第3章 通信用光器件

3.1 光源
3.2 光检测器
3.3 光无源器件
 通信用光器件
 有源器件：
发光器件：激光二极管 (LD) 、发光二极管 (LED)
光接收器件：光电二极管： PIN 、 APD
光放大器： EDFA 、 SOA 、 FRA 、 FBA
—— 光发射、接收、中继的关键器件，决定光纤传输
系统的水平
 无源器件：
光纤连接器、光纤耦合器、光开关、光隔离器、光
调制器、光波分复用器、光衰减器、光环行器、光
波长转换器、偏振控制器。
—— 系统构成、功能扩展、性能提高。
 光源
 光源是光发射机的关键部件。
 功能：将电信号转换为光信号。

 通信用光源种类：

半导体激光二极管 (LD: Laser Diode)

发光二极管 (LED: Light Emission Diode)
固体激光器
 3.1 光源
 发光及激光器基础知识
 半导体激光器工作原理和基本结构

 半导体激光器的主要特征
 分布反馈激光器
 发光二极管
 半导体光源一般性能和应用
 发光与激光器基础知识
 发光机理：电子跃迁
E∞
E5 第四激发态
E4 第三激发态
E3 第二激发态

E2 第一激发态

E1 基态
 发光与激光器基础知识
玻尔条件：
 受激辐射 hf=E2-E1
电子在基态和激发态之间的跃迁方式： h=6.628×10-34J·s
受激吸收： 自发辐射： f ：光子频率
E2 E2
hf hf

E1 E1
受激辐射：
受激辐射：辐射光频率、相位、偏振态
E2 和传播方向与入射激励光同——相干光
hf hf
自发辐射：辐射光频率和方向有一定范
E1 围，相位偏振态混乱——非相干光
 发光与激光器基础知识
 粒子数反转分布
E1 粒子数： N1 ； E2 粒子数： N2
N2 E2  E1
 exp( )
热平衡状态的粒子数分布： N1 kT

k=1.38×10-23J/K ，玻尔兹曼常数
∵E2>E1, ∴N1>N2—— 电子首先占据低能级轨道

N2>N1 时，受激辐射 > 受激吸收，光放大，激活物质；

N2<N1 时，受激辐射 < 受激吸收，光衰减，吸收物质；
N2>N1 ，称粒子数反转。
如何实现粒子数反转？——光照，外加电场，进行电流激励。
激光振荡和光学谐振腔

反射镜 光的振幅 反射镜

光 初
强 始 光
位
置

输出

2n
L O X L

(a) (b)

图 3.4 激光器的构成和工作原理
(a) 激光振荡； (b) 光反馈
激光振荡和光学谐振腔

 激光振荡阈值条件：
损耗：激活物质吸收；反射镜的散射与透射。
增益与损耗平衡：稳定激光振荡。

1 1 增益系数定义为
dI
 th    ln 传输单位距离光 
2 L R1 R2 强的相对增量 Idz
 2nL
 激光振荡相位条件： L  q 或 
2n q
真空中
L 为介质中激光传播 波长 纵模模数
波长的 1/2 的整数倍
1、2、
3
 PN 结的能带和电子分布
 PN 结的能带和电子分布
半导体：原子呈周期性排列于空间，构成一定的晶格。
外层电子：共有化电子，其运动为共有化运动。
由于原子距离的减小，原子能级扩展为连续能带，
电子共有化程度越高，能带越宽。
允带：所有能带。
能量 导带
禁带：相邻能带之间的空隙。
Ec
价带：能量低的能带，价带顶能量为 Ev ； Eg/2
导带：能量高的能带，导带底能量为 Ec ； Eg Ef
Eg/2
禁带宽度： Eg=Ec-Ev Ev
价带
本征半导体
 PN 结的能带和电子分布
 本征半导体

+4 +4
Si
+4 +4
 PN 结的能带和电子分布
 本征半导体
T=0K( 绝对 0 度 ) ，价电子完全被共价键束缚，没有自由载流子，
导电能力为 0 ，是绝缘体；
T=293K( 常温 ) ，部分价电子脱离共价键，形成自由电子，同时
共价键上留下一个空位：空穴。
由热激发出现的自由电子与空穴成对出现，称电子空穴对；游离
的自由电子也可能回到空穴，称电子空穴复合。

