CHƯƠNG 2

Vật liệu và
Điot bán dẫn
 Tính chất của vật liệu
Dẫn điện-Bán dẫn-cách điện
Độ dẫn điện (thông qua giá trị Điện trở suất  (.cm)

Vật liệu  ( cm) Loại dẫn

Dẫn điện 10-5 – 10-6 Điện tử
Bán dẫn 10-4 – 10+10 Điện tử, Lỗ trống

Cách điện 10+9 – 10+18 Điện tử + iôn

Dẫn điện Bán dẫn Cách điện

Đồng Ge Si Mica
= 10 -6.cm = 50.cm  = 50  103  = 1012 .cm
.cm
GIẢN ĐỒ VÙNG NĂNG LƯỢNG
BÁN DẪN THUẦN (I: INTRINSIC)
ký hiệu điện tử

độ sạch: 1/10 tỷ!!

 BÁN DẪN N (N- viết tắt từ
NEGATIVE)

Chất pha tạp: nguyên tố nhóm 5 (Ph, As…)

BÁN DẪN P ( P-viết tắt từ POSITIVE)

: ký hiệu điện tử : ký hiệu lỗ trống

Lỗ trống

Chất pha tạp: nguyên tố nhóm 3 (Al, B…)

 CƠ CHẾ HÌNH THÀNH HẠT DẪN
(BÁN DẪN I, N, P)
Điện tử: Hạt dẫnđasố: Hạt dẫnđasố:
Lỗ trống: thiểu số: thiểu số:

wv wv wv
wd
wa
wc wc wc

Wc – Wd = 0.05eV (Si) Wa – Wv = 0.08eV (Si)

0.01eV (Ge) 0.03eV (Ge)
Bán dẫn I
(phát xạ cặp Bán dẫn N Bán dẫn P
điện tử lỗ trống) (chủ yếu ion hóa) (chủ yếu ion hóa)
 SỰ DẪN ĐIỆN CỦA LỖ TRỐNG
E

` ` ` `
`

`
` ` `

Chuyển động của lỗ trống là chuyển động của các e ràng buộc!
 TÍCH SỐ NỒNG NỘ HẠT DẪN

Trongđó:

, :mậtđộ trạng thái hiệu dụng tại vùng dẫn và vùng hóa trị

K: hằngsố Boltzmann = 1,38 . J/K

h: hằngsố Plank = 6,626 . J.s

: khối lượng hiệu dụng của điện tử và lỗ trống ở vùng hóa trị
DÒNG ĐIỆN TRONG CHẤT BÁN DẪN
1. 1. Dòng điện trôi: Chuyển động dưới
tácdụng điện trường

2. Dòng điện khuếch tán: Chuyển động do

chênh lệch nồng nộ hạt dẫn
 TIẾP XÚC P-N KHI KHÔNG CÓ ĐIỆN TRƯỜNG NGOÀI
Khuếch tán của lỗ trống

Khuếch tán của điện tử

Vùng nghèo hạt dẫn
Utx
𝐔 𝐭𝐱 =
𝐊𝐓
𝐪 ( )
𝐩
𝐥𝐧 𝐩 =
𝐩𝐧
𝐊𝐓
𝐪
𝐧
𝐥𝐧 𝐧
𝐧𝐩 ( )
- - + +
(Ge)
(Si)
P - - - +
+
+
N
- +
- - +
Ikt
𝐍𝐀 𝐝 𝐭𝐱𝐧 Itrôi
= 𝐈 𝐃 =𝐈𝐤𝐭 − 𝐈 𝐭𝐫 ô 𝐢Ở trạng thái
𝐍𝐃 𝐝 𝐭𝐱𝐩 dtxp dtxn
cân bằng động
dtx

→ dòngđiện = 0
TIẾP XÚC P-N KHI PHÂN CỰC NGƯỢC
= =
: dòng ngược bão hòa
Càng nghèo hạt dẫn Utx + U

- - - + +
P - + + + N
- -
- +
+
- - - + +
Ikt giảm => 0
Tăng Itrôi
=> nhanh dtxp dtxn
chóng bão , : hệ số khuyêch tán
dtx của e và lỗ trống
hòa Is
, : độ dài k.tán
E
Is
 TIẾP XÚC P-N KHI PHÂN CỰC THUẬN
(>>)
Utx - U

- - + +
P - + + N
- -
- +
- - +
Ikt Tăng nhanh
Giảm, Itrôi
nhỏ không dtxp dtxn
đáng kể
dtx

