Bipolar Transistor (BJT)

• Devre Yapısı ve Fiziksel Özellikleri

• BJT Çalışma Bölgeleri

• BJT Kutuplama Devreleri

• Akım aynaları
Bipolar Transistör

• Bipolar tarnsistörler NPN ve PNP olmak üzere iki farklı yapıda

olabilir.

• Çalışma prensipleri aynıdır.

• NPN transistörlerde akım taşıyıcılar elektronlardır. Dolayısıyla bu

transistörler daha hızlıdır.
Bipolar Transistör

• Bipolar transistör zıt yönde bağlı iki diyot gibi düşünülebilir.

• Bipolar transistörün normal çalışmasında baz-emetör jonksiyonu geçirme
yönünde kutuplanmıştır.
• Baz-kollektör jonksiyonu ise tıkama yönünde kutuplanmıştır.
Transistörün Çalışma Prensibi

• Emetör, baz ve kollektör bölgelerinin

katkı yoğunlukları farklıdır.
• Emetör bölgesi en yoğun
katkılamanın yapıldığı bölgedir
(N≈1019). Baz bölgesi daha az
(N≈1017) kollektör bölgesi ise en az
katkılanır (N≈1015).
• Baz bölgesi genişliğinin L difüzyon
derinliğine göre kısa olması gerekir.
 Transistörün Çalışma Prensibi

• Baz bölgesine geçen elektronlar burada azınlık taşıyıcısıdırlar ve buradaki

çoğunluk taşıyıcısı olan deliklerle birleşmeye başlarlar ve kollektör tarafına
doğru gittikçe sayıları azalır.
• Fakat baz bölgesi genişliği çok kısa olduğundan ve baz bölgesindeki delik
yoğunluğu emetördeki elektron yoğunluğundan çok az olduğundan baz
bölgesine giren elektronlardan çoğu kollektör jonksiyonuna varmayı başarırlar.
• Buraya varan elektronlar kollektördeki pozitif potansiyelin yarattığı elektrik
alanı tarafından hızla kollektör tarafına doğru çekilirler ve burdaki çoğunluk
taşıyıcısı olan elektronlara katılarak kollektör akımını oluştururlar.
Transistörün Çalışma Prensibi

• Emetörden baz bölgesine geçen taşıyıcıların çoğu kollektör

bölgesine ulaştığından emetör akımı yaklaşık olarak kollektör
akımına eşittir.
• Baz bölgesinde deliklerle birleşen az sayıdaki elektronlar ise baz
akımını oluşturur. Bu durumda baz akımı kollektör akımına göre
çok küçüktür.
• Fakat öte yandan kollektör akımı bu küçük baz akımı ile doğru
orantılıdır ve baz akımı kollektör akımını kontrol eder.
Baz ve Kollektör Akımlarının Hesaplanması
 Baz ve Kollektör Akımlarının Hesaplanması

• Eğer baz bölgesi Ln difüzyon derinliğine göre büyük ise baz bölgesine giren bütün
elektronlar burdaki çoğunluk taşıyıcısı olan deliklerle birleşerek yok olur ve kollektör
akımı sıfır olur. Buna karşılık WB<< Ln ise difüzyonla gelen elektronların çok azı
deliklerle birleşir ve bunların %98 ila %99,8’i (bu miktar baz bölgesi katkı yoğunluğuna
ve WB/Ln oranına bağlıdır) kollektöre ulaşarak kollektör akımını oluşturur.
• Baz bölgesinde deliklerle birleşen elektronlar da baz akımını oluştururlar.

Bu durumda aşağıdaki bağıntılar yazılabilir.

IE = IB+IC

IC = IE − IB =αFIE ≈ IE
 Baz ve Kollektör Akımlarının Hesaplanması

• IB<<IE olduğundan bu eşitlikteki αF katsayısı (emetörden kollektöre akım kazancı)

birden küçük fakat bire çok yakın bir sayı olup değeri 0,980…0,998 arasında
değişir.
• IE = IB+IC Eşitliğinden baz akımının değeri hesaplanırsa buradan kollektör
akımı ile baz akımı arasındaki bağıntı aşağıdaki bulunur:
Bipolar jonksiyonlu tranzistör: Çalışma modları
•Doyma : Her iki jonksiyon da ileri yönde
kutuplanmıştır. Tranzistör doymadadır ve akımı
kontrol etmek zordur. Bu yüzden kullanışlı değildir.

•Kesim: Her iki jonksiyon da ters yönde

kutuplanmıştır. Tranzistör kesimdedir ve akım
akmaz. Bu da kullanışlı bir çalışma modu değildir.

