Chương 5:

TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (BJT)

ThS. Nguyễn Bá Vương

 1. Cấu tạo
0.150 in 0.150 in

0.001 in 0.001 in

E C E C
P n P n p n
B

B
• Transistor có cấu tạo gồm các miền bán dẫn p và
n xen kẽ nhau
 1. Cấu tạo
• Miền bán dẫn thứ nhất của Transistor là
miền Emitter (miền phát) với đặc điểm là có
nồng độ tạp chất lớn nhất, điện cực nối với
miền này gọi là cực Emitter (cực phát).
• Miền thứ hai là miền Base (miền gốc) với
nồng độ tạp chất nhỏ và độ dày của nó nhỏ
cỡ m, điện cực nới với miền này gọi là cực
Base (cực gốc).
• Miền còn lại là miền Collector (miền thu) với
nồng độ tạp chất trung bình và điện cực
tương ứng là Collector (cực thu).
 1. Cấu tạo
• Tiếp giáp p-n giữa miền Emitter và Base gọi là
tiếp giáp Emitter (JE).
• Tiếp giáp p-n giữa miền Base và miền Collector
là tiếp giáp Collector (JC).
• Về kí hiệu Transistor cần chú ý là mũi tên đặt ở
giữa cực Emitter và Base có chiều từ bán dẫn p
sang bán dẫn n.
IE IC IE IC
E C E C
IB

IB
B B
PNP NPN
 1. Cấu tạo
• Về mặt cấu trúc, có thể coi Transistor như 2
diode mắc đối nhau
 1. Cấu tạo
• Cấu tạo mạch thực tế của một Transistor n-p-n
 2.Nguyên lý hoạt động

Để Transistor làm việc, người ta phải đưa điện áp 1 chiều tới

các điện cực của nó, gọi là phân cực cho Transistor

C C
B UCE>0 B UCE<0
npn pnp
UBE>0 E UBE<0 E
2.Nguyên lý hoạt động
sơ đồ phân cực trong BJT
JE JC
sơ đồ phân cực trong BJT
JE JC
 Tham số
• Hệ thức cơ bản về các dòng điện trong
Transistor I E  I B  I C
• Hệ số truyền đạt dòng điện α của
Transistor  C
I
IE

• Hệ số khuếch đại dòng điện β của

Transistor I
 C
IB

• Ta có hệ thức: I E  I B (1  )  
(1   )
3. Các dạng mắc BJT
3.1 Mạch chung Emitter (EC)

UOut

C
B

UIn E

EC
Họ đường đặc tuyến vào
IB = f(UBE) khi UCE = const
Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra của sơ đồ EC
Họ đường đặc tuyến ra: IC = f(UCE ) khi IB=const
Họ đường đặc tuyến truyền đạt: IC = f(IBE) khi UCE = const
 Hệ số khuếch đại
Theo định luật Kiếchôp ta có I E  I B  IC
I C   I E  I CB 0    I C  I B   I CB 0
Giải phương trình với IC, chúng ta có mối quan hệ giữa IC và IB
 1
IC  IB  I CB 0   I B     1 I CB 0   I B  I CB 0
1 1
Trong đó β = (1-) là hệ số khuếch đại CE
( thông thường  = 0,99; β = 99)
Một số mạch EC
 +10V

R3
4k7
C2

R2 22uF
47k
C1 R4
Q1 10k
2N2222

22uF
R1
10k

C3
R5 100u
1k
3.2 Mạch chung Base (BC)
Họ đường đặc tuyến vào
IE=f(UEB) khi điện áp ra UCB =const
 Họ đường đặc tuyến ra và truyền đạt
Đặc tuyến ra:IC= f(UCB) khi giữ dòng vào IE=const
Đặc tuyến truyền đạt: IC=f(IE) khi khi UCB = const
UC

