Bölüm 14

Tek Tranzistorlu Kuvvetlendiriciler

Microelectronic Circuit Design

Richard C. Jaeger
Travis N. Blalock

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 1

McGraw-Hill
 Bölümün Amacı
• Üç tip kuvvetlendiricinin analizi
– Eviren kuvvetlendirici, ortak-emetör ve ortak kaynak
konfigürasyonu,
– Birim kazançlı takip ediciler, ortak-kolektör ve ortak savak konf.,
– Evirmeyen kuvvetlendiriciler, ortak-baz ve ortak-geçit
konfigürasyonu.
• Gerilim kazancı, giril çıkış direnci, kuplaj ve baypas kapasitesi.
• SPICE analizlerinin irdelenmesi

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 2

McGraw-Hill
 Signal Injection and Extraction: BJT
• In forward-active region,
v  I v 
i  S exp BE 
 
i  I exp BE 
 
C S  V  B   V 
T   T 

FO
I v 
i  S exp BE 
 
E   V 
T
Fin current, vBE = vB - vE must be changed. Base

• To cause change
or emitter terminals are used to inject signal because even if
Early voltage is considered, collector voltage has negligible
effect on terminal currents.
• Substantial changes in collector or emitter currents can create
large voltage drops across collector and emitter resistors and
collector or emitter can be used to extract output. Since iB is a
factor of F smaller than iC or iE currents, base terminal is not
used to extract output.

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 3

McGraw-Hill
 Signal Injection and Extraction: FET
• In pinch-off region,
Kn  2
i i   v V 
S D  GS TN 
2

• To cause change in current, vGS = vG - vS must be changed.

Gate or source terminals are used to inject signal because
even with channel-length modulation, drain voltage has
negligible effect on terminal currents.
• Substantial changes in drain or source currents can create
large voltage drops across drain and source resistors and
drain or source can be used to extract output. Since iG is
always zero, gate terminal is not used to extract output.

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 4

McGraw-Hill
 Kuvvetlendirici Aileleri

• Üç tip kuvvetlendirici vardır:

– Ortak-Emetör (C-E)/Ortak-kaynak (C-S)
– Ortak-baz (C-B)/Ortak-geçit (C-G)
– Ortak-kolektör (C-C)/Ortak-savak (C-D)
• Buradaki bütün devrelerde 4 dirençli kutuplama kullanılmıştır.
• Kuplaj ve baypas kapasiteleride ac eşdeğer devreyi değiştirmek
amacıyla kullanılmıştır.

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 5

McGraw-Hill
 Eviren kuvvetlendiriciler: Ortak-Emetör (C-
E) ve ortak-kaynak (C-S) devreleri

C-E kuvvetlendiricisinin AC eşdeğeri C-S kuvvetlendiricisinin AC

eşdeğeri
Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 6
McGraw-Hill
 Takip ediciler: Ortak-kolektör (C-C) ve
Ortak-Savak (C-D) Devreleri

C-C kuvvetlendiricisinin AC C-D kuvvetlendiricisinin AC

eşdeğeri eşdeğeri
Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 7
McGraw-Hill
Evirmeyen kuvvetlendiricileri: Ortak-Baz (C-B)
ve Ortak-geçit (C-G) Devreleri

C-B kuvvetlendiricisinin AC C-G kuvvetlendiricisinin AC

eşdeğeri eşdeğeri
Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 8
McGraw-Hill
 Takip ediciler: Ortak-kolektör (C-C) ve
Ortak-Savak (C-D) Kuvvetlendiricileri

C-C kuvvetlendiricisinin AC C-D kuvvetlendiricisinin AC

eşdeğeri eşdeğeri
Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 10
McGraw-Hill
 Takip edici devreler: Terminal gerilim
kazancı
C-D kuvvetlendiricisi için,
r  
o  gmr
gm R
CD
 Avt   L
1 g m R
L
Birçok C-C ve C-D kuv. de, gm R  1
ro, yu ihmal ederek R R R L
L 3 6
( o 1)R  ACC CD
vt  Avt  1
vo
Avt   L
Çıkış gerilimim giriş gerilimin takip
v r  ( o 1)R
b L eder bunlara takip edici devre denir.
gm R BJT lerde kazanç bire yakındır, FET
A
CC  L Assuming   1
vt o lerde çoğunlukla, 0.75  Avt  1
1 g m R
L kazanç<< f olduğunda ro ihmal
edilebilir,
Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 11
McGraw-Hill
 Takip edici devreler: Giriş sinyali
seviyesi
Küçük işaret çalılmaası için, küçük işaret modelinde r üzerinden elde
edilen vbe gerilimi 5 mV.’dan küçük olmalıdır.
v
v  ir  b  r v  0.005(1 gm R )V βo ın büyük değeri için
be r  ( o 1)R b L
L
Eğer gm RL  1 , vb 5 mV sınırına kadar arttırılabilir.
FET, de vgs gerilimi 0.2(VGS - VTN). Dan küçük olmalıdır.