E ID
 ĐẶC TUYẾN VÔN - AMPE

Phươngtrình Shockley:

: dòng ngược bão hòa

: điện áp giữa A-K của điốt Ký hiệu điot
: thế nhiệt và bằng:
(25mV ở C)
K: hằng số Boltzmann
T: nhiệt độ Kenvin
e: điện tích điện tử
m:hệ số tỷ lệ
 THAM SỐ TỚI HẠN
1. Điện áp đánh thủng: (V)

2. Điện áp ngược cực đại: (V)

3. Dòng chỉnh lưu trung bình cựcđại: (A)

4. Dòng thuận đỉnh cực đại: (A)

5. Công suất tiêu tán cực đại:

(W)

6. Hệ số suy giảm công suất:(W/◦C)

7. Tần số làm việc cực đại: (Hz), phụ thuộc vào
 1. Tham số điện
1. 1. Điện trở một chiều Điot: (Ω)

2. Điện trở xoay chiều Điot: (Ω)

Tại nhiệt độ phòng (C): Với giả thiết Điot làm việc ở nhánh thuận vùng trên
điểm uốn, khi đó m=1 cho cả loại Si và Ge)
3. Điện dung hàngrào: (khi Điot phân cực ngược) (pF)

4. Điện dung khuếchtán: (khi Điot phân cực thuận) (pF)

5. Thời gian hồi phục:

2. Tham số cơ khí

1. Hình dáng của Diode

2. Kích thước
3. Trọng lượng
 SƠ ĐỒ TƯƠNG ĐƯƠNG
 Sơ đồ tương đương tần số thấp dùng phương pháp tuyến tính hóa từng đoạn

Điot lý tưởng

Sơ đồ tương đương với rD = 0 và UDO=0


 SƠ ĐỒ TƯƠNG ĐƯƠNG
 Sơ đồ tương đương tần số thấp dùng phương pháp tuyến tính hóa từng đoạn

Sơ đồ tương đương với rD = 0

 SƠ ĐỒ TƯƠNG ĐƯƠNG (TIẾP)
 Sơ đồ tương đương ở tần số cao (f  100MHz )

- Điot có thể mất tính chỉnh lưu hoặc có sự lệch pha giữa dòng điện và điện áp
- Không đáp ứng được tốc độ chuyển mạch do thời gian phục hồi lớn.
 ỨNG DỤNG ĐIOT
1. Chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ dùng 2 Điot, biến áp có điểm giữa

 Chưa có tụ ở đầu ra:

- Điện áp chỉnh lưu ở đầu ra:

Uo = (2/).(UV,peak - 2UD)

UV là điện áp vào mạch chỉnh lưu

UV = 2UV1; UV1 = UV2

- Dòng chỉnh lưu ở đầu ra:
Dạng tín hiệu ra:
Io = Uo/Rt

- Điện áp ngược: UR, max = 2UV1,peak Ura, peak

1. Chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ dùng 2 Điot, biến áp có điểm giữa
(tiếp)
Ura
1 5
UV1 D1
6
Uac
4 8 UV2
+ C
Rt
220V~
 Có tụ ở đầu ra:

D2
- Điện áp chỉnh lưu ở đầu ra:

Uo  UV, peak , với giá trị C lớn và dòng điện qua Rt nhỏ Dạng tín hiệu ra:

- Dòng chỉnh lưu ở đầu ra:

IO = Uo/Rt

- Điện áp ngược: UR, max = 2UV1,peak

Uo  UV, peak
2. Chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ dùng cầu Điot

Ký hiệu cầu Điot

Sơ đồ cầu Điot

Một số hình ảnh của cầu Điot

 2. Chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ dùng cầu Điot (tiếp)
Sơ đồ mạch nguyên lý:

 Chưa có tụ ở đầu ra:

- Điện áp chỉnh lưu ở đầu ra:

Uo = (2/).(UV, peak - 2UD)

- Dòng chỉnh lưu ở đầu ra:

Io = Uo/Rt Dạng tín hiệu ra:

- Điện áp ngược: UR, max = UV,peak

Ura, peak
 2. Chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ dùng cầu Điot (tiếp)
Ura
~
1 5 D1 D2
- +
UV
4 8 Rt + C
D4 D3
~

 Có tụ ở đầu ra:

- Điện áp chỉnh lưu ở đầu ra: UV

Uo  UV,peak , với giá trị C lớn và dòng điện qua Rt nhỏ

- Dòng chỉnh lưu ở đầu ra: Ura

Uo

IO = Uo/Rt

- Điện áp ngược: UR, max = UV, peak Ura

Uo
 3. Chỉnh lưu bội áp (nhân đôi điên áp)

 nửa chu kỳ UV

2UV
UV

UC2 = UV + UC1 = 2UV = Ura

 Cả chu kỳ

UV
Ura = UC1+ UC2 = 2UV

2UV
 3. Chỉnh lưu bội áp
+ 3Um -

C1 C3
+ - + -

Um 2Um

Mạch nhân 3 điện áp D1

D2
D3

C2
+ -

2Um

C1 C3
+ - + -
...