IC(mA)
B
UC

=8

IB=5mA
B

V
=2

10
V

IB=4mA
8

IB=3mA
6

IB=2mA
4

IB=1mA
2

IE(mA) 10 8 6 4 2 0 2 4 6 8 10 UCB(V)
3.3 Mạch chung Collector (CC)
Họ đường đặc tuyến vào
 Đặc tuyến ra của sơ đồ CC
IE(mA)
IB=100μA
10

IB=80μA
8

IB=60μA
6

IB=40μA
4

IB=20μA
2

0 2 4 6 8 10 UEC(V)
 Đường thẳng lấy điện (Load line)

• Phương trình đường thẳng lấy điện : VCC=ICRC+VCE

viết lại: IC = ( VCC – VCE)/ RC = -VCE / RC + VCC /RC
Đường lấy điện đựợc vẽ trên đặc tuyến ra qua 2 điểm
xác định sau:
• Điểm ngưng, IC = 0  VCE= VCC (Điểm M)
• Điểm bão hòa: VCE = 0  IC = VCC/ RC (Điểm N)
nối 2 điểm M và N lại ta có được đường lấy điện
• Giao điểm đường lấy điện và đường phân cực IB chọn
trước cho ta trị số điểm tĩnh Q.
 Đường thẳng lấy điện cho EC
IC(mA)
bão hòa
N
IB(μA)
Q
ICQ

ngưng

VCE(V)
0 VCEQ M
 Vai trò của đường thẳng lấy điện

• Phân giải mạch Transistor.

• Xác định điểm tĩnh điều hành Q.
• Cho biết trạng thái hoạt động của
transistor ( tác động, bão hoà, ngưng).
• Mạch khuếch đại có tuyến tính hay không.
• Thiết kế mạch khuếch theo ý định ( chọn
trước điểm tĩnh Q , tính các trị số linh kiện)
Chú ý:
• Độ lợi dòng điện thay đổi theo vị trí điểm
tĩnh điều hành Q.
• Điểm tĩnh điều hành Q thay đổi vị trí theo
điện thế phân cực transistor và còn thay
đổi theo tín hiệu xoay chiều ( AC) tác động
vào mạch .
 Phân giải bằng đồ thị
IC(mA) IB(μA)

VCE=4V
IB=100μA
10 100

IB=80μA
+8 80
IC
IBQ
t Q IB=60μA t
ICQ 6 60

IB=40μA
IC- 4 40

IB=20μA
2 20
VBEQ

+ -
0
0 2 UC 4 6UC 8 10 UCE(V) 0.5 1 VBE (V)
UCEQ

t
t
4. Phân cực của BJT
 Vùng hoạt động của BJT:

•Vùng tác động: (Vùng khuếch đại hay tuyến tính)

Mối ghép B-E phân cực thuận
Mối ghép B-C phân cực nghịch
•Vùng bảo hòa:
Mối ghép B-E phân cực thuận
Mối ghép B-C phân cực thuận
•Vùng ngưng: Mối ghép B-E phân cực nghịch
 Phương pháp chung để phân giải mạch
phân cực gồm ba bước:
• Bước 1: Dùng mạch điện ngõ vào để xác định
dòng điện ngõ vào (IB hoặc IE).
• Bước 2: Suy ra dòng điện ngõ ra từ các liên hệ
IC=βIB hay IC=αIE
• Bước 3: Dùng mạch điện ngõ ra để tìm các thông
số còn lại (điện thế tại các chân, giữa các chân
của BJT...)
4.1 Phân cực cố định của BJT (Fixed –
Bias)
Vcc

IC
RB RC
+

VCE
IB

+
VBE -
Phân cực cố định của BJT (Fixed – Bias)
• Mạch ngõ nền-phát (Base-Emitter):
VCC  RB I B  VBE  0
VCC  VBE
 IB 
RB
Với VBE = 0.7V nếu BJT là Si và VBE = 0.3V nếu là Ge.
Suy ra : IC=βIB

Mạch ngõ ra thu-nền (Collector-Base):