+4 +4

+4 +4
 PN 结的能带和电子分布
 本征半导体特性：
• 两种载流子，自由电子和空穴数量相等。
• 温度越高，载流子的浓度越高，因此本征半导体的导
电能力越强。
 掺杂半导体：在本征半导体中掺入某些微量杂质，就
会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂
半导体的某种载流子浓度大大增加。
 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的掺杂半导体；
 P 型半导体：空穴浓度大大增加的掺杂半导体；
 PN 结的能带和电子分布

热平衡状态下： 1
p( E ) 
E 能级被电子占据 E  Ef
1  exp( )
的概率 ( 费米分布 ) ： kT

Ef ，费米能级，描述能级被电子占
据的状态。
本征半导体： Ef 在禁带中心；
N 型半导体： Ef 移向导带；
P 型半导体： Ef 移向价带；
 Recombination between Electrons and Holes

 The occupation probability for

electrons in the conduction and
valence bands( 价带 ) is given by the
Fermi-Dirac distributions
respectively:

f c ( E2 )  {1  exp[( E2  E fc ) / k BT ]}1
f v ( E1 )  {1  exp[( E1  E fv ) / k BT ]}1

Efc, Efv are the Fermi levels in conduction

band and valence band, respectively

f c ( E fc )  1/ 2 fv ( E fv )  1/ 2
• Conduction and valence
bands of a semiconductor.

Chapter 2 SOEI, HUST

 3.2.2 P-N Junctions

1. Type of Semiconductor
 Intrinsic semiconductor 本征半导体 :
undoped 无 掺 杂 的 , Fermi level is lying in
the middle of the bandgap.

 n-type semiconductor:
Fermi level moves toward the conduction
band as the dopant concentration increases.

 p-type semiconductor:
Fermi level moves toward the valence band
as the dopant concentration increases.

Chapter 2 SOEI, HUST

 PN 结的能带和电子分布
 不同类型半导体能带和电子分布
ÄÜÁ¿ µ¼´ø
Ec Ec Ec
E g /2 Ef
Eg Ef Eg Eg
E g /2 Ef
Ev Ev Ev
¼Û´ø

(a ) (b ) (c )
本征半导体 N 型半导体 P 型半导体
Ef ，费米能级，描述能级被电子占
热平衡状态下： 1 据的状态。
p( E ) 
E 能级被电子占据 E  Ef 本征半导体： Ef 在禁带中心；
1  exp( )
的概率 ( 费米分 kT N 型半导体： Ef 移向导带；
布)： P 型半导体： Ef 移向价带；
PN 结的能带和电子分布
P 型和 N 型半导体—— PN 结；
PN 结界面载流子梯度——多数载流子扩散——内部电场
载流子在内部电场作用下——反向漂移。
扩散与漂移达到平衡，N区与P区费米能级Ef相等。
PN 结正向偏置，形成粒子数反转。
PN 结的能带和电子分布
增益区的产生：

在 PN 结上施加正向电压，扩散增强。电子运
动方向与电场方向相反，便使 N 区的电子向 P 区运动，
P 区的空穴向 N 区运动，最后在 PN 结形成一个特殊
的增益区。
增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，
结果获得粒子数反转分布。

在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以
跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光。
能量
E pc En
c
势垒
P区
E
f
N区
Ep En
v v

零偏压时 P - N 结的能带倾斜图；
内电场越强，就使漂移
运动越强，而漂移使空
间电荷区变薄。 漂移运动

P 型半导体 N 型半导体
内电场 E

－ － － － － － + + + + + +
－ － － － － － + + + + + +
－ － － － － － + + + + + +
－ － － － － － + + + + + +