Um 2Um

D1 D3
D2 D4 Dn
Mạch nhân n điện áp C2 C4 Cn
+ - + - ... + -

2Um 2Um 2Um

nUm
 4. Mạch hạn chế biên độ điện áp

 Hạn chế mức trên +E ; - E

 Hạn chế mức dưới +E ; - E

Điot được mắc trong mạch theo 2 cách: nối tiêp hoặc song song

 Hạn chế cả trên và dưới

 Có 9 mạch hạn chế biên độ tín hiệu

4. Mạch hạn chế biên độ điện áp (tiếp)

 Mạch hạn chế mức trên (Diode mắc nối tiếp)

E: nguồn điện áp một chiều

Uv: Điện áp hình sin

Để hạn chế được thì: Uv > E

* Phân tích:
+ Khi UV >E , D khóa (phân cực ngược)  Ura = E

+ Khi UV < E, D thông (phân cực thuận)  Ura = UV (nếu coi Điot lý tưởng)
+ Khi UV = E là mức ngưỡng hạn chế

* Dạng tín hiệu Ura

Điot không lý tưởng: UD = 0,7 V

Điot lý tưởng: UD = 0V
 4. Mạch hạn chế mức dưới dương (Diode mắc song song)

E: nguồn điện áp một chiều

Uv: Điện áp hình sin

 Để hạn chế được thì: Uv > E

Điot không lý tưởng: UD = 0,7 V

Điot lý tưởng: UD = 0V
 4. Mạch hạn chế biên độ điện áp (tiếp)

 Mạch hạn chế trên-dưới

Phân tích dạng tín hiệu Ura

Uv

Điot không lý tưởng: UD = 0,7 V

Điot lý tưởng: UD = 0V
Mạch mắc Diode nối tiếp
Mạch mắc Diode nối tiếp
Mạch mắc Diode song song
Mạch mắc Diode song song
Mạch mắc Diode song song
 5. Mạch hạn chế điện áp một chiều

*Trường hợp 1 D
Ura
Ura = URt = E - UD + ID

E Rt
ID = IRt = Ura/Rt

0
*Trường hợp 2 (Si) (Ge)
D1 D2
Ura = URt = E - UD1 - UD2 Ura
+
ID1= ID2 = IRt = Ura/Rt ID
E Rt

0
 6. Điot ổn áp (Diode Zener - DZ)

* Cấu tạo:

- Diode Zener cũng có cấu tạo gồm 2 miền bán bẫn p,n
- Được chế tạo đặc biệt hơn Điot chỉnh lưu.
- Thường được chế tạo từ Si
- Mạch ngoài luôn có điện trở hạn chế dòng ngược
- Có 2 cực: A(+) và K(-)
DZ

(hay dùng-là ký hiệu của chữ Z)

* Ký hiệu:
 6. Điot ổn áp (Diode Zener - DZ) (tiếp)

* Nguyên lý làm việc

+ Phân cực thuận: (giống như Điot chỉnh lưu )

DZ
A K
UDz = 0.7V

+
UZ
E A K

IZ

+ Phân cực ngược: - +

với E  UKA, max và IZmin  IZ  IZ max thì DZ làm việc ở vùng ổn áp (vùng zener) đây là vùng làm

việc chính của DZ .

 6. Điot ổn áp (Diode Zener - DZ) (tiếp)

Đặc tuyến Vôn-ampe của Diode Zener

Vùng ngược bão hòa Vùng phân cực thuận

Vùng Zener

Vùng đánh thủng do nhiệt

 6. Điot ổn áp (Diode Zener - DZ) (tiếp)

Đánh thủng xuyên hầm và đánh thủng Thác

- Đánh thủng xuyên hầm: Khi pha tạp chất ở vùng P và N với nồng nộ cao.

