Chế tạo màng mỏng thông qua phương pháp

lắng đọng hơi hóa học tăng cường bằng Plasma

Giảng viên hướng dẫn: PGS. TS. Nguyễn Công Tú

Sinh viên thực hiện: Nguyễn Văn Việt
Mã số sinh viên: 20196475
1. Giới thiệu

2. So sánh PECVD và CVD thông thường

3. Phân loại các lò phản ứng PECVD

4. Các ứng dụng của PECVD

5. Kết luận

3
1. Giới thiệu

• Lắng đọng hơi hóa học tăng

cường Plasma (PECVD) là quy
trình lắng đọng màng mỏng chân
không ở nhiệt độ thấp (<0,1
Torr).
• Plasma đóng vai trò làm tăng
quá trình phân ly của chất khí
phản ứng.

Lò phản ứng lắng đọng hóa học tăng cường Plasma

https://www.semicore.com/news/118-what-is-plasma-enhanced-
chemical-vapor-deposition-pecvd 4
Mô hình của phương pháp

Chất nền được đặt trong buồng lắng Các khí tiền chất thuờng được trộn với
đọng giữa 2 điện cực song song và Bơm chân không các khí trơ như Argon (Ar) hoặc Nito
được làm nóng từ 250 - 350C. ()

Plasma được đốt cháy bằng cách

Hấp thụ trên bề mặt chất nề để phát Xảy ra phản ứng hóa phóng điện (100 – 300eV) giữa các
triển màng. học điện cực

https://www.semicore.com/news/118-what-is-plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition-pecvd
http://www.erct.com/2-ThoVan/TTriNang/PECVD-072013.htm

Duy Phong Pham a , Hongrae Kim a , Jiwon Choi a , Donghyun Oh a , Yung-Bin Chung b , Woo-Seok Jeon b , Jungyun Jo b , Vinh-Ai Dao c , Suresh Kumar Dhungel d ,
Junsin Yi d,* 5
Mô hình của phương pháp

Quy trình tạo màng của phương pháp Mô hình của hệ thống PECVD

https://www.semicore.com/news/118-what-is-plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition-pecvd
http://www.erct.com/2-ThoVan/TTriNang/PECVD-072013.htm
6
2. So sánh với CVD thông thuờng

• Nhiệt độ lắng đọng thấp hơn, độ phù hợp tốt và độ phủ bước trên các bề
mặt không bằng phẳng.
• Tạo ra ít ứng suất hơn giữa các lớp màng mỏng có hệ số giãn nở/ co rút
nhiệt khác nhau.
• Thay đổi thông số Plasma có thể đạt được sự kiểm soát tuyệt vời các tính
chất vật liệu.
• Có thể tạo ra màng các màng có khả năng chống ăn mòn và dung môi
cao.
• Sử dụng các điện cực nằm ngoài buồng phản ứng nên tương đối không có
chất gây ô nhiễm.

7
3. Phân loại các lò phản ứng PECVD

• Các lò phản ứng sử dụng

phương pháp Plasma ghép
điện dung được gọi là lò
phản ứng PECVD trực tiếp vì
Plasma được tạo ra tiếp xúc
trực tiếp với chất nền đặt
gắn vào một trong các điện
cực trong buồng lắng đọng.

Hệ thống PECVD do Trung Quốc sản xuất

https://www.scientek-co.com
8
3.1 Lò phản ứng dạng tấm song song - Reinberg

• Lò phản ứng Reinberg được sử dụng rất phổ biến cho PECVD

Cấu trúc của lò phản ứng dạng điện cực song song

Nang Tran, Thin Film Technologies, University of Sciences, 2010

M. J. Rand, J. Vac. Sci. Technol. 16(2), 420 (1979). Reprinted with permission. 9
3.2 Lò phản ứng vi ba cộng hưởng cyclotron (Electron cyclotron resonance reactor)

• Dùng nguồn ERC để tạo Plasma với mật độ Plasma

cao.
• Plasma được tạo ra do sự cộng hưởng của vi ba và hạt
electron trong từ trường.
• Được dùng để đắp những khe hở có tỉ lệ co cao bằng
cách cân bằng tốc độ lắng đọng với tốc độ khắc trong
lúc tạo phản ứng, đồng thời tạo và khắc mòn màng
mỏng cùng lúc.
• Plasma được tạo ở một buồng riêng biệt và được dẫn
đến buồng phản ứng do hệ thống từ trường.
• Mật độ Plasma cao: - (ion/ ở áp suất 1-10 (milliTorr)
nên tấm wafer được làm lạnh với helium.

Quy trình bao phủ/ khắc màng mỏng trong hệ thống cao
mật độ PECVD

Nang Tran, Thin Film Technologies, University of Sciences, 2010.

10
3.4 Lò phản ứng đơn

• Gồm 4 phòng phản ứng riêng biệt.