vg
v gs   0.2(V V ) vg  0.2(V V )(1 gm R )
1 g m R GS TN GS TN L
L

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 12

McGraw-Hill
 Takip edici devreler: Giriş direnci ve
toplam gerilim kazancı
Baz ucundan içeri bakınca görünen direnç Toplam gerilim kazancı
 
  
CC vo vo vb  CC vb 
 

v Av   


 Avt 
 
v v v   v 
RCC
 
 b  r  (o 1)R  r(1 gm R ) i b i 
   i 
iB L L
i 
 R R CC


b B iB
 ACC
 
 
C-D kuvvetlendiricisi için, vt   
CC 
R  
R R
r    I  B iB 

RCD
iG

 C-D kuvvetlendiricisi için,
 
R  

CD CD
Av  Avt G  
 
R  R  
I G  


Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 13
McGraw-Hill
 Takip edici devreler: gerilim kazancı
hesaplamaları (örnek)
• Problem: Toplam gerilim kazancını bulunuz.
• Verilenler: Q-noktası ve RI, R1, R2, R3, R6 ,değerleri.
• Varsayım: küçük işaret modeli şartları.
• Analysis: C-C kuvvetlendiricileri için,

R  R R 104k
B 1 2
R  R R 11 .5k
L 3 6
RCC
iB
 r(1 gm R ) 10.2k[1 9.8mS(11 .5k)] 1.16M
L
 
gm R R RCC
AvtCC  L  9.80mS(11 .5k)  0.991 ACC CC  B iB 
v  Avt   0.956
1  g m RL 1 + 9.80mS(11 .5k)

 I
R  R RCC
B iB 



Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 14


McGraw-Hill
 Takip edici devreler: gerilim kazancı
hesaplamaları (örnek, devam)
• Analysis: C-D kuvvetlendiricisi için,
R  R R  892k
G 1 2
R  R R 10.7k
L 6 3
g R
CD  m L  (0.491mS)(10.7k)  0.840
Avt 
1 gm R 1(0.491mS)(10.7k)
L
 
R  
 CD CD
Av  Avt G   0.838

R  R 

I G 


Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 15

McGraw-Hill
 Takip edici devreler: Çıkış direnci

1
FET durumunda, RiS  g
v  v  m
i  i   i  x    x 
x o R r o R  r  Bu durumda emetör ve kaynakdan içeri
th   th  
bakınca görünen direnç yaklaşık olarak
v R r r R
 R iE  x  th     th 1/ gm dir.
i  1  1  1
x o o o

 R 1 R
RiE  o  th   th
g  1 g  1
m o m o

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 16

McGraw-Hill
Takip edici devreler: Çıkış direnci(örnek)
• Problem: Çıkış direncini bulun.
• Verilenler: Q-noktası ve RI, R1, R2, R3, R6 ,değerleri.
• Varsayım : küçük işaret modeli şartları. küçük işaret değerleri biliniyor.
• Analysis: C-C kuvvetlendiricisi için,
 R 
 o  th   13k ||  0.990  1.96k   121
R CC
out  R || R  R 6 ||
g  1
iE
 9.80mS 101 
6

 m o 
• C-D kuvvetlendiricisi için,
1 1
RCD
out  R6 || RiS  R6 ||  12k ||  1.74k
g 0.491mS
m

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 17

McGraw-Hill
 Takip edici devreler : Akım kazancı

• Akım kazancı yük direnci akımın Thevenin kaynağının akımına

oranıdır.
i
CC
Ait  1  o 1
i
CD
Ait  

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 18

McGraw-Hill
 Takip edici devreler: Özet

• Hem C-C hemde C-D kuvvetlendiricileri yaklaşık birim kazanc

sahiptir.
• C-D kuvvetlendiricileri C-C kuvvetlendiricilerine göre büyük giriş
direncine sahiptir.
• C-C kuvvetlendiricilerin çıkış dirençleri C-D kuvvetlendiricilerinde
daha küçüktür.
• FET in akım kazancı sonsuz, BJT nin ki ise o ile sınırlıdır.