•Aktif: Tranzistör kutuplamasında en yaygın

çalışma modudur. Baz-emiter jonksiyonu ileri
yönde kollektör-baz jonksiyonu ise ters
yönde kutuplanmıştır. Böylece baz gerilimi
ayarlanarak kollektör (veya emiter) akımı
kolaylıkla kontrol edilebilir.
Kutuplama E-B Jonksiyonu C-B
Modu Jonksiyonu
Doyma İleri yönde İleri yönde
Aktif İleri yönde Ters yönde

Kesim Ters yönde Ters yönde

Çalışma modları VBE ve VBC temel alınarak tanımlanır

 BJT’nin Giriş-Çıkış Karakteristikleri

Çıkış Karakteristiği Giriş Karakteristiği

BJTs – Akım & Gerilim İlişkileri
Çalışma modu: vBE ileri yönde & vBC ters yönde kutuplanmış (Aktif mod)
  v BE   𝑽 𝑪𝑬 >𝑽 𝑩𝑬
Shockley denklemi i E  I ES exp   1
  VT  
IES=doyma akımı (10-12-10-16A); VT=kT/q -termal gerilim (26mV)
Kirchhoff kanunu
iE  iC  iB

Kutuplama nasıl olursa olsun

doğrudur
Akım kazancı iC iE

iB
Kollektör ve baz akımları
arasındaki ilişki

• Karakteristik hemen hemen

doğrusaldır. Akım kazancı bağıntısı kutuplama
• Genellikle kollektör akımının nasıl olursa olsun doğrudur.
değeri baz akımından çok daha
fazladır. iC
• Tranzistör akım kazancı sağlar. 
iB
BJT yük doğrusu analizi

VBB/RB

vBB
Giriş çevrimi
VBB  RB i B  VBE

iB=0 iken VBE  VBB vBE=0 iken i B  VBB / RB

BJT yük doğrusu analizi

Çıkış çevrimi

VCC  RC iC  vCE
Örnek :
Aşağıda (a) verilen devreyi analiz ederek I C ve VC değerlerini bulunuz.
Tranzistör için aktif bölgede β = 100 ve |VBE| = 0.7V olarak alınız. (RC=5kΩ,
RE=7.07kΩ)
Örnek :
Aşağıda (a) verilen devreyi analiz ederek I C ve VE değerlerini bulunuz.
Tranzistör için aktif bölgede β = 100 ve |VBE| = 0.7V olarak alınız.
Transistörün Kesimde (Cutoff) Çalışması

• Her iki jonksiyonda ters kutuplanmıştır.

• <
• Transistör kesimdedir ve akım akmaz.
Transistörün Doymada (Saturation) Çalışması

• Her iki jonksiyonda geçirme yönünde

kutuplanmıştır.

•
• Transistör doymadadır.

= ise transistör doyma sınırındadır.

 BJT için DC kutuplama devreleri

• Çeşitli kutuplama devrelerinin çalışmasının

tanımlanması ve analizi:
– Baz kutuplama devreleri
– Gerilim bölücülü kutuplama devreleri
– Emiter kutuplama devreleri
– Kollektör geribeslemeli kutuplama devreleri
– emiter geribeslemeli kutuplama devreleri
BJT için DC kutuplama devreleri
KUTUPLAMA DEVRELERİ
1. Baz kutuplaması (sabit kutuplama, FİXED BİAS CİRCUİT).
Örnek
Şekildeki devre için DC yük doğrusunu çizerek çalışma noktasını (Q)
işaretleyiniz. Devrenin orta noktada kutuplanıp kutuplanmadığını belirleyiniz.
+8 V
VCC  0.7V 8V  0.7V
IB  
RB 360kΩ
RC  20.28μA
IC 2 k
RB I C  hFE I B  100  20.28μA 
360 k
 2.028mA
IB
hFE = 100 VCE  VCC  I C RC
 8V   2.028mA  2kΩ 
+0.7 V
IE  3.94V
VBE
Örnek +8 V

RC
I 2 k
RB C
360 k

IB

IC (mA) hFE = 100

+0.7 V
IE
VBE
4 VCC 8V
I C (sat )    4mA
RC 2kΩ
3

2 Q VCE off   VCC  8V

1 Devre orta noktada

kutuplanmıştır.
VCE (V)
2 4 6 8 10
(çalışma noktasının kayması)
Şekildeki devrede tranzistör T = 25 °C için hFE = 100, T = 100 °C için ise
hFE = 150 değerlerine sahiptir. Çalışma noktası IC ve VCE değerlerini her
iki sıcaklık değeri için belirleyiniz. VBE=0.7V
+8 V
Temp(°C) IB (mA) IC (mA) VCE (V)
25 20.28 2.028 3.94
100 20.28 3.04 1.92
RC
2 k IC (mA)
IC
RB
360 k 4

IB 3 Q(1000C)
hFE = 100 (T = 25C)
hFE = 150 (T = 100C) 2 Q (250C)

+0.7 V 1
IE
VBE VCE (V)
2 4 6 8 10
 Baz kutuplaması karakteristikleri.