• Mỗi phòng kết nối với một phòng thiết bị trung
ương.
• Phòng thiết bị trung ương dùng để chất và đỡ các
tấm wafer mà không cần thay đổi độ chân không.
• Có thiết bị rửa sạch phòng chứa bàng Plasma
hoặc rửa các tấm wafer trước mỗi lần phủ.

Sơ đồ của hệ thống PECVD cụm với nhiều

lò phản ứng
Nang Tran, Thin Film Technologies, University of Sciences, 2010.
11
3.5 PECVD sử dụng nguồn kéo đẩy Plasma (Plasma VHF)

• Sử dụng nguồn Plasma tần số rất cao

(VHF) để tăng cường các đặc tính của
màng.
• Thường được ứng dụng cho việc chế tạo
màng mỏng Silicon Nitride.
• Plasma đẩy kéo đa khối để giúp thu được
Plasma mật độ cao đồng nhất và ổn định.

Hệ thống VHF được trang bị nguồn Plasma kéo đẩy

Ki Seok Kim, Ki Hyun Kim, You Jin Ji, Jin Woo Park, Jae Hee Shin, Albert Rogers Ellingboe & Geun Young Yeom
12
Cấu tạo nguồn Plasma kéo đẩy

• Nguồn Plasma kéo đẩy nhiều ô

bao gồm các cặp điện cực.
• Mỗi cặp điện cực gồm 2 điện cực
nguồn hình chữ nhật được kết
nối với bộ chia nguồn và được
cấp nguồn bằng nhau, bằng bộ
chia công suất với máy phát
VHF.

Hệ thống kéo đẩy Plasma VHF

You Jin Jia,1 , Ki Seok Kima,b,1 , Ki Hyun Kima , Albert Rogers Ellingboec , Geun Young Yeom
13
4. Các ứng dụng của phương pháp
Chế tạo lớp phủ lên vật liệu bán dẫn:

• Các khí tiền chất như Silan (, Cacbonic ( và Oxit Nito (O) .
• Làm sạch phiến sau và ngâm trong axit flohydric 10% - loại bỏ lớp oxit tự nhiên.
• Khí Argon được đưa vào Plasma để tăng khả năng phân ly khí

Các phương trình hóa học xảy ra trong quá trình tạo màng:

- + H + CO + O - + CO + O +

2( + ) -> 2( + CO + O) -> + 2CO + -> O

In-situ PECVD-based stoichiometric SiO2 layer for semiconductor devices Duy Phong Pham a , Hongrae Kim a , Jiwon Choi a , Donghyun Oh a , Yung-Bin Chung
b , Woo-Seok Jeon b , Jungyun Jo b , Vinh-Ai Dao c , Suresh Kumar Dhungel d , Junsin Yi d, 14
4.1 Chế tạo lớp SiO2

A B

Minh họa sự phân ly tiền chất trong quá trình PECVD

A) Khí tiền chất
B) Khi khí Argon được đưa vào để tăng khả năng phân ly

In-situ PECVD-based stoichiometric SiO2 layer for semiconductor devices Duy Phong Pham a , Hongrae Kim a , Jiwon Choi a , Donghyun Oh a , Yung-Bin Chung
b , Woo-Seok Jeon b , Jungyun Jo b , Vinh-Ai Dao c , Suresh Kumar Dhungel d , Junsin Yi d, 15
4.2 PECVD trong chế tạo màng Silic vô định hình và Silic đa tinh thể

• Được chế tạo ở nhiệt độ của tấm nền từ 200 – 300C.

• Các chất khí tiền chất là: monosilane (), disilane (, chlorosilane (Cl).
• Thường được dùng với vai trò gate điện cực hay emitter trong linh kiện điện
tử và pin mặt trời.

Nang Tran, Thin Film Technologies, University of Sciences, 2010.

16
4.3 PECVD trong việc chế tạo màng mỏng Tungsten

• Được tạo thành do phản ứng của chất khí tungsten hexafluoride ( với
hydrogen tại nhiệt độ tấm nền khoảng 350C.
• Phương trình phản ứng:
) + 3) -> W (Solid) + 6HF (Gas)

Nang Tran, Thin Film Technologies, University of Sciences, 2010.

17
4.4 PECVD trong việc chế tạo màng mỏng kim loại đồng

• Có 2 phân tử khí chính trong việc tạo màng mỏng đồng là: Cu(I) có 1 điện
tích dương và Cu(II) với 2 điện tích dương.
• Phương trình xảy ra trong quá trình như sau:
)TMVS(Gas) -> (solid) + )(Gas) + 2TMVS(Gas)
Hoặc
) + ) -> (solid) + 2H(hfac)(Gas)

Nang Tran, Thin Film Technologies, University of Sciences, 2010.

18
5. Kết luận

• Là phương pháp chế tạo màng

mỏng được sử dụng rất nhiều
trong công nghệ điện tử.
• Có ưu điểm trong việc tạo màng
tại nhiệt độ thấp.
• Plasma có thể gây thiệt hại cho
màng mỏng vì vậy màng mỏng
và đế cùng loại có thể bị thoái
hóa.

19
THANK
YOU !

20