GIỚI THIỆU VỀ KHÓA ĐIỆN TỬ

OVERALL INTRODUCTION TO
ELECTRONIC/SEMI SWITCHES
- Diodes
Các loại khóa điện tử
- BJT
- FET/MOSFET
- Power JFET
- Thyristors (4 layer pnpn)
- Shockley diodes
- SCR (Silicon controlled rectifiers)
- SCS (Silicon controlled switches)
- RCT (Reverse-conducting thyristors)
- SITH (Static induction thyristors)
- LASCR (Light activated SCR)
- GTO (Gate Turn-off thyristors)
- DIAC/TRIAC
- IGCT (Insulated gate-commutated thyristors)
- FET-CTH (FET-controlled thyristors)
- FCT (Field-controlled thyristors)
- MCT (MOS-controlled thyristors)
- ETO (Emitter turn-off thyristors)
- IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)
- PIC (High Voltage (Power) Integrated Circuits)
- UJT (Uni-Junction Transistors)
- PUT (Programmable Unijunction Transistors)
- Other devices: Leds, Photovoltaic, Photoconductive, Photodiodes,
Phototransistor/Optical Couplers
Các loại khóa điện tử
 Phân loại - Switches Classification
 Phân làm 3 loại theo yêu cầu đầu vào điều khiển:
• Lịa điều khiển bằng dòng – BJTs, MDs, GTOs
• Điều khiển bằng áp – MOSFETs, IGBTs, MCTs
• Điều khiển bằng xung – SCRs, TRIACs
 The insulated-gate bipolar transistor or
IGBT is a three-terminal power
semiconductor device, noted for high
efficiency and fast switching.

The Integrated Gate Commutated Thyristor (IGCT) is a new

high-power semiconductor device. An IGCT is a sub family of
the GTO thyristor and like the GTO thyristor is a fully-
controllable power switch.
Thyristors thyristoren
Device Applications
Điốt
 Điốt – Lớp tiếp giáp PN

Current flows from high

potential to low potential
P N

 Điốt tạo bởi lớp tiếp giáp bán dẫn PN như hình vẽ

Có 2 cực: Anốt (Anode - A) và Katốt (Cathode- K)

 Cực A gắn với vật liệu bán dẫn loại p.
 Cực K gắn với vật liệu bán dẫn loại n.
 Khi VA > VK thì điốt phân cực thuận (Forward Biased), dòng điện chạy từ
cực A->K
 Ngược lại khi VA < VK thì điốt phân cực ngược (Reverse Biased), không
có dòng chảy qua điốt.
Hình vẽ biểu diễn điốt
 Đặc tính của điốt (ID, VD)

ID

+ A +

VS VD
V Áp kế
_
K -

VD=VAK=VA-VK

A
-
+

Ampe kế
 Đặc tính phân cực thuận

VD(V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

ID(mA) 0.02 0.05 0.1 0.2 0.25 0.4 1.3 3.5 5.6 8.5

ID(mA) Khi VD<0.65V, một dòng điện rất nhỏ (A)

chạy qua lớp tiếp giáp (dòng khuếch tán)

10.0
Khi VD>0.65V, dòng điện trở nên lớn lên
đáng kể (mA)
8.0 Forward operating Khi vật liệu điốt là silicon thì điều kiện phân
region
6.0
cực thuận là VD > 0.7V.
 Khi vật liệu điốt là germanium thì điều kiện
4.0
Forward phân cực thuận là VD > 0.3V.
2.0 diffusion
region Knee VD(V)

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

 Đặc tính phân cực ngược

VD(V) -1 -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 -45

ID(A) -0.2 -0.5 -0.5 -0.5 -0.5 -0.5 -1.0 -- -- --

Breakdown
voltage, VBR Khi VD<VBR (điện áp đánh thủng), một
dòng điện ngược có giá trị rất nhỏ sẽ
VD(V) -30 -25 -20 -15 -10 -5 chạy qua điốt. VÙng này gọi là vùng dò
ngược.
Khi VD>VBR, xảy ra hiện tượng đánh
-1.0
Reverse leakage thủng thác lũ (avalanche breakdown).
region
-2.0 Một dòng điện ngược có giá trị lớn
Reverse breakdown (dòng thác lũ) sẽ chạy qua, có thể phá
region Knee -3.0 hủy điốt (ngoại trừ điốt Zener).

-4.0 VBR có giá trị khoảng vài chục đến vài

trăm V.
-5.0

ID(A)
 Đặc tính I-V của điốt
ID(mA)

10.0

8.0 Forward
operating region
6.0
Breakdown 4.0
voltage, VBR Forward
2.0 diffusion
-30 -25 -20 -15 -10 -5 region VD(V)

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

-1.0
Reverse leakage
region VF
-2.0
Reverse
breakdown Knee -3.0
region
-4.0

-5.0

ID(A)
 Đặc tính I-V đơn giản hóa của điốt
ID(mA)

10.0

8.0
Forward
6.0
Breakdown operating region
voltage, VBR 4.0 Forward
diffusion
2.0
region
VD(V) -30 -25 -20 -15 -10 -5 VD(V)

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

Reverse leakage
-1.0
region
VF
-2.0
Reverse
breakdown -3.0
region
-4.0
* Đặc tính đơn giản hóa này thường
được dùng trong tính toán thực tế.
-5.0

ID(A)
VD: Sử dụng phương pháp gần đúng tính V D & ID cho mạch dưới, (a)
Nếu dùng điốt Si, (b) Nếu dùng điốt Ge, (c) Nếu dùng điốt lý t ưởng

ID
V=20V VD
R=0.5kW

(a) Si diode  VD  0.7V

10VD 100.7 9.3
 ID     9.3mA  Ans
1k 1k 1k

(b) Ge diode  VD  0.3V

10VD 100.3 9.7
 ID     9.7mA  Ans
1k 1k 1k

(c) Ideal diode  VD  0V

10VD 100
 ID    10mA  Ans
1k 1k

16
VD: Tìm Vo và IR cho mạch dưới.

12  0.7  0.3
12  0.7  0.3  IR  5.6k IR   1.96mA
5.6k
Vo  IR  5.6k  1.96mA  5.6k  10.97V or Vo  12  0.7  0.3  11V

D is reverse - biased  I  0 mA Then Vo  I  5.6k  0  5.6k  0V

2 R R
12 VD1 + VD2  V  0 + VD2  0  VD2  12V  Ans
o
Vì không có dòng qua điốt nên điện áp r ơi trên D 1
là zero

17
 Các thông số kỹ thuật của Điốt

• Điện áp rơi khi phân cực thuận (Vf) :

0.3 V đối với Germanium và 0.7 V đối Silicon.

• Dòng rò: không mong muốn và yêu cầu có giá trị nhỏ

• Dòng định mức – xác định bởi kích thước, công suất, vật liệu, … của điốt

• Tần số: phụ thuộc vào cấu tạo và vật liệu của điốt.
 Thông số của một số họ điốt

1N4007
1N4004
1N4003

1N4006
1N4001

1N4005
1N4002
Ký hiệu units
Thông số

Điện áp ngược lặp lại đỉnh

Điện áp ngược đỉnh
VRRM
50 100 200 400 600 800 1000 Volt
Điện áp chặn DC VRWM
VR

Điện áp ngược đỉnh không lặp

VRMS 60 120 240 480 720 1000 1200
lại Volt

Điện áp ngược hiệu dụng VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 Volt

Dòng điện trung bình thuận

được chỉnh lưu IO 1.0 Amp
(1 pha, tải thuần trở, 60 Hz, TA
= 25oC)
Dòng đột biến đỉnh
IFSM 30 (for 1 cycle) Amp

Dải nhiệt độ cất trữ và làm việc

TJ, Tstg 65 to 175 o
C
 Thông số kỹ thuật của một số điốt dùng trong các ứng dụng
Số hiệu linh kiện Điốt V RRM(V) IO(Amp) V F(V)

1N914 Điốt thường dùng mục đích chung 75 75mA 1

1N4148 Điốt thường dùng mục đích chung 75 75mA 1
1N5818 Điốt schottky 40 1 0.6
MBRD330L Điốt schottky 30 3 0.39
(Low VF )
1N6096 Điốt schottky dòng lớn 30 25 0.48

1N4001 Điốt chỉnh lưu silicon 50 1 0.7

1N4004 Điốt chỉnh lưu silicon 400 1 0.7
1N5401 Điốt chỉnh lưu silicon 50 3 0.7
1N5406 Điốt chỉnh lưu silicon 600 3 0.7

 Công suất tiêu thụ lớn nhất (PDmax) : PD = VF x IF

 Dòng điện thuận liên tục lớn nhất (I Fmax)
 Điện áp thuận (VF)
 Điện áp ngược lớn nhất (VRRM)
Ký hiệu các loại điốt
 Ký hiệu các loại điốt

Circuit symbol picture

pn junction diode
(general purpose diode)

Zener diode

Light Emitting Diode

(LED)

Schottky diode

Photo diode

26
 PN junction diode symbol & packaging
Symbol:

Packages:

 The current rating of a diode is directly proportional to its size.

 The metal casing is used as heat sink in high rating diodes.
 Each semiconductor device has a manufacturers specification sheet (or data sheet).
 The data sheet provides the user with information regarding the behaviour of the device under
different operating conditions.
 Mạch điốt và ứng dụng
VD 1 Tính dòng điện chạy trong mạch dưới.

Silicon Đáp án:

360W Diode B1: Vì VA>VK, điốt phân cực thuận =>
IS
A K VD=0.7V

B2: Áp dụng luật Kirchoff (KVL);

VR360 VD
VS = VR360 + VD + VR640
+ VR640
640W
20V
VS
B3: Luật Ohm
VR360=ISR360
VR640 =ISR640
B5: Xác định dòng Is
B4: VS = ISR360 + ISR640 + 0.7
VS  VD 20  0.7
I S   20 = IS360 + IS640 + 0.7
R360  R640 360  640
 I S  0.0193 A  19.3mA
 Bài tập
Tính dòng IS và áp VD, VR360, VR640 trong mạch dưới.

Đáp án:
Silicon
Diode Step 1: Vì VK>VA, điốt phân cực ngược => IS=0 A
360W
IS
K A

Step 2: Theo luật Ohm VR360=ISR360=0  360 =0 V

VR360 VD
+
VR640
VR640=ISR640=0  640 =0 V
640W
20V
VS

B3: VK=20V, so VA=0 V.

VD = VK- VA= 20 - 0 =20 V
 VD 2 Đáp án:

Xác định dòng Is.

