电光效应 (Electro-optic effect)

当外加电场较大，足以将原子内场 (3×l08 V/ cm) 扰

乱到有效程度，就可以使本来是立方晶体或单轴晶体
变为双轴晶体。

这种因外加电场使介质光学性质发生变化的效应 ,
叫电光效应。
电光效应的描述 (Description of electro-optic effect)

光在晶体中的传播规律遵从光的电磁理论，利用折
射率椭球可以完整而方便地描述出表征晶体光学特
性的折射率在空间各个方向的取值分布。

外加电场对晶体光学持性的影响，必然会通过折射
率椭球的变化反映出来。因此，可以通过晶体折射
率椭球的变化来研究外电场对晶体光学特性的影响 .
电光效应的描述 (Description of electro-optic effect)

描述晶体光学各向异性的折射率椭球在直角坐标系
(O-x1x2x3 ) 中的一般形式为

xi x j
2
1 i, j  1,2,3 (1) x3
n ij

x2
2 2 2 x1
x x x
1
2
  2
2
1 3
2
n1 n n
2 3
电光效应的描述 (Description of electro-optic effect)

若令

1
2
 Bij (2)
nij

则折射率椭球的表示式为

Bij xi x j  1 (3)
电光效应的描述 (Description of electro-optic effect)

如果将没有外加电场的晶体折射率椭球记为

Bij0 xi x j  1 (4)

外加电场后，晶体的感应折射率椭球记为

Bij xi x j  1
电光效应的描述 (Description of electro-optic effect)

则折射率椭球的变化可很方便地用系数的变化  Bij
描述，上式可写成

( Bij0  ΔBij ) xi x j  1 (5)

Bij0 xi x j  1 (4)

Bij xi x j  1
电光效应的描述 (Description of electro-optic effect)

Bij 是由外加电场引起的，它应与外加电场有关系。
一般情况下， Bij 可以表示成

ΔBij   ijk Ek  hijpq E p Eq   i, j , p, q  1，2，3 (6)

第一项描述了 Bij 与 Ek 的线性关系， [ijk] 是三阶

张量，由这一项所描述的电光效应叫做线性电光效
应。
电光效应的描述 (Description of electro-optic effect)

ΔBij   ijk Ek  hijpq E p Eq   i, j , p, q  1，2，3 (6)

第二项描述了 Bij 与外加电场的二次关系，由这一项

所描述的电光效应叫作二次电光效应。
1. 线性电光系数

在主轴坐标系中，无外加电场晶体的折射率椭球为

B10 x12  B20 x22  B30 x32  1 (7)

外加电场后，折射率椭球发生了变化，它应表示为一
般折射率椭球的形式

B11 x12  B12 x1 x2  B13 x1 x3  B21 x2 x1  B22 x22

 B23 x2 x3  B31 x3 x1  B32 x3 x2  B33 x32  1 (8)
1. 线性电光系数

折射率椭球的系数 [Bij] 是二阶对称张量，有 Bij ＝

Bji 。因而 [Bij] 只有六个独立分量， (8) 式可简化为

B11 x12  B22 x22  B33 x32  2 B23 x2 x3  2 B31 x3 x1  2 B12 x1 x2  1 (9)

B11 x12  B12 x1 x2  B13 x1 x3  B21 x2 x1  B22 x22

 B23 x2 x3  B31 x3 x1  B32 x3 x2  B33 x32  1 (8)
1. 线性电光系数
将 (9) 式与 (7) 式进行比较可见，外加电场后，晶体
折射率椭球系数 [Bij] 的变化为

ΔB11  B11  B10 

0
ΔB22  B22  B2 
ΔB33  B33  B30 
 (10)
ΔB23  B23 
ΔB31  B31 

ΔB21  B21 
 ΔB11  B11  B10 
0
ΔB22  B22  B2 
ΔB33  B33  B30 
 (10)
ΔB23  B23 
ΔB31  B31 

ΔB21  B21 

B10 x12  B20 x22  B30 x32  1 (7)

