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Sem 01
Sem 01
Electrónica
Introducción a la Electrónica de
Dispositivos
ATE-UO Sem 01
Materiales semiconductores (II)
- - 2p2
- - 2s2
- - 1s2
Distancia interatómica
- -
- -
- - - -
- - - -
- -
Distancia interatómica
Diamante: Grafito:
Cúbico, transparente, Hexagonal, negro,
duro y aislante blando y conductor
ATE-UO Sem 04
Diagramas de bandas (I)
Diagrama de bandas del Carbono: diamante
Banda prohibida
Eg=6eV
4 estados/átomo Banda de
Energía
conducción
- -
- - Banda de
4 electrones/átomo valencia
ATE-UO Sem 06
Diagramas de bandas (III)
Diagrama de bandas del Ge
4 estados/átomo
Energía
Banda de conducción
ATE-UO Sem 08
Representación plana del Germanio a 0º K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - - -
- - - - -
Ge
- Ge - Ge - Ge
- - - -
ATE-UO Sem 09
Situación del Ge a 0ºK
300º K (I)
- - - -
- - - - -
G - G - G - G
e
- e
- e e
- - -
- - -
+
-
- - - - -
G
- G - G - G
e
- e
- e
- e
-
•Hay 1 enlace roto por cada 1,7·109 átomos.
•Un electrón “libre” y una carga “+” por cada
enlace roto.
ATE-UO Sem 10
Situación del Ge a 300º K (II) -
- -
- - Generación
- Muy - - - +
-
importante
G - G - G - Recombinación
G
e e e e
- - - - Generación - -
- -
Generación -
+
-
-
G
-
-
G -
Recombinación
-
G -
-
G
+ -
e- e
- e
- e
-
Siempre se están rompiendo (generación) y
reconstruyendo (recombinación) enlaces. La vida media
de un electrón puede ser del orden de milisegundos o
microsegundos.
ATE-UO Sem 11
- Aplicación de un campo externo (I)
+++++++
- - - -
- -
G -
-
G -
-
G -
-
G
-
- e
- - e
- - e
-- -
e
- -
-
- - -
+
-
- -
-
- - - -
G G - G - G
e e e e
-
- - - -
- -
•El electrón libre se mueve por acción del campo.
+
•¿Y la carga ”+” ?.
ATE-UO Sem 12
- Aplicación de un campo externo (II)
+++++++
- - - -
- -
G
Muy
importante
-
-
G -
-
G -
-
G
-
- e
- e
- - e
-- e
-
-
- -
+ +
- -
- -
-
- - - -
G G - G - G
e e e e
-
- - - -
- -
•La carga “+” se mueve también. Es un nuevo
+
portador de carga, llamado “hueco”.
ATE-UO Sem 13
Mecanismo de conducción. Interpretación
en diagrama de bandas
Átomo 1 Átomo 2 Átomo 3
- -
- +- -
+ - - -
- - - - - -
- Campo eléctrico +
ATE-UO Sem 14
Movimiento de cargas por un campo
eléctrico exterior (I)
-
+++++
-
- - - - -
+ + + + +
- - - - - -
- + + + + +
-
jp
jn
Existe corriente eléctrica debida a los dos portadores de carga:
jp=q·p·p· es la densidad de corriente de huecos.
jn=q·n·n· es la densidad de corriente de electrones.
ATE-UO Sem 15
Movimiento de cargas por un campo eléctrico
exterior (II)
jp=q·p·p· jn=q·n·n·
q = carga del electrón
p = movilidad de los huecos
n = movilidad de los electrones
p = concentración de huecos
n = concentración de electrones
= intensidad del campo eléctrico
Ge Si As Ga
(cm2/V·s) (cm2/V·s) (cm2/V·s)
Muy
n 3900 1350 8500
importante
p 1900 480 400
ATE-UO Sem 16
Semiconductores Intrínsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados
“Semiconductores Intrínsecos”, en los que:
•No hay ninguna impureza en la red cristalina.
•Hay igual número de electrones que de huecos n = p = ni
Ge: ni = 2·1013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2·106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)
ATE-UO Sem 19
Semiconductores Extrínsecos (III)
Interpretación en diagrama de bandas de un
semiconductor extrínseco Tipo N
3
4 est./atm. 300ºK
0ºK
Energía
- 1
0 electr./atm.
-
+
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.
4 est./atom. 300ºK
0ºK
Energía
EAl=0,067eV Eg=0,67eV
-
+- - 43 electr./atom.