Step 1:
VF = 0.7 V D1: Vì I1 chạy từ A-> K, D1 phân cực thuận,
VD1=0.7V (VS>0.7V)
2kW
IS
D2: Vì I2 chạy từ K->A, D2 phân cực ngươc j, I2=0.
VD2=VD1=0.7V
I2 I1

Silicon Silicon
VS 15V Diode Diode
D1 IS 2kW
D2

I1

VS 15V D2
D1

So I1=IS
 VD2 (TT)

IS 2kW
Step 2: Áp dụng luật KVL
I1 15 V = VR2K + VD1
VR2K VD2 VR2K=15-0.7=14.3V

VD1
VS 15V
D1

Step 3: Vì VR2K=ISR2K

IS=VR2K/R2KΩ =14.3/2KΩ
=0.00715A =7.15mA
 Bài tập
Đáp án:
Tính các thông số dòng và áp mạch Step 1:
dưới. D1: I1 flows from its anode to cathode, D1 is forward
biased,VD1=0.3V
D2: I2 flows from its cathode to anode, D2 is reverse
biased, I2=0. Because D2 is parallel with D1, therefore:
VD2=VD1=0.3V

Because I2=0, D2 can be removed:

Germanium IS 2kW
IS 2kW Diode
I1
VR2K

VD1
I2 I1
VS 10V D2
D1
Silicon
VS 10V Diode
D2 D1 So I1=IS
Step 2: Apply KVL and Ohm’s Law,
IS=(VS-VR2K)/R2K=(10-0.3)/2KΩ
=9.7/2KΩ=0.00485A =4.85mA
 Example 1  Điện áp phân cực ngược VD=0.7V

Tính chọn điốt phù hợp cho
mạch dưới. (Hints: check for
VRMM, IF(max) & PD(max))
30 W
 Để tránh hỏng do điện áp ngược 90V, điốt cần có
điện áp đánh thủng ngược lớn nhất (maximum
reverse breakdown voltage VRRM ) >= 90V.
 Bảng thông số kỹ thuật trước
cho thấy chỉ điốt 1N4004 & 1N5406 có VRRM 
90V.
 Cũng cần lưu ý đến dòng điện thuận trung bình
(average forward current) IO

+
Silicon
90 V Diode VD
VD 2 Xác định loại điốt thích hợp dùng trong mạch sau.

 Apply KVL and Ohm’s Law:

ID 30 W
90=ID30+0.7

The diode operating current is

ID = (90V - 0.7V)/30Ω = 2.98 A.
+
Silicon
Diode
 Refer to diode data sheet,
90 V
Diode 1N4004 can take in 1A of current; hence
it is not suitable.

 Diode 1N5406 can take up to 3A of forward

current; it can be used and chosen for this
application.

 Another important rating is the maximum

forward dissipated power of diode: PDmax

PDmax >PD = ID x VF
=2.98  0.7 = 2.086 W
 Mạch ứng dụng điốt
Dùng trong chỉnh lưu cầu

D1  Chiều dòng điện ra tải là không đổi từ cực + sang -.

 D2, D3 phân cực thuận với áp rơi 0.7V.
D2 +
_  D1, D4 phân cực ngược, không có dòng chạy qua nên
20 V
RL có thể loại ra khỏi mạch phân tích.
D3 VL
 Điện áp tải:
+
_ EMF = Sum of Potential Differences
D4 20 V = VD2 + VD3 + VL
20 V =0.7 V + 0.7 V + VL
VL = 20 - 0.7 - 0.7
=18.6 V
 Mạch ứng dụng điốt
 Nếu đảo chiều điện áp cấp, D1 & D4 sẽ phân cực
thuận với điện áp rơi 0.7V. D2 & D3 phân cực ngược

D1  D2, D3 có thể được ngắt ra khỏi mạch.

 Điện áp tải theo KVL
EMF = Sum of Potential Differences
D2 + 20 V = VD1 + VD4 + VL
+
RL 20 V =0.7 V + 0.7 V + VL
20 V
D3 VL VL = 20-0.7-0.7 = 18.6 V
_
_
D4

Như vậy khi đảo chiều điện áp đầu vào thì:

•Chiều áp và dòng ra tải là không thay đổi.
 Điốt Schottky
 Do cấu tạo của điốt Schottky, điện áp thuận VF
Điốt tốc độ cao. khoảng 0.1- 0.2 V.
 Điện dung lớp tiếp giáp của Schottky nhỏ hơn
của lớp tiếp giáp pn.
Ký hiệu:  Thường dùng trong các mạch cao tần, các ứng
dụng chuyển mạch nhanh.

Gold Leaf Metal

Contact (Anode)

Metal - Aluminium

Insulating Layer
-Silicon Oxide

Heavily doped n-
type semiconductor
K - Cathode material
 Đặc tính I-V của Schottky điốt

Schottky Diode  Điện áp thuận của Schottky

I-V Characteristic diode nhỏ hơn.
 Dòng bão hòa ngược > của lớp
ID
tiếp giáp pn thông thường.
 Điện áp đánh thủng của
PN junction
Schottky diode < của điốt tiếp
Diode I-V
Characteristic giáp pn.
-Vd
VD
0.1 V

Larger Reverse
Saturation Current
-ID
 Điốt phát sáng (LED)

Ký hiệu: Hình ảnh:

Có khả năng phát sáng khi phân cực thuận

Đặc tính (I-V) tương tự với điốt pn, nhưng có VF từ 1 V đến 3 V.

Điện áp đánh thủng từ  3 V đến  10 V.

 Điốt phát sáng (LED)
Khi sử dụng thực tế, LED cần có thêm điện trở hạn chế dòng RS mắc nối
tiếp như hình vẽ dưới. Giá trị của điện trở này như công thức:
Voutpeak  VF
RS 
I Fmax
VD

Cho điện áp đỉnh đầu ra 18 V, dòng thuận lớn nhất

của LED là 30 mA, áp phân cực thuận 2.0 V. Xác định
RS
RS.
Vout(peak) IF
Driving Đáp án:
VF
Circuit
RS = (18 V - 2.0 V) / 30 mA
= 533 

Chọn 560.
 (a) Power indicator

(b) Signal indicator

VD 2: LED 7 thanh (chung A)

+5V

+5V
 Bài tập ứng dụng điốt 1
Trong hình vẽ dưới, các điốt có điện áp phân cực thuận 0.7V.
a) Xác định điện áp tại A, B và C khi khóa ở vị trí 1, 2 and 3.
b) Điều gì xảy ra đối với các đầu ra tại các vị trí khóa 1,2 và 3 nếu D1 luôn mở/hỏng (What would
happen to the outputs at switch positions 1, 2, and 3 if diode D1 were to open (faulty) permanently?)

Đầu vào Đầu ra

+ 5V
Vị trí khóa A B C
R1 R2 R3
510  510  510  1
A +5V 0.7V 0.7V
B
2
C 0.7V +5V 0.7V
D5
D3 D4
D1 D2
3
0.7V +5V +5V
2 3
1
 Bài tập ứng dụng điốt 2
Mạch bên dùng để báo ‘Chạy-Dừng” với + 4.5 V
R1 = 210
LEDs có các thông số sau Max. forward
current (IF) = 38mA, Max. forward voltage
(VF)= 2.5 V, Max reverse voltage (VR) = 20 V D1 (VF = 0.7 V)
(a) Đèn LED nào sẽ sáng khi áp vào là - 4.5 V (VR = 30 V)
4.5V và khi- 4.5V?
(b) Trong 2 đèn LEDs thì đèn nào sẽ Green
LED
sáng hơn, tại sao?
(c ) Tính toán dòng chạy qua 2 đèn
Red
LEDs LED
R2 = 210

1. Khi áp vào +4.5V, đèn LED xanh sáng:

+4.5=VD1+VLED+VR2
+4.5=0.7+2.5+ILEDR2
ILED=(4.5-0.7 -2.5)/210=6.19mA
 Bài tập ứng dụng điốt 2(TT)

R1 = 210
+ 4.5 V
2. Khi áp vào -4.5V, đèn LED đỏ sáng:

D1 (VF = 0.7 V)
(VR = 30 V) 4.5=VLED+VR1+VR2
- 4.5 V 4.5=2.5+ILED(R1+R2)
+ Green
ILED=(4.5 -2.5)/(210+210)=4.76mA
LED

Red
LED
R2 = 210
 Điốt Zener
(Zener Diodes)
 Điốt Zener
The arrow is associated with the p-type material
Ký hiệu: and the “crooked” bar indicates the n-type
material.

 Zener diode là một loại thiết bị pn. Không như các loại điốt tiếp giáp pn thường, điốt Zener không
bị phá hủy khi làm việc trong vùng đánh thủng ngược.

 Zener diodes được thiết kế để làm việc ở vùng đánh thủng ngược.

 Zener diode dẫn dòng theo cả chiều thuận (ít dùng)và nghịch (chức năng chính). Ở chế độ nghịch,
nó duy trì điện áp gần như không đổi.
 Đặc tính I-V của điốt Zener
ID(mA)

5.0

4.0 Forward
operating region
3.0
Điện áp ổn áp Zener 2.0
Forward
Zener voltage, VZ
1.0 diffusion
VR(V) region VD(V)

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

IZK
Reverse leakage VF=0.7V
region
Reverse  Đặc tính thuận giống điốt thông thường.
breakdown IZT
region  Điện áp thuận VF cho điốt Zener loại Si
khoảng 0.7 V.
IZM

IR(A)
 Zener diode I-V characteristics (cont’d)
 Khi VR<VZ, Zener diode ở vùng dò ngược, dòng điện dò ngược là rất nhỏ có thể bỏ qua.
 Điện áp, VZ, được gọi là điện áp ổn áp Zener.
 Khi VR>VZ, Zener diode ở vùng đánh thủng ngược và dẫn điện. Dòng điện ngược có giá trị từ IZK
đến IZM, điệna áp VZ gần như không thay đổi.

zener voltage, VZ
VR(V) Dòng nhỏ nhất để duy trì điện áp VZ gọi là
dòng điện “knee current” IZK.
IZK Dòng điện lớn nhất mà điốt Zener có thể
Reverse leakage
region chịu được gọi là IZM.
Reverse
breakdown IZT IZT là dòng thử kiểm tra của Zener diode.
region

IZM

IR
 Các thông số của Zener Diode
(Specifications)

• Các thông số cơ bản:

– Điện áp ổn áp Zener (VZ) – thường 3.3 V -> 75 V
– Sai số của VZ – từ 5 -> 10%
– Dòng điện kiểm tra (IZ) – tương ứng với Vz
– Công suất – ¼, ½, 1, 5, 10, 50 W
 Phân tích mạch có dùng Zener điốt
VD 1 Cho mạch hình dưới, các điốt đều là loại Si. Hãy tính điện áp rơi trên 2 điốt
và dòng chạy qua chúng.