VCC  RC I C  VCE hay VCE  VCC  RC I C
Đây là phương trình đường thẳng lấy điện.
 Sự bảo hòa của BJT
• Sự liên hệ giữa IC và IB sẽ quyết định BJT có hoạt động
trong vùng tuyến tính hay không. Ðể BJT hoạt động trong
vùng tuyến tính thì nối thu - nền (CE) phải phân cực nghịch.
Ở BJT NPN và cụ thể ở mạch vừa xét ta phải có:
VC  VB  VC  VB  VBE  VC  VCC  RC I C  VCE  VBE  0.7V
VCC  0.7
 IC 
RC
VCC  0.7
Nếu C I 
RC
thì BJT sẽ đi dần vào hoạt động trong vùng bão hòa. Từ điều
kiện này và liên hệ IC=βIB ta tìm được trị số tối đa của IB, từ đó
chọn RB sao cho thích hợp.
 VCC
Nếu IC  tức VCE = 0V (thực ra khoảng 0.2V)
RC
Thì VC≤VB, nối CB (thu-nền) phân cực thuận, BJT hoàn toàn nằm
trong vùng bão hòa và dòng điện
VCC được gọi là dòng cực thu bão hòa I
IC  Csat
RC

VCC
I Csat 
RC
 4.2 Phân cực ổn định cực phát
Vcc
Mạch cơ bản giống mạch
phân cực cố định, nhưng ở
cực emitter được mắc thêm

IC
một điện trở RE xuống mass. RB RC
+
Cách tính phân cực cũng có
các bước giống như ở mạch VCE

IB
phân cực cố định. +
VBE -
RE

IE
 Ta có: VCC  RB I B  VBE  RE I E
VCC  VBE
Thay I E  1    I B  IB 
RB  1    RE

(suy ra IC từ liên hệ: IC=βIB)

Ở mạch CE(thu-phát): VCC  RC I C  VCE  RE I E

Trong đó: I E  I B  I C  I C

 VCE  VCC   RC  RE  I C
 Sự bảo hòa của BJT
• Tương tự như trong mạch phân cực cố
định, bằng cách cho nối tắt giữa cực thu
và cực phát ta tìm được dòng điện cực thu
bảo hòa ICsat
VCC
I Csat 
RC  RE
Ta thấy khi thêm RE vào, ICsat nhỏ hơn trong
trường hợp phân cực cố định, tức BJT dễ bão
hòa hơn.
 4.3 Phân cực bằng cầu chia điện thế
Dùng định lý Thevenin biến đổi thành mạch tương đương

Vcc Vcc

IC
RC RC
R1
IB
Q1
RBB
R2 VBB RE

IE
RE
 R1 R2 R2
Trong đó: RBB  VBB  VCC
R1  R2 R1  R2

Mạch BE (nền phát): VBB  RBB I B  VBE  RE I E

VBB  VBE
Thay: IE=(1+β)IB Suy ra: I B 
RBB  1    RE
Từ liên hệ I C   I B

Mạch CE (thu phát): VCE  VCC  RC I C  RE I E

Vì I C  I E  VCE  VCC   RC  RE  I C

Ngoài ra:
VC  VCC  RC I C
VB  VBB  RB I B
VE  RE I E  RE I c
 Sự bảo hòa của BJT
Tương tự như phần trước:

VCC
I Csat 
RC  RE
 4.4 Phân cực với hồi tiếp điện thế
Ðây cũng là cách phân cực cải thiện độ ổn định cho hoạt
động của BJT
Vcc

I’C
RC

IC
+
RB
VCE
IB

+
VBE -
RE
IE
 '
Mạch nền phát: VCC  R I  RB I B  RE I E  VBE
C C

'
Với I  IC  I B  I E  IC   I B
C

VCC  VBE
 IB 
RB    RC  RE 

IC   I B

VCE  VCC   RC  RE  I C
 4.5 Một số dạng mạch phân cực khác

Vcc=+12V
  100 / Si
  50 / Si   100 / Si
RC=1k R1=40k Rc=5k
Q1 Q1 Q1

RB=100k RB=100k R2=10k RE=2k

RE=2k
VPP=-9V Vpp=-12V Vpp=-12V
5. Thiết kế mạch phân cực
Khi thiết kế mạch phân cực, người ta
thường dùng các định luật căn bản về
mạch điện như định luật Ohm, định luật
Kirchoff, định lý Thevenin..., để từ các
thông số đã biết tìm ra các thông số chưa
biết của mạch điện.
 Thí dụ 1
• Cho mạch phân cực với đặc tuyến ngõ ra của BJT như hình
dưới. Xác định VCC, RC, RB.