B11 x12  B22 x22  B33 x32  2 B23 x2 x3  2 B31 x3 x1  2 B12 x1 x2  1 (9)
1. 线性电光系数
[Bij] 是二阶对称张量，将下标 i 和 j 交换其值不变，
可将它的二重下标简化成单个下标，其对应关系为
B11 B22 B33 B23 B31 B12
B1 B2 B3 B4 B5 B6 (11)

ΔB11  B11  B10 

0
ΔB22  B22  B2 
ΔB33  B33  B30 
 (10)
ΔB23  B23 
ΔB31  B31 

ΔB21  B21 
1. 线性电光系数

相应的 [Bij] 也可简化为有六个分量的矩阵

ΔB1  ΔB11  ΔB11  B11  B10 

ΔB  ΔB  0
 2   22  ΔB22  B22  B2 
ΔB3  ΔB33  ΔB33  B33  B30 
    (10)
ΔB4  ΔB23  ΔB23  B23 
ΔB5  ΔB31  ΔB31  B31 
    
ΔB6  ΔB12  ΔB21  B21 
1. 线性电光系数

对于线性电光系数 [ijk] ，因其前面两个下标 i 、 j

互换时，对 [Bij] 没有影响，也可将这两个下标简
化为单个下标。线性电光效应 (6) 式，可以写成如下
形式：
ΔBi   ij E j i  1, 2, , 6; j  1, 2, 3 (12)

ΔBij   ijk Ek  hijpq E p Eq   i, j , p, q  1，2，3 (6)

1. 线性电光系数
相应的矩阵形式为

ΔB1   11  12  13 
ΔB     
 2   21 22 23  E 
ΔB3   31  32  33  1
    E2  (13)
ΔB4   41  42  43  E 
ΔB5   51  52  53  3
   
ΔB6   61  62  63 

式中的 (6×3) 矩阵就是线性电光系数矩阵，它描

述了外加电场对晶体光学特性的线性效应。
1. 线性电光系数

一般情况下，电光系数矩阵有 18 个独立元素，但是
由于晶体结构对称性的限制 , 其独立元素数目将减
少.
ΔB1   11  12  13 
ΔB     
 2   21 22 23  E 
ΔB3   31  32  33  1
    E2  (13)
ΔB4   41  42  43  E 
ΔB5   51  52  53  3
   
ΔB6   61  62  63 

这些晶体的电光系数矩阵的具体形式，可以查问有关
手册和文献。
2. 几种晶体的线性电光效应
1) KDP 型晶体的线性电光效应
KDP(KH2PO4, 磷酸二氢钾 ) 晶体是水溶液培养的一种
人工晶体，在 0.2 ～ 1.5m 波长范围内透明度很高 ,
且抗激光破坏阈值很高。它的主要缺点是易潮解。
1) KDP 型晶体的线性电光效应

KDP 晶体是单轴晶体，属四方晶系。属于这一类型
的晶体还有 ADP 、 KD*P 等，它们同为 42m 晶
体点群，其外形如图所示，光轴方向为 x3 轴方向。

x3

a=bc
x1 x2  =  =  = 900
(1) KDP 型晶体的感应折射率椭球

KDP 型晶体无外加电场时，折射率椭球为旋转椭球，
在主轴坐标系中，折射率椭球方程为

B10 ( x12  x22 )  B30 x32  1 (14)

式中， 1    B30  1/ n32 =1/ ne2 ;

0 2 2 0
B 1/ n1 1/ no B2;

no ， ne 分别为单轴晶体的寻常光和非常光
的主折射率。
(1) KDP 型晶体的感应折射率椭球

当晶体外加电场时，折射率椭球发生形变。可得 KDP
型晶体的线性电光系数矩阵，由 (13) 式，其 [Bi] 为

ΔB1  0 0 0  ΔB1   11  12  13 
ΔB  0 0 0  ΔB     
 2    E1   2   21 22 23  E 
ΔB3  0 0 0   ΔB3   31  32  33  1
    E2  (15)     E2  (13)
ΔB4   41 0 0  E  ΔB4   41  42  43  E 
ΔB5  0  41 0  3 ΔB5   51  52  53  3
       