Step 1: Xác định điều kiện phân cực thuận của các điốt.
360 W • Điốt loại pn phân cực thuận, VD =0.7V
• Zener diode phân cực thuận thì Vzener =0.7V
+ VR +

5V VD
IS -
Step 2: Dùng luật KVL
5 V = IS x R360 + VD + Vzener
- +
5 V = IS x 360 Ω + 0.7 V + 0.7 V
Vzener IS = (5 V - 0.7 V - 0.7 V) / 360 Ω
= 0.01A = 10 mA
 Các điốt mắc song song
 Nếu có từ 2 điốt mắc // thì điện áp của nhánh song song là điện áp nhỏ nhất của nhánh
(tức là đường đi dễ nhất để dòng chạy qua).
 Dòng chảy qua nhánh có điện áp nhỏ nhất đó.

Ví dụ:
(a) Xét mạch có 3 điốt mắc //
Nếu điện áp ổn áp cho các điốt Zener Z1, Z2 và Z3 là 5.1V, 4.7V
&3.1V, dòng sẽ chỉ chạy qua Z3, các điốt Z1 & Z2 sẽ bị ngắt ra khỏi
mạch khi tính toán phân tích:

IZ1 + IZ2 + IZ3 + IZ1 + IZ2 + IZ3 +

Z1 Z2 Z3 Z1 Z2 Z3

- - - - - -

IZ1=IZ2=0 A, Điện áp rơi trên Z1, Z2, Z3 đều là 3.1V

 Các điốt mắc song song (cont’d)
(b) Khi có một điốt Zener và 1 điốt pn mắc // ngược chiều nhau như hình vẽ, điốt pn phân
cực thuận còn điốt Zener phân cực ngược với điện áp là 5.1V.

• Điốt tiếp giáp PN phân cực thuận với áp rơi 0.7V.

• Zener diode phân cực ngược, nhưng không rơi vào vùng đánh thủng ổn áp (có áp Zener ngược là V Z
= 5.1V.)
• Dòng sẽ chỉ chạy qua D1, điốt Z1 có thể ngắt ra khỏi mạch tính toán.

+
I2 + I1 + I2 + I1
D1 D1

Z1 Z1
5.1V 5.1V
-
- - -
I2=0 A
Áp rơi trên D1 & Z1 đều là 0.7 V
 Các điốt mắc song song (cont’d)
(c) Xét mạch có các điốt mắc // cùng chiều phân cực thuận như hình vẽ.

Do điốt D2 loại Si nên áp thuận là 0.7 V còn điốt D1 là loại Ge nên áp thuận là 0.3 V, dòng
sẽ chỉ chạy qua nhánh có điện áp thấp hơn, tức là chỉ chạy qua điốt D1. D2 có thể được
ngắt ra khỏi mạch.

+ + I2 + I1 +
I2 I1
Germanium Germanium
Silicon diode Silicon diode
diode D2 diode D2 D1
D1

- - - -

I2=0 A
Áp rơi trên D1 and D2 đều là 0.3V
 Các điốt mắc song song (cont’d)
(d) Xét mạch có 2 điốt mắc ngược nhau như hình vẽ.

D1 phân cực ngược, I1=0.

D2 phân cực thuận với áp 0.7V. Dòng chỉ chạy qua D2.

I2 + + I2 + I1 +
I1

D1
D2 D1 D2

- - - -

I1=0 A
Áp rơi trên D1 and D2 đều là 0.7V
VD: Xét mạch có 3 điốt Zener mắc // như hình vẽ với VZ1= 5.1 V, VZ2= 10 V & VZ3= 15 V. Hãy
xác định áp rơi trên điện trở 5 kΩ (VR ) và dòng IS .

5 kW
IS

IZ1 + IZ2 + IZ3 +

1. Vì VZ1<VZ2<VZ3, dòng sẽ chỉ chạy qua Z1, các
VR điốt Z2 & Z3 có thể ngắt ra khỏi mạch.
2. Từ đặc tính I-V của điốt Zener, ta thấy khi Z1
20 V
Z2 Z3 đánh thủng tại VZ1, Z2 & Z3 hoạt động ở vùng
Z1 dò ngược, do đó IZ2=0, IZ3=0.
- - - 3. Điện áp rơi trên Z1 là VZ1=5.1V
4. Tính VR
ID (mA)
VZ3
Áp dụng KVL: 20=VR+VZ1
VZ2 VZ1 0 VD (V)
VR (V) VR=20-VZ1=20-5.1=14.9V
B
5. Tính IS

Reverse IZ1 IS=VR/5KΩ=14.9/5KΩ=2.98mA

A
Breakdown
Region

IR (mA)
 Bài tập
Cho mạch dưới. Các điốt Zener có áp ổn
áp là 3.1V and 5.1V. Hãy xác định IS, I1, I2, I3
và áp rơi trên mỗi điốt.
1. D1 is a pn junction diode and reverse biased,
I3=0, open circuit. D1 can be removed.
2. Both Zener diode Z1 and Z2 are reverse biased.
Because VZ1<VZ2, current will flow through Z1
only, I2=0, then Z2 can be removed.
3. Voltage across Z1, Z2 and D1 are same: VZ1=
VZ2=VD1 =3.1V
4. Calculate voltage across 5 kΩ resistor VR

5 kW
Apply KVL: 20 =VR+VZ1
IS
VR= 20-VZ1= 20-3.1= 16.9V
I1 + I2 + I3 +
5. Calculate IS
VR
IS=VR/5KΩ=16.9/5KΩ=3.38mA
20 V
Z2 D1 6. I1=IS=3.38mA
Z1

- - -
 Các mạch ứng dụng dùng điốt Zener
(Bộ điều chỉnh điện áp ra tải)

• Can serve as a “Voltage Regulator” when placed in

parallel across a load to be regulated.
 Ứng dụng dùng điốt Zener
Ứng dụng phổ biến nhất của zener diode là điều chỉnh điện áp (ổn áp) vì
điện áp Zener (VZ) được duy trì ở giá trị gần như không đổi trong một dải
dòng ngược rộng.

Để Zener diode hoạt động ở vùng đánh thủng Zener, dòng ngược I Z >
dòng IZK (knee current ), nhưng < IZM, sao cho công suất của nó < PZ(MAX)
của điốt Zener.

IZK  IZ  IZM
PZ(MAX) ≥ (VZ x IZ)
 Mạch ứng dụng điốt Zener (cont’d)
VD 1: Cho mạch dưới, điốt Zener 1N961B có : IZK = 0.25 mA, IZM = 38 mA,
IZT = 20 mA, VZ = 10 V, PMAX = 400 mW
Tính chọn RS, nếu áp vào Vin = 15 V và RL = 500 Ω .

RS Mạch gồm 3 phần tử: nguồn, mạch điều

IS chỉnh áp dùng Zener và tải load.

IZ IL
VRS +
 Zener diode phân cực ngược,
VZ=10V
Vin VZ RL VRL
RS dùng để bảo vệ điốt Zener khỏi
- quá công suất cho phép nếu tình cờ gỡ
bỏ tải, tức là khi IL=0. Theo KCL, IS=IZ+IL,
=> IS=IZ.
Power Source Voltage Regulator Load
Khi IL=0, dòng qua Zener diode là
 Tính RS dùng luật KVL và Ohm’ : Vin=VRS+VZ=ISRS+VZ, maximum, IZ=IS=IZM=38mA
15=38mARS+10 RS=(15-10)/38mA=131.58 Ω

Chọn RS 131.58 Ω 150Ω or 180 Ω

 Solution:
Bài tập 1. Find source current IS by KVL and Ohm’s Law:
20=VRS+VZ
VRS=20-VZ=20-10=10V
Cho mạch dươi với điốt Zener có các thông số:
Calculate IS:
IZK = 0.25 mA, IZM = 38 mA, VZ = 10 V,
IS=VRS/RS=10/500Ω=20mA
PMAX = 400 mW. Vin=20V, RS=500 Ω
Tìm điện trở tải nhỏ nhất có thể dùng trong mạch và 2. In order to use Zener diode as a voltage regulator, the
công suất tiêu thụ của điốt Zener khi đó. reverse current through Zener diode must be within the
range IZK~IZM.
3. According to KCL
IS=IZ+IL, the source current is constant.
4. When the minimum load resistance applied, it will draw
RS more current from IS, IZ will be reduced.
IS
5. To maintain Zener voltage, the required minimum
IZ IL current through Zener diode is IZK, therefore
VRS +
IL=IS-IZK =20-0.25=19.75mA
Vin VRL
VZ RL 6. Because RL is in parallel with zener diode,
VRL=VZ=10V
-
RL(min)=VRL/IL=10/19.75mA=506.3Ω
7. PZ=VZIZK=10 0.25mA=2.5mW
 Tóm tắt
1. The knee voltage for a forward biased silicon diode (VF) is 0.7V and is 0.3V for a
germanium diode.
2. Germanium diodes are more sensitive to temperature variation than silicon
diodes. Therefore germanium diodes are less popular then silicon
3. A silicon diode will conduct current when the forward biased potential reaches
0.7V.
4. A Zener diode is operated in reverse breakdown region of the diode
characteristic curve. It is used as a voltage regulator.
5. The Zener diode maintains a fairly constant voltage across its output provided
that the current flowing through it is between IZK and IZM .
6. When a Zener diode is forward biased, it has the same forward operating
characteristics as a normal pn junction diode.
 Tóm tắt (cont’d)
7. Diode Circuit Analysis:
 Find the voltage polarity across the diode, and use it to find the region of operation
(FB or RB) of the diode.
 Refer to the ideal diode I-V Characteristic,
Forward Biased (FB): VA>VK
If VAK  VF (Forward Diffusion Region),
 VD = VAK and ID = 0 A
If VAK  VF (Forward Operating Region),
 VD = VF (0.7V for Si and 0.3V for Ge)
Reverse Biased (RB): VK>VA
If VKA  VBR (Reverse Leakage Region),
 VD = VKA and ID = 0 A
If VKA  VBR (Reverse Breakdown Region), 
other diodes can be damaged
but for Zener diode VD = VZ

