Professional Documents
Culture Documents
Thuyết Trình Nckh- Đỗ Thị Mỹ Duyên-20158057
Thuyết Trình Nckh- Đỗ Thị Mỹ Duyên-20158057
HCM
KHOA ĐÀO TẠO CHẤT LƯỢNG CAO
*****
GVHD: SVTH:
Chế Quốc Long Đỗ Thị Mỹ Duyên 20158057
NỘI DUNG
Tổng quan công nghệ xử lý Plasma
3. Thiết bị xử lý Plasma
Công nghệ xử lý bề mặt Plasma là sự biến đổi bề mặt chất nền của vật liệu
về trạng thái plasma, nó kiểm soát năng lượng bề mặt và
tính chất hóa học của chất nền mà không ảnh hưởng đến vật liệu khối.
Kích hoạt plasma Kích hoạt Plasma trong khí quyển đã được sử dụng nhiều năm để
xử lý bề mặt màng nhựa năng lượng bề mặt thấp và các vật liệu
polyme khác để cải thiện độ bám dính
Nhược điểm lớn của xử lý corona công nghiệp là tính không đồng
nhất của nó do đặc tính không đồng nhất của plasma dạng sợi và
các bộ truyền phát dễ xảy ra. Một nhược điểm nữa là sự oxy hóa
của bề mặt biến tính.
Khái quát công nghệ xử lý Plasma
Biến đổi plasma với vật liệu ban đầu có khả năng polyme hóa giúp
hình thành màng mỏng trên bề mặt chất nền. Sự lắng đọng lớp phủ
plasma còn được gọi là quá trình trùng hợp plasma hay chính xác hơn
là sự lắng đọng hơi hóa chất (tăng cường) plasma
Lớp phủ plasma
Lớp phủ plasma cho phép biến đổi bề mặt với lớp phủ mỏng ở cấp
độ nano, khi chỉ cần một lượng rất nhỏ vật liệu ban đầu; thân thiện
với môi trường vì nó ít tạo ra chất thải, không tốn thời gian sấy.
So sánh công nghệ Plasma và công nghệ corona
Phương pháp xử lý plasma khí quyển cuộn sang cuộn mang lại những lợi thế độc
đáo hơn so với corona bao gồm
- Xử lý đồng đều hơn và lâu dài hơn.
- Với màng nhựa, không cần xử lý mặt sau, bởi vì trong xử lý plasma không có sự cố
xuyên qua vật liệu, không ảnh hưởng đến mặt trái của chất nền.
- Cho phép sử dụng các loại khí xử lý khác nhau, như heli, argon và nitơ.
- tính đồng nhất của xử lý, khả năng liên kết tốt hơn dẫn đến độ bám mực được cải
thiện
Thiết bị xử lý Plasma
Plasma kích hoạt
Hình 1: Thiết bị kích hoạt Plasma quy mô phòng thí nghiệm và quy mô thí điểm.
Hình 2. Hình minh họa thiết bị Plasma thí nghiệm. Sự phóng điện được
tạo ra giữa hai điện cực điện môi và một cuộn dự phòng. Khí được đưa
vào giữa hai điện cực tại đó khí xử lý bị phá vỡ do điện trường cao áp,
dẫn đến Plasma không cân bằng.
Thiết bị xử lý Plasma
Lớp phủ Plasma
Hình 3. Lò phản ứng plasma áp suất thấp ở quy mô phòng thí nghiệm
(Viện Hóa học Bề mặt, YKI) chứa hai dải điện cực đồng được ghép điện
dung bọc bên ngoài trên một bình thủy tinh nối với bơm chân không. Các
điện cực được cung cấp năng lượng bằng tần số vô tuyến thấp (125–375
kHz) hoặc bằng máy phát điện tần số vô tuyến 13,56 MHz.