扩散的结果是使空间
空间电荷区， 电荷区逐渐加宽，空
也称耗尽层。 扩散运动 间电荷区越宽。
PN 结正向偏置 P 区加正、 N 区加负电压。

变薄
内电场被削弱，多子
的扩散加强能够形成
－ +
较大的扩散电流。
－ + _
+
P － + N
－ +

内电场
外电场
R E
 增益区

E pc
E n
c
hf E n
hf f
E pf
E pv
E nv

内部电场
外加电场
电子， 空穴

正向偏压下 P - N 结能带图

获得粒子数反转分布
 DH 激光器工作原理：
限制层帯隙 > 有源层帯隙，正向偏压使 P 空穴和 N
电子注入有源层；
限制层帯隙 > 有源层帯隙，注入有源层的空穴和电
子不扩散，而形成粒子数反转；只要很小的外加电
场就获得大浓度电子和空穴，可提高效益；
有源层折射率比限制层高，激光被限制在有源区，
电 / 光转换效率高；输出激光阈值电流很低，小散
热体可实现室温运行。
 半导体激光器的主要特征
 发射波长和光谱特性
 激光束的空间分布

 转换效率和输出光功率
 频率特性
 温度特性
 发射波长和光谱特性
 发射波长：决定于电子跃迁释放能量，近似为禁带宽度。

hc 1.24
hf  Eg (eV )   m
Eg Eg (eV)

h=6.628×10-34J·s, c=3×108, 1eV=1.6×10-19J

波长 λ 由禁带宽度 Eg 决定：
GaAlAs-GaAs—0.85μm ； InGaAsP-InP—1.3~1.55 μm
发射波长和光谱特性
GaAlAs-DH 激光器的光谱特性。

在直流驱动下，光谱具有模式结构
—— 振荡波长要符合相位条件；

驱动电流增大，纵模数量减小，谱线宽度变窄；
—— 谐振腔选频选向的结果，使边摸消失，主模加强；
驱动电流足够大时，可实现单纵模输出。 ( 静态单纵模 )

数字调制光谱特性：调制电流增大，纵模数增多，谱线
宽度变宽。
 830 828 Im/mA

I=100mA
Po=10mW
40
832 830 828

I=85mA
35
Po=6mW

832 830 828 826

30

I= 8 0mA
Po=4mW
25
832 830 828 826 824
L=250μm
W=12 μm I=75mA
T=300K Po=2.3mW

0
836 834 832 830 828 826 824 822 820 799 800 801 802
(a) (b)
图 3.7 GaAlAs-DH 激光器的光谱特性
(a) 直流驱动 ; (b) 300 Mb/s 数字调制
 激光束的空间分布

 描述：近场和远场
 近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布；
 远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布。
 决定因素：谐振腔的横向尺寸，即 PN 结平面宽度 w ，
和垂直厚度 t 。——远场进场
图称激光横模。
 变化规律：
谐振腔宽度 w ，宽——窄：多横模—单横模；
谐振腔厚度 t 很小，该方向为单横模。
 W £½10 m

20 m

20 m

30 m

30 m

50 m

10 m 0.1rad
½ü³¡Í¼Ñù Ô¶³¡Í¼Ñù

图 3.8 GaAlAs-DH 条形激光器的近场和远场图样

典型半导体激光器的远场辐射特性，图中 θ‖ 和 θ⊥ 分别为平行于
结平面和垂直于结平面的辐射角，整个光束的横截面呈椭圆形。

1.0
T £½300 K
Ïà¶Ô¹âÇ¿ 0.8

0.6 ¡Í
¡Î
0.4
0.2

0
80 60 40 20 0 20 40 60 80
·øÉä½Ç(¶È)
(a )

¡Í

¡Î

(b )
3.-9 典型半导体激光器的远场辐射特性和远场图样
(a) 光强的角分布； (b) 辐射光束
 转换效率和输出光功率特性
 电光转换效率：阈值电流以上，每对复合载流子产生的光子数。
( 表示：外微分量子效率 ηd)