 Apply KVL to determine the voltage across the resistor (V R) that connected in series
with the diode.
 Apply Ohm’s Law on the resistor (linear device) to calculate the current flows
through the resistor ( IR = VR / R).
 Tóm tắt (cont’d)

8. The barrier potential of the Schottky diode is about 0.1 to

0.2V
9. Schottky diode used metal material in place of the p-type
material.
10. Schottky diode is used in high frequency and fast switching
applications

----The end of chapter 2----

Các mạch ứng dụng khác
của Điốt
1. Diode in dc circuits
2. Diode in ac circuits
3. Half-wave and Full-wave rectifiers
4. Wave-shaping Circuits Design
1. Diode clipping and clamping circuits
2. Wave shaping circuits design
3. Frequency effect on the clampers
5. Zener Regulator circuits
 Điốt trong các mạch 1 chiều DC

p n
anode cathode

Diode is an active device that will conduct (let the current pass
through) whenever it’s anode “p” is more positive than it’s
cathode “n”, called forward bias.
And when it conducts, VD = 0.7V diode drop appears with anode
more positive than cathode.
+ 0.7 -
+12 -8
20  80  20  Si + 0.7 -
+12 0
I  0.7 
I + 0.7 -
+12 +6
10 V ( pp) 10 V ( pp) + 0.7 -
0 -12
Điện trở dẫn dòng Điốt chỉ dẫn 1 chiều đối + 0.7 -
-8 -12
theo cả 2 chiều đối với nguồn cấp AC
với nguồn AC 67
Unlike the resistor, it will not conduct (no current through the diode)
if anode is zero or more negative than it’s cathode, called reverse
bias.
Because it doesn't conduct it becomes an open circuit making I D = 0,
therefore 0V drop at 20 so that diode drop is 10V (now anode is
more negative than cathode)

- 20 +
-8 +12
- 12 +
20  80 20   10V  0 +12
-6+
+6 +12
I  0
I - 12 +
10 V 10 V 0
-12
-4+
Dòng điện đảo Khi đảo chiều -12 -8
chiều khi đảo nguồn cấp thì
chiều nguồn cấp không có dòng
(-10V) chạy qua điốt 68
(CL)
VD:
Hãy xác định VO1 và VO2 cho mạch hình 1(a) và dòng I trong hình 1(b).

4.7 k  20 V
12 V
Si Si
VO1 Ge VO2 10  I
20 
FIG.1 (a) FIG.1 (b)

1.( a) VO1  12  0.7  11.3V

VO2  0.3V

20  0.7
1.(b) I  0.965A
20

69
VD:
Xđ V1 & V2 và điện thế Vo

4.7 k  Si Vo
10V 
 V1 
2.2 k V2


 5V

KVL  10  ( 5)  I( 4.7k)  0.7  I(2.2k)

14.3
15  0.7  I(6.9k)  I   2.07mA
6.9k
V1  I  4.7k  2.07mA  4.7k  9.73V
V2  I  2.2k  2.07mA  2.2k  4.55V
Vo  ( 5)  V2  4.55  Vo  4.55  5  0.45V

70
VD:
Giả sử điốt là lý tưởng(điện áp rơi =0V) , xác định V o
(1) Khi áp vào +100V và (2) khi áp vào -100V

(1) Khi áp vào +100V, Vo=+50V

Ideal Diodes= 0V forward drop

D1 D2 D2
+ + D1 +
2.2k Vo=+50V
ideal 2.2k
100V diodes
vo vo 100V
100V - 50V +
- 2.2k R3 -
2.2k 2.2k - 2.2k 2.2k
R3 2.2k 2.2k
R2 R2
R1 R1

(2) Khi áp vào -100V , Vo=+50V

Ideal Diodes= 0V forward drop

D1 D2 - D1 D2 -
- 2.2k Vo=+50V
ideal 100V
2.2k 100V
100V diodes
vo vo - 50V +

+ R3 +
+ 2.2k
2.2k 2.2k R3 2.2k 2.2k 2.2k 2.2k
R2 R2
R1 R1

71
 Điốt trong các mạch xoay chiều AC

• Because the voltage input is ac (alternate current) voltage, the diode will conduct
whenever it’s anode is more positive than cathode

• and will open whenever it’s anode is more negative than cathode.

• Usually irrespective of the input voltage, 0.7V forward drop model will be used
when it conducts.

72
 Ứng dụng điốt trong mạch AC
 Thường dùng trong mạch tạo nguồn 1 chiều từ nguồn XC (dc power supply).
 Nguồn DC 1 chiều là gì?
Hệ thống biến đổi AC->DC.

 Các thành phần trong hệ thống tạo nguồn DC 1 chiều?

transformer (BA), rectifier (CL), filter (Lọc), voltage regulator (ĐC điện áp)

A B C D E
Rectifier Filter Voltage
Transformer
regulator

vA
vC
Point A: Point C:
t t

vD
vB Point D:
t
Point B:
t vE
Point E:
 Chỉnh lưu (Rectifier)
CL là gì: mạch biến đổi AC thành tín hiệu DC có đập mạch (pulsating dc).
Các loại CL:
1) Nửa sóng (half-wave), và
2) Toàn sóng (full-wave bridge rectifier)

CL nửa sóng

CL nửa sóng dương CL nửa sóng âm

vd vd
+ – – +
+ +

vin R vo vin R vo

- –

Trong nửa chu kỳ dương Vin, diode Trong nửa chu kỳ âm của Vin, diode
dẫn. dẫn.
 CL nửa sóng và toán sóng
CL nửa sóng
Trong nửa chu kỳ dương của sóng AC, D1 dẫn và tạo ra VR
D1
Vs n:1=Vs:V VR
+ + R
+ 0.7 - +
Vs V
I VR
0 t - - 0 t
-
V  0.7
I VR  I  R
R

Trong nửa chu kỳ âm D1 mở và VR=0

D1 VR
Vs n:1=Vs:V

- - R
- V+
Vs V 0V0 t
0 t I
+ +

I0 VR  I  R  0

For full cycle of the ac wave, D1 will produce half-wave output voltage VR across “R”
which is now dc voltage
75
 vd
Phân tích CL nửa sóng dương
+
 Input signal Vin is an ac signal, no dc –+
component.
vin R vo
 Output signal is a positive pulsating dc
signal, contains dc component. +– -
No dc
vin component or
 During positive cycle, Vin>0, diode is
average value=0
forward biased and can conduct current.
This current flows through the load R and
generates output voltage Vo=Vin–Vd t
0
There is dc
 During negative cycle, Vin<0, diode is vo (average)
reverse biased, no current flow. component which
Therefore Vo=0R=0V can be found by
0 t formula
 According to KVL: Vin=Vd+Vo, voltage drop
across diode: Vd=Vin-Vo vd

0 t
 Phân tích CL nửa sóng dương (cont’d)
vd Vin(P) giá trị đỉnh của áp vào
+ -
+ Vo(P) giá trị đỉnh của áp ra
–  Tính V(DC): V(DC) phụ thuộc Vo(P)
vin R vo Nếu điót là LT, Vd=VF=0V, thì
+ Vo(P)=Vin(P)
-
vin V(DC) =V(AVE) = 0.318 Vo(P) = 0.318Vin(P)
Vin(P)
Nếu điốt là không LT, Vd=VF=0.7V
Do đó, Vo(P) =Vin(P) –0.7
0 t V =V(AVE) =0.318 Vo(P)
(DC)

= 0.318(Vin(P) –0.7)
vo
V(DC)
Vo(P)
 Trong nửa chu kỳ âm, diode phân cực ngược.
Điện áp ngược đỉnh lớn nhất cho phép của điốt
0 t
vd (peak inverse voltage - PIV) là:.

t
0 PIV= Vin(P) (PIV dương)
 Phân tích CL nửa sóng âm +
+ vd
 Input signal is ac signal, no d.c.
component vin R vo
 Output signal is negative pulsating dc + -
signal, contains dc component.

 During positive cycle, Vin>0, diode is No dc component

reverse biased, no current flow. vin or average
Therefore Vo=0R=0V value=0

 During negative cycle, Vin<0, diode is t

0
forward biased and can conduct
current. This current flows through the vo There is dc
load R and generates output voltage (average)
Vo=–(Vin–Vd) component which
0
can be found by
 According to KVL: Vin=Vd+Vo, voltage t
formula
across diode: Vd=Vin–Vo vd

0 t
 Phân tích CL nửa sóng âm (cont’d)
vd
- + Vin(P) is the peak value of input signal
+
+ Vo(P) is the peak value of output signal
vin R  Calculation of V(DC): V(DC) is related to Vo(P)
vo
If diode is ideal, Vd= VF =0V
– -
vin Vo(P) = –Vin(P)
Vin(P) V(DC) = V(AVE)= 0.318Vo(P) = – 0.318Vin(P)

If diode is simplified silicon model ,

t
Vd=VF=0.7V
vo Then, Vo(P) = –(Vin(P) –0.7)
V(DC)
V(DC) =V(AVE) = 0.318Vo(P)
= – 0.318(Vin(P) –0.7)
t  During positive cycle, diode is reverse biased.
Vo(P) The maximum amount of reverse voltage that a
vd
diode will be exposed to is called peak inverse
voltage (PIV) .
0
t
PIV= Vin(P) (PIV is positive value)
 Đáp án:
Bài tập
Cho mạch hình dưới: vin
(a) Vẽ dạng sóng điện áp ra và xác đinh áp DC Vin(P)
đầu ra nếu điốt là LT, VF = 0V.
(b) Giải câu a) nếu điốt không LT. 0 t
(c) Tính V(AVE) trong cấu (a) &(b) cho Vin(P) = 20
V và so sánh 2 kết quả. vo

0 t
Vo(P)

V(DC)

(a) diode là LT, Vd=VF=0V

vd
- + Vo(P) = –Vin(P) =–20V
+
V(DC)=V(AVE)= 0.318Vo(P)= 0.318(–20) =–6.36V
vin R=2KΩ vo (b) diode là không LT,
- Vd =VF =0.7V
Vo(P) = –(Vin(P) –0.7)=–(20 – 0.7)V= –19.3V

V(DC) = V(AVE) = 0.318 Vo(P) = 0.318(–19.3)

= –6.1374V
 CL toàn sóng
 One of the very common full-wave rectifiers is the bridge rectifier
 Bridge rectifier consists of four diodes
 The output average voltage level obtained from a sinusoidal input can be
double by a full-wave rectifier.