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 19

McGraw-Hill
 Evirmeyen kuvvetlendiriciler: Ortak –
Baz ve Ortak-geçit devreleri

C-B kuvvetlendiricisi AC C-G kuvvetlendiricisi AC eşdeğeri

eşdeğeri
Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 20
McGraw-Hill
 C-B ve C-G Kuvvetlendiricileri: Gerilim
kazançları ve giriş dirençleri

ro ihmal edilir
C-G kuvvetlendiricisi için r  
ve
i   gmve
r
v r 1  ACG
vt   gm RL
RiE  e   
i  1 g
v
o m 1
CB RiS 
Avt  o   gm RL g
ve m

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 21
McGraw-Hill
 C-B ve C-G Kuv.: Toplam gerilim kazancı

Toplam gerilim kazancı  gm R  1

  
R RiE 

I ,
v v v 

CB
ACB o o  e  CB 6

v      Avt    Av   gm RL
v ve  v  R  R
 R iE 
i  i  
 I  6
 

 CG
  Av   gm RL
gm R  R 
 L  6 
R R R

1 g m (Rth ) R  R 

th 6 I
 I 6 
C-G kuvvetlendiricileri için, gm R , 1
  th
gm R  R  R
CG L 6 CB CG
Av  Av   L

Av  



1 g m (R ) R  R  R
th  I 6  th
gm R
CB
R6 >> RI, için Av ,CG  L kazanç<< f olduğu için ro ihmal

1 g m R
I edilebilir.
Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 22
McGraw-Hill
 C-B ve C-G Kuvvetlendiricileri: Giriş sinyal
seviyesi
R R 1
v V 6 iE R 
eb i iE g
R  (R R ) m
I 6 iE 
v R 
v  i 6  
v  v (1 gm R ) …for RI >> R6.
eb 1 g (R R ) R  R 

 i eb I
m I 6 I 6 


Küçük işaret çalışması için,

 v  0.005(1 gm R )V
i I
FET, durumunda vi  vsg(1 gm RI )

v  0.2(V V )(1 gm R )
i GS TN I

gm ve RI işaret sınırlarını belirler.

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 23
McGraw-Hill
 C-B ve C-G Kuvvetlendiricileri: Gerilim
kazancı hesaplamaları (Example)
• Problem: Find overall voltage gain.
• Given data: Q-point values and values for R1, R2, R3, R6 ,for both BJT
and FET, RI =2 k, R6 =12 k.
• Assumptions: Small-signal operating conditions. (See Example 14.4)
• Analysis: For C-B Amplifier, CB
R 1/gm 102
iE Avt   gm RL  176
 
CB
A vt  R 
R  R R 18k CB 6
L 3 C Av  

 8.48

1 g m (R R ) 
 R  R 
I 6 I 6 

 For C-G Amplifier, CG   g R  8.84

R  R R 18k A vt m L
L 3 D 
 
A CG  R 
R 1/ gm  2.04k CG vt  6   4.11
iS Av  
 1 g m (R R )  RI  R 
I 6  6

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 24

McGraw-Hill
 C-B and C-G Amplifiers: Output
Resistance
Desired resistance is that looking into collector
with base grounded and resistor Rth in emitter.
The redrawn equivalent circuit is same as that
for C-E amplifier except resistance in base is
zero and resistance in emitter is relabeled as Rth.
oR 

R  ro 1

 th 
iC R  r 

th
 
 ro[1 gm(R ||r )] for o  gmr
th

 And for the FET C-G amp

RiD  ro (1 gm Rth )

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 25

McGraw-Hill
 Noninverting Amplifiers: Current Gain

• Terminal current gain is the ratio of the current delivered to the load
resistor to the current being supplied to the base terminal.
i
CB  1    1
Ait o
ie
CG
Ait  1

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 26

McGraw-Hill
 C-B and C-G Amplifiers: Summary

• C-B and C-G amplifiers have similar voltage and current gains.
Numerical differences occur due to difference in parameter values of
BJT and FET at similar operating points.
• Both amplifiers can provide significant voltage gain, low input
resistance, and high output resistance.
• Input signal range of C-G amplifier is inherently larger than that of C-B
amplifier.

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 27

McGraw-Hill
 AC-coupled Amplifiers: Current and
Power Gain
Input current delivered to amplifier from source is
v
i  i  9.90 10 7 v
i R R i
I in
and current delivered to load by amplifier is
v o Av v i 998vs
io     3.99vs
250 250 250
io 3.99v
A  i  4.03106
i i 7v
i 9. 90 10
i
Po v o io
A    Av A  998 4.03106  4.02 109
P P i
s v i ii

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 49

McGraw-Hill
 End of Chapter 14

Jaeger/Blalock Microelectronic Circuit Design, 3E Chap 14 - 52

McGraw-Hill