光的繞射與微影技術

報告人： B113022016 莊凱婷

何謂光的繞射

• 定義：波遇到障礙物時偏離原本直線傳播路徑的物理現象

• 遇到障礙物或穿越折射率不均勻的介質

• 原子尺度的實體也具有波的特性
解釋如何調整曝光解析度

• 公式： ， λ ：光的波長， NA ：數值孔徑 K1 ：常數

• 曝光解析度的調整可以通過修改繞射極限 (R) 的值來實現

• 使用較短波長的光源

• 增加 NA
調整 NA

• 公式： ，

h ：物鏡前透鏡與被檢物體之間介質的折射率， u ：孔徑角

• 孔徑角無法增大 -> 增大介質的折射率 h 值

• 產生水浸系物鏡和油浸物鏡
為何曝光光源 157 nm 不被使用

• 原因 1 ： EUV 光難以產生，需要龐大且昂貴的設備

• 原因 2 ： EUV 光易被大氣吸收，需要在真空環境中操作

• 原因 3 ：大多數材料吸收吸收雷射能量，二氟化鈣鏡頭昂貴

• 原因 4 ：提高解析度需要降低電流，阻礙頻寬。
何謂浸潤式微影技術，其如何增加曝光解析度

• 使用水或其他液體來填充透鏡和晶圓之間，增加數值孔徑

• 原理：

• 使用高折射率液體：光的吸收率較高
何謂 EUV 曝光技術

• 使用極紫外光波長的微影技術，目前用於 7 奈米以下的先進製程

• 優勢：提高解析度，減少多重曝光

• 挑戰：光源難以產生，需要真空環境，性價比低