Полеви транзистор с

PN преход
 Съдържание

 Устройство и принцип на действие

 Схеми на свързване
 Характеристики
 Зависимост на характеристиките и
параметрите от температурата
 Еквивалентна схема
 Изготвяне на полеви транзистори с PN преход
 Проходни характеристики
 Параметри
Устройство и принцип на действие

Полупроводникова пластинка от N тип с

омически изводи :
Дреин(Drain)
Сорс(Source)

На повърхността на пластинката се

формира PN преход, като от P слоя е
направен извод, представляващ
управляващият електрод на транзистора,
наречен Гейт(Gate).
Устройство и принцип на действие
Устройство и принцип на действие
Устройство и принцип на действие
Устройство и принцип на действие
Устройство и принцип на действие
Устройство и принцип на действие
Устройство и принцип на действие
Устройство и принцип на действие
Устройство и принцип на действие
Устройство и принцип на действие
Устройство и принцип на действие
Устройство и принцип на действие
 Схеми на свързване
 На фигурата са показани схеми на свързване
(а) на полеви транзистор с N канал (а) и с P канал
на (б), като различието в захранването на двата
типа е полярността на захранващите
токоизточници, която е противоположна, като
при N-каналния транзистор управляжащото
напрежение UGS е отрицателно, а при P-
каналния положително.
При полевите транзистори местата на дрейна
и сорса могат да се разменят, но, трабва да се
спазват указанията дадени в справочниците,
(б) тъй като при MOS транзисторите сорсът е
свързан с корпуса, а при някой други типове
транзистори с подложката.
Характеристики на полеви
транзистори

Иходни волт-амперни
характеристика са I D  f (U DS )
при UDS = const, те дават
зависимостта между тока в
дрейна и напрежението дрейн-
сорс UDS.
Характеристики на полеви
транзистори

При напрежение UD=UP,

настъпва насищане UDSS.
Дрейновият ток достига
максимална стойност IDSS при
напрежение UDS, равно на
напрежението на насищане
UGS=0. Този ток се нарича
максимален дрейнов ток - IDSS.
Характеристики на полеви
транзистори
Областа I, в която зависимостта на
анодния ток от напрежението е
близка до линейната – омическа или
триодна.
Областа II, в която се наблюдава
насищане на дрейновия ток, се
нарича пентодна.
При достигане на определена
стойност на напрежението UDSS
настъпва лавинен пробив във
веригата дрейн-гейт и токът ID рязко
нараства. Това се вижда в област III.
Зависимост на характеристиките и
параметрите от температурата

 Главно 2 фактора оказват

влияние –
 Зависимостта на
подвижността на
токоносителите от
температурата.
 Зависимостта на
контактната потенциална
разлика от температурите .
Зависимост на характеристиките и
параметрите от температурата

 Температурата оказва силно

влияние върху Дрейновия ток
 Характерно явление е
наличието на термостабилна
точка -- Q.
 Tемпературен коефициент a ID
= ID / ( ID . T) .
 С повишаване на
температурата подвижността
на токоносителите се намалява,
което води до намаляване на
дрейновия ток.
Зависимост на характеристиките и
параметрите от температурата

 Намалява се равновесната височина на

потенциалната бариера и преходът се
стеснява.

 Това води до увеличаване на ефектното

сечение на канала и нарастване на
дрейновия ток.
Зависимост на характеристиките и
параметрите от температурата

 Тези 2 фактора
предизвикват изменение на
дрейновия ток в
противоположни посоки .
 Поради това в
характеристиката се
наблюдава термостабилна
точка, която лежи в областта
на малките дрейнови токове.
Еквивалентна схема на полевия
транзистор

 Способността на транзистора да
усилва се моделира от генератора на
тока SUGS .

 Тази еквивалентна схема може да се

използва до работни честоти I < IS .

 При по високи честоти се използват

по-сложни еквиваленти схеми, в които
стръмността S комплексна величина .
Изготвяне на полеви транзистори с PN
преход

 Съвременните полеви
транзистори с PN преход
обикновено се изработват
като структура от планарно-
епитаксилен тип.

 Върху пластинка от N
силиций чрез дифуция се
създава P област, от която се
правят изводи за сорса и
дрейна.

 Чрез втора дифузия се

образуват N областите за
гейта.
Проходни характеристики
I  f (U ) при U  const
D GS DS

В пентодната област напрежението

U DS слабо влияе върху
дрейновия ток. Транзистора е
запушен при U GS  U P и I D  0 ,а
при U GS  0 токът е максимален и е
равен на IDSS. При увеличаване на U DS
в пентодната област
характеристиките слабо се изместват
наляво и са тесен сноп.
В триодната област при
увеличаване на U DS
характеристиките силно се изместват
една спрямо друга.
 Проходни характеристики
I  f (U ) при U  const
D GS DS

Прагово напрежение U T : Напрежението приложено между гейт и сорс на

транзистора, при което обеднената област запълва целия канал и транзистора
се запушва( I D  0 ).
Праговото напрежение е параметър, който се определя само от конструкцията
на транзистора и не зависи от външните напрежения. При транзисторите с N
канал праговото напрежение е 1-20V.
 Проходни характеристики
I  f (U ) при U  const
D GS DS

I
Максимален дрейнов ток DSS : Представлява дрейновия ток при U GS  0 и
при напрежение между дрейна и сорса, равно на праговото
напрежение.Определя се от конструкциятна и технологията на полевия
транзистор.
Съвременните маломощни транзистори с PN преход имат максимален
дрейнов ток 0,5 - 30 mA. При мощните транзистори този ток достига до 5A.
Параметри на полевите
 I 
транзистори
Стръмност S на полевия транзистор: S   ,
U
D
 const
 U 
DS
стръмноста S има измерение на GS
проводимост и показва с колко mA ще се измени дрейновия ток,ако
управляващото напрежение се промени с 1V(при условие U DS  const
).
 За да бъде максималната стръмност голяма, е необходимо R
KO да
бъде малко, тоест дължината на канала да бъде малка, а дебелината
му – голяма.
Параметри на полевите транзистори
 Една от основните зависимости при полевите транзистори е:
2I
S  DSS
M
U P
 Вижда се, че полевите транзистори с голям максимален ток и малко
прагово напрежение имат голяма стръмност.
Параметри на полевите транзистори
 U DS 
 Изходно съпротивление. Ri    ,U GS  const
 В омическата област Ri е малко,  ID 
докато в областта на насищане то е голямо.
 За съвременните полеви транзистори може R да бъде от няколко деседки до
i
стотици килоомове.
Параметри на полевите транзистори
 Статични капазитети на полевите транзистори:
 Входен капацитет между гейта и сорса C gs
 Изходен между дрейна и сроса C ds
 Проходен капацитет м/у геита и дрейна C gd

 При съвременните полеви транзистори

те са от поядъка на 0,1-20 pF ,като
най-малък е изходния капацитет,
а най-голям - входния.
Datasheet