Professional Documents
Culture Documents
Lecture 3 TR
Lecture 3 TR
Diyod sembolü
N N kT
j E(x)dx VT ln 2 , VT
A D
n i q
2 s 1 1
w d 0 (x n x p ) j
q N A N D
2 s 1 1
w q 0.113m
d0 N N j
A D
wd 0 wd 0
xn 1.1310-4 m x p 0.113 m
N N
1 D 1 A
N N
A D
2
EMAX w j 2(0.979V ) 173 kV/cm
d0 0.113m
n
j nT q n nE qDn =0
x
T p
j p q p pE qD p =0
x
Dışarıdan bir kutuplama gerilimi uygulandığı zaman yukarıdaki
denklemler 0 değildir.
Microelectronic Circuit Design Chap 3 -11
McGraw-Hill
Farklı gerilimler için diyod jonksiyon
potansiyeli
qv D v
i D I S exp 1 I S exp D 1
nkT nVT
IS tipik olarak 10-18 ila 10-9 A arasındadır ve sıcaklığa ni2.’ye bağlı olduğu için
bağımlıdır. idealsizlik çarpanı tipik olarak 1 dir ama yüksek akımlı elemanlarda 2
olabilir. Burada 1 alınacaktır.
VD 0.603V
IS = 10 fA için
VD 0.748V
ID = 1 mA, IS = 0.1 fA
Microelectronic Circuit Design Chap 3 -15
McGraw-Hill
Ters, ileri ve sıfır kutuplama için diyod
akımları
• Ters kutuplama: v
iD IS exp D 1 IS 0 1 IS
nVT
• Sıfır kutuplama:
v
iD IS exp D 1 IS 11 0
nVT
• İleri
yönde kutuplama :
v v D
iD IS exp D
1 IS exp
nVT nVT
Microelectronic Circuit Design Chap 3 -17
McGraw-Hill
Diyod akım-gerilim değişimi
iD 2 v v
exp D 2 D1
iD1 nVT
Böylece
i
v D v D 2 v D1 nVT ln D 2
i D1
2 s 1 1
where w d 0 (x n x p ) j
q N A N D
vR
IS IS0 1
j
0
V f ' (VD )
I D I S exp D 1 10 13 exp40VD 1
nVT • 2. ve3. adımları çakışma olana kadar
10 1041013 exp40VD 1 VD terkrarlar
•Sonuç:
Q-noktası = ( 0.9426 mA, 0.5742 V)
Newton un iterasyon yöntemi ile bulunur.
Since, usually we don’t have accurate
saturation current values and significant
tolerances exist for sources and passive
f 10 10 10 exp40VD 1 VD
4 13
components, we need answers precise to
only 2or 3 significant digits.
Microelectronic Circuit Design Chap 3 -35
McGraw-Hill
İdeal diyod modeli ile analiz
İleri yönde kutuplanmış ideal diyod üzerindeki
gerilim sıfırdır. Ters kutuplanmış ideal diyod
üzerineki akım sıfırdır.
vD =0 için iD >0 ve iD =0 için vD < 0
Böylece diyod ya açıktır ya kapalı.
Analiz için aşağıdaki adımları izle:
• diyod modeli seç.
• Diyodun anod ve kato uçlarını belirle ve vD ve
iD yi göster.
• Diyodun çalışma bölgesini tahmin et.
• Tahmine göre devreyi analiz et.
•Tahmin ile sonuç tutarlımı kontrol et..
(10 Von )V
ID
10k
vD = Von için iD >0 ve (10 0.6)V
iD = 0 için vD < Von. 0.940 mA
10k
(15 0)V
I1 1.50 mA
10k
0 10V
ID 2 2.00 mA
5k
I1 ID1 ID 2 | ID1 1.50 2.00 0.500 mA
IZ ID 0
205100IZ 5 0
(20 5)V
IZ 2.94 mA
5100
Yük doğrusunu kullanarak: IZ > 0 olduğundan (ID < 0), sonuç Zener
20VD 5000ID
bozulması
ile tutarlıdır (the solution is
consistent with Zener breakdown.)
Microelectronic Circuit Design Chap 3 -41
McGraw-Hill
Zener diyod ile gerilim Düzenleyicisi
(regülatörü)
VS VZ (20 5)V
IS 3 mA
R 5k
V 5V
IL Z 1 mA | IZ IS IL 2 mA
RL 5k
VL 5V 5.19V 5V
IZ 1.9 mA 0
Problem: Zener diyod akımını ve 100 100
çıkış gerilimini hesaplayınız.
Given data: VS = 20 V, R = 5 k,
RZ = 0.1 kVZ = 5 V
Analysis: çıkış gerilimi zener diyod
akımını bir fonksiyonudur.
dVL
Hat Regulasyonu mV/V
dVS
RZ
For a fixed load current, Line Regulation =
R+ RZ
Yük regülasyonu: çıkış geriliminin yük akımına duyarlılığıdır.
dVL
yük regülasyon u
dI L
For changes in load current, Load Regulation RZ R
Girişin pozitif yarı turunda kaynak diyodu pozitif akım akıtmaya zorlar ve
diyod açıktır vO = vS.
Girişin negatif yarı turunda diyod akım akıtmaz, kapalıdır, ve vO =0 .
2Vr
c T
VP
IP Idc 2T 48.6 A
T
using
the values from the previous example.
1T 1T I
PD v D (t)iD (t)dt Von iD (t)dt Von P T Von Idc
T0 T0 2 T
This power
dissipation can be reduced by minimizing peak current
through the use of a minimum size of filter capacitor or by using full-
wave rectifiers.
Microelectronic Circuit Design Chap 3 -55
McGraw-Hill
Tam Dalga Doğrultucusu
1 2Vr 1 2(0.15V )
T 0.352 ms
VP 120 17V
1/60
s
IP I 2
T
2A
94.7 A
T 2
dc
0.352ms
Isurge CVP 120 (0.111)(17) 711 A | PIV =VP 17 V