ΔB6  0 0  63  ΔB6   61  62  63 
(1) KDP 型晶体的感应折射率椭球

因此

ΔB1  0 
ΔB2  0 

ΔB3  0 
 (16)
ΔB4   41 E1 
ΔB5   41 E2 

ΔB6   63 E3 
(1) KDP 型晶体的感应折射率椭球

再由 (l0) 式、 (9) 式可得 KDP 型晶体的感应折射率

椭球表示式：

B10 x12  B20 x22  B30 x32  2 41 ( E1 x2 x3  E2 x3 x1 )  2 63 E3 x1 x2  1 (17)

B10 x12  B20 x22  B30 x32  2 41 ( E1 x2 x3  E2 x3 x1 )  2 63 E3 x1 x2  1 (17)

B11 x12  B22 x22  B33 x32  2 B23 x2 x3  2 B31 x3 x1  2 B12 x1 x2  1 (9)

ΔB11  B11  B10  ΔB1  0 

0 
ΔB22  B22  B2  ΔB2  0

ΔB33  B33  B30  ΔB3  0 
 (10)  (16)
ΔB23  B23  ΔB4   41 E1 
ΔB31  B31  ΔB5   41 E2 
 
ΔB21  B21  ΔB6   63 E3 
(1) KDP 型晶体的感应折射率椭球

将 (l7) 式与 (14) 式比较可见， KDP 型晶体外加电场

后 , 感应折射率椭球方程中出现了交叉项，这说明感
应折射率椭球的三个主轴不再与晶轴重合。

B10 x12  B20 x22  B30 x32  2 41 ( E1 x2 x3  E2 x3 x1 )  2 63 E3 x1 x2  1 (17)

B10 ( x12  x22 )  B30 x32  1 (14)

x1

x2
x3
(1) KDP 型晶体的感应折射率椭球

由 (17) 式还可以看出，垂直于光轴方向的电场分量所
产生的电光效应只与  41 关，平行于光轴方向的电场
分量所产生的电光效应只与  63 有关。

B10 x12  B20 x22  B30 x32  2 41 ( E1 x2 x3  E2 x3 x1 )  2 63 E3 x1 x2  1 (17)

E1
x1

E2
x2
x3
E3
(1) KDP 型晶体的感应折射率椭球

为了充分地运用晶体的电光效应，外加电场并非沿任
意方向加到晶体上，通常不是取垂直于光轴方向 , 就
是取平行于光轴方向。

x1

x2
E x3
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

在未加电场时，光沿着 x3 方向传播不发生双折射。
当平行于 x3 方向加电场时，感应折射率椭球的表示
式为

B10 x12  B20 x22  B30 x32  2 63 E3 x1 x2  1 (18)

B10 x12  B20 x22  B30 x32  2 41 ( E1 x2 x3  E2 x3 x1 )  2 63 E3 x1 x2  1 (17)

(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

x12  x22 x32

2
 2  2 63 E3 x1 x2  1 (19)
no ne

首先应确定感应折射率椭球的形状，也就是找出感应
折射率椭球的三个主轴方向及相应的长度。
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

由 (l9) 式可以看出，这个方程的 x32 项相对无外加电

场时的折射率椭球没有变化，说明感应折射率椭球的
一个主轴与原折射率椭球的 x3 轴重合。

x12  x22 x32

2
 2  2 63 E3 x1 x2  1 (19)
no ne

x12  x22 x32

2
 2 1
no ne
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

假设感应折射率椭球的新主轴方向为 xl 、 x2 、 x3,

则由 xl 、 x2 、 x3 构成的坐标系可由原坐标系 (O-
x1x2x3 ) 绕 x3 轴旋转  角得到，相应的坐标变换关系
为 x 2
x2
(x1, x2)
x1  x1 cos   x2 sin   (x1, x2)
 x 1
 
x2  x1 sin   x2 cos   (20)

