EMI Analysis Methods for Synchronous Buck

Converter EMI Root Cause Analysis

충남대학교 전기공학과
박성민

2023. 4. 17
I. Introduction
 Converter 의 EMI 동작 분석을 위한 EMC 분석 방법
– 4-Layer test board
• Layer 1 : Signal (PWM Chip, Inductor, Bootstrap, Startup Circuit, etc.)
• Layer 2 : Solid Ground Plane
• Layer 3 : Ground Plane with 2 small islands for , and
• Layer 4 : Signal (MOSFETs, Input Decoupling Capacitors)

– Far-field 측정 : 약 160MHz 집중된 광대역 방출

 100 ~ 200MHz 범위의 광대역 방출이 연구 주 초점 .

|| Far-field Emission of a Synchronous Buck Converter ||

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II. Voltage Measurement
 High-side MOSFET ON | Low-side MOSFET OFF
– Decap-MOSFET Loop
• Partial inductance :
– L_loop1, L_loop2, L_loop3, L_loop4
» L_loop1 : 출력 인덕터의 높은 임피던스 보유 .
» 스위칭 중 AC 전류 : Decap-MOSFET 루프 내 유지 .
• Low-side MOSFET MODE
– 총 캐패시턴스 , ,
» 드레인 , 소스 사이 총 캐패시턴스 : AC 전류 허용
• 총 (, , ) 공진주파수
– Phase node 전압에 링잉 유발 . || Synchronous Buck Converter with Parasitic Elements ||
» High-side MOSFET 도통  위상 전압의 상승 에지 , 160MHz 성분 확인

 Phase node 전압 측정
– 공진 주파수에서 상당한 RF 전류 발생 , RE 문제 발생
• Decap-MOSFET 루프 공진과 위상 노드 전압 링잉 주파수 사이 연관성 확인 .

|| Measured Voltage Waveform at the Phase Node || || STFFT of the Measured Voltage Waveform at the Phase Node ||

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III. Near-field Measurement
 Near-field 측정
– 자기 루프 프로브
• 측정된 전압
– 전류의 시간 미분 (di/dt) 비례 .
– 자기 커플링 비례 .

– 측정 방법
• Spot 1 : High-side MOSFET.
• Spot 2 : Low-side MOSFET.
• Spot 3 : L_loop1 에 유입되는 자속 .
|| Near-field Measurement Comparison ||

– 측정 결과
• Signal amplitude
– High/Low-side MOSFET >> L_loop1
• Resonance
– Decap-MOSFET 루프의 인덕턴스와 Low-side MOSFET 의 총 캐패시턴스 공진

 대부분의 160MHz 전류가 Decap-MOSFET 루프 내 머무름 .

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IV. Quantifying resonance
 Decap-MOSFET 루프 내 임피던스 측정
– 측정 방법
• VNA
– Low-side MOSFET OFF
» 드레인 및 소스 : 5V 인가
• CST Studio
– High-side MOSFET | ON : 직렬 인덕턴스 및 저항 모델링

– 측정 결과 || Decap-MOSFET Loop Modeled in MWS ||

• VNA
– Low-side MOSFET 캐패시턴스 : 210pF
• CST
– Decap-MOSFET 루프 인덕턴스 : 4.3nH.

|| Synchronous Buck Converter with Parasitic Elements || || Impedance Looking into the Decap-MOSFET Loop ||

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V. 사례연구 : Decap-MOSFET 루프 크기 변경
 Decap-MOSFET 루프 크기와 루프의 공진 주파수 연관성 비교
– 측정 방법
• Case 1) Original version
• Case 2) Decap-MOSFET 루프 크기 증가
– 루프 인덕턴스 증가
• Case 3) Decap 장착 위치 변경
– H-MOSFET 의 Drain 과 L-MOSFET 의 Source 사이
– 루프 크기 최소화 , 루프 인덕턴스 감소
• Ringing 주파수의 변화 파악

– 측정 결과
• Ringing 주파수
– Case 1 : 160MHz
– Case 2 : 130MHz
– Case 3 : 190MHz

 Ringing 주파수와 루프 인덕턴스는 반비례함 .

Source
Drain

|| Three Cases Examined ||

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VI. Far-field Measurement
 3M Far-field 측정
– 측정 방법
• 위상 전압의 ringing 주파수 peak 주파수의 원거리 스펙트럼 비교
• 반무반향실 SAC (Semi-Anechoic Chamber)
– Case 1 : 160MHz @ peak
– Case 2 : 130MHz @ peak
– Case 3 : 190MHz @ peak
• 위상 노드에서 측정된 전압의 ringing 주파수와 일치함 .