- - 01 huecos/atom.
hueco/atom.
conducción
- -
- - +- - - - - - - +- - - Banda de
- - - - - - - - - - - - valencia
- - - - - - - - - - - -
- - - - - - - - - - - -
4·m electrones ¿Cómo es la distribución de
electrones , huecos y estados
en la realidad?
ATE-UO Sem 25
Densidad de estados en las bandas
de conducción y valencia
gc(E)= densidad de estados en
E gc(E) los que puede haber electrones
en la banda de conducción
Ec
Banda prohibida Eg=0,67eV (Ge)
Ev
f(E)
0 0,5 1
Estados completamente
Estados posibles
llenos de electrones ATE-UO Sem 28
Semiconductor intrínseco a alta temperatura
(para que se puedan ver los electrones)
n electrones/vol.
Estados posibles
gc(E)
E n=
Egc(E)·f(E)·dE
c
Ec
EF
Ev
huecos
gv(E)
f(E)
Estados posibles 0
Electrones 0,5 1
ATE-UO Sem 29
Calculamos la concentración de huecos en la
banda de valencia, “p”.
Ev
Electrones
Estados posibles
E
p=
gv(E)·(1-f(E))·dE = n
-
gc(E) 1-f(E)
Ec El nivel de Fermi tiene
que ser tal que las
EF áreas que representan
huecos y electrones
Ev sean idénticas (sem.
intrínseco)
gv(E) f(E)
Huecos posibles 0
Estados 0,5 1 ATE-UO Sem 30
Concentración de electrones y huecos en sem.
intrínsecos, extrínsecos tipo N y extrínsecos tipo P
nn 1-f(E)
n 1-f(E)
1-f(E)
Sube el nivel
Baja el nivel
de Fermi
de Fermi
pp p
f(E)
f(E)
f(E)
Semiconductor
Semiconductor
Semiconductor extrínseco
intrínseco
extrínseco tipotipo
P N
ATE-UO Sem 31
Relaciones entre “n”, “p” y “ni”
E
(EF-Ec)/kT
n= gc(E)·f(E)·dE Nc· e Nc es una constante
que depende de T3/2
c
Ev
(Ev-EF)/kT Nv es otra constante
p=
-
gv(E)·(1-f(E))·dE Nv· e que depende de T3/2
++++
+ + -
- - - - -
+
- -
+ + + + + -
1
1 2 V1 V2 2
Ec
Ec n > ni EFi2
EFi EFi1 p > ni EF
Ev
Ev
2
1
1 2 ATE-UO Sem 34
Difusión de electrones (I)
- - - - - -
- - - - jn - -
- - - - - -
1 - - - - - - 2
n1 n2< n1
jn
Los electrones se han movido por difusión (el
mismo fenómeno que la difusión de gases o de
líquidos).
ATE-UO Sem 35
Difusión de electrones (II)
- - - - Mantenemos la
concentración distinta
- - - - - -
- - - -
1 - - - - 2
n1 n 2< n 1
jn n
La densidad de corriente a la que dan origen es proporcional al
gradiente de la concentración de electrones:
jn=q·Dn· n
ATE-UO Sem 36
Difusión de huecos (I)
+ + ++ + + +
+ + + + + + +
+ + + + + +
1 + + + + + + 2
p1 p2< p1
jp
Los huecos se han movido por difusión (el mismo
fenómeno que la difusión de electrones).
