CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

ELECTRONIC DEVICES

GIÁO VIÊN: ĐÀO ĐÌNH HÀ

Bộ môn Kỹ thuật Vi xử lý - Khoa Vô tuyến Điện tử

Học viện Kỹ thuật Quân sự

Hà Nội, 2019
 Chương 5
Linh kiện quang bán dẫn
 Mở đầu
 Sự phát triển nhanh chóng của kỹ thuật và công nghệ đã và
đang đặt ra nhu cầu sử dụng ngày càng nhiều các linh kiện
quang bán dẫn trong các lĩnh vực như thông tin quang, điều
khiển, giám sát, nhận dạng, giải trí,...
 Phần này sẽ lần lượt giới thiệu các linh kiện quang bán dẫn

điển hình cùng với các ứng dụng phong phú của chúng.
 Ánh sáng
 Sóng vô tuyến trong hệ thống thông tin, truyền thanh, truyền hình,
ánh sáng hồng ngoại từ các bộ điều khiển từ xa (remote), ánh sáng
nhìn thấy, tia X,... tuy có vẻ có tính chất thể hiện và công dụng
khác nhau nhưng có chung bản chất đều là sóng điện từ hay các
bức xạ điện từ.
 Điểm khác nhau cơ bản của chúng là tần số hay bước sóng. Giữa

tần số f và bước sóng λ liên hệ với nhau qua biểu thức: λ = c/f
trong đó c là vận tốc ánh sáng (xấp xỉ 3.108 m/s).
 Sự khác biệt về bước sóng dẫn đến một sự khác biệt quan trọng

khác là ta có thể thấy được sóng điện từ bằng mắt thường hay
không.
 Mắt người chỉ thấy được sóng điện từ trong một dải tần số rất hẹp
gọi là ánh sáng khả kiến hay gọi tắt là ánh sáng. Về phía tần số
thấp hơn gọi là bức xạ hồng ngoại (infrared) và phía tần số cao hơn
gọi là bức xạ tử ngoại (ultraviolet).
 Dải ánh sáng khả kiến có khoảng tần số từ 4.1014 Hz (ứng với bước

sóng khoảng 750nm) đến tần số khoảng 7,8.1014 Hz (ứng với bước
sóng khoảng 380nm). Trong vùng ánh sáng nói trên, mắt sẽ phân
biệt được 7 màu cơ bản ứng với các khoảng bước sóng được giới
hạn. Cần chú ý rằng các giới hạn nêu trên cũng chỉ mang tính chất
tương đối.
Dải ánh sáng khả kiến
 Sự khác nhau về tần số lại dẫn đến một sự khác biệt quan
trọng nữa đó là năng lượng bức xạ. Năng lượng bức xạ tỷ
lệ với tần số theo công thức:
E = h·f
trong đó h là hằng số Planck, h = 6,624.10-34 J.s
 Như ta thấy, biên độ trung bình của phổ được gọi là cường

độ sáng và được đo bằng đơn vị footcandles (fc). Ví dụ với

nguồn sáng là một bóng đèn tròn thì ở một điểm càng xa
nguồn, cường độ sáng càng yếu nhưng số lượng ánh sáng
tỏa ra trong một góc khối (hình nón) là không đổi và được
gọi là quang thông. Đơn vị của quang thông là Lumens
(Lm) hay Watt (W).
Định nghĩa về kỹ thuật quang điện tử: Quang điện tử là những hiệu ứng
tương hỗ giữa bức xạ ánh sang và mạch điện tử. Bức xạ ánh sang là một
dạng của bức xạ điện từ có dải tần số dao động rất cao (λ: khoảng 50nm đến
khoảng 100μm).
 Các bức xạ quang được chia ra thành ba vùng là:

– Vùng cực tím có λ = 50nm ÷ 380nm.

– Vùng ánh sang nhìn thấy có λ = 380nm ÷ 780nm.
– Vùng hồng ngoại có λ = 780nm ÷ 100μm.
 Phân loại linh kiện quang điện tử:

– Linh kiện quang điện tử gồm có linh kiện bán dẫn quang điện tử và linh
kiện không bán dẫn quang điện tử.
– Linh kiện bán dẫn quang điện tử: là những linh kiện được chế tạo từ vật
liệu bán dẫn như điện trở quang, điôt quang, tranzito quang, LED, LASER
bán dẫn, v.v..
– Linh kiện không phải bán dẫn quang điện tử: như sợi quang dẫn, mặt chỉ
thị tinh thể lỏng LCD, ống nhân quang v.v…
Sự tương tác giữa ánh sang và vật chất
Sự tương tác giữa ánh sang và vật chất gồm có 3 quá trình: quá trình hấp
thụ, quá trình phát xạ tự phát và quá trình phát xạ kích thích.

