전기안전공학 및 실험

4 주차

한경대학교 안전공학과
 강의순서
1. 저항 읽는법
2. 캐패시터 읽는법
3. 트랜지스터 식별법
4. 전압 , 전류 , 저항측정법
5. 교류와직류
6. 전압
7. 전류
8. 전력
9. 병렬연결 / 직렬연결
 저 항 읽는 법
저항 - 저항은 회로내에서 전류를 저지하거나 제한한다 . 숫자 색갈
저항은 크면 클수록 전기가 많이 흐르지 못한다 .

0 검은색

1 갈색

2 붉은색
저항값 - 앞에서부터 3 주황색
첫째자리수 공차 개의띠 3
첫번째띠 - 첫째자리수 4 노란색
둘째자리수
5 초록색
십의 승수 두번째띠 - 둘째자리수 6 파란색
( 둘째자리수 다음의 0 의수 ) 7 보라색
세번째띠 -
앞의두숫자에붙는 십의승수 8 회색
9 흰색

네번째띠 - 허용오차 ∓5 금색
%
∓10 은색
%
 고정저항의 색표시
제 1 숫자 (A) 제 2 숫자 배수 (C) 오차 (D)
(B)
검정색 0 0 10⁰ ( Ω) ±20%RMA
갈색 1 1 10₁ ( 10 Ω)
빨강색 2 2 10₂ ( 100 Ω) ±2%RMA
주황색 3 3 10₃ ( 1K Ω)
노랑색 4 4 10₄ ( 10K Ω)
초록색 5 5 10₅ ( 100K Ω)
파랑색 6 6 10₆ ( 1M Ω)
보라색 7 7 10₇ ( 10M Ω)
회색 8 8 10₈ ( 100M Ω)
흰색 9 9 10₉ ( 1,000M Ω)
금색 10⁻₁ ( 0.1 Ω) ±5%
은색 10⁻₂ ( 0.01 Ω) ±10%
무색 ±20%
 캐패시터 읽는법
캐패시터 - 캐패시터는 전하를 축적하며 직류를 차단하고 교류를 통과시키기 위하여 사용된다
콘덴서라고도 한다

정격전압 –숫자와 알파벳 2 자로 표시한다 ( 보기 )2G 는 아래표에서 400v 이다

A B C D E F G H J K

2G 0 1 1.25 1.6 2.0 2.5 3.15 4.0 5.0 6.3 8.0

1 10 12.5 16 20 25 31.5 40 50 63 80

102 2 100 125 160 200 250 315 400 500 630 800

3 1,000 1,250 1,600 2,000 2,500 3,150 4,000 5,000 6,300 8,000

정전용량 – 3 개 숫자로표시한다 처음 2 자는정수이고 마지막숫자는 10 의배수

(0 의수 ) 를 나타낸것으로서 단위는 PF 이다 ( 보기 ) 102 는 10x10₂=1000 PF 이다
그리고
소수점을 나타낼때만 R 의 문자를 사용하며 이 경우 다른숫자는 정수이다
( 보기 ) 2R5=2.5PF

허용오차 –알파벳으로 다음표와 같이 표시한다 단 10PF 이하의 콘덴서에

대해서는 허용오차의 단위를 PF 로 한다 그리고 자기 ( 세라믹 ) 콘덴서에서는 P⁺₋₁₀₀ ⁻₀
% 를 생략하는 경우가 있다
 트랜지스터 식별법

2 S B 187 A
개량순서 (A B C 순 )

등록순서 (1 번부터 차례로 )

용도표시 A : PNP 형 고주파용 TR

B : PNP 형 저주파용
C : NPN 형 고주파용
D : NPN 형 저주파용 2SC374-Y O:70~140
J : P 채널 FET Y:120~240
K : N 채널 FET hfe GR:200~400
반도체제품의 뜻 F : SCR(P 게이트 ) BL:350~700
(semiconductor ) G : SCR(N 게이트 ) C 콜렉터
C
M : TRIAC
소자의 종별 N : UJT 베이스
0 : 포토 TR
B B
1 : 다이오드
2 : TR 또는 게이트 1 개의 FET
E E 에미터
3 : 게이트 2 개의 FET
PNP 형 NPN 형
 IC 메모리의 분류와 종류