D1 D4 D1
D3
+ RL
vin vin
RL v0
 +
_ vo
D4 D2
D2 D3
 CL toàn sóng

n:1+1=Vs:V+V + 0.7V - n:1+1=Vs:V+V - (IxR+V)+

VS + VS -
+ VR - VR
V D1 V D1
- + + +
0 t VS + 0 t VS -
- V D2 R 0 t + V D2 R 0 t
- I +
- (IxR+V)+ - + 0.7V - I -

V  0.7 VR  I  R V  0. 7 VR  I  R
I I
R R

Nửa chu kỳ dương của nguồn AC, D1 dẫn Trong nửa CK âm, D2 dẫn và tạo ra VR còn
tạo ra VR còn D2 sẽ mở và có điện áp D1 mở và có điện áp ngược (Peak Inverse
ngược (Peak Inverse Voltage PIV) VD2= Voltage PIV): VD1= V+VR= V+IxR
V+VR= V+IxR

n:1+1=Vs:V+V
VR
D1
Do vậy D1 and D2 sẽ thay nhau dẫn và tạo
V
VS +
0 t
V D2 R VR 0 t ra VR dạng áp DC toàn sóng.
-

82
 CL cầu (Bridge rectifier)

n:1=Vs:V n:1=Vs:V
D2 + + D1
VR D2
D1
VR

-V
+ 0. - -

-
+ -V 7V I I

+
7V
VS V + - VS V

0.
0. +
+

-
t

+
0 t 7V 0

7V
0 t +
- +

0.
- - + R VR R VR

-V
D3 D3 D4
- VD4

+
+
- - 0 t

V  1. 4 VR  I  R V  1. 4 VR  I  R
I I
R R

At positive cycle of the ac wave D1 & D3 At negative cycle of the ac wave D2 & D4
will conduct and produce VR and D2 & D4 will conduct and produce VR and D1 & D3
will open and has a reverse voltage (Peak will open and has a reverse voltage (Peak
Inverse Voltage PIV) of VD2= VD4 =V Inverse Voltage PIV) of VD1= VD3 =V

+ + D2
D1
I At full cycle of the ac wave D1 and D2
0 t VS V
- D3 t will alternatively produce VR which is
-
D4 R 0
now dc voltage but full-wave.

83
 CL cầu (Bridge rectifier) vin
Vin(P)
D4 D1
–
+ 0 t
RL

– vo + vo Equal Area
–+ Vo(P)
Vave
D2
D3
0 t
 During positive cycle, D1, D2 are on
(conducting); D3, D4 are off (not V(AVE) (Full-wave) = 2 [V(AVE)(Half-wave)]
conducting) = 2 [Vo(P) /  ]
 During negative cycle, D3, D4 are = 2 [ 0.318 Vo(P) ]
on (conducting); D1, D2 are off (not = 0.636 V
conducting) When diodes are ideal: o(P)
*Whatever the input signal is in VF=0V, Vo(P) =Vin(P)
positive or negative cycle, current flow
through the load is always from right V(DC) =V(AVE) =0.636 Vin(P)
to left which is the same as assumed When diodes are simplified model:
Vo direction, therefore the load VF=0.7V, Vo(pk) =Vin(pk) –1.4;
voltage is kept positive.
Vdc=Vave=0.636(Vin(pk) –1.4)
 CL cầu (Bridge rectifier) (cont’d)
• PIV of Bridge rectifier The maximum amount of reverse voltage that
a diode will be exposed to is called peak
0. inverse voltage (PIV)
7V
D4 D1
+
RL During positive cycle, D3, D4 are reverse
biased, PIV applied to each diode is:
– vo +
– 0.
7V D
2
D3  for ideal diode, VF=0V, equivalent to a short
circuit,
PIV= Vin(P)

 for simplified diode model, VF=0.7V, equivalent

to a 0.7V voltage source
PIV= Vin(P) – 0.7V
 Ví dụ
Giả sử mạch có các điốt là LT. D4 D1
(a) Vẽ dạng sóng vo. –
+
(b) Tính vo và PIV của các điốt. RL

- vo
+
–+
D2
Đáp án: D3
Các chu kỳ dương:
D3 & D4 --> ON
D1 & D2 --> OFF vin
Trong các chu kỳ âm: 100
D3 & D4 --> OFF
D1 & D2 --> ON 0 t

Hướng dòng ngược hướng Vo, do đó Vo

<0 vo
0
V(AVE) =0.636 Vo(P)
V(AVE)
t
=0.636(–100)=–63.6V
Vo(P)
PIV= Vin(P) =100V Equal Area
Áp đầu ra (DC) trung bình
CL nửa sóng
Vm=ImxRL 
Im Idc 1
2 
n:1 Vdc  Vav  Vm sin  d
0
220V V
Vm Vdc RL  m  cos  0
50Hz    2
 V V
 m 1  1 m
2 
VD:
Một CL nửa sóng đưa áp trung bình 40.5V ra một t ải DC R L=100W từ nguồn
cấp AC 220V, 50Hz. Vẽ mạch và thiết kế hệ số biến đổi “n” của BA
(transformer), điện áo PIV và dòng trung bình qua diode.
40.5V
Vav  Iav  100  40.5V  Iav   0.405A
100
n:1 Im Idc
I
Iav  0.405A  m  Im  0.405    1.38A

220V
Vm Vdc= V  0.7V
50Hz 40.5V
RL
Im  1.38A  m  Vm  1.38  100  0.7  138.7V
100 100
n 220V 2 220 2
   n  2.24
1 Vm 138.7
PIV  Vm  138.7V Iav  1.38A 87
 Mạch CL toàn sóng và CL cầu
(Full-wave rectifier and Bridge rectifier)
n:1+1
Im Idc
Vm
220V
50Hz RL
Vm
Vdc Vm=ImxRL 
1
Vdc  Vav 
  Vm sin  d
0
   V
  P  cos  0
n :1 
Im Idc V 2V
220V  m 1  1 m
50Hz Vm  
RL
Vdc

88
 VD:
Mạch CL toàn sóng đưa điện áp trung bình 40.5V ra t ải DC R L=100W từ
nguồn AC 220V, 50Hz. Vẽ mạch và thiết kế hệ số biến đổi “n” của BA
(transformer), điện áo PIV và dòng trung bình qua diode.

40.5V
Vav  Iav  100  40.5V  Iav   0.405A
100
2I 0.405   n:1+1
Iav  0.405A  m  Im   0.69A
 2 Im Idc
Vm
V  0.7V 220V
Im  0.69A  m  Vm  0.69  100  0.7  69.7V 50Hz
100 Vm RL
Vdc
n 220V 2 220 2
   n  4.46
1 Vm 69.7
I 0.69
PIV  2Vm  2  69.7V  139.4V and Iav (diode )  m   0.219A
 

89
 VD:
Mạch CL cầu đưa điện áp trung bình 40.5V ra tải DC R L=100W từ nguồn AC
220V, 50Hz. Vẽ mạch và thiết kế hệ số biến đổi “n” của BA (transformer),
điện áo PIV và dòng trung bình qua diode

40.5V
Vav  Iav  100  40.5V  Iav   0.405A
100
2I 0.405   n :1
Iav  0.405A  m  Im   0.69A
 2 Im Idc
220V
V  1.4V Vm
Im  0.69A  m  Vm  0.69  100  1.4  70.4V 50Hz
100 RL
Vdc
n 220V 2 220 2
   n  4.419
1 Vm 70.4
I 0.69
PIV  Vm  70.4V and Iav (diode )  m   0.219A
 

90
 Mạch hạn chế và mạch ghim điện áp
(Diode Clipping and Clamping Circuit)
Remember that
1 if the anode of the diode is more positive than it’s cathode, it
will conduct. (at least 0.6V more positive ..to be exact )
2 When it conducts, the voltage across the diode is zero. (approx. Model)

+12V +9V 0V -5V

+2 0V -4V -15V

1. Hạn hạn chế nối tiếp…..điốt mắc

nối tiếp giữa đầu vào và ra

2. Mạch hạn chế song song……điốt

mắc giữa các điểm đầu ra

91
 Mạch hạn chế dùng điốt
Mạch hạn chế dương
input voltage VO
output voltage
R

0 VO 0

Đỉnh dương bị hạn chế về 0

(Positive peak is clipped to 0) R

• Điốt dẫn khi áp > 0 above zero VO

• Khi điốt dẫn áp ra = zero

R
• Diode mở khi áp < 0
VO
• Khi đó áp ra = áp vào
( Dòng = 0, áp rơi trên“R” bằng 0 )

92
 Mạch hạn chế âm

R VO

0 VO 0

Đỉnh âm bị hạn chế về 0

Negative peak is clipped to 0 R

• Diode dẫn khi áo vào < 0 VO

• Khi đó áp ra = zero

R
• Diode mở khi áp vào > zero
VO
•Khi đó áp ra = áp vào
( No current, no drop at “R” )

93
 Mạch hạn chế dương dùng diot với thiên áp
dương (positive bias voltage)
R

VB VB

0 VO 0
VB

Đỉnh dương bị hạn chế về VB

• Diode dẫn khi Vi > VB VO

• Khi đó Vo = VB VB

• Diode mở khi Vi < VB VO

• Khi đó Vo = Vi VB

( Dòng = 0, áp rơi trên“R” bằng 0 )

94
Mạch ứng dụng dùng điốt: Mạch hạn chế dương (chi tiết)
• Hạn chế dương Clippers are used to clip off or eliminate a
portion of an ac signal.
R Vout=Vd+V1
1kΩ
If the Vin>(0.7V + V1), the diode is forward
Vd
biased and operating in forward operating
Diode Vout
region, it conducts current. Thus Vd is
Vin V1 clamped at 0.7 V, Vout=0.7 + V1.
V1
_ 0V
If the Vin< (0.7V + V1), but greater than -
(VBR + V1), the diode is operating in
vin
forward diffusion or reverse leakage
region, it does not conduct. It acts as an
open circuit, thus
0 t
Vout = Vin.
vout
If the Vin< -(VBR + V1), the diode operating
0.7+V1 in its breakdown region. If it does not fail,
the diode conducts current and the
0 t
output is clamped at
(VBR + V1).
 Mạch hạn chế âm có thiên áp dương
Diode Negative Clipper with positive bias voltage
R

VB VB

0 VO 0
VB

Đỉnh dương bị hạn chế về VB

Positive peak is clipped to VB
• Diode dẫn khi áp vào < VB
• Khi đó áp ra = VB
• Điốt mở khi áp vào > VB
• Khi đó áp ra = áp vào
( Dòng = 0, áp rơi trên“R” bằng 0 ) Đỉnh dương bị hạn chế về +4 V

