se objeví díra na jiném místě.
Zdánlivý pohyb děr po krystalu polovodiče

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Si Si Si Si

Díry lze považovat za volné částice s kladným elektrickým

nábojem.
- volné částice s nábojem v polovodiči
– elektrony a díry
- počet párů e + d v polovodičích roste s teplotou
-při určité teplotě - dynamická rovnováha mezi
počtem párů e + d, které generací vznikají
a rekombinací zanikají  celková koncentrace
volných nosičů náboje je konstantní
Hustota volných elektronů a děr v čistém křemíku
při běžné teplotě:
d = e= 6,8.1016 m-3
Připojíme-li ke krystalu křemíku stejnosměrné napětí,
začne obvodem procházet proud.
Vlastní vodivost polovodičů
- vodivost v důsledku generace párů
volný elektron + díra

Látky s touto vodivostí se nazývají

vlastní polovodiče.
 Test

V polovodičích se zvyšující teplotou se:

a) zvětšuje hustota volných elektronů,
b) zmenšuje hustota volných elektronů,
c) nemění hustota volných elektronů,
d) nemění jejich měrný elektrický odpor.

1
 Test

od pojmem generace rozumíme:

) vznik volných děr,
) vznik volných elektronů,
) vznik párů volný elektron – díra,
) zánik párů volný elektron – díra.

2
 Test

od pojmem rekombinace rozumíme:

) zánik volných děr,
) zánik volných elektronů,
) zánik párů volný elektron – díra,
) vznik párů volný elektron – díra.