Professional Documents
Culture Documents
Ch18 Tính Chất Điện
Ch18 Tính Chất Điện
Ch18 Tính Chất Điện
• Phân biệt vật liệu dẫn điện, bán dẫn và cách điện?
Chapter 18 - 1
Mạch tích hợp
• Scanning electron micrographs of an IC:
Al (d) (a)
(d)
Si
(doped)
45 mm 0.5 mm
• A dot map showing location of Si (a semiconductor):
-- Si shows up as light regions. (b)
• Độ dẫn điện s 1
Chapter 18 - 3
Tính chất điện
• So sánh điện trở ?
2 2 8
D R1
D D2
2
2
2D R1
R2
2
2D D 2
8
2
• Tương tự dòng nước trong ống
• Điện trở phụ thuộc hình dạng và kích thước.
Chapter 18 - 4
Định nghĩa
Định nghĩa khác
J = (V/ )
Chapter 18 - 5
So sánh độ dẫn điện
• Các giá trị ở nhiệt độ phòng (Ohm-m)-1 = ( - m)-1
METALS conductors CERAMICS
-10
Silver 6.8 x 10 7 Soda-lime glass 10 -10-11
Copper 6.0 x 10 7 Concrete 10 -9
Iron 1.0 x 10 7 Aluminum oxide <10-13
SEMICONDUCTORS POLYMERS
Silicon 4 x 10 -4 Polystyrene <10 -14
Germanium 2 x 10 0 Polyethylene 10 -15-10-17
GaAs 10 -6
semiconductors insulators
Selected values from Tables 18.1, 18.3, and 18.4, Callister & Rethwisch 8e.
Chapter 18 - 6
Ví dụ
Dây dẫn cần bán kính (D) là bao nhiêu để V < 1.5 V?
100 m
Cu wire - I = 2.5 A +
V
100 m
< 1.5 V
V
R
A I 2.5 A
D 2
4 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
D > 1.87 mm
Chapter 18 - 7
Cấu trúc dải năng lượng electron
Chapter 18 - 8
Biểu diễn cấu trúc vùng năng lượng
Chapter 18 - 9
Sự dẫn điện & chuyển electron
• Kim loại (Chất dẫn):
-Vùng trống và vùng lấp một phần hoặc đầy chồng lấp lên nhau
Partially filled band Overlapping bands
-Năng lượng nhiệt kích
thích electron chuyển lên
Energy Energy
empty
vùng trống có mức năng
band
lượng cao hơn empty
GAP
band
- Vùng trống bị chồng lấp
bởi vùng lấp đầy. partly
filled filled
filled states
band
filled states
band
filled filled
band band
Chapter 18 -10
Cấu trúc dải năng lượng:
Cách điện & Bán dẫn
• Cách điện: • Bán dẫn:
- Band gap rộng (> 2 eV) -Band gap hẹp (< 2 eV)
- Một số electron bị kích thích -Nhiều electrons bị kích thích qua
qua band gap band gap
Energy empty Energy empty
conduction conduction
band band
GAP ?
GAP
filled filled
filled states
filled states
valence valence
band band
filled filled
band band
Chapter 18 - 11
Kim loại: Ảnh hưởng của nhiệt độ và tạp
chất tới điện trở
• Tạp chất làm tăng điện trở
-- grain boundaries
These act to scatter
-- dislocations
electrons so that they
-- impurity atoms take a less direct path.
-- vacancies
6 i
a t %N
• Resistivity
Resistivity, r
.3 2
(10 -8 Ohm-m)
5 +3 %Ni
Cu 12 a t increases with:
4 + 1 .
C u i -- temperature
ed %N
3 rm at -- wt% impurity
defo d
+ 1. 12
Cu -- %CW
2 i
” C u
1 r e = thermal
t
“Pu
0 -200 -100 0 T (ºC) + impurity
Adapted from Fig. 18.8, Callister & Rethwisch 8e. (Fig. 18.8
adapted from J.O. Linde, Ann. Physik 5, p. 219 (1932); and C.A.
+ deformation
Wert and R.M. Thomson, Physics of Solids, 2nd ed., McGraw-Hill
Book Company, New York, 1970.) Chapter 18 -12
Ước lượng độ dẫn Adapted from Fig.
18.9, Callister &
• Đặt vấn đề: Rethwisch 8e.
-Xác định độ dẫn của hợp kim Cu-Ni có yield strength là 125 MPa.
180
Yield strength (MPa)
(10 -8 Ohm-m)
50
Resistivity, r
160
140 40
125 30
120
100 20
21 wt% Ni 10
80
60 0
0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50
wt% Ni, (Concentration C) wt% Ni, (Concentration C)
Adapted from Fig. 7.16(b), Callister & Rethwisch 8e. 8
30 x 10 Ohm m
From step 1:
1
3.3 x 10 6(Ohm m)1
CNi = 21 wt% Ni
Chapter 18 -13
Hạt tích điện trong điện môi và bán dẫn
Adapted from Fig. 18.6(b),
Callister & Rethwisch 8e.
Hai loại hạt tích điện:
Electron tự do
– Điện tích âm
– Trong vùng dẫn
Lỗ trống
– Tích điện dương
– Không có electron trong
vùng hóa trị
Chapter 18 -15
Bán dẫn do chuyển Electron & lỗ trống
- + - +
# holes/m3
n e e p e h
hole mobility
# electrons/m3 electron mobility
Chapter 18 -16
Số hạt mang điện
Độ dẫn bán dẫn tinh khiết
n e e p e h
• Ex: GaAs
10 6 ( m) 1
ni
e e h (1.6 x10 19 C)(0.85 0.45 m2 /V s)
• Si tinh khiết:
-- s tăng với T
-- Ngược với kim loại
ni e e h
E gap / kT
ni e
concentration (1021/m3)
produce mobile electrons.
Conduction electron
freeze-out
2
extrinsic
intrinsic
• Comparison: intrinsic vs
extrinsic conduction... 1
-- extrinsic doping level:
1021/m3 of a n-type donor
impurity (such as P). 0
-- for T < 100 K: "freeze-out“, 0 200 400 600 T (K)
thermal energy insufficient to
excite electrons. Adapted from Fig. 18.17, Callister & Rethwisch
8e. (Fig. 18.17 from S.M. Sze, Semiconductor
-- for 150 K < T < 450 K: "extrinsic" Devices, Physics, and Technology, Bell
-- for T >> 450 K: "intrinsic" Telephone Laboratories, Inc., 1985.)
Chapter 18 -20
Ghép chỉnh lưu p-n
• Allows flow of electrons in one direction only (e.g., useful
to convert alternating current to direct current).
• Processing: diffuse P into one side of a B-doped crystal.
Fig. 18.22, Callister & Rethwisch 8e. Fig. 18.23, Callister & Rethwisch 8e.
Chapter 18 -22
Transistor tiếp xúc
Chapter 18 -23
MOSFET Transistor
Integrated Circuit Device
Chapter 18 -24
Ceramics sắt từ
• Experience spontaneous polarization