Ei: Mức năng lượng kích thích

 Quá trình hấp thụ: là quá trình mà tại đó khi có một photon tương tác với vật
chất thì một điện tử ở mức năng lượng cơ bản Ek sẽ nhận thêm năng lượng của
photon (quang năng) và nhảy lên mức năng lượng kích thích Ei.
 Quá trình phát xạ tự phát: là quá trình mà các điện tử nhảy lên mức năng
lượng kích thích Ei, nhưng chúng nhanh chóng trở về mức năng lượng cơ bản
Ek và phát ra photon có năng lượng hν. Mỗi một phát xạ tự phát ta thu được
một photon.
 Hiện tượng này xảy ra không có sự kích thích bên ngoài nào và được gọi là quá
trình phát xạ tự phát. Phát xạ này đẳng hướng và có pha ngẫu nhiên.
 Quá trình phát xạ kích thích: Nếu có một photon có năng lượng hν tới tương
tác với vật chất mà trong lúc đó có một điện tử đang còn ở trạng thái kích thích
Ei, thì điện tử này được kích thích và ngay lập tức nó di chuyển trở về mức
năng lượng cơ bản Ek và phát xạ ra một photon khác có năng lượng cũng đúng
bằng. Photon mới phát xạ ra này có cùng pha với photon đi đến và được gọi là
phát xạ kích thích (hay phát xạ cảm ứng).
 Các linh kiện thu quang
 Quang trở (Photoresistance hay Light Dependent Resistor - LDR)
 Cơ sở vật lý
 Cơ sở vật lý để chế tạo quang trở là hiệu ứng quang dẫn xảy ra khi ánh
sáng có bước sóng phù hợp (có năng lượng bức xạ phù hợp) chiếu vào
lớp bán dẫn sẽ làm thay đổi điện trở suất của bán dẫn đó.
 Hiện tượng quang điện trong: là hiện tượng giải phóng các electron
liên kết của chất bán dẫn để trở thành các electron quang dẫn do tác
dụng của bức xạ thích hợp.
 So sánh hiện tượng quang điện trong và hiện tượng quang điện
ngoài:
 Phải được kích thích bằng ánh sáng kích thích thích hợp.
 Quang điện trong: Các electron vẫn ở trong chất bán dẫn khi có ánh
sáng kích thích.
 Quang điện ngoài: Các electron bứt ra khỏi kim loại khi bị kích thích.
 Công thoát của chất bán dẫn nhỏ hơn công thoát của kim loại .
 Trong chất bán dẫn, các điện tử liên kết với hạt nhân, để
giải phóng điện tử khỏi nguyên tử cần cung cấp cho nó
một năng lượng tối thiểu bằng năng lượng liên kết Elk.
Đây cũng là năng lượng tối thiểu để điện tử thoát khỏi
đỉnh dải hóa trị để chiếm mức năng lượng đáy của dải
dẫn - nói cách khác chính là độ rộng dải cấm ΔE. Khi
điện tử được giải phóng khỏi nguyên tử, sẽ tạo thành động
tử mới trong vật liệu.
 Động tử được giải phóng do chiếu sáng phụ thuộc vào

bản chất của vật liệu bị chiếu sáng. Đối với các chất bán
dẫn thuần các động tử là cặp điện tử - lỗ trống. Đối với
trường hợp bán dẫn pha tạp, động tử được giải phóng là
điện tử nếu là pha tạp N hoặc là lỗ trống nếu là pha tạp P.
 Cấu tạo, ký hiệu
Quang trở được cấu tạo từ thành phần chính là một tấm bán dẫn nhạy
sáng (loại vật liệu thường chọn có thể là Cadmium Sulfide - CdS hoặc
Cadmium Selenide - CdSe,...), khi đóng vỏ có một lớp chất điện môi
trong suốt phủ trên bề mặt tấm bán dẫn gọi là cửa sổ chiếu sáng.
 Nguyên lý làm việc
Nguyên lý làm việc của quang trở là khi ánh sáng chiếu vào chất bán
dẫn làm phát sinh các điện tử tự do, tức là dẫn đến sự tăng lên hay giảm
đi của điện trở. Quang trở có trị số điện trở càng giảm khi được chiếu
sang càng mạnh. Điện trở tối (khi không có ánh sáng) thường trên 1MΩ
và có thể giảm mạnh xuống đến khá nhỏ (dưới 100Ω) nếu được chiếu
sáng mạnh. Các đặc tính điện và độ nhạy của quang trở dĩ nhiên phụ
thuộc vào vật liệu và công nghệ chế tạo.
 Một số ứng dụng
Quang trở được ứng dụng khá rộng rãi trong các mạch điều khiển sử
dụng tham số điều khiển là ánh sáng (cường độ sáng hoặc quang thông).
* Mạch quang báo đơn giản:
Khi quang trở được chiếu sáng (trạng tháii
thường trực) thì có điện trở nhỏ, điện áp cực
cổng của SCR giảm nhỏ không đủ để tạo
dòng kích nên SCR tắt. Khi nguồn sáng bị
chắn (do vật thể lạ xuất hiện), điện trở của
quang trở tăng nhanh, điện áp cực cổng SCR
tăng làm dòng cổng tăng, SCR thông, dòng
điện qua tải làm cho mạch báo động làm
việc. Người ta cũng có thể dùng mạch điện
như trên, với tải là một bóng đèn để có thể
phát sáng ban đêm và tắt vào ban ngày, hoặc
có thể tải là một Relay để điều khiển một
mạch báo động có công suất lớn hơn.
Mạch tự động bật điện về đêm dùng điện xoay chiều:

Trong mạch này, quang trở đóc vai

trò là thành phần phân áp điều khiển
cho một DIAC. Đến lượt mình,
DIAC lại là phần tử điều khiển dòng
cực cổng cho một TRIAC. Ban
ngày, khi ánh sáng chiếu vào mạnh,
trị số của quang trở nhỏ. Điện thế
điểm A không đủ để làm DIAC
thông nên TRIAC cũng không
thông, do đó đèn tắt. Về đệm, trời
tối, quang trở tăng trị số làm tăng
điện thế ở điểm A khiến DIAC thông
và kích TRIAC dẫn điện, bóng đèn
tự động bật sáng.
 Diode thu quang (Photo Diode)
Cơ sở vật lý để chế tạo các loại Diode thu quang chính là hiệu ứng
hấp thụ ánh sáng diễn ra tại mặt ghép PN phân cực ngược, còn gọi
là hiệu ứng nén động tử hay thông dụng nhất là hiệu ứng quang áp.
 Cần nhắc lại rằng, sau khi hình thành xong, trong phạm vi mặt

ghép PN rất ít điện tích tự do được gọi là lớp nghèo động tử độ

rộng và có một điện trường tiếp xúc Etx. Ở trạng thái cân bằng,
điện trường này ngăn cản sự khuếch tán tiếp theo của các điện tử
và lỗ trống qua lớp nghèo.
 Khi ánh sáng phù hợp (với năng lượng của photon E = h.f ≥ ΔW là

độ rộng dải cấm) chiếu vào diode từ lớp P thì các lớp P, N và miền
nghèo khi hấp thụ năng lượng của photon các điện tử dịch chuyển
lên dải dẫn và kết quả là trong các lớp của bán dẫn hình thành các
cặp điện tử và lỗ trống.
 Các điện tử và lỗ trống vừa được hình thành trong các lớp P và N đầu
tiên khuếch tán đến lớp nghèo, rồi chuyển động trôi qua lớp này dưới
tác dụng của điện trường tiếp xúc theo hai hướng ngược nhau để đi
đến các cực Anode và Cathode của Diode. Còn các điện tử và lỗ
trống tạo ra trong lớp nghèo thì chuyển động kéo theo qua nó để đi
đến hai cực của Diode. Kết quả trong Diode xuất hiện một dòng điện
ngược chảy qua gọi là dòng quang điện IP.
 Ngoài ra, đối với nhiều loại Diode chế tạo bằng vật liệu nhạy sáng,
hiệu ứng quang áp có thể diễn ra ngay khi mặt ghép PN ở trạng thái
cân bằng điện. Lúc này, không cần điện trường ngoài thì điện trường
tiếp xúc đã đủ lớn để “xua” toàn bộ lỗ trống về bên miền P, điện tử về
bên miền N. Kết quả là ở hai miền này tập trung hai vùng điện tích
không gian trái dấu, khiến cho hai đầu Diode xuất hiện một sức điện
động quang EФ. Hiệu ứng đó được ứng dụng để chế tạo tế bào quang
điện bán dẫn, được dùng rộng rãi trong nhiều mạch nguồn biến đổi
quang - điện.
 Cấu tạo, nguyên lý làm việc

 Là loại Photo Diode có cấu tạo hoàn toàn giống Diode thường và nguyên lý làm
việc dựa hoàn toàn trên hiệu ứng quang áp đã nêu ở phần trên. Độ nhạy của Photo
Diode loại này phụ thuộc hoàn toàn vào vật liệu dùng để chế tạo chúng.
 Hình vẽ mô tả sự so sánh về độ nhạy sáng trong các dải tần số (bước sóng ánh
sáng) khác nhau của Silicon, Germanium và Selenium.
 Đặc tuyến V-A

Đặc tuyến V-A của Photo Diode với tham số khảo sát là cường độ sáng
(hoặc quang thông). Đặc tuyến này cho thấy ở quang thông nhỏ, khi điện
áp ngược nhỏ, dòng điện tăng nhanh theo điện áp phân cực ngược,
nhưng khi điện áp phân cực đạt vài Volt trở lên, dòng điện gần như bão
hòa (không đổi khi điện áp ngược tăng). Khi quang thông tăng lên, dòng
điện bão hòa tăng theo. Tần số hoạt động đối với tín hiệu xoay chiều của
Photo Diode có thể tới vài MHz.
 Các thông số kỹ thuật cơ bản
 Độ nhạy R: được biểu diễn qua hiệu suất lượng tử η của nó theo biểu
thức:

 Hiệu suất lượng tử η: được xác định bởi tỷ số tốc độ tạo điện tử trên tốc
độ photon tới. Nó có dạng sau:

 Đáp ứng thời gian của Photo Diode: Đáp ứng thời gian của Photo
Diode chỉ mức độ phản ứng của Photo Diode với ánh sáng chiếu vào nó,
hay biểu thị quán tính của Photo Diode.
 Thời gian dịch chuyển của dòng điện khuếch tán của hạt dẫn ngoài vùng
trôi (trong lớp P và lớp N) của Diode.
 Thời gian dịch chuyển của dòng điện trôi của các hạt dẫn qua lớp nghèo
trong diode.
 Để giảm đáp ứng thời gian, Photo Diode được chế tạo với
hai vùng P và N khá mỏng. Còn để tăng hiệu suất lượng tử,
tức là tăng số cặp điện tử và lỗ trống được tạo ra trong Photo
Diode, lớp nghèo được chế tạo có độ dày càng lớn càng tốt,
nhưng không làm tăng đáp ứng thời gian của Photo Diode.
 Photo Diode P-N có hai nhược điểm cơ bản là: hiệu suất
lượng tử thấp do độ rộng lớp nghèo nhỏ và đáp ứng thời
gian lớn do ảnh hưởng của dòng khuếch tán lớn, nên trong
thực tế kỹ thuật nó ít sử dụng làm bộ thu quang.
 Photo Diode PIN
Cấu tạo và nguyên tắc làm việc
Photo Diode PIN được cấu tạo từ bán dẫn loại Si hay InGaAs gồm ba lớp
là P, N và lớp giữa I (Instrinsic) là bán dẫn tinh khiết có trở kháng cao.
Tại hai lớp P và N có gắn lớp tiếp xúc kim loại để tạo thành các điện cực
Anode và Cathode.
Hình vẽ mô tả cấu
trúc tiếp xúc tiết
diện dọc và phân
bố điện trường
cùng mạch cấp
thiên áp ngược cho
Photo Diode PIN.
Điện trở tải của
Photo Diode là RL.
 Vùng bán dẫn tinh khiết I có trở kháng cao nên điện trường do thiên áp
đặt từ ngoài lên vùng này có cường độ trường khá lớn, vì vậy tăng được
tốc độ trôi của dòng điện hạt dẫn qua lớp nghèo lên nhiều lần so với
Photo Diode P-N.
 Để giảm đáp ứng thời gian người ta chế tạo hai lớp P và N rất mỏng, để