x3  x3 
 
O x1
x 3
x3
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

将上式代入 (19) 式，经过整理可得：

 1  2  1  2 1 2
 2  2 63 E3 sin  cos   x1   2  2 63 E3 sin  cos   x2 + 2 x3
 no   no  ne
 2 63 E3 (cos 2   sin 2  ) x1x2  1 (21)
 1  2  1  2 1 2
 2  2 63 E3 sin  cos   x1   2  2 63 E3 sin  cos   x2 + 2 x3
 no   no  ne
 2 63 E3 (cos 2   sin 2  ) x1x2  1 (21)

x12  x22 x32

2
 2  2 63 E3 x1 x2  1 (19)
no ne

x1  x1 cos   x2 sin  


 
x2  x1 sin   x2 cos   (20)
x3  x3 

(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

由于 xl 、 x2 、 x3 为感应折射率椭球的三个主轴方

向 , 所以上式中的交叉项为零，即应有

2 63 E3 (cos 2   sin 2  ) x1x2 =0

 1  2  1  2 1 2
 2  2 63 E3 sin  cos   x1   2  2 63 E3 sin  cos   x2 + 2 x3
 no   no  ne
 2 63 E3 (cos 2   sin 2  ) x1x2  1 (21)
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

因为  63 、 E3 不为零，只能
是
cos 2   sin 2   0

2 63 E3 (cos 2   sin 2  ) x1x2 =0

所以

  450
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

感应折射率椭球的三个主轴方向为原折射率椭球的三
个主轴绕 x3 轴旋转 450 得到 , 该转角与外加电场的
大小无关，但转动方向与电场方向有关。

x 1 x1
x1 x 1
x 2

x2 x2
E3 E3
x3 x3 x 2

  450
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

若取 ＝ 450 ，折射率椭球方程
为
 1  2  1  2 1 2
 2   63 E3  x1   2   63 E3  x2 + 2 x3 =1 (22)
 no   no  ne

 1  2  1  2 1 2
 2  2 63 E3 sin  cos   x1   2  2 63 E3 sin  cos   x2 + 2 x3
 no   no  ne
 2 63 E3 (cos 2   sin 2  ) x1x2  1 (21)
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

或写成

B
0
1   63 E3  x12   B10   63 E3  x22 +B30 x32  1 (23)

或
B1 x12  B2 x22 +B30 x32  1 (24)

该方程是双轴晶体折射率椭球的方程式。
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

KDP 型晶体在外加电场 E3 后 , 由原来的单轴晶体变

成了双轴晶体。其折射率椭球与 x1Ox2 面的交线由原
来的 r ＝ no 的圆，变成现在的主轴在 450 方向上的
椭圆。 x2
x2
n2 x1
E=0 时的 n1
圆截面
450
n0 x1
O
E=E3 时的 x 3
椭圆截面 x3
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应
现在进一步确定感应折射率椭球的三个主折射率 :
首先，将 (22) 式变换为

1 1 1 2
2  o 63 3  1 2  o 63 3  2
1  n 2
 E x  2
 1  n 2
 E x  2
+ x  1
2 3
no no ne

 1  2  1  2 1 2
 2   63 E3  x1   2   63 E3  x2 + 2 x3  1 (22)
 no   no  ne
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

因为 63 的数量级是 10-10 cm/V,E3 的数量级是 104

V/cm, 所以  63 E3 << 1 ，故可利用幂级数展开，并只
取前两项的关系，将上式变换成
x12 x22 x32
2
 2
+ 2  1 (25)
2 1 2  2 1 2  ne
no 1  no  63 E3  no  1  no  63 E3 
 2   2 

1 1 1 2
2 
1  no  63 E3  x1  2 1  no  63 E3  x2 + 2 x3  1
2 2 2 2

no no ne
1 1 1 2
2 
1  no  63 E3  x1  2 1  no  63 E3  x2 + 2 x3  1
2 2 2 2

no no ne

x12 1  no2 63 E3   x22 1  no2 63 E3  x32

2
+ 2 1
no ne

2 2
2 1 2  2 1 2 
x1 1  no  63 E3   x2  1  no  63 E3 
 2   2 x  2
 + 3 1
2 2 2
 1   1  n
no2  1  no2 63 E3   1  no2 63 E3  e