96
 Mạch hạn chế có thiên áp âm
Diode Negative Clipper with negative bias voltage
R

0 VO 0
VB -Vb
-VB

Đỉnh âm bị hạn chế về -VB

• Điốt dẫn khi áp vào < (-VB)

•Khi đó áp ra = (-VB)

• Điốt mở khi áp vào > (-VB)

• Khi đó áp ra = áp vào
( Dòng = 0, áp rơi trên“R” bằng 0 )

97
 Mạch ứng dụng dùng điốt: Mạch hạn chế âm (chi tiết)
vin
Given that the input is a 16 V peak-to- 8
peak amplitude sine wave, sketch the
output waveform. Given VF = 0.7V and
VBR =50V for the diode. 0 t

R
5 kΩ –8
Vout
vout
+ 8
Diode Vd
Vin
16 V(PP) – 5V 0 t
V2 5V
–5.7
0V
_

If Vin <( –0.7 – V2 ) =–5.7V, diode is ‘ON’, Vout=–5.7V

(VBR–V2 )  Vin  ( –0.7 – V2 ) or 45  Vin  –5.7 operating in forward diffusion region or

reverse leakage region, diode is ‘OFF’, acts as an open-circuit, Vout=Vin

Vin  (VBR -V2)  45 V operating in reverse breakdown region

 Mạch hạn chế dương có thiên áp âm
Diode Positive Clipper with negative bias voltage
R

0 VO 0
-VB VB -VB

Đỉnh dương hạn chế về -VB

•Diode dẫn khi Vi > (-VB)

• Khi đó Vo = (-VB)

• Diode mở khi Vi < (-VB)

• Khi đó Vo = Vi
( No current, no drop at “R” )

99
 Hạn chế kép dùng diode (with bias voltage)
R

VB
VB
VO
0 VB 0
-VB -VB
-VB

Đỉnh dương bị hạn chế về VB

Đỉnh âm bị hạn chế về –VB R R

• Diode1 (Trái) dẫn khi Vi > VB

VO VO
• Khi đó Vo = VB VB VB

• Diode2 (Phải) dẫn khi Vi < -VB

R
• Khi diode dẫn, Vo = -VB
VO
Khi Vi trong khoảng (VB và –VB ), cả 2 diodes đều mở, không có dòng
chạy qua => Vo= Vi VB -VB

100
 Sử dụng diodes làm bộ hạn chế trong các mạch bảo vệ
(Use of diodes as clipper in protection circuit )

R Equipment

D1 D2
Equivalent to Vin
VA VB

 Khi Vi > (VA + 0.7 V), diode 1 dẫn => Vo hạn

chế về giá trị= VA + 0.7 V
vin
 Khi Vi < (–VB – 0.7), diode 2 dẫn => Vo hạn chế
= –VB – 0.7 V
0 t

vout
VA +
0.7 t
0
–VB–0.7
 BT (a) Vì Vin(P) >VZ1+0.7=5.8V
vin
Cho Zener diode có điện áp phân cực thuận 9
0.7V, điện áp đánh thủng ngược 5.1V. Vẽ
dạng sóng vào và ra (a) khi giá trị V ipp = 18V.
0 t
(b) khi giá trị Vipp = 10V.
–9
vout
R
1kΩ 5.8
Vout
0 t
+ –5.8
Z1
Vin
Z2 (b) Vì Vin(P) <VZ1+0.7=5.8V
- vin
5
 Điện áp ra lớn nhất dương 0 t
=VZ1+0.7=5.1+0.7=5.8V
–5
vout
 Điện áp ra âm lớn nhất=–VZ2–0.7=–5.1–
5
0.7=–5.8V
0 t

–5
 Hạn chế âm thiên áp nối tiếp âm có dùng diode
Diode negative Series-Bias Negative Clipper
-1
2
R
VB +1
VS VO 0
0
2V(p) -1
-1

-3
1.Mức trung bình Chuyển xuống –1V

2. Tất cả các đỉnh âm dưới 0 bị hạn chế về 0

All negative peak below zero will be clipped to zero

-1 R -1 R
VS VO VS VO

Khi VS < +1 Khi VS > +1

103
Hạn chế âm thiên áp nối tiếp dương có dùng diode
Diode positive Series-Bias
1
Negative+3 Clipper
2 R
VB +1
1 VS VO 0
0 2V(p) -1

1.Mức trung bình Được đưa lên mức +1V

2. Tất cả các đỉnh âm dưới 0 bị hạn chế về 0

All negative peak below zero will be clipped to zero

1 R 1 R
VS VO VS VO

When VS < -1 When VS > -1

104
 Mạch suy giảm dùng diode
Diode attenuator R1 D1

R1 D1 R2 D2
VS VO1
RL
Vo1
R2 D2 R1 D1
0 VS VO 0
RL
R2 D2 Vo2
VS VO2
RL

R1 D1

R1 D1
R2
VS VO
RL Vo1

0 R2
VS VO R1 D1 0
RL Vo2
R2
VS VO
RL

105
 Mạch ghim dùng diode
(DIODE CLAMPING CIRCUITS)
Mạch ghim âm dùng diode
- C+
VP
2VP
+ VP
VP R
0
-
2VP
-VP
- +
VO
C VP

R
0
-C +
0
- VP
VP R
+
Đỉnh âm bị ghim về

Diode dùng để nạp tụ

106
 Mạch ghim dương dùng diode
Diode Positive Clamper
+C -
VP

0
0 + VP
VP R
-VP - 0

+ -
VO
-VP
C
R
-2VP

C
+ - -2VP
- VP
VP R

Đỉnh dương ghim về 0

+

Diode dùng để nạp tụ

107
 Mạch ghim âm dùng diode
Diode Biased Negative Clamper
VP -C +
VO=2VP+VB
+ VP+VB
0
VP R

C
-
- +
-VP

VO
- VP+VB
2VP

VP R
VB
+ VB
0
C VO=VP+VB-VP
- + =VB
- VP+VB
VP R
+
Đỉnh âm ghim về +VB

Diode dùng để nạp tụ

108
 Mạch ghim dương dùng diode
Diode Biased Positive Clamper
VP
C
+ - VO=-(VP-VB)+VP
0 =VB
+ VP-VB
VP R VB
-VP
C -
+ - VO
0

+ VP-VB 2VP

VP R C
+ - VO=-(VP-VB)-VP
- VB
- VP-VB
=-2VP+VB

VP R
+

Đỉnh dương ghim về +VB

Diode dùng để nạp tụ

109
 Thiết kế mạch tạo sóng
(Wave shaping circuits design)
Thiết kế R (Design of R)
R
VP

0 RL VO
t
-VP
-VP

Khi thiết mạch hạn chế, dung sai (sai s ố) biên đ ộ đ ầu ra là 10% n ếu R L = 10 R

Điều kiện này được đáp ứng với trở kháng lớn nh ất nhìn t ừ t ải R L ((tức là khi diode mở
tại các đỉnh âm)

Khi điot ngắn mạch (dẫn) tại các đỉnh dương, điện tr ở (nhìn t ừ R L ) đã là 0 nên không
cần thiết kế R nữa

110
 Thiết kế C (Design of C)
+C -
0
+ VP
+ - VP RL
VO
C - 0

RL
-VP
C
+ - -2VP
- VP -2VP

VP RL
+

While designing the clamper, tolerance is given 10% capacitor discharge rate at
the output amplitude if
T = ( 1/f ) = 0.1 RL C or RL C = 10 T = 10/f
This condition should be satisfied at highest resistance seen from R L ( in this
case, when the diode open at input negative cycles )

111
 Ảnh hưởng của tần số lên mạch ghim
(Frequency effect on the clampers)

+ - + C
-
VO -2VP
C - VP
Capacitor discharge should be very slow
f R
f VP R
(RC high) to make capacitor voltage = V P
+

Capacitor discharge

High frequency-OK Low frequency-not OK

For high signal frequencies T < When signal frequencies become
RC/10, low, T > RC/10,
Capacitor discharge very slow Capacitor discharge follows the
= capacitor charged voltage is signal path = capacitor is short
nearly constant (becomes clipping circuit)
(Requirement for clamping)
112
 Tóm tắt các công thức thiết kế
Summary of Design Equations
Wave Shaping Circuits
VO R1 D1 VO + -
VO
R Vin C
R2 D2
RL RL RL

Clipper Design Attenuator Design Clamper Design

RL = 10 R R1 or R2<< 0.1 RL RL C = 10 T = 10/f
VO 0
Vo1

-Vmax
0 0
Vo2
-2Vmax

If RC is not > 10T capacitor becomes coupling. Circuit will behave as a clipper.

113
 Design example
Design all components in the following wave shaping circuit if the frequency of the
input wave is 1kHz. and the load resistance R L = 100k
5

5 0 5 +4 5
-4
0 0
clamper clipper 5
-4
-5

-C + R
5V(P) - 5-4V
RL=100k
+ -4 +4

• When the diode of the clipper opens, resistance seen by R L is R

Then R = 10k (= RL / 10 )
• The lowest resistance seen by C is R
Then C=10T/R=10/fR=10/(103x104)=10-6F=1 mF

114
Example
(a) Draw the clamping circuit where the positive peak is clamped to 0V.
Input voltage is 20V(pp) sine wave having a frequency of 10kHz. If C = 1 mF with a
series resistor of 0.1R , find the value of R (connected across the output terminals)
required for clamping. Draw the input and output waveforms.

Clamping circuit design is when RC > 10T

RT C = 1.1Rx1x10-6 > 10 (1/f) = 10/10x103 or 1.1R > 1/103-6 > 103
R = 0.9 kW

+10 +
0.09 kW - 0
0.1R C R
0
10kHz 1 mF 0.9 kW -10

-10
-20

115
(b) If the input into the above clamping circuit is changed to 5 kHz , 20V(pp) sine
wave. Draw the input and output waveforms.

Clamping circuit design is when RC > 10T

RC = 103 x10-6 = 10–3 sec , 10 T = 10/5x103 = 2x10-3
RC is not > 10T , it cannot clamp , capacitor discharge will follow the
signal path , making capacitor like a short. Circuit will become a clipper.

+10 +
0.09 kW -
0.1R C R
0 5kHz 1 mF 0.9 kW 0

-10
-10

116
A clamping circuit is used with a 5 kHz , 20V(pp) sine wave. The time constant of
the circuit is changed by using R = 1kW , C = 0.001 mF. Draw the input and output
waveforms. What kind of wave shaping circuit is it?