cho các cặp điện tử và lỗ trống chỉ được tạo ra trong lớp nghèo, nên
giảm được dòng khuếch tán. Lớp nghèo chiếm cả vùng I và mở rộng
một chút sang hai bên P và N, nó có độ rộng lớn hơn, nên tăng được
thiên áp đặt vào, do đó tăng hiệu suất lượng tử của diode.
 Hai ưu điểm nổi trội của PIN so với Photo Diode PN là hiệu suất lượng

tử cao và đáp ứng thời gian nhỏ. Do vậy Photo Diode PIN được ứng
dụng trong các hệ thống thông tin quang tốc độ trung bình, cự ly trung
bình, có giá thành rẻ, tin cậy.
 Diode quang thác APD (Avalanche Photo Diode)
Cấu tạo và nguyên tắc làm việc
Photo Diode thác APD được cậu tạo từ bán dẫn Si hoặc InGaAs, bao
gồm 4 lớp P+, N+, I và P trở kháng cao. Ở đây các vùng bán dẫn có dấu
+ được pha tạp chất với nồng độ cao.
 Trong Photo Diode thác APD, dòng quang điện
được khuếch đại lên nhiều lần do hiệu ứng nhân
thác xảy ra bởi sự ion hóa do va chạm của điện tử
được tạo ra với mạng tinh thể trong lớp nhân thác
của Photo Diode để tạo ra nhiều cặp điện tử và lỗ
trống mới trong khoảng thời gian rất ngắn.
 Do có trở kháng khá cao nên dưới tác dụng của thiên áp đặt vào Photo
Diode, điện trường trong lớp P đạt giá trị cao hơn giá trị điện trường
ngưỡng nhân thác (cỡ Eng = 3.105 V/cm). Lớp I là bán dẫn tinh khiết, là lớp
nghèo dùng chủ yếu để hấp thụ ánh sáng và tạo ra các điện tử, lỗ trống
trong diode. Hiệu ứng nhân thác xảy ra như sau:
 Khi photon tới có năng lượng E = h.f > ΔW chiếu vào Photo Diode, trong
lớp I sinh ra các cặp điện tử và lỗ trống ban đầu gọi là sơ cấp. Các điện tử
này trôi dưới tác dụng của điện trường đi đến lớp P có điên trường rất cao,
tại đây chúng được tăng tốc mạnh nên có vận tốc rất cao, đủ sức ion hóa khi
va chạm với các điện tử trong mạng tinh thể của lớp P để tạo ra các cặp
điện tử và lỗ trống mới gọi là thứ cấp. Đến lượt các điện tử thứ cấp lại
được trường tăng tốc và tiếp tục ion hóa va chạm với các điện tử trong
mạng tinh thể để tạo ra nhiều cặp điện tử thứ cấp nữa.
 Quá trình ion hóa do va chạm xảy ra theo phản ứng dây chuyền trong thời
gian rất ngắn để tạo ra một số lượng rất lớn các điện tử thứ cấp nên gọi là
hiệu ứng nhân thác. Do đó dòng quang điện chảy trong Photo Diode thác
đã được khuếch đại lên nhiều lần so với Photo Diode PIN. Lớp P được gọi
là lớp nhân thác của Photo Diode.
 Các tham số kỹ thuật của APD
 Thừa số nhân thác M: đặc trưng cho sự nhân thác dòng quang điện
trong Photo Diode APD. Nó được biểu thị bởi tỷ lệ của dòng quang
điện trung bình tổng đầu ra trên dòng ban đầu không được nhân:

 Để đảm bảo cường độ trường trong lớp nhân thác P đạt được giá trị
ngưỡng nhân thác, thiên áp đặt vào Photo Diode thác APD phải đủ lớn
(cỡ vài chục đến hàng trăm volt), nhưng phải nhỏ hơn mức đánh thủng
cỡ 10% để không làm hỏng Photo Diode.
 Để tăng độ nhạy của APD, cần phải chọn thừa số nhân thác có giá trị

lớn, tuy nhiên khi M lớn thì làm cho tạp âm của Photo Diode APD cũng
tăng, dẫn đến giảm tỷ số tín trên tạp S/N và độ nhạy của APD.
 Transistor quang (Photo BJT)
Photo BJT có cấu tạo tương tự như BJT thường nhưng có 2 điểm cần chú ý:
 Thường được chế tạo bằng loại vật liệu nhạy sáng và công nghệ chế tạo

cũng đặc biệt hơn.