분류 종류 동작

랜덤 엑세스 메모리 스태틱동작형 FF 을 주제로 구성되며 자유로운 타이밍에서 써넣기 ,

(RANDOM ACCESS MEMORY) (STATIC RAM) 읽어내기를 할수 있다
RAM
다이나믹동작형 FET 의 게이트 전하로 데이터를 메모리 한다 . 수 ms 에 1 회 .
(DYNAMIC RAM) 읽어내기 재차 써 넣기가 필요하다

리드 온리 메모리 마스크 ROM ROM 을 제조하는 단계에서 배선마스크에 의하여 메모리 내용을
(READ ONLY MEMORY) (MASK ROM) 써 넣는다 내용변경불능
ROM
프로그래머블 ROM 퓨우즈 ROM 등 ,ROM 본체의 제조후 사용자가 메모리 내용을
(P ROM) 자유롭게 써 넣을수 있다 냬용변경불능

소거가능형 P-ROM UVET-ROM 적외선을 조사하면 메모리 내용을 소거할수 있고

(EP-ROM)
몇회 라도 써 넣기가 가능

EEP-ROM RAM 과 동일하게 메모리 내용을 몇 회라도 다시 써

넣을수 있는 ROM
 용어 정의
1. 전압 (E)(V) : 전위차
대지전압 : 한 line 과 대지 혹은 중성선과의 전압
2. 전류 (I)(A) : 전압 / 저항 (E/R)
3. 저항 (R)(Ω) : 길이에 비례하고 굵기에 반비례
4. 전력 (P)(W)= 전압 * 전류 (E*I)
5. 전력량 (kwh)= 전력 * 시간
6. 단락 ( 합선 , Short)
서로 다른 극이 저항 (Impedance) 이 상당히 적은 값으로
연결된 상태
7. 개방 : 회로가 끊어진 상태 , 저항이 무한대
 용어정의
8. 절연 : 전기 충전부위를 고무 , 비닐 , 폴리에틸렌 등으로
덮는 것

선로 사용 전압에 의해 결정

9. 전선의 굵기 : 전선에 전류가 흐르면 열이 발생

H=I2 RT(Joule)
전류의 크기에 의해 결정

10. 접지 : 대지와 전기적으로 연결 ( 대지는 0 전위 )

11. 본딩 : 도체사이를 전기적으로 연결

12. 3 상 : 각상 ( 전압 , 전류 ) 의 크기는 같고 위상차가 120 도 차이

가 나는 것
 교류전기
교류의 발생 파일 참조
전기의발생 ( 단상 )
 설명
• 자기장이 존재하는 공간에서 코일을 회전시키면 전류가
발생하는데 , 코일은 회전하면서 자석의 N 극과 S 극의 자리를
서로 번갈아 지나므로 발생하는 기전력은 교류가 된다 .
• 이 때 , 코일의 위치가 수평일 때에는 자기장의 방향과 코일이
움직이는 방향이 나란한 위치에 있으므로 기전력은 발생하지
않는다 . 코일이 반시계 방향으로 회전하면 기전력은 점점
증가하고 90° 가 되면 기전력이 가장 크게된다 . 코일이 회전을
계속하여 180° 가 되면 기전력은 다시 0 이 된다 .
• 코일이 회전하여 270° 의 위치가 되었을 때 기전력은 최대가
되지만 코일의 위치가 N 극에서 S 극으로 바뀌었으므로 전류의
방향은 바뀌게 된다 . 코일이 360° 의 위치가 되면 기전력은
다시 0 이되고 이러한 사이클이 계속 반복되어 위와 같은
정현파 교류가 발생하게 된다 .
• 출처 : http://eduware.ismyweb.net
전기의발생 (3 상 )
 전압 , 전류 , 저항 측정법

전압 측정법
전류측정법
저항측정법
테스터 읽는법