( P  Pth ) / hf P e d hf
d   P  Pth  ( I  Ith )
( I  I th ) / e I hf e

图 3.10 是典型激光器的光功率特性曲线。
当 I<Ith 时激光器发出的是自发辐射光；

当 I>Ith 时，发出的是受激辐射光，光功率随驱动电
流的增加而增加。
 3.5
10

P / mW
3.0 9
2.5 8
P / mW

7
2.0

µ¥ÃæÊä³ö¹¦ ÂÊ
6
1.5 5
Êä³ö¹¦ ÂÊ

4
1.0 3
0.5 2
1
0 0
0 50 I th100 150 0 20 40 60 80
¹¤×÷µçÁ÷I / mA ¹¤×÷µçÁ÷I / mA
(a) (b)
图 4.10 典型半导体激光器的光功率特性
(a) 短波长 AlGaAs/GaAs (b) 长波长 InGaAsP/InP
 频率特性
 在直接光强调制下， 激光器输出光功率 P 和调制频率 f
的关系为：
P(0)
P( f ) 
[1  ( f / f r ) 2 ]2  4 2 ( f / f r )2

1 1 I0  I 
fr  (  1)
2  sp ph I th  I 

分别称 fr ：弛豫频率； ξ 和阻尼因子 ;

Ith ：阈值电流； I0 ：偏置电流； I’ ：零增益电流；

τsp 为有源区内的电子寿命， τph 为谐振腔内的光子寿命。

直接调制频率特性：弛豫频率 fr 是调制频率的上限，
fr 为 1~2 GHz 。在接近 fr 处，数字调制要产生弛豫
振荡，模拟调制要产生非线性失真。

100
Ïà¶Ô¹â¹¦ÂÊ

10

0.1
0.01 0.1 1 fr 10
µ÷ÖÆƵÂÊf / GHz

图 4.11 半导体激光器的直接调制频率特性
 温度特性
 激光器输出功率随温度变化：
激光器的阈值电流 Ith 随温度升高而增大；
外微分量子效率 ηd 随温度升高而减小；
——Ith 增大， ηd 减小， 输出光功率明显下降，达到一定温度时，激光器
就不激射了。
 直流驱动：阈值电流随温度的变化更加严重；
 脉冲调制：阈值电流随温度呈指数变化，在一定温度范围内，可以表示为

I th  I 0 exp(T / T0 )
T0 ：材料的特征温度； GaAlAs –GaAs 激光器 T0=100~150 K
InGaAsP-InP 激光器 T0=40~70 K
所以：长波长 InGaAsP-InP 激光器输出光功率对温度的变化更加敏感。

外微分量子效率随温度的变化不十分敏感。
 温度升高引起阈值电流增加和外微分量子效率减小，造成
的输出光功率特性 P - I 曲线的变化。
P / mW

1 不激射

0
50 100 I / mA
图 3.12 P - I 曲线随温度的变化
 分布反馈半导体激光器
 分布反馈半导体激光器是一种可以产生动态控
制的单纵模激光器，即在高速调制下仍然能单
纵模工作的半导体激光器。
 它是在异质结激光器具有光放大作用的有源层
附近，刻有波纹状的周期光栅而构成的。
 这种激光器又可分为分布反馈激光器
（ DFB ）及分布布拉格反射激光器两种，这
两种激光器的工作原理都是基于布拉格反射原
理。
 布拉格反射是指当光波入射到两种不同介质的
交界面时，能够产生周期性的反射，把这种反
射称为布拉格反射。
—— 分布反馈激光器 (Distributed Feed-back, DFB)
—— 分布布拉格（ Bragg ）反射激光器 (DBR)
分布反馈半导体激光器
1 ． DFB 激光器
 在普通的半导体激光器中，利用在激活
物质两端的反射镜来实现光反馈。而在
DFB 激光器中，是通过腔体内的周期光
栅来实现的。

55
 分布反馈激光器
 反馈方式：在有源区沿谐振腔方向制作周期性
结构的衍射光栅

ÑÜÉä¹âÕ¤ ¡Ä
N²ã ¹âÕ¤

b a
P²ã

ÓÐÔ´²ã ÓÐÔ´²ã
Êä³ö¹â
(a ) (b )
 分布反馈半导体激光器
2 ． DBR 激光器
 DBR 激光器是将光栅刻在有源区的外面。

 它相当于在有源区的一侧或两侧加了一段分布
式布拉格反射器，起着衍射光栅的作用，因此
可以将它看成是端面反射率随波长变化而变化
的特殊激光器。
 DBR 激光器的特点和工作特性与 DFB 激光器
类似。但其阈值电流要比 DFB 激光器的阈值
电流高。