 Photo BJT để hở cực gốc B, thay vào đó nó tích hợp một thấu kính điện

môi trong suốt để tập trung ánh sáng vào mặt ghép C-B (JC) nhằm tận
dụng hiệu ứng quang áp tại mặt ghép này để tạo ra khả năng biến đổi
quang - điện.
 Cấu tạo, ký hiệu và họ đặc tuyến đầu ra

Khi cực B để hở, nếu có ánh sáng chiếu vào và phân cực như trên hình vẽ
thì mặt ghép E-B phân cực thuận (điện áp UBE cỡ khoảng vài chục mV với
Transistor loại Si) và mặt ghép C-B phân cực ngược nên Photo BJT làm
việc trong miền khuếch đại.
 Nếu chưa chiếu sáng, do mặt ghép C-B phân cực ngược nên có dòng điện
dò ICB0 chạy giữa cực C và B, vì cực B để hở, nên dòng chạy giữa C-E lúc
này xấp xỉ (β + 1).IC0. Đây là dòng xuyên cực góp ban đầu và cũng là
dòng tối của Photo BJT.
 Khi có ánh sáng chiếu vào mặt ghép C-B thì sẽ xuất hiện các cặp điện tử -

lỗ trống như trong Photo Diode làm phát sinh một dòng điện Iλ do ánh
sáng. Vì vậy, dòng điện cực C sẽ là:

 Như vậy, trong Photo BJT, cả dòng tối lẫn dòng chiếu sáng đều được
nhân lên (β + 1) lần so với Photo Diode nên có thể nói độ nhạy và hiệu
quả của nó cao hơn rất nhiều.
 Họ đặc tuyến đầu ra trên hình cho thấy họ đặc tuyến này giống của BJT

thường với điều kiện thay dòng tham số IB bằng quang thông.
 Có nhiều loại Photo BJT như loại Photo BJT đơn dùng để chuyển mạch
trong các mạch điều kiển, mạch giám sát, mạch đếm, mạch biến đổi
quang điện,... hoặc loại Photo BJT mắc theo sơ đồ Darlington có độ nhạy
rất cao dùng trong mạch phát hiện, các thiết bị đo quang. Ngoài ra người
ta còn chế tạo cả Photo SCR, Photo TRIAC...
 Các linh kiện phát quang
Cơ sở vật lý
Các linh kiện phát quang mặc dù có thể có cấu tạo rất khác nhau nhưng
xét đến cùng đều hoạt động dựa trên một cơ sở vật lý chung là nguyên lý
bức xạ ánh sáng trong bán dẫn.
Thực chất đó là nguyên lý bức xạ ánh sáng do sự tái hợp cặp điện tử và
lỗ trống xảy ra trong vùng mặt ghép PN của chất bán dẫn được đặt dưới
thiên áp thuận. Vùng mặt ghép PN này được gọi vùng hoạt tính của các
linh kiện phát quang bán dẫn.
Hiện tượng bức xạ ánh sáng do tái hợp

Quá trình bức xạ ánh sáng do tái hợp của chất bán dẫn diễn ra theo ba
giai đoạn là:
- Sự hấp thụ năng lượng từ bên ngoài gọi là nguồn bơm.
- Sự dịch chuyển điện tử lên trạng thái kích thích.
- Sự dịch chuyển điện tử tái hợp.
Quá trình bức xạ do tái hợp diễn ra theo thứ tự sau:
 Khi chất bán dẫn được cấp một năng lượng có mức lớn hơn năng lượng

vùng cấm E > EG (gọi là nguồn bơm), thì một số điện tử nằm ở mức E1
trong dải hóa trị (gọi là mức ổn định) hấp thụ được năng lượng cấp này sẽ
dịch chuyển lên mức E2 thuộc dải dẫn và tại dải hóa trị hình thành các lỗ
trống. Số lỗ trống bằng số điện tử đã dịch chuyển lên dải dẫn.
 Điện tử nằm ở mức E2 này gọi là điện tử ở trạng thái bị kích thích. Vì

trạng thái kích thích của điện tử là không ổn định, nên chúng sẽ bị hạt
nhân nguyên tử hút quay trở về mức ổn định E1 trong dải hóa trị.
 Khi điện tử dịch chuyển từ mức E2 về mức E1 để tái hợp với lỗ trống thì

một năng lượng được giải phóng. Nếu năng lượng giải phóng dưới dạng
ánh sáng (photon) thì sự dịch chuyển điện tử này gọi là dịch chuyển tái
hợp bức xạ. Bước sóng ánh sáng phát ra của dịch chuyển này được tính
theo định luật Planck là:
Bức xạ ánh sáng tự phát và kích thích
- Nếu một điện tử từ trạng thái bị kích thích (từ mức E2) dịch chuyển trở về
trạng thái ổn định (về mức E1) một cách tự nhiên để tái hợp với một lỗ trống
và bức xạ ra một photon ánh sáng, thì bức xạ ánh sáng như vậy được gọi là
bức xạ tự phát. Ánh sáng của các photon bức xạ tự phát có bước sóng tính
theo định luật Planck nhưng có hướng tùy ý, gọi là ánh sáng không kết hợp, có
cường độ yếu.
- Nếu một điện tử đang nằm ở trạng thái bị kích thích (mức E2), khi nhận
được ánh sáng từ bên ngoài chiếu vào có năng lượng của photon là:

thì ngay lập tức dịch chuyển trở về mức ổn định E1 để tái hợp với một lỗ trống
và bức xạ ra một photon ánh sáng. Bức xạ này gọi là bức xạ kích thích hay
cưỡng bức. Ở đậy f là tần số của photon kích thích. Các photon bức xạ kích
thích có tần số bằng đúng tần số f của photon chiếu vào. Chúng có cùng hướng
và đồng pha với nhau nên ánh sáng của bức xạ kích thích gọi là ánh sáng kết
hợp. Ánh sáng kết hợp có cường độ mạnh hơn nhiều lần cường độ của ánh
sáng tự phát.
Các chất bán dẫn dùng chế tạo
linh kiện phát quang
- Bán dẫn dải cấm loại trực tiếp:
là bán dẫn trong giản đồ vùng năng
lượng của nó, có đáy thấp nhất của
dải dẫn và đỉnh cao nhất dải hóa trị
tương ứng cùng một giá trị xung
lượng P hoặc vector sóng k của
điện tử. Đại đa số các dải cấm loại
trực tiếp đều là bán dẫn hợp chất
như: GaAs, InP, AlGaAs, InGaAsP.
Chúng là các chất chủ yếu để chế
tạo các LED và LD.
Bán dẫn dải cấm loại gián tiếp:
bán dẫn dải cấm loại gián tiếp là
bán dẫn trong giản đồ vùng năng
lượng của nó, có đáy thấp nhất của
dải dẫn và đỉnh cao nhất của dải
hóa trị ứng với các giá trị khác
nhau của xung lượng P hay vector
sóng k của điện tử. Các bán dẫn
loại này có thể là bán dẫn đơn chất
như Ge, Si hay hợp chất AlAs,
GaP. Chúng không dùng để chế tạo
các linh kiện phát quang.
Cấu trúc chuyển tiếp dị thể kép
- Để nâng cao hiệu suất bức xạ ánh sáng do tái hợp trong lớp mặt ghép PN
của bán dẫn chế tạo nguồn phát quang như LED và LD, người ta sử dụng
dạng cấu trúc chuyển tiếp dị thể kép nhiều lớp kết hợp với hiệu ứng giam
ánh sáng trong ống dẫn sóng điện môi.
- Nếu cấu trúc mặt ghép PN được xây dựng từ cùng một chất bán dẫn thì
được gọi là chuyển tiếp đồng nhất (Homo-Junction). Trong cấu trúc chuyển
tiếp đồng nhất độ rộng dải cấm EG và chiết suất n của 2 vùng P và N của
chuyển tiếp có giá trị xấp xỉ nhau, có hiệu suất bức xạ ánh sáng tái hợp
nhỏ, nên không sử dụng để chế tạo các linh kiện phát quang.
- Nếu cấu trúc mặt ghép PN được xây dựng từ hai chất bán dẫn có độ rộng
dải cấm EG khác nhau thì được gọi là chuyển tiếp dị thể. Cấu trúc chuyển
tiếp dị thể có thể là dạng P-N, N-P hoặc P-P.
Cấu trúc chuyển tiếp dị thể kép
Trong cấu trúc chuyển tiếp dị thể độ rộng dải cấm EG và chiết suất n trong
hai vùng P và N có giá trị khác nhau. Người ta xây dựng cấu trúc chuyển
tiếp dị thể nhiều lớp để tăng hiệu suất bức xạ tái hợp và giam ánh sáng
trong vùng hoạt tính theo hiệu ứng ống dẫn sóng điện môi. Vì cấu trúc
chuyển tiếp dị thể kép bao gồm 3 vùng là: vùng kẹp giữa hai chuyển tiếp
gọi là vùng hoạt tính, hai vùng hai bên gọi là vùng vỏ.
- Vùng hoạt tính của chuyển tiếp dị thể kép làm từ bán dẫn dải cấm loại
trực tiếp như GaAs (cho dải sóng 0,7 ÷ 0,87μm) và InGaAsP (cho dải sóng
1,2 ÷ 1,7μm) chọn sao cho có độ rộng dải cấm EG nhỏ hơn so với EG của
hai vùng vỏ, nhưng chiết suất n của nó lại lớn hơn chiết suất của hai vùng
vỏ, để cấu trúc chuyển tiếp dị thể kép ba lớp này tạo ra dạng giống như ống
dẫn sóng điện môi. Nhờ sự phản xạ toàn phần tại mặt phân chia giữa vùng
hoạt tính và vùng vỏ hai phía trên và dưới cho phép giam ánh sáng bức xạ
tái hợp phát ra chỉ truyền dọc trong vùng hoạt tính (bị giam) mà không
truyền ra hai vùng vỏ, giảm được tổn hao, nên nâng cao hiệu suất bức xạ.
Cấu trúc chuyển tiếp dị thể kép
- Ngoài ra do độ rộng dải cấm EG của vùng hoạt tính chạn nhỏ hơn so với
độ rộng dải cấm của hai vùng vỏ nên cấu trúc chuyển tiếp dị thể kép này
tạo ra dạng hàng rào thế năng thích hợp cho phép phun được một số lượng
rất lớn các hạt dẫn đi vào trong vùng hoạt tính nhờ đặt thiên áp thuận, nên
tạo ra được trạng thái nghịch đảo nồng độ điện tử cao, làm tăng đáng kể
hiệu suất bức xạ ánh sáng do tái hợp. Độ dày của vùng hoạt tính rất mỏng
cỡ từ 0,3 ÷ 1μm.
- Hai vùng vỏ của chuyển tiếp có thể chế tạo từ bán dẫn dải cấm loại trực
tiếp hoặc gián tiếp nhưng có cấu trúc mạng tinh thể thích hợp với bán dẫn
làm vùng hoạt tính.
- Để tạo sự tiếp xúc điện tốt sát hai bên vùng vỏ của chuyển tiếp dị thể
người ta còn làm thêm hai dải dẫn khác phù hợp gọi là lớp tiếp xúc và lớp
nền. Hình 5.38 đây mô tả cấu trúc tiết diện và giản đồ năng lượng của
chuyển tiếp dị thể kép gồm 5 lớp có vùng hoạt tính là bán dẫn GaAs.
 Diode phát quang (LED - Light Emitting Diode)
Cấu tạo và nguyên tắc làm việc
Diode phát quang là linh kiện bán dẫn quang điện tử. Nó có khả năng
phát ra ánh sang khi có hiện tượng tái hợp xảy ra trong tiếp xúc P-N.
Tuỳ theo vật liệu chế tạo mà ta có ánh sang bức xạ ra ở các vùng bước
sóng khác nhau.
Trong mục này ta sẽ trình bày trước hết về LED bức xạ ra ánh sang nhìn
thấy gọi là LED chỉ thị. LED chỉ thị có ưu điểm là tần số hoạt động cao,
kích thước nhỏ, công suất tiêu hao nhỏ, không sụt áp khi bắt đầu làm
việc. LED không cần kính lọc mà vẫn cho ra màu sắc. LED chỉ thị rất rõ
khi trời tối. Tuổi thọ của LED khoảng 100 ngàn giờ.
Vật liệu chế tạo điôt phát quang
đều là các liên kết của các nguyên
tố thuộc nhóm 3 và nhóm 5 của
bảng tuần hoàn Menđêlêep như
GaAs, hoặc liên kết 3 nguyên tố
như GaAsP v.v.. Đây là các vật liệu
tái hợp trực tiếp, có nghĩa Là sự tái
hợp xảy ra giữa các điện tử ở sát
đáy dải dẫn và các lỗ trống ở sát
đỉnh dải hóa trị.
Các Diode phát quang LED được cấu tạo từ chất bán dẫn với cấu trúc
chuyển tiếp dị thể kép 5 vùng. Nguyên tắc phát ánh sáng của LED là bức
xạ ánh sáng do tái hợp tự phát trong vùng hoạt tính khi lớp chuyển tiếp dị
thể kép đặt dưới một thiên áp thuận (dương đặt lên Anode).
LED vòm và LED phẳng được sử dụng trong phần lớn các thiết bị hiển
thị với lợi ích là rút được lượng ánh sang cực đại từ thiết bị đó => ánh
sáng được phát ra theo tất cả các hướng và sử dụng các ống kính được
sắp xếp theo trật tự nhất định để hội tụ ánhs áng.
 Khi LED phân cực thuận, các hạt dẫn đa số khuếch tán ồ ạt qua tiếp xúc P-N,
chúng gặp nhau sẽ tái hợp và các photon được phát sinh.
 Tốc độ tái hợp trong quá trình bức xạ tự phát này tỉ lệ với nồng độ điện tử
trong phần bán dẫn P và nồng độ lỗ trống trong phần bán dẫn N. Đây là các
hạt dẫn thiểu số trong chất bán dẫn. Như vậy, để tăng số photon bức xạ ra
cần phải gia tăng nồng độ hạt dẫn thiểu số trong các phần bán dẫn.
 Cường độ dòng điện của điôt tỉ lệ với nồng độ hạt dẫn được"chích" vào các
phần bán dẫn, do đó cường độ phát quang của LED tỉ lệ với cường độ dòng
điện qua điôt
 Điện áp phân cực cho LED gần bằng độ rộng vùng cấm của vật liệu, do đó,
các LED bức xạ ở các bước song khác nhau sẽ được chế tạo từ các vật liệu
bán dẫn có độ rộng vùng cấm khác nhau và điện áp phân cực cho chúng cũng
khác nhau.
 Tuy nhiên LED có điện áp phân cực thuận tương đối cao (1,6V ÷ 3V) và có
điện áp ngược cho phép tương đối thấp (3V ÷ 5V)