Khi đó Nồng nộ hạt dẫn rất cao pp và nn cỡ > 1020 và bề dầy

lớp tiếp xúc rất nhỏ, hàng rào thế năng có độ rộng cỡ < 500Ao,
tương ứng với điện trường khoảng 108V/m. Khi đó điện trường
tại lớp tiếp xúc rất lớn đủ giải phóng các điện tử khỏi mối liên
kết để thành hạt dẫn tự do, và làm dòng ngược tăng đột ngột.
Cơ chế đánh thủng này có tên là đánh thủng Zener. Điện áp
đánh thủng theo cơ chế này thường xảy ra ở điện áp thấp UBR
thường < 5V.
 6. Điot ổn áp (Diode Zener - DZ) (tiếp)

Đánh thủng xuyên hầm và đánh thủng Thác

- Đánh thủng thác (Avalanche): Khi pha tạp chất ở vùng P và N với nồng nộ thấp.

Đánh thủng thác là do điện tử va chạm vào mạng tinh thể gây nên
hiện tượng ion hoá làm tăng dòng ngược. Khi này nồng nộ pha tạp của
tạp chất thấp nên tiếp xúc PN có bề dầy lớn (dtx lớn) .Điện tử chuyển
động trên quãng đường dtx có đủ động năng để ion hoá mạng tinh thể
nhiều lần (điện trường cỡ 107V/m) và sinh ra nhiều điện tử tự do theo
cấp số nhân làm dòng ngược tăng vọt tại UBR. Với cơ chế đánh thủng
thác điện áp UBR thường lớn cỡ > 5V. Trong dải UBR từ 5V đến 7V
thường đồng thời xảy ra cả hai loại cơ chế đánh thủng: Zener và thác .
Tuy hiện tượng đánh thủng do hai hiệu ứng gây ra nhưng người ta
gọi chung vùng đặc tuyến này là vùng Zener để tưởng nhớ nhà Bác học
Zener người tìm ra hiệu ứng đánh thủng xuyên hầm.
Hiện tượng đánh thủng do điện không làm hỏng Điot.
 6. Điot ổn áp (Diode Zener - DZ) (tiếp)
Các tham số cơ bản của Diode Zener

-UZ: Điện áp ổn định của DZ, có giá trị từ 1,8V 1000V

- IZmin: Dòng điện tối thiểu, đủ để diode zener duy trì ở chế độ Zener.
- IZmax: Dòng điện tối đa cho phép,
- IZ0: Dòng danh định,
- Rz: Điện trở tĩnh,

rZ: Điện trở động

rZ càng nhỏ khi UZ càng ít biến đổi

 6. Điot ổn áp (Diode Zener - DZ) (tiếp)

- Z: Hệ số ổn định,

 Độ ổn định của Diode zener càng cao khi rZ rất nhỏ.

- PZmax: công suất tiêu thụ cực đại,

- IS: Dòng ngược bão hòa ứng với điện áp ngược UR

 6. Điot ổn áp (Diode Zener - DZ) (tiếp)
K
Sơ đồ tương đương của Diode Zener

K K
K  +

rZ

+
E

+
E UZ - +
-
A A UZ
A A
rZ = 0 rZ # 0

* Mạch cơ bản của Diode Zener

R Uz
I
Ura + Nếu rZ 0:
+
UZ = E - IR= Ura
E
+ Nếu rZ # 0:

0
UZ = E - I(R+rZ) = Ura

 Thông thường coi rZ  0

 7. Điot biến dung (Diode varicap)

Cấu tạo
- Có cấu tạo gồm 2 miền bán dẫn p,n.
- Cũng có 2 cực: A(+), K(-)

- Được chế tạo từ Si, Ge

Ký hiệu
 7. Điot biến dung (Diode varicap) (tiếp)

* Nguyên lý làm việc

-Khi phân cực ngược cho Diode biến dung  tồn tại lớp điện tích kép có chiều rộng là dtx tương ứng với điện dung hàng rào
thế năng.

Cv: Điện dung của diode

: hằng số điện môi của chất bán dẫn

A: diện tích mặt cắt ngang của lớp tiếp xúc

 Khi U thay đổi  dtx thay đổi  Cv thay đổi

- +
 7. Điot biến dung (Diode varicap) (tiếp)
Đặc tuyến điện dung - điện áp
 7. Điot biến dung (Diode varicap) (tiếp)

* Sơ đồ tương đương

+ Sơ đồ tương đương ở tần số > 100MHz

+ Sơ đồ tương đương ở tần số <100MHz

Ứng dụng

- Dùng trong các mạch cộng hưởng, điều chế tần số,…