57
 DBR 半导体激光器的结构

58
分布反馈半导体激光器
λ B ：真空中的布拉格波长
B
m ne ：有源层折射率
2ne m ：布拉格衍射级次

对于波长为 1.55um 的激光器，可以计算出 m=1 ， n=3.4

时，
光栅周期 Λ ：
  0.23m
 分布反馈半导体激光器
 DFB 激光器与 F-P 激光器相比的优点：
单纵模激光器——可使 Λ 很小，只支持单纵模
光谱宽度窄，波长稳定性好——多级调谐，提高波长选择
动态谱特性好——高速调制时也能保持单模特性
线性度好——普遍应用于有线电视的光纤传输系统
 量子阱半导体激光器
 量子阱激光器与一般双异质结激光器类似，只
是有源区的厚度很薄，属于双异质结器件。
 理论分析表明，当有源区的厚度非常小时，则
在有源层与两边相邻层的能带将出现不连续现
象，在有源区的异质结将产生一个势能阱，因
此将产生这种量子效应的激光器称为量子阱半
导体激光器。
 结构中这种“阱”的作用使得电子和空穴被限
制在极薄的有源区内，因此有源区内粒子数反
转分布的浓度很高。
 量子阱半导体激光器还可分为单量子阱和多量
子阱激光器。
61
 量子阱半导体激光器
 量子阱半导体激光器

62
63
发光二极管（ LED ）
1 ． LED 的工作原理
发光二极管（ LED ）是非相干光源，是无阈值器件，
它的基本工作原理是自发辐射。
发光二极管与半导体激光器差别是：发光二极管没有光
学谐振腔，不能形成激光。仅限于自发辐射，所发出的是荧
光，是非相干光。半导体激光器是受激辐射，发出的是相干
光。
 2 ． LED 的结构
LED 也多采用双异质结芯片，不同的是 LED 没有解理面，
即没有光学谐振腔。由于不是激光振荡，所以没有阈值。
LED 分为两大类：一类是面发光型 LED ，另一类是边发光
型 LED ，其结构示意图如图所示。

图 常用的两类发光二极管（ LED ）
 发光二极管 (LED)—— 工作特性
 光谱特性： LED 光谱特性
谱线宽——无谐振腔，没有选频
短波长 LED ， Δλ =30 ～
Δλ=70 nm

相对光强
50nm ；
长波长 LED ， Δλ=60 ～
120nm ；
 温度特性：
T↑ ，驱动电流就↑；光谱加宽；
1300 波长/ nm
峰值移向长波方向 ;
移动幅度： 0.2~0.3nm/℃( 短
波)，
发光二极管 (LED)—— 工作特性
 光束的空间分布：
垂直于发光面上，正面发光 LED 辐射图呈郎伯分布。

P ( )  P0 cos  半功率点
辐射角

正面发光 LED ： θ=120° ；

侧面发光 LED ： θ||=120°, θ⊥=25°~35° 。
—— 由于 θ 越大，与光纤的耦合效率越低。
——LED 与光纤的耦合效率一般小于 10% 。

λ=1.3μm ，输出功率： 1 ～ 5mW ，入纤功率为， 0.1~0.3mW

λ=1.55μm ，输出功率： 1 ～ 3mW ，入纤功率为， 0.1~0.2mW
 发光二极管 (LED)—— 工作特性
 输出光功率特性：
原理：由正向偏置电压产生的注入电流进行自发辐射而发光。
输出光子数 << 有源层产生光子数，外微分量子效率 ηd<10% 。