Devrenin tanınması: Besleme (VCC) ile baz

VCC
arasında tek direnç (RB). Emiterde direnç
yok.

RC
IC
RB
Output
IB
Input Q1 Avantajları: devrenin basit olması.
Dezavantajları: Çalışma noktasının sıcaklık
+0.7 V değişimlerine bağımlı olması.
IE
VBE Uygulamalar: Anahtarlama devreleri.
 Baz kutuplaması karakteristikleri.

VCC

Yük doğrusu denklemleri:

VCC
Maksimum Ic I C (sat ) 
RC akımı RC
IC
RB VCE (off )  VCC
Output
IB
Input Q1
Çalışma noktası denklemleri:
VCC  VBE
+0.7 V
IE
IB 
VBE
RB
I C  hFE I B
VCE  VCC  I C RC
2. Gerilim bölücülü kutuplama (Voltage divider bias
circuit).
 1. Adım: Tüm kapasiteler açık devre olacak şekilde devre
yeniden düzenlenir:
+VCC

IC RC
I1 R1

IB
Output

Input
I2 R2
IE RE
2. Gerilim bölücülü kutuplama (Voltage divider bias circuit).
Gerilim bölücülü kutuplama devresinin kararlılığı
Gerilim bölücülü kutuplama devresinde çalışma noktasının hFE
bağımlılığı, baz kutuplamalı devreye göre daha azdır.
Örneğin, IE 10 mA iken, hFE 100 ile 300 arasında değiştiğinde
IE 10mA
At hFE  100, I B    100μA and I CQ  I E  I B  9.90mA
hFE  1 101
IE 10mA
At hFE  300, I B    33μA and I CQ  I E  I B  9.97mA
hFE  1 301 +10 V

Görüldüğü gibi hFE nin büyük değişimine

RC
rağmen ICQ çok az değişmektedir. I1
R1
IC
3 k
18 k

IB
hFE = 50

R2
I2 RE
4.7 k
1.1 k
IE
 Gerilim bölücülü devrenin karakteristikleri.

+VCC
Devrenin tanınması: Baz
devresindeki gerilim bölücü.

IC RC Avantajları: Devrenin
I1 R1 çalışma noktası hFE
değişimlerine duyarlı
IB
Output değildir (kararlıdır).
Dezavantajları: Kutuplama
Input devrelerinin çoğuna göre
daha fazla elemana ihtiyaç
I2 R2
IE RE duyar.
Uygulamalar: Birincil olarak
doğrusal kuvvetlendirileri
kutuplamak için kullanılır.
Örnek |VBE| = 0.7V
kabul edilmiştir
Şekildeki devrede ICQ ve VCEQ değerlerini bulunuz.
+10 V

R2
VB  VCC
R1  R2
RC 4.7kΩ
R1
IC
3 k
 10V   2.07V
I1 22.7kΩ
18 k
VE  VB  0.7V
IB  2.07V  0.7V  1.37V
hFE = 50
ICQ @ IE (veya hFE >> 1) olduğundan,

R2 VE 1.37V
I2 RE I CQ    1.25mA
4.7 k RE 1.1kΩ
1.1 k
IE
VCEQ  VCC  I CQ  RC  RE 
 10V  1.25mA  4.1kΩ   4.87V
 3. Emiter kutuplaması.
+VCC
Tranzistörün aktif bölgede
çalıştığı varsayılarak;
IC RC VEE  0.7V
IB 
RB   hFE  1 RE
IB I C  hFE I B
Output
Q1
I E   hFE  1 I B
Input
RB VCE  VCC  I C RC  I E RE  VEE
RE
IE
hFE >> 1 şartı ile,
VCE  VCC  I C  RC  RE   VEE
-VEE
Emiter kutuplama devresi için yük doğrusu

VCE  VCC  I C  RC  RE   VEE

IC
VCC  (VEE ) VCC  VEE
I C (sat )  
RC  RE RC  RE
IC(sat)
VCE ( off )  VCC   VEE   VCC  VEE

VCE(off)

VCE
Emiter kutuplaması karakteristikleri.

+VCC
Devrenin tanınması: Simetrik
(pozitif ve negatif) besleme
kaynağı ve toprağa bağlı baz
IC RC direnci.

Avantajları: Devrenin çalışma

IB noktası hFE değişimlerine duyarlı
Output değildir (kararlıdır).
Q1
Dezavantajları: Simetrik (pozitif
Input
ve negatif) besleme kaynağına
RB ihtiyaç duyması.
RE
IE Uygulamalar: Birincil olarak
doğrusal kuvvetlendirileri
kutuplamak için kullanılır.
-VEE
Emiter kutuplaması karakteristikleri.