Clamping circuit design is when RC > 10T

RC = 103 x10-9 = 10–6 sec , 10 T = 10/5x103 = 2x10-3
RC is not > 10T , it cannot clamp , capacitor discharge will follow the
signal path , making capacitor like a short. Circuit will become a clipper.

+ -
VO
+10 C
5 kHz , 0.001mF R 1k 0
0 20V(pp)

-10 -10

117
 Diode Zener và ứng dụng
(Zener Diode and Applications)
Tạo ra áp ra DC ổn định (hằng) cho các tải khác nhau hay khi ngu ồn c ấp (AC
hoặc DC biến đổi), giống đặc tính ác quy.
Regulated power supply = output dc is constant (stable) at different loads or
at varying ac supply conditions = battery source characteristics
Zener diode

IZ IZF

Zener used as
VZ regular diode

VR VF
IZmin=0.1IZmax
0.7V

Zener used as VZ
reverse
breakdown IZmax=PZ/VZ
voltage diode IZR
118
Các điều kiện thiết kế diode Zener
Zener diode design conditions
Ri
IZ
VSmin
to VZ
VSmax

• Khi Vi bằng VSmin hoặc VSmax , Vo = VZ

• Điện áp Vo ổn định và là điện áp ra được điều chỉnh và đây là m ạch đi ều ch ỉnh

ổn áp Zener.

• Dòng Iz = IZmin tại VSmin và tăng tới IZmax tại VSmax

• Dòng IZmin nên >= 10% IZmax để đảm bảo sự ổn định của VZ

• Dòng IZmax nên chọn <= PZ/VZ để Zener diode không bị hỏng

119
 Biểu thức thiết kế bộ điều chỉnh áp dùng diode Zener
Zener regulator design equation
Ri ILmin to ILmax

VSmin to VSmax VZ RL

IZmin to IZmax

1. Khi tải hút dòng > (ILmax), dòng qua Zener sẽ suy giảm < (I Zmin) và điện áp cấp Vs sẽ <
(VSmin), do đó:
VS min VZ
VS min VZ  I L max  I Z min Ri or Ri 
I L max  I Z min

2. Khi dòng tải < (ILmin), dòng Zener tăng > (IZmax) và áp cấp sẽ tăng (VSmax), do đó:

VS max VZ
VS max VZ  I L min  I Z max Ri or Ri 
I L min  I Z max

120
3. Cân bằng các biểu thức trên ta có:
VS min VZ VS max VZ
 Ri   taking I Z min  0.1 I Z max
I L max  I Z min I L min  I Z max
VS min VZ VS max VZ
We have  or if simplified ,
I L max  0.1 I Z max I L min  I Z max
I
I Z max  L min Z
V VS min   IL max VS max VZ 
VS min  0.9VZ  0.1VS min
Phương trình thiết kế cho diode Ze
Now I Z maxVZ  PZ

VS max VZ VS min VZ

Value of Ri  or Ri 
I L min  I Z max I L max  I Z min
V VZ 2
Power rating of Ri  PRi  S max Because VS max VZ   VS min VZ 
R i

PT thiết kế Ri
Ri ILmin to ILmax

VSmin to VSmax VZ RL

IZmin to IZmax
121
 Tóm tắt các công thức thiết kế
Zener Regulator

Ri ILmin to ILmax

VSmin to VSmax VZ RL

IZmin to IZmax

Thiết kế Ri Thiết kế IZmax

VS min  VZ VS max  VZ
Ri  
IL max  0.1IZ max IL min  IZ max
OR
I V  VS min   IL max VS max  VZ 
IZ max  L min Z
VS min  0.9VZ  0.1VS min

122
Ví dụ
• Vẽ mạch điều chỉnh áp dùng diode Zener
• Dòng tải biến thiên trong khoảng (100mA đ ến 200mA) và áp ngu ồn vào thay đ ổi
trong khoảng (14V -> 20V). áp ra điều chỉnh mong muốn là 10V
• Tìm khoảng giá trị của RL
• Thiết kế PZ
• Thiết kế Ri và công suất định mức của nó
Ri 100mA to 200mA
10V
Range of RL   50 
200 mA
14V to 20V VZ RL
10V
to  100 
100 mA
0.1IZmax to IZmax VO  VZ  10V

VS min VZ VS max VZ 14  10 20  10

  
I L max  0.1 I Z max I L min  I Z max 200  0.1 I Z max 100  I Z max
1600
 2000  I Z max  400  4 I Z max  I Z max   533 mA
3

Power rating of Zener  PZ  VZ I Z max  10  533 mA  5.33W

20  10 Power rating of Ri  PRi 

20  10 2  6.33W
Value of Ri   15.8 
100  533 15.8
123
CÁC KHÓA BÁN DẪN KHÁC
 Diodes phát quang
à The Light‐Emitting Diode
(LED) is a semiconductor pn
junction diode that emits
visible light or near‐
infrared radiation when
forward biased.
à Visible LEDs emit relatively
narrow bands of green,
yellow, orange, or red light.
Infrared LEDs
emit in one of several
bands just beyond red light.
 Facts about LEDs
à LEDs switch off and on rapidly, are very
rugged and efficient ,have a very long
lifetime, and are easy to use.
à They are current‐dependent sources, and
their light output intensity is directly
proportional to the forward current through
the LED.
à Always operate an LED within its ratings to
prevent irreversible damage.
à Use a series resistor (Rs) to limit the current
through the LED to a safe value. VLED is the
LED voltage drop .
It ranges from about 1.3V to about 3.6V.
à ILED is the specified forward current. V − VLED
R s = in
(Generally 20mA). I LED
Các điện áp ngưỡng của LED

Diode VLED Diode VLED

Hồng ngoại 1.2 Xanh 3.6

infra-red (blue )
2.2 Tím 3.6
Đỏ (red ) (purple)
Vàng 2.2 Cực tím 3.7
(yellow ) (ultra-violet )
Xanh lá cây 3.5 Trắng 3.6
(green ) (white )
Light Emitting Diodes (LEDs)

ƒ Giống diodes, dòng chỉ chạy theo 1 chiều

ƒ 3 cách để nhận biết cực âm (K):

à Đầu ngắn nhất
à Hình tam giác lớn nhất
Đầu phẳng (Flat on the LED
package)

-
+
 Photovoltaic

ƒ Light falling on a pn‐junction

can be used to generate
electricity from light energy
(as in a solar cell)
ƒ These devices are called
photodiodes
ƒ Fast acting, but the voltage
produced is not linearly A typical photodiode
related to light intensity
 Photoconductive

ƒ Such devices do not produce

electricity, but simply change
their resistance
ƒ Photodiode (as described
earlier) can be used in this w
ay to produce a linear device
ƒ Phototransistors act like
photodiodes but with greater
sensitivity
ƒ Light‐dependent resistors
(LDRs) are slow, but respond
like the human eye A light-dependent resistor (LDR)
 Opto-electronics Circuits and Design

Fundamentals of Photo-electricity
If the electricity in a device changes due to the luminous power coming from
the light, the device is called “ Photo-electric device “. Photo-resistor, Photo-diode,
Photo-transistor, Opto-couplers are all Photo-electric devices.
Photo-electric relationships Sphere surface area = 4  r 2
P
I lamp
V light 1. Luminous Power = PV
2. Heat Power = PH
»
-
AC-DC source Electrical Power = W = V x I * radius = r

Spherical distribution of light power equally in all directions

Isotropic light source = point source
According to the photo-efficiency of the type of the lamp, P V usually is very small and it is between 1
% to 3 % of the electrical power. The rest is the heat power P H which is 97 % to 99 % of the electrical
input power.
 Electrical power W = V*I = PV +PH where luminous power PV=h W and heat power
PH=(1-h ) W taking h = photo efficiency of the light source
If we assume that the light source is isotropic (radiating in all directions) having a
sphere of radius “r” producing a surface area of 4pr2 , then the luminous power
per unit area ( expressed in “E” ) will be: P V 2
E 2
W / m
4 r

Fundamentals of Photo-diode +ID

I IS 5 4 3 2 1 0
VS= -VD VD
lamp E1
V E1 VD VS E2
E3
photo diode
Characteristics of Photo Diode IS= - ID

Photo diode is reversed bias so that I D = 0 when no light falls ( E = 0 ) on it. More power
from the lamp (either lamp nearer to diode or more electrical power to the lamp) will
result more luminous power on the diode called E 2 and E3 and so on, the reverse diode
current will increase. In this way we will have different I D from different luminous
power E.
 Photodiodes

ƒ Photodiodes are designed to detect photons

and can be used in circuits to sense light.

Note:
Reverse current flows through the
photodiode when it is sensing light.
If photons excite carriers in a
reverse- biased pn junction, a very
small current proportional to the
light intensity flows.
The sensitivity depends on
the wavelength of light.
 Analysis and design of photo-diode circuits
VS
VD1 +ID
ID1xR
I ID1 R VS 5 4 3 2 1 0
VS=-VD +VD
lamp E1 ID1
R
V E1 VS E2
r E3 VS
photo diode R
IS=-ID
Analysis of Photo Diode

1.Locate VS , 2.Locate ID=VS /R , 3.Find Q point at the crossing of E and R ,

4.Read VD1 and ID1
PV   W  V  I
PV
E 2
W / m2
4r
ID 1R VD  VS
where ID 1 is given by cros sin g of E  curve and R  load line
 Design Example

Draw the photo diode circuit, sketch the load-line graph and design the
value of “r” ( distance between lamp and photo-transistor), to produce V R
= 10 V, if Photo-efficiency  = 3 % ,VS = 20 V, R = 470 , and the lamp
electrical power is 40 watts.
VS
VD1 +ID
ID1xR
ID1 10V 20 10 0 E ID
VS=-VD +VD
lamp E1 ID1 500W/m2 10mA
470
R
40W E1 VS E2 ID2 1000W/m2 20mA
20V E3 ID3 1500W/m2 30mA
20/0.47k

IS=-ID
10V 21.3
ID   21.3mA  E   1000  1064 W / m2
0.47k 20
PV W 0.03  40 0.03  40
1064 W / m2     r2   29.5  10  4 m2
4 r2 4 r2 4 r2 4 1064
r  29.5  10  4  0.0543m  5.43cm
 Phototransistor
• Phototransistor is a BJT with the light sensitive collector base
junction exposed to light through a window (a lens opening) in the
transistor package. Phototransistors are also considered to
be photodiodes with some internal amplification.
• Sometimes called a photodetector.
• When there is no incident light, there is a small thermally generated
leakage current, I , called the dark current and is typically in nA range.
CEO