– 측정 결과
• Amplitude
– Case 3 (190MHz) < Case 1 (160MHz) < Case 2 (130MHz)
– 전압 변동률이 가장 낮은 경우 : Case 3 (190MHz)

|| Far-field Spectrum for the Three Cases ||

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VII. TEM cell Measurement (1)
 TEM cell (Transverse Electromagnetic cell) H-field 측정
– 이전 연구 ) TEM cell 측정 [5], [6]
• TEM cell 에 연결된 장치로 TEM 파 생성 .
• TEM cell 의 두 포트를 180 도 하이브리드 연결 .
• 신호 연산 및 쌍극자 모멘트 측정 후 Far-field 추정 .

– 측정 방법
• 연결 장치 :10 x 10cm Buck 컨버터
• 두 포트의 신호 연산을 통한 H-field 커플링 확인
• Case 1 (Origin)
• Case 3 (Decap)

– 측정 결과
• 주파수 이동
– Peak 주파수 160MHz  190MHz
• 커플링 양
– Case 3 에서 10dB 감소
• 160MHz 광대역 노이즈의 커플링 경로
 Decap-MOSFET 루프에서 발생하는 자기 커플링 . || Far-field Spectrum for the Three Cases ||

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VIII. TEM cell Measurement (2)
 TEM cell E-field 측정
– 시사점
• 위상 노드 전압에는 링잉 주파수를 포함한 고주파 성분 포함됨 .
• 위상 전압을 포함하는 영역 : 노출된 구리 영역
– 측정 방법
• Case A : Original
• Case B : 위상 전압 영역 축소

– 측정 결과 || Reduction of the Exposed Phase Voltage Area ||

• E-coupling 감소
– Case B 에서 위상 전압 영역이 감소된 만큼 , E- 커플링이 약 5~7dB 감소함 .
• Far-field 에서는 아무런 영향이 없음 .
– 자기장 커플링이 전기장 커플링보다 큰 영향 끼침 .

|| E-coupling Comparison of the Two Cases ||

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IX. TEM cell Measurement (3)
 TEM cell RE 측정 – 공통모드 전류
– 측정 방법
• H- 커플링 측정 후 DUT 에서 상호 유도 커플링 계산 .
• DUT 에서 유도되는 공통모드 전압 계산 .
• 쌍극자 방정식  모든 주파수에서 가능한 최대 RE 결정 .
• 테스트 보드의 Far-field 피드백 측정

– Setup
• Case X : 테스트 보드 없음 , Far-field 측정
|| Far-field Spectrum for the Three Cases ||
• Case Y : 테스트 보드 있음 , Far-field 측정
• Case Z : TEM cell 측정값 , RE 측정

– 측정 결과
• Far-field
– Case X 보다 Case Y 가 잘 일치함 .
• RE 매커니즘은 자기 커플링임 .

|| Far-field Spectrum for the Three Cases ||

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REVIEW
 동기식 벅 컨버터에서 저주파 광대역 노이즈원 , 커플링 경로 파악
– 위상 전압의 TD 측정 및 STFFT 를 사용한 joint TF 분석
• 160MHz 광대역 성분이 H-MOSFET 의 도통 중에 발생함 .
– 소형 자기 루프 프로브 Near-field 측정
• 160MHz 노이즈 전류가 주로 Decap-MOSFET 루프 내 머무름 .
– 공진 주파수 계산
• CST Simulation
– Decap-MOSFET 루프의 루프 인덕턴스 (1).
• VNA
– L-MOSFET 의 캐패시턴스 측정값 (2).
» (1), (2) 를 이용한 공진 주파수 계산 결과 값  167MHz 근접 .

– 루프 인덕턴스와 공진 주파수의 상관관계

• Decap-MOSFET 루프 크기 변경 .
– 크기 감소  소스와 RE 구조 사이의 상호 자기 커플링 감소 , Far-field RE 감소 .
– 결과 : Decap-MOSFET 루프 크기를 줄임으로써 기판과의 자기 커플링 감소 .
– 노출된 위상 전압 영역 감소
• TEM cell 측정 후 전압 영역 감소 시 전기적 커플링 감소 확인 .
• Far-field 에서는 불변 .  방사는 전기적 커플링에 의해 영향 심하게 받지 않음 .
– TEM cell 측정 사용 , 자기 커플링으로 인한 최대 RE 근사화
• 시나리오 예측 .