 2   2 

x12 x22 x32

2
 2
+ 2  1 (25)
2 1 2  2 1 2  ne
no 1  no  63 E3  no  1  no  63 E3 
 2   2 
 2 2
2 1 2  2 1 2 
 
x1 1  no  63 E3   x2  1  no  63 E3 
 2   2 x  2
 + 3 1
2 2 2
 1   1  n
no2  1  no2 63 E3   1  no2 63 E3  e

 2   2 

x12 1  no2 63 E3   x22 1  no2 63 E3  x32

+ 2 1
no 1  no  63 E3 1  no  63 E3 
2 2 2
ne

1  n 
2
o 63 E3 1  no2 63 E3   1  no4 632 E32  1
2
 1 2  1 4 2 2
 1  n  E
o 63 3   1  n 2
 E
o 63 3  n 
o 63 E3  1  no  63 E3
2

 2  4
 63 E3  1

x12 1  no2 63 E3   x22 1  no2 63 E3  x32

2
+ 2 1
no ne
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应
由此得到感应折射率椭球的三个主折射率为

1 3

n1  no  no  63 E3
2
1
n2  no  no3 63 E3 (26)
2
n3  ne

x12 x22 x32

2
 2
 2  1 (25)
2 1 2  2 1 2  ne
no 1  no  63 E3  no  1  no  63 E3 
 2   2 
(2) 外加电场平行于光轴的电光效应

①单轴晶体变成了双轴晶体

②三个主折射率的变化如下：

1 3
n1  no  no  63 E3
n1  no  2

n2  no   
1 3
n2  no  no  63 E3
n3  ne  2
n3  ne
①光沿 x3 方向传播

在外加电场平行于 x3 轴 ( 光轴 ) ，而光也沿 x3(x3)

轴方向传播时 , 由 63 贡献的电光效应 , 叫 63 的纵
向运用 .
x2
x 2

x 1
x1
x3
x 3
光 E3
①光沿 x3 方向传播

相应的两个特许偏振分量的振动方向分别平行于感
应折射率椭球的两个主轴方向 ( x1 和 x2) ，这两个
偏振光在晶体中以不同的折射率沿 x3 轴传播。

1 3
n1  no  no  63 E3
2
1 3

n2  no  no  63 E3 (26)
2
n3  ne
①光沿 x3 方向传播
当它们通过长度为 d 的晶体后 , 其间相位差由折射率
差
n3  n2  n1  no3 63 E (27)

1 3
n1  no  no  63 E3
2
1 3
n2  no  no  63 E3
2
决定，为

2π 2π
 (n2  n1 )d  no3 63 Ed (28)
 
①光沿 x3 方向传播

2π 2π
 (n2  n1 )d  no3 63 Ed (28)
 

Ed 恰为晶片上的外加电压 U ，故上式可表示为

2π
 no3 63U (29)


通常把这种由外加电压引起的二偏振分量间的相位差
叫做“电光延迟”。
①光沿 x3 方向传播

63 纵向运用所引起的电光延迟正比于外加电压 , 与
晶片厚度 d 无关。

2π
 no3 63U (29)


当电光延迟 ＝ 时，相应的外加电压叫半波电压，

以 U 或 U/2 表示。
①光沿 x3 方向传播
由 (29) 式可以求得半波电压为


U  /2  3 (30)
2no 63

2π
 no3 63U (29)


它只与材料特性和波长有关，在实际应用中，它是表
征晶体电光效应特性的一个很重要的物理参量。
②光沿 x2( 或 x1) 方向传播

光沿 x2( 或 x1) 轴方向传播时， 63 贡献的电光效

应叫  63 的横向运用。这种工作方式通常对晶体采取
450— x3 切割，晶片的长和宽与 x1 、 x2 轴成 450 方
向。

E3 x 3, x 3

x 1 (001) d
x1 x 2 x2
(110) l

光
②光沿 x2( 或 x1) 方向传播

光沿晶体的 [110] 方向传播，晶体在电场方向上的

厚度为 d ，在传播方向上的长度为 l 。

x3
E3 x 3, x 3

(001) d (001)
x 1 (110)
x1 x 2 x2
(110) l
x1 x2
光 晶面指标是用三个
互质整数来表示
②光沿 x2( 或 x1) 方向传播
光沿感应折射率椭球的主轴方向 x2 传播时，相应的
两个特许线偏振光的折射率为 nl 和 n3 。