Vcc IC(mA)
8
IC

RB RC 6 IB=40μA

Q1 4
Si
IB

2
UCE(V)

0 10 20
 Từ đường thẳng lấy điện: VCE =VCC-RCIC
Tại trục trục tọa độ UCE , khi IB=0 ta suy ra IC=0 và VCE =20V thay
vào phương trình đường thẳng lấy điện ta có VCC=20V
Vcc
I Csat   8  mA   RC  2.5  k  
Rc
Ngoài ra: Transistor làm từ vật liệu thuần bán dẫn Si do đó
VBE=0.7V và I  VCC  VBE  20V  0.7V  40  A
B  
RB RB

 RB  482.5  k  
Để có các điện trở tiêu chuẩn ta chọn: RB=470 K, RC=2.4 K..
 Thí dụ 2
• Thiết kế mạch phân cực như hình dưới. IC=2mA, VCE=10V

Vcc=20V

IC
RB RC
2N4401
  150 / Si
IB

RE 100μF
IE
Điện trở RC và RE không thể tính trực tiếp từ các thông số
đã biết. Việc đưa điện trở R E vào mạch là để ổn định điều
kiện phân cực. RE không thể có trị số quá lớn vì như thế
làm giảm VCE (sẽ làm giảm độ khuếch đại). Nhưng nếu R E
quá nhỏ thì độ ổn định kém. Thực nghiệm người ta
thường chọn VE khoảng 1/10VCC.
1 1
VE  VCC  20  2 V 
10 10
VE VE 2V
RE     1 k  
I E I C 2mA

VC  VCE  VE 20V  10V  2V

Rc    4 k 
IC 2mA
 1 1
I B  IC  2  13.333   A 
 150
VB  VCC  VBE  VRE  20  0.7  2  17.3 V 
VB 17.3V
RB    1.3  M  
I B 13.333 A
Chọn RB=1.2 MΩ
 Thí dụ 3
• Thiết kế mạch phân cực có dạng như hình dưới

Vcc=20V

IC
R1 RC
VCE=10V
IB IC=2mA
 min  80 / Si

R2 RE 100μF
IE
 1 1
Ta có: VE  VCC  20  2 V 
10 10
VE VE 2V
RE     1 k  
I E I C 2mA
VC  VCE  VE 20V  10V  2V
Rc    4 k 
IC 2mA
VB  VBE  VE  0.7  2  2.7 V 
Ðiện trở R1, R2 không thể tính trực tiếp từ điện thế chân B và
điện thế nguồn. Ðể mạch hoạt động tốt, ta phải chọn R1, R2
sao cho có VB mong muốn và sao cho dòng qua R1, R2 gần
như bằng nhau và rất lớn đối với IB.
Lúc đó: 1
R2   RE  8  k  
10
 Ta có thể
R2  6,8  k  
chọn:
R2
 VB  VCC  2.7 V 
R1  R2

 R1  43.57  k  

Ta có thể chọn: R1=39kΩ hoặc 47kΩ

6. BJT hoạt động như một
chuyển mạch
 Vcc=+5V

VIn(V)
RC=0.82kΩ VOut(V)
5 VOut
Q1 5
VIn
βDC=125
t RB=68kΩ
0 t
t1 t2 0
t1 t2

ICE0
C

VCE=VCC
 R=¥

E
 Thí dụ: Xác định RC và RB của mạch điện nếu ICsat=10mA
Vcc=+10V
βDC=250/Si
VIn(V)
RC VOut(V)
10 VOut
Q1 10
VIn
t RB
0 t
t1 t2 0
t1 t2
VCC VI Csat
I Csat  IB   40   A 
 10  mA   RC  CC  1 k  
RC  DC
I Csat
Ta chọn IB=60μA để đảm bảo BJT hoạt động trong vùng bảo hòa
VIn  VBE VIn  0.7
IB   RB   155  k  
RB IB