Đặc tuyến Vôn-Ampe của điôt

phát quang biểu diễn mối quan hệ
giữa dòng điện quang với điện áp
đặt lên LED
LED bao gồm hai loại chính là SLED (Surface emitting LED) - LED
mặt và ELED (Edge LED) LED cạnh.

SLED: còn được gọi

là LED Burrus, ánh
sáng phát ra của LED
này đi từ vùng hoạt
tính qua lớp vỏ ra phía
mặt và được ghép vào
sợi quang gắn liền với
nó qua vùng lòng chảo
của lớp nền và chất
keo gắn có cùng chiết
suất với lớp nền.
ELED: có cấu trúc dạng khối chữ nhật giống như Laser Diode.
Ánh sáng của nó phát ra truyền dọc vùng hoạt tính và đi ra một cạnh,
còn cạnh đối diện sẽ phản xạ toàn phần ánh sáng.
 Các đặc trưng kỹ thuật của LED
 Giản đồ cường độ bức xạ ánh sáng của LED mô tả đặc trưng
hướng của ánh sáng bức xạ của nó được ký hiệu là J(θ). θ là góc lập
từ hướng nhìn với pháp tuyến mặt lớp chuyển tiếp. Độ rộng giản đồ
bức xạ là góc lập bởi hai đường thẳng nối từ gốc tọa độ đến các
điểm có giá trị bằng 1/2 giá trị cực đại.
 Phổ bức xạ của LED có dạng liên tục vì ánh sáng phát ra của nó
là ánh sáng bức xạ tự phát không kết hợp. Mật độ phổ công
suất của LED phân bố liên tục trong một vùng bước sóng khá rộng.
 Hiệu suất lượng tử: Khả năng bức xạ của LED được đánh giá bởi
một đặc trưng kỹ thuật gọi là hiệu suất lượng tử của vùng hoạt
tính.
 Diode phát quang Laser - LD (Laser Diode)
Cấu tạo
 Diode Laser bán dẫn - LD được cấu tạo từ một chuyển tiếp dị thể kép có

dạng khối chữ nhật với hai đầu được mài nhẵn tạo thành hai gương song
song phản xạ ánh sáng. Một gương phản xạ toàn phần, còn một gương
có khe để cho ánh sáng phát ra bên ngoài. Cấu trúc dị thể và hai
gương tạo thành một hộp cộng hưởng Fabry-Pero. Chiều dài hộp
cộng hưởng chọn bằng một số nguyên lần nửa bước sóng phát của
Laser, theo công thức:

 LD làm việc dưới thiên áp thuận và dòng thiên áp có giá trị trên dòng
ngưỡng. Ánh sáng do LD phát ra là ánh sáng kích thích, có tính kết
hợp, nên cường độ và công suất mạnh hơn nhiều lần so với ánh sáng của
LED.
 Nguyên tắc làm việc của LD
Khác với LED, LD làm việc dựa trên nguyên tắc bức xạ ánh sáng kích
thích của vùng hoạt tính của cấu trúc dị thể kép chất bán dẫn. Để có
ánh sáng phát trong chế độ Laser, theo nguyên lý làm việc chung của
Laser, LD cần đảm bảo được ba điều kiện sau:
- Vùng hoạt tính của chuyển tiếp dị thể kép phải là môi trường khuếch đại
đối với ánh sáng bức xạ kích thích.
- Phản hồi quang của ánh sáng bức xạ tái hợp trong vùng hoạt tính phải
là dương, tức vùng hoạt tính của chuyển tiếp dị thể kép phải có cấu
trúc hộp cộng hưởng nhờ hai gương ở hai đầu đặt song song nhau. Chiều
dài L của hộp chọn theo điều kiện cộng hưởng. Khi đó các tia sáng tới và
tia phản xạ truyền dọc hộp sẽ phản xạ liên tiếp tại hai mặt hai gương hai
đầu hộp có pha cách nhau là 2m.π (đồng pha với nhau), với m= 1, 2, 3, …
- Dòng thiên áp thuận đặt lên LD phải đạt trên giá trị dòng ngưỡng, để
đảm bảo trạng thái nghịch đảo nồng độ điện tử trong vùng hoạt tính.
Quá trình hoạt động của LD diễn ra như sau:
- Khi LD được cấp thiên áp thuận, điện tử từ vùng N và lỗ trống từ
vùng P nhận năng lượng và phun vào vùng hoạt tính và bị giam tại đây
do hàng rào thế, tạo nên trạng thái kích thích của điện tử. Sự bức xạ tái
hợp tự phát xảy ra trong vùng hoạt tính và ánh sáng bị giam trong vùng
hoạt tính sẽ truyền đi theo mọi hướng. Chỉ những photon bức xạ
truyền dọc vùng hoạt tính do bị phản xạ liên tiếp tại hai gương hai đầu
hộp cộng hưởng nên truyền được nhiều lấn trong vùng này.
- Trên đường đi, những photon này đập vào các điện tử trong vùng hoạt
tính nằm ở trạng thái bị kích thích làm cho chúng dịch chuyển trở về
trạng thái ổn định và bức xạ ra ánh sáng cưỡng bức có cùng tần
số với photon đập vào.
- Khi dòng bơm nhỏ hơn giá trị ngưỡng, ánh sáng của bức xạ kích thích
phát ra trong vùng hoạt tính bị hấp thụ hết trong vùng này, nên ánh
sáng phát ra của LD khi đó chỉ là bức xạ tự phát, có cường độ rất yếu.
- Khi ta nâng dòng thiên áp bơm lên vượt giá trị ngưỡng, trong vùng
hoạt tính thực hiện được trạng thái “nghịch đảo nồng độ điện tử”.
Khi đó vùng hoạt tính trở thành môi trường khuếch đại bức xạ kích
thích. Khi bức xạ kích thích truyền dọc nhiều lần giữa hai gương
trong vùng này được khuếch đại lên rất lớn và đạt được điều kiện
cộng hưởng trong hộp. Nên trong LD xảy ra quá trình dao động của
bức xạ kích thích, có cường độ rất mạnh, vượt trội sự tiêu hao do hấp
thụ trong cộng hưởng và qua một khe của gương bán phản xạ để phát
ra ngoài. Vì vậy ánh sáng của LD trong chế độ này là ánh sáng kết
hợp (chế độ dao động của Laser).
 Các đặc trưng kỹ thuật của LD
Đặc tuyến vào ra P-I

Đặc tuyến P-I cho biết sự phụ thuộc công suất quang ra vào
dòng thiên áp thuận cho phép điều chế trực tiếp nguồn phát
quang bằng dòng điện thiên áp.
 Giản đồ cường độ bức xạ của LD: Giản đồ cường độ bức xạ của
LD nói chung hẹp hơn nhiều so với LED. Hiệu suất ghép ánh sáng
từ LD vào sợi quang lớn hơn nhiều so với LED.
 Phổ bức xạ của LD: Mode có biên độ lớn nhất gọi là mode chính,
các mode khác gọi là mode biên. Độ rộng đường phổ của LD hẹp
hơn nhiều so với LED, ở LD đa mode Fabry-Pero độ rộng đường
phổ Δλ = 2nm, ở các LD đơn mode thì Δλ = 0,1nm.