Phương pháp thực hiện
Bảng 1: Xử lý thông số bề mặt
Power Line speed Treat.width Efficiency value Gas feed Frequency
Corona 1300 W 50 m/min 500 mm 2
− 24.8 kHz
52.2 Wmin/m
Mô phỏng trên máy in FUJIFILM Dimatix Apollo II PSK/iTi XY MDS2.0 điều khiển
đầu in FUJIFILM Dimatix SL-128 với thể tích giảm 80 pL và độ phân giải gốc 50 dpi
Hình ảnh thử nghiệm được in chứa 100% vùng phủ song và các đường 1 pixel, cho phép nghiên
cứu tương tác giữa mực và chất nền, chẳng hạn như mức độ lan rộng của mực (độ rộng của
đường) và mức độ lan rộng xảy ra đồng đều (độ gồ gề của cạnh đường) trước khi cố định bằng
UV. Các phép đo được thực hiện bằng cách sử dụng hệ thống phân tích hình ảnh IAS của Máy
quét QEA, sử dụng các thuật toán dựa trên tiêu chuẩn chất lượng ISO-13660. Độ bám mực được
đánh giá bằng phương pháp kiểm tra băng, trong đó kết quả được định lượng dựa trên kiểm tra
trực quan chủ quan của các mẫu được kiểm tra. Phân tích đốm/độ hạt thông thường cũng được
dự đoán sẽ đưa ra dấu hiệu về mức độ đồng nhất của hiệu quả xử lý bề mặt plasma.
NỘI DUNG
Tổng quan công nghệ xử lý Plasma
In đồng nhất
Độ bám mực
Biến đổi chất nền
Các hiệu ứng của phương pháp xử lý trên bề mặt Plasma argon làm tăng tỷ lệ O/C nhiều nhất,
chất nền được đặc trưng bởi phép đo góc tiếp xúc trong khi xử lý corona làm oxy hóa bề mặt ở mức
độ thấp hơn. Plasma helium ít làm tăng tỷ lệ O/C
và tỷ lệ O/C. Theo phép đo góc tiếp xúc, tất cả các
nhất. Kết quả này không tương quan với kết quả
phương pháp xử lý đều làm tăng năng lượng bề góc tiếp xúc.
mặt của màng PP (tức là giảm góc tiếp xúc của
nước).
120,0
0.14
110,0
0.12
0.12
100,0 0.10
°)
0.09
0.1
90 , 0
0.08
Contact angle of water (
80 , 0
O/C ratio
0.06
70 , 0
0.04
60 , 0
0.02
50 , 0
40 , 0
Untreated Corona Argon plasma Helium plasma
Untreated Corona Argon plasma Helium plasma
Hình 7: Góc tiếp xúc của nước đối với bề mặt Hình 8: Tỷ lệ O/C của các bề mặt được xử
được xử lý corona và plasma lý corona và plasma
In đồng nhất
Việc xử lý bằng plasma argon giúp tăng cường độ thấm
ướt và tính đồng nhất của mực của các dòng in thể hiện
rõ khi được in bằng mực có sức căng bề mặt thấp.
Line width [µm]
180
Line edge raggedness [µm]
160
30
140
25
120
100 UNTREATED
20
CORONA
µm
80 Ar-PLASMA
UNTREATED
60
Ar-PLASMA
untreated surface
40
non-wetting on
10
barely wetting on
untreated surface
untreated surface
non-wetting on
20
5
38 mN/m 26 mN/m
0
Hình 9: Các giá trị độ nhám của đường đối với xử lý bề mặt Hình 10: Giá trị độ rộng của đường đối với xử lý bề mặt
bằng mực UV với sức căng bề mặt khác nhau. bằng mực UV với sức căng bề mặt khác nhau
Độ bền mực
Adhesion tape test
5 CORONA
Score 0 - 10
Ar-PLASMA
4
38 mN/m 26 mN/m
Hình 11: Giá trị độ bám dính đối với xử lý bề mặt mặt bằng
mực UV với sức căng bề mặt khác nhau
NỘI DUNG
Tổng quan công nghệ xử lý Plasma