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 Estimation of Radiated Emissions from
Microstrip PCB using Neural Network Model

충남대학교 전기공학과
박성민

2023. 4. 17
Parameter study
 ANN – MLP (Artifical Neural Network Multi-Layer Perceptron)
– 인공신경망 다중 퍼셉트론 모델 제시
• RE 고속 계산 , Quasi-TEM 조건에 국한되지 않음 .

 Microstrip PCB parameter

– Board 길이
– Board 폭
– Trace 길이
– Trace 폭
– Source Impedance
– Load Impedance
– Source voltage
– Dielectric Permittivity
– Dielectric thickness
9 개 파라미터 설정 || Simple Microstrip PCB under study ||

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IMPACT OF PCB-PARAMETERS ON RE
 Impact of RE parameter study result
– 1) Board length
• Board length : 750mm << 200mm
– 2) Board width
• Board width : 800mm << 80mm
– 3) Trace length
• Trace length : 50mm << 140mm
– 4) Trace width || Impact of board length on RE || || Impact of board width on RE ||
• Trace width : 10mm << 0.8mm
– 5) Source Impedance
• Impedance : 10000ohm << 10ohm
– 6) Load Impedance
• Impedance : 10ohm << 10000ohm
|| Impact of trace length on RE || || Impact of trace width on RE ||

|| Impact of source impedance on RE || || Impact of load impedance on RE ||

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IMPACT OF PCB-PARAMETERS ON RE
 Impact of RE parameter study result
– 7) Source voltage
• Source voltage : 0.5V << 5V
– 8) Dielectric Permittivity
• Relative permittivity : 10 << 1
– 9) Dielectric thickness
• Dielectric thickness : 0.5mm < 5mm
• 너무 얇은 유전체는 오히려 RE 방출량이 많아질 수 있음 .
– 트레이스와 접지면 사이의 높은 캐패시턴스로 멀티 공진점 발생 .

|| Impact of source voltage on RE || || Impact of dielectric permittivity || || Impact of dielectric thickness on RE ||

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IMPACT OF PCB-PARAMETERS ON RE
 Impact of RE parameter study
– Result table

PCB Board PCB Trace

parameter Length Width Length width
RE Reduc-
↑ ↑ ↓ ↑
tion
Impedance Dielectric
parameter Source Load Permittivity thickness
RE Reduc-
↑ ↓ ↓ ↑
tion
parameter Source voltage
RE Reduc-
↓
tion
|| Impact of RE parameter study result table ||

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REVIEW
 KEY POINT 1 : 방사 예측
– 뉴런 네트워크 모델
• PCB 기판의 방사 예측
– Full-wave EM 시뮬레이션 결과와 비교해 예측의 정확성 검증 .
– TEM cell, 180 도 하이브리드
• PCB 기판의 EMI 특성 측정 , PCB 레이아웃과 설계 요소의 영향력 파악 .
• 설계 요소 변경을 통한 Full-wave EM 시뮬레이션 및 측정을 통한 EMI 성능 편차 파악
– 최적화된 설계 전략 도출 .

 KEY POINT 2 : parameter study 및 상관관계 분석

– PCB 물리적 사양 추출
• PCB 에서의 9 개 파라미터들을 설계 파라미터로 지정 .
– ANN model proto type
– Parameter sweep
– Field 분석
• CST/HFSS 의 probe 설정을 통해 near-field 측정 , 전기장이 아닌 자기장 매커니즘 접근 . (H)
• CST/HFSS far-field 분석
– 노드 전압 부분 ( 자기 커플링 경로 ) 영역 변화 .
– 디커플링 캐패시터의 루프 크기 축소 .
• 이후 VNA, TEM cell 측정으로 타당성 검증 .

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Feedback
 하위논문
– 측정
• VNA 측정법
– 동기식 벅 컨버터 디커플링 캐패시터 ( 드레인 to 소스 ) 임피던스 측정
• CST EM 시뮬레이션
– 등가회로 모델링 및 결과값 도출
– EMC 측정 방법
• TEM cell 측정 원리 및 방법
– 180 도 하이브리드 , DUT, 신호 연산법
» Vertical, Horizontal 방향 및 전기 / 자기 커플링 양 계산
– PCB 영향 분석
• Source impedance | Load impedance 파악
• ANN-MLP 모델 파악
 Simulation ANSYS Slwave | HPSS
• PCB 급전
– Base simulation  S-parameter 및 Z-parameter 도출
– Via material 특성 차이
» 1) metal
» 2) vacuum

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