ATE-UO Sem 37
Difusión de huecos (II)
+ + + + Mantenemos la
concentración distinta
+ + + + + +
+ + + +
1 2
+ + + +
p1 p 2< p 1
p jp
La densidad de corriente es proporcional al gradiente de la
concentración de huecos, aunque su sentido es opuesto:
jp=-q·Dp· p
ATE-UO Sem 38
Resumen de la difusión de portadores
jn=q·Dn· n jp=-q·Dp· p
Dn = Constante de difusión de electrones
Dp = Constante de difusión de huecos
Ge Si As Ga
2 2
(cm /·s) (cm /·s) (cm2/·s)
Dn 100 35 220
Muy
Dp 50 12,5 10
importante
1 - - - - 2 -
+++++
- - - - - -
- - -
-
- -
-
- - - -
-
n1 n2< n1
jn difusión=q·Dn·dn/dx jn difusión
jn campo=q·n·n· jn campo
1 - - - - 2 -
+++++
- - - - - -
V1
- - -
- V2
- -
-
- - - -
-
n1 n2< n1
Sustituimos e integramos:
V21=V2-V1=-(Dn/n)·ln(n1/n2)
ATE-UO Sem 41
Equilibrio difusión-campo para huecos (I)
- + + + +
+++++
- + + + + +
-
+ + + + +
-
- + + + +
p1 p2< p1
jp difusión=-q·Dp·dp/dx jp difusión
jp campo=q·p·p· jp campo
- 1 + + + 2
+++++
+
- + + + + +
V1 - V2
+ + + + +
-
- + + + +
p1 p2< p1
Sustituimos e integramos:
V21=V2-V1=(Dp/p)·ln(p1/p2)
ATE-UO Sem 43
Equilibrio difusión-campo para electrones y
huecos (I)
1 2
- +
- - - -
+++++
+ + +
- +
-
+ +
-
+
- -
V1 - V2
- +
- -
+ + + +
-
-
-
- - - -
+ + +
p1, n1 p2, n2
+++
+ + + +
- -
V1 +
-
V2
+ +
-
+
- - -
+ + + + - + p2<p1
p1,-n1
n2>n1
Resumen:
(V2-V1)/ VT
V2-V1 = VT·ln(p1/p2) p1/p2 = e
ó (V2-V1)/ VT
V2-V1 = VT·ln(n2/n1) n2/n1 = e
Muy
(VT = 26mV a 300ºK) importante
ATE-UO Sem 46
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (I)
Partimos de un semiconductor tipo N. Dibujamos los pocos huecos
En t<0, p(t) = p p
+ + + + +
N
+ + + +
p0
+ + + + +
+ + + +
N
En t=0, incide luz (por ejemplo), por lo que:
p=n p(0)=p0>>pn(0)=n0 n
(Hipótesis de baja inyección: p0<<n)
ATE-UO Sem 47
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (II)
Definimos el “exceso de minoritarios”:
p’(t)=p(t)- p p’0= p0-p
+ + + +
p0
+ + + + +
+ + + +
N
Cesa la luz. Hay un exceso de concentración de
huecos con relación a la de equilibrio térmico. Se
incrementan las recombinaciones.
ATE-UO Sem 48
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (III)
t=0 , p0 + + + + p0
+ + + + +
+ + + +
N
t=t1 , p1<p0 + + + + p01
+ + + + +
+ + + +
N
t= , p<p1 +
p1
+
+ + + + +
+ +
N
ATE-UO Sem 49
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (IV)
¿Cómo es esta
p(t)
p0 curva?
p1 p2
p p
t1 t2 t
Representamos el exceso de concentración
p’(t)
p’0
p’1 p’
2
t1 t2 t
ATE-UO Sem 50
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (V)
La tasa de recombinación de huecos debe ser
proporcional al exceso en su concentración:
-dp/dt = K1·p’ (nótese que dp/dt = dp’/dt)
Integrando:
p(t) = p+p-p)·e-tp
donde p= 1/K1 (vida media de los huecos)
p0 Muy
p(t) importante
p p
t
ATE-UO Sem 51
Evolución temporal de un exceso en la
concentración de minoritarios (VI)
Interpretaciones de la vida media de los huecos p
Tangente en el origen
p0 Mismo área
p p(t) p
t
p
p0 Idea aproximada
p p(t) p
t
p Lo mismo con los electrones
ATE-UO Sem 52
Ecuación de continuidad (I)
Objetivo: relacionar la variación temporal y
espacial de la concentración de los portadores.
El cálculo se realizará con los huecos
1 2
ATE-UO Sem 53
Ecuación de continuidad (II)
¿Por qué razones puede cambiar en el
tiempo la concentración de huecos en este
recinto?
+ -
+ -
1 2
ATE-UO Sem 54
Ecuación de continuidad (III)
¿Por qué razones puede cambiar en el tiempo
la concentración de huecos en este recinto?
Luz
-
-
+ +
1 2
3º Generación de un exceso de concentración
de huecos y electrones por luz
ATE-UO Sem 55
Ecuación de continuidad (IV)
1º Acumulación de huecos al entrar y salir distinta densidad de corriente
A
A
jp(x)
jp(x+dx)
dx
Carga eléctrica que entra por unidad de tiempo: jp(x)·A
ATE-UO Sem 58
Caso de especial interés en la aplicación
de la ecuación de continuidad
Admitiendo:
• 1 dimensión (solo x)
• estudio de minoritarios (huecos en zona N y
electrones en zona P)
• campo eléctrico despreciable (=0)
• bajo nivel de inyección (siempre menos
minoritarios que mayoritarios)
Queda: d(jp zonaN )/dx = -q·Dp·2p/x2
Típicamente, genera señales de forma cuadrada, triangular y la sinusoidal, que es la más usada.
OSCILOSCOPIO
Es un instrumento de visualización
electrónico para la representación gráfica de
señales eléctricas que pueden variar en el
tiempo.