+VCC
Yük doğrusu denklemleri:
VCC  VEE
I C (sat ) 
IC RC RC  RE
VCE (off )  VCC  VEE
IB
Output Çalışma noktası denklemleri:
Q1
VBE  VEE
Input I CQ   hFE 
RB
RB   hFE  1 RE
IE
RE VCEQ  VCC  I CQ  RC  RE   VEE

-VEE
 Örnek Şekildeki kuvvetlendirici için ICQ ve VCEQ değerlerini
bulunuz.

+12 V
12V  0.7V
IB 
RB  (hFE  1) RE
RC 11.3V
IC   37.47μA
750 100Ω+2011.5kΩ
I CQ  hFE I B  200  37.47μA
IB  7.49mA
Q1 Output
hFE = 200 VCEQ  VCC  I C  RC  RE   (VEE )
Input  24V  7.49mA  750Ω  1.5kΩ 
RB
100 RE  7.14V
IE 1.5k

-12 V
4. Kollektör geribeslemeli kutuplama.

+VCC VCC   I C  I B  RC  I B RB  VBE

VCC  VBE
IB 
(hFE  1) RC  RB
RC
I CQ  hFE I B
RB
VCEQ  VCC   hFE  1 I B RC
IC
IB  VCC  I CQ RC

IE
Örnek
Şekildeki kuvvetlendirici için ICQ ve VCEQ
değerlerini bulunuz.
+10 V

VCC  VBE
IB 
RC RB   hFE  1 RC
1.5 k
10V  0.7V
RB   28.05μA
180kΩ  1011.5kΩ
180 k I CQ  hFE I B  100  28.05μA

hFE = 100  2.805mA

VCEQ  VCC  (hFE  1) I B RC
 10V  101 28.05μA 1.5kΩ
 5.75V 47
Kollektör geribeslemeli kutuplama devresinin
kararlılığı

+VCC hFE artar

IC artar (IB aynı değerde iken)

RC
RB VCE azalır

IC
IB IB azalır

IE
IC çok fazla artmaz.
Kararlılığı iyidir. hFE ve sıcaklık
değişimlerine duyarlılık azdır.
Kollektör geribeslemeli kutuplama
karakteristikleri

+VCC
Devrenin tanınması: Baz ve
kollektör arasına bağlanmış
baz direnci.
RC
RB Avantajları: Nispeten kararlı
çalışma noktasına sahip basit
IC bir kutuplama devresi olması.
IB
Dezavantajları: Nispeten
zayıf (kötü) AC karakteristik.
IE Uygulamalar: Birincil olarak
doğrusal kuvvetlendirileri
kutuplamak için kullanılır.
5. Emiter Geribeslemeli kutuplama (Emitter Stabilized Bias Circuit)
5. Emiter geribeslemeli kutuplama.

+VCC VCC  VBE

IB 
RB   hFE  1 RE

I CQ  hFE I B
RB RC
IC

I E   hFE  1 I B
IB

VCEQ  VCC  I C RC  I E RE
 VCC  I CQ  RC  RE 
IE RE
Örnek

+VCC
VCC  VBE 16V  0.7V
IB  
RB   hFE  1 RE 680kΩ  51 1.6kΩ
 20.09μA
RB RC I CQ  hFE I B  50  20.09μA  1mA
680k 6.2k
VCEQ  VCC  I CQ  RC  RE 
 16V  1mA 7.8kΩ   8.2V
hFE = 50

RE
1.6k
Emiter geribeslemeli kutuplama devresinin
kararlılığı

hFE artar
+VCC

IC artar (IB aynı değerde iken)

RB RC VE artar
IC

IB IB azalır

IC çok fazla artmaz.

IE RE Kararlılığı iyidir. IC değerinin hFE
ve sıcaklık değişimlerine
duyarlığı azdır.
Emiter geribeslemeli kutuplama karakteristikleri

Devrenin tanınması: Gerilim

+VCC bölücülü kutuplama devresine
benzer ancak R2 direnci
eksiktir (ya da RE eklenmiş
baz kutuplama devresi).
Avantajları: Nispeten kararlı
RB RC
IC çalışma noktasına sahip basit
bir kutuplama devresi olması.
IB Dezavantajları: Kollektör
geribeslemeli kutuplama
devresine göre daha fazla
elemana ihtiyaç duyar.
IE RE Uygulamalar: Birincil olarak
doğrusal kuvvetlendirileri
kutuplamak için kullanılır.
Emiter geribeslemeli kutuplama karakteristikleri

+VCC
Çalışma noktası bağıntıları:

VCC  VBE
IB 
RB  (hFE  1) RE
RB RC
IC
I CQ  hFE I B

IB
VCEQ  VCC  I CQ  RC  RE 

IE RE
Kutuplama Kararlılığının Artırılması
a) BJT biased using a constant-current source IBIAS b) Circuit for implementation the current source IBIAS
Find the value of β?