x2
x 2 1 3
光 n1  no  no  63 E3
x 1 2
x1 1 3

n2  no  no  63 E3 (26)
x3 2
n3  ne
x 3 E
3
②光沿 x2( 或 x1) 方向传播

该二光由晶片射出时的相位差为

2π 2π 1
 (n1  n3 )l l [(no  ne )  no3 63 E3 ]
  2
2π π l 3
 ( no  ne )l  no  63U (31)
 d

1 3
n1  no  no  63 E3
2
n3  ne
②光沿 x2( 或 x1) 方向传播

等号右边第一项表示由自然双折射造成的相位差；第
二项表示由线性电光效应引起的相位差。

2π 2π 1 3
  (n1  n3 )l  l [(no  ne )  no  63 E3 ]
  2
2π π l 3
 (no  ne )l  no  63U (31)
 d
与 63 纵向运用相比， 63 横向运用有两个特点：

1) 电光延迟与晶体的长厚比 l / d 有关，因此可以通
过控制晶体的长厚比来降低半波电压。

2π
 no3 63U (29)

2π π l 3
  (no  ne )l  no 63U (31)
 d
与 63 纵向运用相比， 63 横向运用有两个特点：

2) 横向运用中存在着自然双折射作用。由于自然双
折射受温度的影响严重，所以对相位差的稳定性
影响很大。

2π
 no3 63U (29)

2π π l 3
 (no  ne )l  no 63U (31)
 d
②光沿 x2( 或 x1) 方向传播

实验表明， KDP 晶体的 (no － ne) / T ～ 1.110-

5
/℃ ，对于 0.6328m 的激光通过 30mm 的 KDP
晶体 , 在温度变化 l ℃ 时，将产生约 1.1 的附加
相位差。
2π π l 3
  (no  ne )l  no  63U (31)
 d

为了克服这个缺点，在横向运用时，一般均需采取补
偿措施。
②光沿 x2( 或 x1) 方向传播

经常采用两种办法：其一，用两块制作完全相同的晶
体 , 使之 900 排列，即使一块晶体的 x1 和 x3 轴
方向分别与另一块晶体的 x3 和 x1 轴平行，如图所
示： x3 x 1
x 2 x 2
x 1 E3 x3

d l 光传播方向
E3

x3 E3 x3 E3
②光沿 x2( 或 x1 ) 方向传播

其二，使一块晶体的 x1 和 x3 分别与另一种晶体

的 x1 和 x3 反向平行排列，在中间放置一块 l /2

波片。x3 x 1
x 2 x 2
x 1 E3 E3 x3
 2
½波
片

x3 E3 x3 E3
②光沿 x2( 或 x1) 方向传播

就补偿原理而言，这两种方法相同，都是使第一块
晶体中的 o 光进入第二块晶体变成 e 光，第一块
晶体中的 e 光进入第二块晶体变为 o 光，而且二
晶体长度和温度环境相同。

所以，由自然双折射和温度变化引起的相位差相互
抵消。
②光沿 x2( 或 x1) 方向传播

由第二块晶体射出的两光束间，只存在由电光效应引
起的相位差：
lπ
 n U 3
(32)
 d
o 63

2π π l 3
 (no  ne )l  no  63U (31)
 d

相应的半波电压为
  d
U / 2  3  (33)
 2no 63  l
②光沿 x2( 或 x1) 方向传播

与 (30) 式进行比较有

d
U  / 2 横  U  / 2 纵  (34)
l

  d
U / 2  3  (33)
 2no 63  l

U  /2  3 (30)
2no 63
②光沿 x2( 或 x1) 方向传播

横向运用时的半波电压一般均比纵向运用时低，
通过改变晶体的长厚比，可以降低横向运用的半波
电压。

但由于横向运用必须采取补偿措施 , 结构复杂 ,
对两块晶体的加工精度要求很高，所以，一般只有
在特别需要较低半波电压的场合才采用。