Do đó ta thiết kế: RC=1kΩ

RB=150kΩ
 VOut(V)
10

t
0
t1 t2
IC
100%
90%

10% t
t1 t2
0
td ts
tr tf
tOn tOff
Thí dụ ở 1 BJT bình thường:
ts=120ns ; tr=13ns
tf=132ns ; td=25ns
Vậy: ton=38ns ; toff=132ns
Một số ứng dụng của BJT hoạt
động như một chuyển mạch
Using a transistor as a switch

PNP

NPN
Using a transistor switch with sensors
Đóng ngắt đèn
7. Tính khuếch đại của BJT
 Vcc

R1 Rc C2
C1 VOut(t)
VIn(t) Q1
R2 RE CE

• Giả sử ta đưa một tín hiệu xoay chiều Vin(t) có dạng sin,
biên độ nhỏ vào chân B của BJT khi đó ta có:
VB(t)=VB+Vin(t)
• Các tụ liên lạc C1 và C2 được chọn như thế nào để có
thể xem như nối tắt -dung kháng rất nhỏ - ở tần số của
tín hiệu.
• Như vậy tác dụng của các tụ liên lạc C1, C2 làm cho
thành phần xoay chiều của tín hiệu đi qua và ngăn thành
phần phân cực một chiều.
 VIn(t)

t
0

VB(t)

t
VB
• VB(t) >VB→IB↑ → IC ↑ VC(t)
→VC(t)=VCC-RCiC(t) ↓
• VB(t) <VB→IB↓ → IC↓ →VC(t)=VCC-
RCiC(t) ↑
t
VC
• VOut(t) ngược pha với VIn(t).
VOut (t ) VOut(t)

AV 
VIn (t ) t
0
là độ khuếch đại hay độ lợi điện
thế của mạch
• Chìa khóa để phân giải và xác định các thông số của
mạch là mạch tương đương xoay chiều.
vo
• Độ lợi điện thế: AV 
vi
io
• Độ lợi dòng điện: AV 
ii
vi
• Tổng trở vào: Zi 
ii
vo
• Tổng trở ra: Zo  +
io
ii
+ io
vo zo
zi Rc
vi R 1 R2
- -
 Dạng mạch tương đương

Mạch tương
đương

kiểu mẫu re thông số h

Đơn giản Đầy đủ Đơn giản Đầy đủ

 Mạch cực Emitter và Collector chung

kiểu mẫu re thông số h

Dạng đơn giản Dạng đơn giản
ib ic ib ic
B B
re i b h ie h fe .i b
E
E

Dạng đầy đủ Dạng đầy đủ

ib ic B ib ic C
B h ie h fe .i b
 re ib h r e .v CE r0  1
E ~ h 0e
E
 Mạch cực nền chung

kiểu mẫu re thông số h

Dạng đơn giản Dạng đơn giản
E ie ic C ie ic
E
re i e h ie h fb .i e
B B

Dạng đầy đủ Dạng đầy đủ

E ie ic C E ie ic
h ie
re i e r0  1 h fb .ie r0  1
h r e .vcb h 0b
B
h 0b ~ B
Các liên hệ cần chú ý: 26mV 26mV
re  
IC IE
re  h ie   h fe re  h ib h fb    1

Ngoài ra:
v be v be i c 1
re   .    i b  g m .vbe
ib ic i b g m
;

Do đó nguồn phụ thuộc βib có thể thay thế bằng nguồn gm.vbe
8. Mạch khuếch đại cực phát (E)
chung
 Trị số β do nhà sản xuất cho biết
Trị số re được tính từ mạch phân 26mV
re 
cực: IC
Từ mạch tương đương ta tìm được các thông số của mạch.
 vo
•Ðộ lợi điện thế: A V 
vi