• When light strikes the collector‐base pn junction, a base current, Iλ, is

produced that is directly proportional to the light intensity.
• Light intensity controls the collector current.
IC = βDCIλ
 Phototransistor
• There are many applications for this device,
light activated switching being one. They come
with or without the base connection.
• The curve illustrates collector current with
different light intensities.
Fundamentals of Photo-transistors

IC
E1
VC

The photo transistor is forward biased and has it’s Base sensitive to the
light. The luminous power E falling on it’s Base will make the photo
transistor to conduct producing IC. More luminous power E will result more
collector current IC.
IC
I IC
lamp 3mA E3
2mA E2
V E VC VS
1mA E1

5 10 15 VC
photo transistor

Charateristics of Photo Transistor

Analysis and design of photo-transistor circuits
IC

IC ESAT
I ICQ R
lamp R E3
Q
ICQ E2
V E2 VCQ VCC
E1
r
VCC VC
photo transistor VCQ ICQxR

Analysis of Photo Transistor

1.Locate VCC, 2.Locate IC=VCC/R , 3.Find Q point at the crossing of E and R ,

4.Read VCEQ and ICQ
PV   W  V  I
PV
E 2
W / m2
4r
ICQ R  VCQ  VCC
where ICQ is given by cros sin g of E  curve and R  load line
Phototransistor Light Sensitivity

The current
through a
phototransisto
r is directly
proportional to
the intensity of
the incident
light.
Notes on Phototransistor

ƒ A phototransistor can be either a two‐lead or

three‐lead device.
The collector characteristic curves show the
collector current increasing with light intensity.

Phototransistors are sensitive only to light within

a certain range of wavelengths as defined by their
spectral response curve.
ƒ Photodarlingtons have higher light sensitivity
than phototransistors but slower switching
speed .
 Phototransistor

Application- Light Operated Relay Circuit

• Phototransistor, Q1 drives the BJT Q2. When
there is sufficient incident light on Q1,
transistor Q2 is driven into saturation, and IC
through relay coil energizes the relay. Diode
D1 is to control back EMF when Q2 turns off.
 Phototransistor

Application- Darkness Operated Relay Circuit

1. When there is insufficient light, Q2 is biased on, keep
the relay energized. When there is sufficient light, Q1
turns on, this pulls base Q2 low, thus turn off Q2
reenergizes the relay. Diode D1 is to control back EMF
when Q2 turns off.
 Phototransistor
Application- Light Interruption Alarm Circuit
• Q1 normally on, holding SCR gate low. When the light is
interrupted, Q1 turn off. The rise time pulse trigger
SCR and sets off the alarm mechanism. SW1 is for
reset the alarm. It being used as smoke detection or
intrusion detection.
Applications of
Phototransistors
+V
ƒ Phototransistors are
used in a wide variety Alarm
of applications such
as automatic door R1 SCR
activators, process
counters, and various Reset
light‐activated switch
R2
Q1
alarms.

Light-interruption alarm
Design Example

Draw the photo transistor circuit, sketch the load-line graph and design
value of R if “r” ( distance between lamp and photo-transistor) = 10cm, V R
= 10 V, Photo-efficiency  = 3 % ,VCC = 20 V, and the lamp electrical power
is 40 watts. I C

20/R ESAT
I ICQ R
lamp R E3
Q E IC
VCQ ICQ E2
V E2 VCC 5W/m2 10mA
E1
r 10W/m2 20mA
20V VC
photo transistor VCQ 10V 15W/m2 30mA

PV W 0.03  40
E    9.55W / m2
4 r2 4 r2 4 0.1m2
9.55
IC   10mA  19mA
5
10V
R  0.523k  523
19mA
 Analysis of photo-transistor driven Comparator circuits

15 V 15 V

IC Photo-transistor
r R1
I E3 = 2
1 kW 6mA 30 mW / cm
IC R E2 = 20 mW / cm
2
4mA
V VC E1 = 2
20 V E +15 V 2mA 10 mW / cm
V1
-13V to +13V +V C
V2 V0 0 5 10 15
2.1 kW RE
R = RE
 2% R2
-15 V

1 kW photo-transistor driven comparator circuits

(a) When there is no light E=0 , I C=0 V1 = 0. But V2 = 7.5V and because V1<V2 (less positive
voltage going into negative terminal of comparator). then the output V o will become
positive and equals +13V.
(b) The luminous power E falling enough on it’s Base will make the photo transistor to
conduct producing IC. Then IC RE drop = V1 > V2, then the output Vo will become negative
and equals -13V
(c) Design condition is that enough luminous power E should make I C RE drop = V1 > 7.5V
to have a negative voltage output at the comparator.
 Analysis of photo-transistor driven Schmitt Trigger circuits
R2 R1 1k
+15 V LTL  VREF  VLO   13  6.5V  VREF  0
R1  R2 R1  R2 1k  1k
R2 R1 1k
r HTL  VREF  VHI   13  6.5V  VREF  0
RC R1  R2 R1  R2 1k  1k
I 0.3 k
IC Photo-transistor
IC
conduct open
V VC E3 = 30 m W / c m 2
20 V E +15 V
15mA
V1 2
-13V to +13V 10mA
E2 = 20 m W / c m
V2 V0
R 2
5mA E1 = 10 m W / c m
2.15 k RE
 2% -15 V +V C
0 5 15 30
R2 R1
1k 1k R = RC+RE

-15 V
(a) Here V1 should be greater than +6.5V. To make output V o negative and equals -13V.
(b) Here V1 should be less than -6.5V. To make output V o positive and equals +13V.
(c) The luminous power E is responsible to produce I C so that IC RE drop will make the
Schmitt Trigger output either negative or positive, with a Hysterisis of ±6.5V
Optical Couplers

ƒ Optical couplers provide complete electrical

isolation between an input circuit and an output
circuit.
They provide protection from high voltage
transients, surge voltage, and low‐level noise.

They also allow voltage level translation, and

different grounds for interfacing circuits.

Input circuit of optical coupler is typically an LED

 Output circuit can take many forms.

Common Types of Optical‐Coupling
Devices

Phototransistor Output LASCR Output

Photodarlington Output Phototriac Output

Optocoupler Parameters
Isolation Voltage is the maximum voltage
between the input and output terminals without
dielectric breakdown; typically 7500 V ac peak.

ƒ DC Current Transfer Ratio =outI/I(in

in %); typically
2 to 100% for phototransistors.
ƒ LED Trigger Current is the current (mA) required
to trigger light‐activated thyristor output
devices.
ƒ Transfer Gain = Vout/Iin applies to optically isolated
ac linear couplers; typically 200 mV/mA.
 Fundamentals of Opto-couplers

OPTO-COUPLERS are also called Opto-isolators. Inside the opto-coupler, light from
LED excite the photo-transistor to flow collector current.
The distance between LED and Photo device = r is fixed inside the IC and so the input
and output characteristics of Opto-couplers are given by LED current I F versus
current of the Photo device I c or ID or IR depending upon which type of coupler is
used.In the case of Photo-transistor couplers , input is I F and the output is Ic . Then we
I
have a current gain between the input and the output called h F given by :- hF  c
IC IF
IF IC
15mA IF3 = 30mA
10mA IF2 = 20mA
VC VCC IF1 = 10mA
5mA

2 4 6 8 VC
optocoupler

Charateristics of Optocoupler
5mA 10 mA
Optocoupler shown above hF   0.5 at I F 10 mA and hF   0.5 at I F  20 mA
10 mA 20 mA
or hF is nearly cons tan t at all I F values .
Analysis and design of opto-coupler circuits
IC
IF R IC VCC/R
15mA IF3 = 30mA
Q IF2 = 20mA
10mA ICQ
VC VCC R
5mA IF1 = 10mA

2 4 6 8 VC
optocoupler VCC
VCQ ICQxR
Analysis of Optocoupler

1.Locate VCC, 2.Locate IC=VCC/R , 3.Find Q point at the crossing of IF and R ,

4.Read VCQ and ICQ
Ic
hF 
IF

ICQ R VCQ  VCC

where ICQ is given by cros sin g of I F curve and R load line
Design Example

Draw the opto-coupler circuit, sketch the load-line graph and design the
value of IF if hF = 0.5, VR = 10 V, VCC = 20 V, R = 1kW. What is the value of
VCQ? I C
IF R IC VCC/R
15mA IF3 = 30mA
Q IF2 = 20mA
10mA ICQ
VC VCC R IF1 = 10mA
5mA

5 10 15 20 VC
optocoupler VCC
VCQ ICQxR
Analysis of Optocoupler

10V
IC   10mA
1k
IC 10mA
hF   0.5  I F   20mA
IF 0.5
VCQ  VCC  ICQ  R  20  10  10V
 Analysis of Opto-coupler driven Schmitt Trigger circuits
+15 V

Optocoupler
IC open
RC saturate
20mA I Fsat= 40 m A
IF 0.965 k +15 V
V1 -13V to +13V I F3 = 30m A
15mA
IC
V2 V0
V 10mA I F2 = 20 m A
VC R
-15 V 5mA I F1 = 10 m A
+VC
R2 R1 0 15 30
RE 0.5 k 1k
R = RC+RE
R2 R1 0.5k
LTL  VREF  VLO   13  4.33V  VREF  0
R1  R2 R1  R2 1k  0.5k
R2 R1 0.5k
HTL  VREF  VHI   13  4.33V  VREF  0
-15 V R1  R2 R1  R2 1k  0.5k

(a) Here V1 should be greater than +4.33V. To make output V o negative and equals -
13V.
(b) Here V1 should be less than -4.33V. To make output V o positive and equals +13V.
(c) The Input LED current IF is responsible to produce I C so that IC RC drop will make
V1 = ± 4.33V and the Schmitt Trigger output will become either negative or
positive, with a Hysterisis of ± 4.33V
 Summary of Design Equations
Optical-Electronics Circuit and Design +ID

I IS 5 4 3 2 1 0
VS= -VD VD
lamp E1
V E1 VD VS E2
E3
photo diode
PV   W  V  I IS= - ID
Characteristics of Photo Diode
PV
E 2
W / m2 IC
4r I IC
lamp 3mA E3
2mA E2
V E VC VS
1mA E1

5 10 15 VC
photo transistor

Charateristics of Photo Transistor

IC
IF IC
15mA IF3 = 30mA
Ic IF2 = 20mA
hF  VC VCC
10mA
IF 5mA IF1 = 10mA

2 4 6 8 VC
optocoupler

Charateristics of Optocoupler