15
 线性区：驱动电流 I 较小
发射功率 P / mW

时， P-I 线性较好；
10 正面发光
 非线性区： I 过大时， PN
结发热产生饱和， P-I 曲
5 侧面发光 线斜率减小，发光效率降低。

0
工作区域：非饱和线性区域
0 100 200 300 400 500
电流 I / mA
LED 的 P-I 特
 发光二极管 (LED)—— 工作特性
 输出光功率特性： LED 的 P-I 特性曲线：

 P-I 曲线与温度的关系：
4

0℃ I 相同， T↑ ， P↓ ， ηd ↓ ；
3

输  线性区：作为通信的有益载体
出 25℃
电信号→
2

功
率 光信号
70℃
1 0
/ mW

 超饱和区： I ↑ ，非辐射复合增
加， ηd ↓ ，发光效率降低。
在通常工作条件下， LED 工作
50 100 150 电流为 50 ～ 100mA ， 输出光功
率为几 mW ，由于光束辐射角
电流 /mA 大，入纤光功率只有几百 μW 。
 发光二极管 (LED)—— 工作特性
 频率特性： LED 的频率响应

调制频率较低。在一般工作条件下，面发光型 LED 截止频

率为 20MHz ～ 30MHz ，边发光型 LED 截止频率为 100MHz
～ 150MHz 。
比较： LED 与 LD 相比， LED 输出光功率较小，谱
线宽度较宽，调制频率较低。但 LED 性能稳定，寿命长，
使用简单，输出光功率线性范围宽，而且制造工艺简单，价
格低廉。
 半导体光源一般性能和应用
表 3.1 半导体激光器 (LD) 和发光二极管 (LED) 的一般
性能
LD LED
工作波长  / m 1.3 1.55 1.3 1.55
谱线宽度  / nm 1~2 1~3 50~100 60~120
阈值电流 Ith/mA 20~30 30~60
工作电流 I/mA 100~150 100~150
输出功率 P/mW 5~10 5~10 1~5 1~3
入纤功率 P/mW 1~3 1~3 0.1~0.3 0.1~0.2
调制带宽 B/MHz 500~2000 500~1000 50~150 30~100
辐射角  /() 20×50 20×50 30×120 30×120
寿命 t/h 106 ~ 107 105 ~ 106 108 107
工作温度 /°C -20×50 -20×50 -20×50 -20×50
 半导体光源一般性能和应用
表 3.2 分布反馈激光器 (DFB - LD) 一般性能

工作波长  / μm 1.3 1.55

谱线宽度  /nm
连续波单纵模 104 ~ 103
直接调制单纵模 0.04~0.5(Gb/s,RZ)
边模抑制比 /dB 30~35
频谱漂移 /(nm/ºC) <0.08
阈值电流 Ith/mA 15~20 20~30
外量子效率  d /% 20 15
输出功率 P/mW ( 连续单纵模 ,25ºC) 20~40 15~30
 半导体光源一般性能和应用
 LED ：光纤——多模光纤
波长： 1.3 μm( 或 0.85 μm)
系统：小容量短距离系统。接入网，本地网 (Rb<2.5
Gbit/s)
——LED 发光面积和光束辐射角较大， 而多模 SIF 光纤或 G.651 规范的多模
GIF 光纤具有较大的芯径和数值孔径，可提高耦合效率，增加入纤功率。
 LD ：光纤：单模光纤（ G.652 或 G.653 ）
波长： 1.3 μm 或 1.55 μm
系统：大容量长距离系统。城域网 (Rb<2.5~10Gbit/s)
 分布反馈激光器 (DFB - LD) ：
光纤：单模光纤 (G.653 、 G.654 或特殊单模光纤 )
波长： 1.55 μm
系统：超大容量的新型光纤系统。干线网
本章问题（一）：
1. 半导体激光器产生激光的原理和条件。
2. 激光器起振的阈值条件是什么？
3. 激光器起振的相位条件是什么？
4. 实际使用中为什么总是用热电致冷器对激光器进
行冷却和温度控制？
5. 半导体激光器的基本特性有哪些？
6. 简述 DFB 激光器的工作原理。
7. LED 和 LD 的主要区别是什么？
8. LED 是阈值器件吗？