Ta có: v o  .i b .R C vi  .re .i b  1   R E .i b 
Suy ra: A  vo  .i b .R C

.R C
vi .re .i b  1    R E .i b .re  1    R E
V

Do  1
RC
nên A V  
re  R E
Nếu R E re
RC
thì AV  
RE
Dấu - cho thấy vo và vi ngược pha
 vi
Tổng trở vào: z i 
ii
vi .re .i b  1    R E .i b
Ta đặt: z b    .re  1    R E    re  R E    R E
ib ib
Suy ra: z i  R B // z b
io
Ðộ lợi dòng điện: A i 
ii
vo vi vo z i zi
io   i i   A i   . Hay Ai  A V .
RC zi vi RC RC
 vo ib io
Tổng trở ra: zo  B
i b
C

io re
+

vi=0
Rb E ~ vo
Rc
-
Re

Ðể tính tổng trở ra của mạch, đầu tiên ta nối tắt ngõ vào (vi=0);
áp một nguồn giả tưởng có trị số vo vào phía ngõ ra như trên,
vo
xong lập tỉ số  zo
io
Khi vi=0 ⇒ ib = 0 ⇒ βib=0 (tương đương mạch hở) nên

vo
zo   RC
io
Trong trường hợp nối thêm CE hoặc nối chân E xuống mass

Mạch tương đương

ii ib
+ +
B C
re i b io
vi vo
Rb E
Rc
Zi Zo
- -
Phân giải mạch ta sẽ tìm được:

vo RC
AV  
vi re
vi
z i   R B // re
ii
zo  R C
zi
Ai  A V
RC
Mạch khuếch đại cực phát chung với kiểu phân
cực bằng cầu chia điện thế và ổn định cực
phát

RC RC zi  R1 // R 2 // z b
AV   
re  R E RE
z b    re  R E    R E
zi zo  R C
Ai  A V
RC
Trong trường hợp nối thêm CE hoặc nối chân E xuống mass

Mạch tương đương

RC
AV  
rE
z i  R 1 // R 2 // z b
z b  rE
zo  R C
zi
Ai  A V
RC
 Mạch khuếch đại cực phát chung phân cực
bằng hồi tiếp điện thế và ổn định cực phát
i’ Rb
ii ib
+ +
B C
re i b io
vi vo
E
Rc
Zi Re Zo
- -

vo RC RC .R E .R B
AV    zi 
vi re  R E RE R B  .R E . A V
zi
Ai  A V . z o  R C // R B
RC
9. Phân giải theo thông số h đơn giản
liên hệ 2 mạch tương đương

h ie   re

h fe  
h oe  1
ro
h ib  re

h fb  
Mạch khuếch đại cực phát chung

Mạch tương đương

 Phân giải mạch tương đương ta tìm được
Tổng trở vào Zi=R1//R2//Zb
với: Zb=hie+(1+hfe)RE=hie+hfeRE
Ðộ lợi điện thế: vo
AV 
vi
Ta có: v o  h fe .i b .R C
vi  h ie .i b  1  h fe  R E .i b
vo h fe .i b .R C h fe .R C h fe .R C
AV     
vi h ie .i b  1  h fe  R E .i b h ie  1  h fe  R E h ie  h fe .R E

RC
Thường h ie h fe .R E  AV  
RE
 Tổng trở ra: Zo=RC
io
 Ðộ lợi dòng điện: A i 
ii
vo vi
io   ii  
RC zi

vo zi zi
Ai   . Hay A i   A V .
vi R C RC
10. MỘT SỐ ỨNG DỤNG KHUẾCH ĐẠI CỦA BJT
mạch khuếch đại micro dùng cho máy tăng âm
Mạch tạo dao động sóng hình sin
Mạch đa hài tự dao động dùng tranzito lưỡng cực

1 1
f 
T 0.69R B2 C1  0.69R B1C 2
Hình dạng thực của Transistor BJT